纳芯微丨三电应用首选：PrimeDrive™再获权威认可

发布时间：2026-04-29 09:44
作者：AMEYA360
来源：纳芯微
阅读量：1035

　　荣誉加持，产品实力再获认可

　　凭借强劲综合产品力，纳芯微PrimeDrive™隔离栅极驱动NSI67xx在北京车展荣获「2026 年度影响力汽车芯片」。随着新能源汽车动力系统向高压高效、高集成可靠、平台化低成本进阶，隔离驱动芯片迎来全面升级需求，纳芯微 PrimeDrive™系列精准匹配行业需求，持续交付高可靠的汽车芯片解决方案。

　　高性价比之选：智能隔离栅极驱动NSI67xx

　　更小体积：封装尺寸缩小约40%

　　更低成本：集成隔离采样，节约IC成本>30%

　　实现系统级ASIL C功能安全：集成ASC功能，助力客户实现系统级ASIL C功能安全(已通过德凯权威评估)

　　更高可靠：PPM<0.1，抗EOS/抗干扰能力行业领先

　　进阶顶配之选：ASIL D隔离栅极驱动NSI6911F

　　ASIL D认证：国内首颗通过TÜV莱茵认证

　　平台化设计：“One for all”，参数灵活配置

　　高压高可靠：5.7kV隔离耐压，150kV/μs CMTI

　　抗干扰 & 抗EOS能力领先

　　产品实力背书，隔离驱动首选PrimeDrive™

　　目前，纳芯微PrimeDrive™隔离栅极驱动已连续三年稳居中国市场份额第一，累计出货量已超14亿颗，国内汽车市场份额持续领先。

纳芯微丨三电应用首选：PrimeDrive™再获权威认可

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把外部逻辑"装"进芯片：纳芯微发布带可配置逻辑块（CLB）的 实时控制 MCU/DSP NS800RT503xC/5049C 系列

　　纳芯微近日推出NSSine™系列实时控制MCU/DSP新成员——NS800RT503xC与NS800RT5049C系列。新品在已量产的NSSine™实时控制平台基础上，新增4个可配置逻辑块(CLB)。工程师可通过软件在芯片内搭建自定义硬件逻辑，将原本依赖外部逻辑器件的功能集成到主控芯片中，从而简化系统设计，降低BOM成本与PCB面积，并获得更确定、更低延迟的控制响应。　　实时控制之外，工程师还需要处理“逻辑”难题　　在电机驱动、数字电源、储能变流器等应用中，工程师除运行控制算法外，还需处理编码器位置解码、PWM保护逻辑组合、自定义串行协议等“小逻辑”。主控芯片中没有现成模块承接这类功能，传统做法是外挂CPLD或FPGA等逻辑器件。这不仅增加BOM成本与PCB面积，芯片间的信号传输还会带来额外的延迟与可靠性风险。　　针对这一需求，NS800RT503xC/5049C系列在已量产的NSSine™实时控制平台基础上，新增4个可配置逻辑块(CLB)。　　　　新增4个可配置逻辑块(CLB)：　　把外部逻辑“装”进芯片　　NS800RT503xC/5049C型号中的“C”即代表带CLB的产品。这4个可配置逻辑块在延续NSSine™平台高性能内核与丰富外设的基础上，将可编程硬件逻辑能力引入主控芯片。　　