纳芯微丨智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，推出110V半桥驱动芯片NSD2123

Release time：2026-06-30
author：AMEYA360
source：纳芯微
reading：161

　　随着AI算力需求爆发，GaN器件在AI数据中心电源的渗透率正加速提升，以突破功率密度瓶颈;与此同时，机器人关节驱动、光储、Class D音频等领域也对高效紧凑的电源方案提出需求，共同推动GaN技术从消费快充迈向泛工业市场。GaN器件凭借低损耗、高开关频率等优势，已成为新一代电源设计的核心选择，而其价值释放离不开专用驱动芯片的精准适配。

　　在此背景下，纳芯微全新推出110V半桥GaN驱动芯片NSD2123，具备智能自举充电控制、桥臂中点耐负压和抗干扰能力强、内置有源米勒钳位等特点，广泛适用于电源模块、同步整流、机器人、光储、音频功放等领域，以及Buck、Boost、LLC、HSC等各类硬开关或软开关拓扑。

纳芯微丨智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，推出110V半桥驱动芯片NSD2123

　　产品特性

　　专为增强型E mode GaN HEMT驱动优化

　　采用自举开关代替自举二极管，消除自举电容压降

　　自举开关采用智能充电控制，避免GaN第三象限导通时自举电容被过充

　　HS耐压范围：-10V~110V

　　HS dv/dt抑制能力100V/ns

　　推荐供电范围4.5V~5.5V

　　HI/LI输入支持TTL逻辑电平

　　3A/5A峰值驱动电流，并且内置有源米勒钳位

　　灌电流/拉电流输出引脚分开，可独立调节开通、关断速度

　　典型值10ns最小输入脉宽

　　典型值17ns输入输出传输延时

　　典型值1ns HO/LO传输延时失配

　　典型值6ns上升时间(1nF 负载)

　　典型值4ns下降时间(1nF 负载)

　　封装：2mm*2mm WLCSP、2mm*2mm LGA

　　工作结温范围：-40℃~150℃

纳芯微丨智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，推出110V半桥驱动芯片NSD2123

　　NSD2123功能框图

　　智能充电控制，

　　消除自举过压风险

　　GaN器件没有传统硅MOSFET的体二极管，而是依靠第三象限导通实现续流。在半桥拓扑中，死区时间内下管续流会使HS节点出现负压，传统自举供电方式可能导致自举电容过充，增加高边GaN栅极过压风险，影响系统长期运行可靠性。

纳芯微丨智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，推出110V半桥驱动芯片NSD2123

　　GaN/Si MOSFET/IGBT 导通和续流特性对比

　　针对这一挑战，NSD2123采用智能自举充电控制，仅在低边GaN导通期间开启自举充电路径，在死区时间自动停止充电，从而有效避免自举电容过充，降低高边GaN栅极过压风险，为GaN应用提供更加可靠的驱动方案。

　　同时，NSD2123采用MOSFET替代传统自举二极管作为充电通路，大幅降低自举充电路径压降，使高边GaN能够获得接近VDD的驱动电压，在保证可靠驱动的同时进一步降低导通损耗，充分释放GaN器件的高效率优势。

　　兼顾耐负压与抗干扰能力，

　　契合高频、高速应用

　　由于GaN器件的高速开关特性，在各类应用中容易引起桥臂中点的负压振荡现象，特别是在电机短路等大电流关断的应用场景下，桥臂中点的负压震荡最低可达-10V左右，如果GaN半桥驱动芯片设计不当，可能导致闩锁或误触发，影响系统稳定运行。

纳芯微丨智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，推出110V半桥驱动芯片NSD2123

　　桥臂中点产生负压震荡的机理

　　针对这一挑战，NSD2123通过专门强化的电路工艺，可以实现瞬态-10V的桥臂中点耐负压能力，从而避免发生闩锁问题。此外，通过对内部level shifter电路的特殊设计，可以实现100V/ns的dv/dt抑制能力，充分释放GaN高频、高速开关性能。

　　驱动输出独立调节，内置有源米勒钳位，

　　降低误导通风险

　　GaN器件对栅极驱动电压和开关速度更加敏感，传统驱动方案通常需要借助外部二极管实现开通、关断速度的独立调节，但二极管压降会降低GaN栅极驱动电压影响导通损耗，或增加关断状态下的误导通风险。

纳芯微丨智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，推出110V半桥驱动芯片NSD2123

　　GaN采用Split Output驱动芯片方案

　　NSD2123采用Split Output驱动架构，无需额外串联二极管，即可分别调节GaN器件的开通和关断速度。此外，NSD2123提供3A拉电流、5A灌电流峰值驱动能力，即使在多颗GaN并联应用中也能实现快速稳定驱动;内置有源米勒钳位，进一步增强关断期间的栅极下拉能力，有效降低误导通风险，提升系统可靠性。