CLB是一组可通过软件进行互连逻辑设计的模块，用于实现自定义数字逻辑功能或增强现有片上外设，能够通过交叉开关与ePWM、eCAP、eQEP等控制外设互联，也可连接外部GPIO引脚。　　借助CLB，工程师可在芯片内实现在电机控制应用中的高精度位置编码器协议解码(BISS-C，ENDAT2.2，T-Format，SSI等主流编码器协议)，实时脉冲序列输出(正交编码器信号分频输出，绝对值位置信号转QEI信号输出)，复杂故障组合逻辑的PWM保护功能和用来扩展PWM输出通道，也可以处理数字电源应用中的LLC谐振变换的同步整流控制和三电平逆变器的延迟保护等功能，无需再增加外部类似CPLD或FPGA的逻辑器件。　　上述功能处理完全由片内CLB硬件并行完成、不占用CPU资源，带来更确定、更低延迟的响应;同时减少板级互联，有助于提升系统可靠性。纳芯微同步提供图形化的CLB配置工具(NOVOCLBConfig)与示例应用，降低工程师的开发与迁移门槛。　　两个子系列，选型梯度更灵活　　在平台选择上，本次发布的C系列提供更灵活的梯度：　　NS800RT503xC系列：涵盖NS800RT5039C(512KB Flash)与NS800RT5037C(256KB Flash)，提供LQFP48至HLQFP128多种封装(最多67个GPIO)，并支持QSPI(XIP)片外存储扩展，适合对封装尺寸、成本梯度有不同要求的电机控制与工业应用;　　NS800RT5049C系列：提供512KB Flash与100/64引脚封装选项，面向对控制性能与集成度要求更高的数字电源、伺服与汽车应用。　　成熟NSSine™平台，既有方案平滑迁移　　NS800RT503xC/5049C系列基于Arm® Cortex®-M7内核，最高工作频率240MHz，支持双精度浮点运算单元(FPU)与DSP指令集，片上集成eMATH数学加速核与mMATH数字处理单元，可为电机FOC、数字电源环路等复杂控制算法提供充足算力;存储最高512KB Flash与256KB SRAM，可满足大程序与高速数据缓冲的需求。　　模拟与控制外设方面，产品集成高速ADC、高分辨率PWM(HRPWM)、Σ-Δ调制器滤波器(SDFM)等模拟与控制资源完整保留，覆盖从信号采样到功率控制的全链路，可充分发挥SiC、GaN等宽禁带功率器件的性能优势。　　产品满足AEC-Q100 Grade 1车规可靠性标准，功能安全符合ISO 26262 ASIL-B与IEC 61508 SIL2，并提供车规级与工规级产品选项。　　此外，开发工具支持Keil、IAR、NovoStudio等主流环境——无论是光伏储能、工业自动化、数字电源还是新能源汽车三电应用，客户基于既有NSSine™项目的开发经验均可平滑迁移。
2026-10-30 10:50 阅读量：268
纳芯微推出Mini SBC NCA1169V-Q1系列，助力汽车电子控制单元高集成度升级
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纳芯微推出Mini SBC NCA1169V-Q1系列，助力汽车电子控制单元高集成度升级