　　封装与选型

　　纳芯微110V半桥GaN驱动芯片NSD2123提供WLCSP及LGA两种2mm*2mm小尺寸封装，进一步咨询NSD2123产品及申请样片，可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。

纳芯微丨智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，推出110V半桥驱动芯片NSD2123


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纳芯微丨双奖加冕！PrimeDrive™赋能高可靠电驱系统
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纳芯微丨双奖加冕！PrimeDrive™赋能高可靠电驱系统

　　近日，纳芯微在第六届全球xEV驱动系统技术暨产业大会上荣获国产芯片TOP企业奖，同时，PrimeDrive™功能安全隔离驱动NSI6911F荣获2026电驱动技术创新奖，再次印证了行业对纳芯微技术实力与产品创新能力的双重认可。　　围绕下一代电驱系统需求，纳芯微PrimeDrive™隔离栅极驱动持续完善产品布局：　　ASIL D功能安全隔离驱动NSI6911F现已全面量产，集成业内领先的12位高精度隔离采样ADC及高性能驱动能力，为高可靠电驱系统提供坚实保障。　　第二代功能安全隔离驱动NSI6931已开放送样，在功能安全的基础上进一步集成变驱动、健康监测、主动放电、副边电源等多项功能，帮助客户实现更高能效、更高集成度与更优系统成本。　　目前，纳芯微PrimeDrive™隔离栅极驱动已连续三年稳居中国市场份额第一，累计出货量已超14亿颗，国内汽车市场份额持续领先。　　进一步咨询产品及申请样片，可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问纳芯微官网PrimeDrive™专区：www.novosns.com/isolated-drivers
2026-06-26 10:24 reading：249
纳芯微推出NST113x数字温度传感器，以高精度测温赋能新一代微型化终端设计
行业新闻

纳芯微推出NST113x数字温度传感器，以高精度测温赋能新一代微型化终端设计

　　随着终端设备向小型化、高集成度方向持续演进，温度传感器不仅需要提供更高测量精度，还需在有限空间内兼顾功耗、可靠性与系统集成需求。针对可穿戴设备、医疗电子、光学模组及电源热管理等应用场景对于精准测温的需求，纳芯微正式推出NST113x系列高精度低功耗数字温度传感器。　　NST113x系列产品基于CMOS工艺晶体管PN结温度效应设计，采用仅0.75mm × 0.75mm的DSBGA(4) CSP封装，在实现±0.1℃(max)常温测温精度的同时，兼具超低功耗、高可靠性以及灵活的系统兼容能力，帮助客户在空间受限的设计中实现精准测温、长续航与高系统可靠性的平衡。　　高精度输出，无需二次校准　　NST113x系列采用高线性度数字输出架构，出厂完成校准，无需用户二次校准即可实现精准温度检测，有助于简化生产流程、减少系统校准工作量并加快产品导入。　　产品在不同温度范围内均具备优异的测温性能：　　25℃~45℃范围内，测温精度可达±0.1℃(max);　　0℃~70℃范围内，测温精度可达±0.25℃(max);　　-40℃~125℃全温范围内，测温精度小于±0.5℃(max)。　　同时，NST113x系列具备0.015625℃温度分辨率，能够捕捉细微温度变化，为温度监测、热补偿及温控算法优化提供更丰富的数据支持，并为健康监测和系统补偿算法提供更细粒度的温度数据输入。　　超低功耗，兼顾续航与测温精度　　NST113x支持低功耗工作模式，在1Hz工作频率下运行功耗2.9μA，Shutdown模式下功耗仅0.25μA，不仅有助于延长终端设备续航时间，还能够有效降低器件自发热对测温精度的影响。超低功耗运行可以进一步提升测量准确性，特别适用于智能手表、智能戒指、连续血糖监测仪(CGM)等需要长时间连续监测温度变化的电池供电设备。　　超小封装，适配高集成度设计　　NST113x采用DSBGA(4) CSP封装，尺寸仅为0.75mm × 0.75mm，可有效节省PCB布局空间，为终端集成更多传感器及功能模块释放设计空间。　　凭借超小尺寸优势，NST113x能够更好地适应对空间利用率要求极高的产品设计需求，同时也适用于各类紧凑型光学模组及便携式电子设备。　　高兼容性与高可靠性，简化系统开发　　NST113x兼容I²C和SMBus接口协议，支持最高2.8MHz通信速率、SMBus Time-out功能。同时，器件最多支持4种从地址配置，可有效提升多器件系统的扩展能力，帮助客户简化硬件设计并降低开发复杂度。　　NST113x系列支持1.5V至3.6V宽电压范围供电，并具备±5kV HBM ESD防护能力，可有效抵御静电冲击，提高终端设备长期运行可靠性。
2026-06-24 11:05 reading：280
纳芯微丨AI服务器电源中的隔离电源：分立式与集成式如何选择？
行业新闻

纳芯微丨AI服务器电源中的隔离电源：分立式与集成式如何选择？

　　随着服务器功耗提升和供电架构复杂化，电源系统需要在安全性、效率和可靠性方面满足更高要求。隔离电源为服务器系统在高电压、大电流和复杂电磁环境下提供隔离供电，保障系统稳定运行。　　纳芯微围绕“隔离+”产品布局，构建了覆盖分立式与集成式方案的隔离电源产品组合，可适配服务器及AI服务器电源中的多类隔离供电需求，支持系统在安全性、效率和可靠性方面的设计要求。　　从“隔离”到“隔离+”：覆盖系统级隔离需求　　在电力电子系统中，隔离用于建立电气安全边界，降低高低压侧之间的安全风险。纳芯微提出“隔离+”概念，围绕隔离等级、产品组合和应用场景，提供系统级隔离方案。　　“隔离+”安全等级　　纳芯微提供覆盖功能绝缘、基本绝缘到增强绝缘的隔离等级产品。增强绝缘适用于服务器 PSU 的 PFC 级、光伏逆变器直流侧等对单点绝缘失效有严格要求的高压场景。相关增强绝缘产品配备认证证书，并具备对应绝缘等级与长期工作电压能力，从芯片层面支持设备长期安全运行。　　“隔离+”产品生态　　纳芯微基于自主迭代多年的电容隔离技术IP，形成了覆盖多类隔离需求的产品组合。该组合包括数字隔离器，如 NSI82xx 和 NSI83xx 系列;集成隔离与接口功能的隔离接口，如隔离 RS-485/CAN;集成隔离与采样功能的隔离采样放大器;以及用于驱动功率器件的隔离驱动芯片。隔离电源是其中的重要组成部分，用于为上述隔离器件提供隔离供电。通过不同隔离产品的组合，纳芯微可为客户提供一站式隔离解决方案，支持系统集成度、可靠性和布局紧凑性的提升。　　“隔离+”应用场景　　“隔离+”面向电动汽车 800V 高压平台、兆瓦级光储充系统、AI服务器电源等应用场景，支持系统在安全性、可靠性和效率方面的设计需求。在AI服务器电源中，“隔离+”需要为数十甚至上百路隔离驱动、采样与通信接口提供稳定、高效且安全的供电，支撑复杂多相架构与高动态响应需求。　　隔离电源：实现系统隔离的供电基础　　隔离电源为隔离器件的原边和副边电路提供独立、不共地的电源。实现隔离电源供电主要有两种技术路径：分立式与集成式，核心区别在于能量转换的关键元件——变压器是否内置于芯片。　　若使用非隔离电源，高压侧的电气噪声、浪涌或故障电压可能通过电源路径耦合至低压控制侧，导致MCU损坏或系统误动作。此时，即使信号路径已实现隔离，系统层面的电气隔离仍不完整。因此，隔离供电是实现系统电气隔离的重要条件。　　例如，纳芯微数字隔离器 NSI824x 可实现低压MCU侧与高压功率侧(IPM)之间的信号传输，其原边(VDD1)和副边(VDD2)均需独立供电，以保证两侧的电气隔离关系。　　NSIP3266：分立式隔离电源方案　　分立式隔离电源通常由隔离电源控制器 IC、外置变压器、副边整流二极管等器件组成。其优势在于配置灵活。客户可通过调整变压器匝比和规格，实现 5V 转 5V、12V、24V 等不同输出电压，而无需更换控制器 IC。同时，外置变压器可根据功率需求选择磁芯和线径，支持数瓦至数十瓦输出，部分功耗由变压器承担，对 IC 散热压力相对较小。　　分立式方案也会带来一定设计成本。系统需要管理控制器 IC、变压器、整流器件，部分场景还需要 LDO，BOM 数量较多。外置变压器占用 PCB 面积，也对高功率密度设计提出要求。此外，变压器在制造、运输和装配过程中可能出现线圈断裂、磁芯松动等问题，需要关注器件一致性和装配可靠性。　　纳芯微 NSIP3266 是一款内置全桥拓扑的隔离电源控制器，搭配外部变压器可构成开环隔离电源方案。该产品支持宽输入电压范围，可降低前级电源设计复杂度;内置软启动和晶振，无需 MCU 控制即可工作;同时集成欠压、过流、过温等自恢复保护功能，支持系统在异常工况下保持受控状态。　　NSIP3266 封装图HMSOP8，电路设计简洁　　在服务器电源中，NSIP3266 为多路隔离驱动提供供电，例如 PFC 级、LLC 级中的 SiC 或 GaN 驱动器。