　　纳芯微近日推出集成CAN收发器、LDO稳压器的Mini SBC产品NCA1169V-Q1系列。该系列产品满足ISO 11898-2:2024 标准要求，为汽车电子控制单元提供集成化的电源管理与CAN FD通信支持，可应用于汽车车身控制、智能座舱、车载照明、底盘转向及安全传感器等多种应用场景。凭借高集成度与低功耗设计，NCA1169V-Q1系列有助于简化外围电路设计，兼顾汽车电子系统对成本及可靠性的综合需求。　　集成双路LDO　　搭配看门狗保障系统稳定运行　　NCA1169V-Q1集成两路内部LDO稳压器，提供强大的带载能力，支持灵活的负载配置。其中，主LDO(V1)提供350mA的电流驱动能力，辅LDO(V2)提供100mA的电流驱动能力。同时，NCA1169V-Q1内置看门狗功能，支持窗口模式、超时模式和自主模式三种工作模式，可根据不同系统运行状态与应用场景灵活配置，为MCU运行状态监控及系统异常管理提供支持，进一步提升系统运行的可靠性。　　凭借双路LDO稳压器的集成设计，NCA1169V-Q1系列能够有效简化系统架构，减少外围器件需求，助力汽车电子控制单元实现更紧凑的设计，为整车电子系统的小型化与集成化发展提供支持。　　　　图-1：NCA1169V-Q1功能框图　　集成CAN FD满足最新标准，自研振铃抑制电路助力高速稳定通信　　NCA1169V-Q1集成的CAN FD满足ISO 11898-2:2024 标准要求，CAN FD通信速率达5Mbps，在特定应用条件下最高可达8Mbps，充分满足汽车电子系统对高速数据传输的需求。　　在CAN总线信号传输过程中，阻抗不匹配等因素可能会引发信号反射，形成振铃现象，影响信号完整性，并对高速通信的稳定性带来挑战。NCA1169V-Q1集成纳芯微自研振铃抑制电路，有效抑制总线信号振荡，改善信号质量，提升高速数据传输的稳定性，为汽车电子系统实现高速、可靠的CAN通信提供支持。　　低功耗待机与多种唤醒机制，兼顾能耗与响应需求　　NCA1169V-Q1具有极低功耗设计，在睡眠模式下电流仅34.3μA，待机模式下电流仅49.6μA，有效降低车辆非活跃状态下的静态能耗，为整车低功耗管理提供有力支持。　　此外，NCA1169V-Q1支持标准唤醒、WAKE引脚本地唤醒及选择性唤醒等多种唤醒机制，并具备唤醒源识别功能，可根据系统需求灵活配置唤醒策略，在降低功耗的同时实现快速响应，助力汽车电子系统兼顾低功耗运行与高效响应的需求。　　多重保护机制，提升汽车电子系统运行可靠性　　面对复杂多变的汽车电子应用环境，NCA1169V-Q1集成多种保护功能，为芯片及外围电路提供多层次的安全保障。在总线故障保护方面，器件可承受最高±58V的电压，有效应对总线短路及异常电压冲击;在热保护方面，支持过热预警与关断机制，可在芯片温度过高时及时采取保护措施，防止器件损坏;在ESD防护方面，CDM静电放电耐受能力达±2000V，并针对CAN引脚提供相应的ESD防护，增强器件在装配及使用过程中的静电耐受能力。　　封装与选型　　NCA1169V-Q1系列产品采用DFN20封装，满足AEC-Q100汽车级要求，与市场主流器件P2P兼容。收发器的I/O电平可根据需要调整为微控制器的I/O电平，包括1.8V、3.3V和5V，灵活适配各类微控制器。NCA1169V-Q1系列现已支持送样，预计今年年底量产。　　平台化接口IP，快速响应定制开发需求　　纳芯微在通信接口领域布局已久，通过平台化IP和自研专利的协同，实现了快速的产品迭代，并且在CAN/LIN/RS485/I2C/I3C/SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面，纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破，达到业内领先的水平。　　在技术迭代的同时，纳芯微全面落地全国产供应链体系，打通晶圆制造、封装测试、核心物料配套的全链路国产化。目前，纳芯微车载CAN/LIN/SerDes等汽车通信接口芯片，均已实现全国产供应链落地，精准匹配新能源汽车等领域的国产化替代需求。高度自主可控的本土供应链，不仅大幅提升了产品交付稳定性与成本可控性，还能快速响应客户定制开发与批量供货需求，为终端客户提供安全可靠、高适配的国产化接口芯片解决方案。
2026-10-29 17:04 阅读量：264
大电流、高集成、小尺寸，纳芯微发布NSD7308系列H桥有刷电机驱动
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大电流、高集成、小尺寸，纳芯微发布NSD7308系列H桥有刷电机驱动

　　随着汽车车身、底盘、发动机和智能终端中的电机及电磁阀功能不断丰富，系统对大电流驱动的需求日益增长，这对H桥直流有刷电机驱动提出了新的挑战：传统 “预驱+外置MOS” 的分立方案不仅器件多、PCB占用面积大，而且在狭小空间内实现大电流驱动时容易出现各类问题，系统调试复杂、故障定位困难，制约了整机模块的小型化与可靠性提升。　　NSD7308系列具备40V耐压、12A峰值输出电流，内部MOS导通电阻低至84mΩ (HS+LS)，输出压摆率(Slew Rate)和输出电流阈值(Itrip)均可配置，并内置电流采样，提供全面的诊断与保护功能，包括开路/短路诊断、过流、过温、欠压和过压保护。该系列提供硬件输入和SPI输入两种版本，无论是大电流带载能力、紧凑的尺寸，还是完备故障诊断能力，均表现出色，可帮助客户简化硬件设计、提升可靠性并降低BOM成本。　　NSD7308系列提供车规和工规两种版本，车规版本满足AEC‑Q100 Grade 1标准，可广泛适用于车身电子中的有刷电机、发动机ECU阀门、空气悬架CDC等应用场景。工规版本适用于智能电器、电动工具、自动升降桌、清洗机器人等多元化智能终端设备。　　大电流驱动，具备强大带载能力　　NSD7308上下管总导通电阻仅为84mΩ，峰值输出电流可达12A，可替代传统“预驱+外置MOS”的分立方案，直接驱动中大功率的有刷电机及电磁阀等负载。　　实际对比测试表明，相较于国产同类产品，NSD7308在常温及85℃环温下均具备更优的温升表现，在高温环境下拥有更强的PWM带载能力;同时，无论直流还是PWM工况下，NSD7308的OCP触发电流阈值显著更高，展现出更强的冲击电流承载能力，为复杂负载工况下的稳定运行提供有力保障。　　1. 常温下直流带载温升测试：Ta=25℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/1, VM=13.5V)，带载后待IC温度稳定30分钟以上，使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示，温升明显优于国产友商的同类产品。　　图1 常温下直流带载5.5A的芯片温升对比　　2. 85°C环温下直流带载温升测试：Ta=85℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/0, VM=13.5V)，带载后待IC温度稳定30分钟以上，使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示，温升优于国产友商的同类产品。　　图2 85°C环温下直流带载4A的芯片温升对比　　3. 85°C环温下最大PWM带载能力测试：Ta=85℃, PWM mode (10kHz PWM, 负载1ohm+1mH, VM=13.5V)，如下图示，最大PWM带载电流能力优于国产友商的同类产品。　　图3 85°C环温下最大PWM带载电流对比　　4. 不触发OCP的最大冲击电流测试：Ta=25℃ (15kHz PWM, 负载 2mH+1Ω, VM=25V)，如下图所示，不论是DC负载还是PWM带载，OCP过流阈值都大幅高于国产友商的同类产品。　　图4 不触发OCP的最大DC冲击电流对比　　(图中：紫色为IPROPI电压，绿色为负载电流，蓝色为OUT1电压，黄色为OUT2电压)　　图5 不触发OCP的最大PWM冲击电流对比　　(图中：紫色为IPROPI电压，绿色为负载电流，蓝色为OUT1电压，黄色为OUT2电压)　　内部集成电流采样和电流调节功能，　　减少系统面积和成本　　NSD7308集成电流采样功能，无需外部采样电阻和电流运放即可实现电流检测。结合VQFN14倒装封装技术，NSD7308可实现3mm*4.5mm的超小封装尺寸，特别适用于紧凑空间。　　NSD7308可通过IPROPI管脚，按比例输出内部MOS管的正向导通电流(即从Drain到Source的电流)。在H-Bridge模式下，IPROPI输出对应两个下管MOS电流之和的比例信号，即(ILS1+ILS2)/AIPROPI;在半桥(Half-Bridge)模式下，IPROPI输出对应两个上管MOS电流之和的比例信号，即(IHS1+IHS2)/AIPROPI。　　此外，NSD7308还集成了电流调节功能，且电流调节阈值Itrip可配置。当负载电流超过设定的Itrip阈值时，芯片会自动执行电流调节功能，抑制电机启动或堵转等工况下的过大电流，降低芯片过热风险;同时，该功能也可用于负载电流及扭矩的精确控制。　　支持多工况负载状态诊断，精准定位故障　　NSD7308支持输出端负载状态诊断，可在电机启动前或运行过程中及时发现异常，提升系统可靠性。芯片支持两种检测模式：待机模式下的负载检测(OLP)和工作模式下的负载开路检测(OLA)。　　待机模式下的负载检测(OLP)　　芯片通过配置输入引脚状态，依次使能内部上拉和下拉电阻，测量OUTx端电压，并与内部比较器的电压阈值进行比较，从而检测诊断以下异常：　　输出端对电源VM或者地GND短路(阻值<100Ω)　　全桥负载或半桥低边负载开路(阻值>2kΩ)　　半桥高边负载开路(阻值>10kΩ)　　工作模式下的负载开路检测(OLA)　　支持高边续流和低边续流两种工况，可根据不同的驱动模式和负载连接方式进行实时开路检测：　　全桥模式(Full-Bridge)： 芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降，并与内部VOLA电压阈值进行比较，实现实时开路检测。　　半桥模式(Half-Bridge)，驱动对地负载： 芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降，并与内部VOLA电压阈值进行比较，实现实时开路检测。　　半桥模式(Half-Bridge)，驱动对电源负载： 芯片通过检测死区时间内高边续流MOS管体二极管的导通压降，并与内部VOLA电压阈值进行比较，实现实时开路检测。　　封装与选型　　纳芯微H桥直流有刷电机驱动NSD7308系列现已全面量产，具备更小内阻、更大驱动电流的NSD7305系列也即将送样，产品兼具高集成度、小尺寸与高可靠性，可在有限空间内实现更大负载的驱动。
2026-10-22 10:26 阅读量：269
支持1.5W功率输出满足多场景供电需求，纳芯微推出集成变压器的隔离电源NSIP505S15系列
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支持1.5W功率输出满足多场景供电需求，纳芯微推出集成变压器的隔离电源NSIP505S15系列