该方案适合“一带多”的半分布式供电架构，用于应对功率级路数增加带来的隔离供电需求。　　NSIP9xxx 系列：集成式隔离电源方案　　集成式方案将变压器通过半导体工艺集成在芯片内部，形成单芯片隔离供电方案。与分立式方案相比，集成式方案减少了外置变压器及相关外围器件，在板级空间、器件数量和设计复杂度方面具有优势。其主要特点包括：　　微型化　　无需外置变压器，方案体积可缩减至传统分立方案约1/10 ，为服务器主板释放空间。　　可靠性　　消除外置变压器在振动、焊接、装配中的失效点。芯片采用标准表贴工艺，耐温范围更宽(通常 -40℃ 至 125℃ )，适用于严苛的工业与汽车环境。　　简化设计　　仅需配置输入输出电容，简化 PCB 布局与供应链管理。　　性能优异　　由于原副边电路与变压器高度集成，更容易实现闭环控制，从而获得更好的负载调整率和动态响应。同时，基于统一IP设计的集成变压器，其电磁辐射(EMI)特性更一致且易于优化。　　纳芯微全新量产的 NSIP9xxx 系列，是“隔离+”产品布局在集成式隔离电源方向的代表性产品。该系列实现了 0.5W 隔离 DC/DC 电源( 5V 转 5V )与数字功能(如 IO 接口、隔离接口)的单芯片集成，可同时支持能量隔离与信号隔离，简化系统架构。NSIP9xxx 系列适用于对功率密度、板级空间和系统可靠性有要求的应用，如高端服务器、光储、汽车电子等领域。　　以 NSIP9042 为例，该产品单芯片集成隔离 CAN 接口与 0.5W 隔离 DC/DC 电源。对于服务器 PSU 对外通信、BBU 与 BMS 通信等场景，传统方案通常需要“数字隔离器 + CAN 收发器 + 隔离电源”三颗芯片及多个外围元件。NSIP9042 将隔离通信与隔离供电集成在同一芯片内，在提供隔离通信功能的同时，由内置隔离电源完成自身供电，可节省超过 70% 的布板面积，并降低 BOM 复杂度和潜在失效点。　　NSIP9042 封装图(SOW20 & SOW16)及功能框图　　NSIP9xxx 系列在服务器电源中的主要应用场景包括对外隔离接口供电、IO 口供电，例如 PC PSU对外通信、BBU 与 BMS 之间的通信等场景。其核心价值可概括为四点：　　高集成度　　芯片级方案仅需添加输入和输出电容即可实现系统级功能，助力客户突破功率密度极限。　　系统长期可靠　　消除了磁性元件的所有传统失效模式，满足服务器、光伏储能等对寿命和稳定性要求极高的应用。　　卓越的EMC表现　　集成设计带来更可控、更优的电磁兼容特性，简化系统滤波设计。　　一站式认证与高耐压　　提供完整的增强绝缘认证，VIOSM(浪涌)与VIORM(重复工作电压)参数领先，为系统安全提供证书与性能的双重保障。　　完善隔离电源产品组合　　支持服务器电源设计　　随着服务器功耗提升和供电架构演进，隔离电源在系统中的作用已从辅助供电单元，延伸到驱动供电、接口供电和系统隔离供电等关键环节。纳芯微围绕“隔离+”产品布局，形成了覆盖分立式方案(如 NSIP3266)与集成式方案(如 NSIP9xxx 系列)的隔离电源产品组合，适配从高功率、多路数驱动供电到紧凑型接口供电等需求。　　面向 48V/800V 总线、SST 固态变压器等服务器电源架构方向，纳芯微将继续推进隔离电源向更高频率、更高效率、更高集成度，以及与数字控制结合的方向发展。　　围绕服务器电源中更多隔离供电与控制需求，纳芯微计划推出集成变压器、支持 1.5W 输出功率的隔离电源 IC NSIP505S15，并陆续推出集成隔离电源的驱动控制 IC 与开关控制 IC。
2026-06-22 10:43 reading：283
高性价比：纳芯微推出面向RS485通信隔离的三通道数字隔离器SP301H/L系列
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高性价比：纳芯微推出面向RS485通信隔离的三通道数字隔离器SP301H/L系列