　　纳芯微近日宣布推出集成变压器的隔离电源NSIP505S15系列。该系列产品输出功率可达1.5W，满载条件下5V转5V转换效率接近60%，可充分满足光储充、工控、AI服务器电源等领域客户在多接口供电、MCU及采样电路单板供电、GaN驱动供电、STO安全电源等场景下的多样化需求。作为传统电源模块的IC化替代方案，该系列产品在保证隔离可靠性的前提下，能够实现更小体积与更高效率。　　1.5W足额输出与高效转换兼顾　　从容应对重载启动与多样化供电架构　　NSIP505S15系列在提供1.5W高输出功率的同时，实现了优异的转换效率：5V转5V效率接近60%，5V转3.3V效率接近50%，3.3V转3.3V效率同样接近60%，覆盖主流系统供电架构，帮助客户在不同应用场景中实现功耗与性能的均衡。此外，该系列器件静态功耗低至10μA，在待机或轻载工况下可助力降低系统整体功耗。　　表-1：NSIP505S15系列5V-5V、5V-3.3V、3.3V-3.3V效率转换图　　强容性负载带载能力　　为系统可靠供电保驾护航　　在光储充、工控、AI服务器电源等应用中，隔离电源输出侧往往需要挂载多颗滤波电容以保障后级电路稳定工作，但大容量电容上电瞬间近似短路，极易触发电源过流保护导致启动失败。NSIP505S15系列针对这一痛点进行了专门优化，满载条件下容性负载能力超过2.5mF，能够从容驱动GaN栅极容性负载、多路采样电路并联电容等重容性负载场景，确保系统冷启动可靠、不反复打嗝。　　集成多维度全面保护　　强化系统鲁棒性　　NSIP505S15系列集成了完备的保护功能：输入/输出过压保护(VDD OVP、VISO OVP) 防止电压异常冲击，输入/输出欠压锁定(VDD UVLO、VISO UVLO) 确保供电窗口安全，短路保护与过温保护在异常工况下及时关断，避免器件损坏;采用软启动机制，在上电时限制浪涌电流，确保启动可靠，若软启动超时(如输出短路或负载异常)，器件将进入保护性关断模式，持续保障系统安全。　　EMC性能优化　　轻松通过CISPR32 Class B测试　　NSIP505S15系列针对EMC性能进行了大幅优化：在EMI方面，两层PCB板、外围电路仅串联2个磁珠的测试条件下，可轻松通过CISPR32 Class B测试并保有5dB以上裕量，显著简化系统EMI设计难度，降低外围滤波器件成本;在EMS方面，系统级ESD接触放电能力超过±10kV，从容应对生产组装与现场安装中的静电风险，进一步提升系统鲁棒性。　　封装与选型　　NSIP505S15系列器件提供两种封装版本：LGA14封装为紧凑型设计，隔离耐压达3kVrms，爬电距离4.1mm，可实现与竞品同类器件的pin-to-pin兼容，适用于体积受限的高密度布局场景;SSOW20封装隔离耐压达5kVrms，爬电距离8.2mm，为需要更大隔离耐压或特定PCB布局的应用提供了灵活选择。同时，该系列支持250kV/μs(典型值)的共模瞬态抗扰度(CMTI)，并可在-40℃～125℃宽温范围内稳定工作，充分满足工业及汽车级应用的可靠性要求，客户可根据系统空间、安规要求及布板策略灵活选用。　　持续丰富隔离电源产品矩阵　　覆盖多元应用场景　　NSIP505系列的发布进一步丰富了纳芯微隔离电源产品组合。目前，纳芯微可提供一系列高集成度的隔离电源方案，包括：　　集成隔离电源与数字隔离器的二合一产品NSIP95/98系列;　　集成隔离电源与隔离接口的NSIP93086(隔离RS485收发器)和NSIP9042(隔离CAN收发器);　　可自选配置外部变压器的推挽式变压器驱动NSIP605x系列，为需要更灵活变压器选型的应用提供了高性价比选择;　　专为隔离驱动供电设计的全桥变压器驱动NSIP3266/E，集成晶振与多种保护功能，并支持软启动，进一步满足驱动供电场景的严苛需求。　　从高集成方案到灵活驱动方案，纳芯微持续完善隔离电源产品生态，为工业、汽车、光储充等应用提供更多高可靠性选择。　　丰富的“隔离+”产品　　引领隔离芯片标杆　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品，以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。　　截至2025年，纳芯微隔离相关芯片已累计出货超27亿颗，作为全球领先的隔离芯片供应商，纳芯微致力于通过全面的“隔离+”产品布局，以核心技术IP和全产品生态，引领隔离芯片标杆，为全球客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
2026-10-21 09:54 阅读量：298
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