　　纳芯微宣布推出基于其自研的第三代电容隔离技术的三通道数字隔离器——SP301H/L系列。作为面向RS485通信隔离应用打造的新一代产品，SP301H/L在传输速率、功耗表现、抗干扰能力及封装尺寸等方面实现全面升级。　　相比前代SP301A及NIRS31系列产品，SP301H/L支持最高8Mbps通信速率，采用低静态功耗设计，并进一步优化电磁抗扰性能;小巧紧凑的SSOW10密脚宽体封装，在提升集成度的同时有效节省PCB空间，为客户提供兼具高性能、高可靠性与高性价比的隔离解决方案。　　RS485通信因其传输距离远、抗干扰能力强、多节点组网灵活等优势，被广泛应用于电力终端设备、工业自动化控制、新能源储能系统等场景。在这些应用中，隔离器件是保障通信稳定性和系统安全性的关键环节。传统的RS485通信隔离中，三路光耦的隔离方案存在器件数量多、速率受限、易老化漂移及占板面积大等问题，难以满足高速通信、长寿命和小型化需求。随着系统性能要求不断提升，数字隔离正成为RS485通信隔离方案的重要发展方向。　　高性价比：　　单芯片替代三路光耦，简化设计降本增效　　传统隔离RS485通信方案通常需要3颗光耦隔离器及多颗外围阻容器件，不仅BOM复杂、采购管理成本较高，还占用大量PCB空间。　　SP301H/L通过单芯片集成三路隔离通道，可直接替代分立光耦及外围器件，在显著简化BOM清单的同时，减少器件数量与布线复杂度，提升整体方案集成度。　　此外，SP301H/L采用紧凑型SSOW10密脚宽体封装，相比传统光耦方案可节省超过60%的PCB占板面积，进一步释放板级空间资源。　　三路光耦隔离方案和SP301H/L的尺寸对比　　性能方面，SP301H/L数据通道支持最高8Mbps通信速率，使能控制通道支持最高1Mbps，有效突破传统光耦方案的带宽瓶颈，满足智能电表、工业现场总线等应用对高速通信和低时延传输的需求;方案适配方面，SP301H使能引脚默认高电平，SP301L使能引脚默认低电平，可灵活满足不同软件方案中MCU的使能逻辑需求。　　同时，芯片采用低静态功耗设计，适用于电池供电及现场仪表等对功耗敏感的应用场景，并且支持-40℃～125℃的环境工作温度，充分满足工业应用需求。凭借高集成度、小尺寸封装、优异的性能及精简的外围设计，SP301H/L能够更好地满足智能电表等设备对小型化、轻量化和高可靠性的设计需求，实现光耦方案的无缝升级替换。　　高可靠性：　　抗扰能力全方位提升，保障通信稳定运行　　以智能电表应用为例，其通常部署于复杂电磁环境中，通信链路需要承受电网浪涌、开关噪声及长距离布线带来的各类干扰挑战。　　SP301H/L通过优化隔离架构与抗扰设计，有效提升RS485通信链路的电磁抗扰(EMS)能力，降低通信误码率和掉线风险，保障电表数据传输的稳定性与可靠性。相较于前代SP301A及NIRS31系列，SP301H/L在电磁抗扰方面表现更为出色：　　EOS性能提升约10%，Latch up电压达到10V以上，显著增强器件对电源过应力的耐受能力，有效避免因电源异常波动导致的损坏，延长系统运行寿命。　　电源噪声抗扰性优异：在MHz级高频和大电压幅值的系统噪声干扰下，芯片仍能保持正常输出且无误码，进一步提升系统在复杂电磁环境下的可靠性。　　共模瞬态抗扰度(CMTI)典型值高达200kV/μs，能够有效抵抗共模瞬态干扰，确保信号传输的准确性与稳定性。　　此外，SP301H/L系列基于纳芯微领先的第三代电容隔离技术打造，具备卓越的隔离耐压能力：可达5kVrms(1分钟)，并能够承受超过10kV的浪涌电压，满足增强绝缘要求。SP301H/L系列现已量产，可登录纳芯微官网进行样品申请。　　丰富的“隔离+”产品　　引领隔离芯片标杆　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品，以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。　　截至2025年，纳芯微隔离相关芯片已累计出货超27亿颗，作为全球领先的隔离芯片供应商，纳芯微致力于通过全面的“隔离+”产品布局，以核心技术IP和全产品生态，引领隔离芯片标杆，为全球客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
2026-06-18 10:04 reading：385
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