纳芯微丨AI服务器机架供电架构解析:PSU、BBU 与 CBU 的设计逻辑及关键芯片方案

发布时间:2026-03-30 09:53
作者:AMEYA360
来源:纳芯微
阅读量:1543

  随着人工智能算力需求的持续增长,数据中心服务器功率密度快速提升,驱动供电架构向更高功率等级与更高可靠性演进。在这一过程中,PSU、BBU 与 CBU 逐步形成协同供电体系,对电源系统的效率、稳定性与系统集成能力提出更高要求。

  围绕服务器供电架构的演进,本文重点解析 PSU 及 BBU、CBU 备电系统的设计逻辑与关键芯片需求。纳芯微基于供电与备电全链路,提供覆盖电流检测、电压采样、驱动控制、通信隔离及电源管理等环节的系统级芯片解决方案,支撑高功率服务器电源系统在效率与可靠性方面实现综合优化。

纳芯微丨AI服务器机架供电架构解析:PSU、BBU 与 CBU 的设计逻辑及关键芯片方案

  1.PSU迈向高压与高功率密度核心供电单元

  在数据中心供电体系中,服务器电源模块(PSU)负责将交流电转换为稳定直流电源。近年来,随着AI服务器功率需求的提升,PSU功率等级也持续升级:从早期3kW、5.5kW级服务器电源模块,逐步发展到面向AI与云计算时代数据与算力中心的8kW、12kW、18kW级别,并进一步提升至面向下一代AI服务器的单体30+kW级PSU。高功率密度电源正在成为新一代数据中心基础设施的重要组成部分。

  随着功率等级的持续提升,大功率PSU输入形式也由传统单相交流变为了三相交流输入,输出电压也从传统的12V升上至48V(54V)或更高的HVDC电压(±400V或800V),以降低电流并改善系统热设计条件。

  从系统结构来看,服务器PSU通常由功率因数校正(PFC)级和隔离DC/DC变换级构成。输入交流电首先在PFC级完成整流与功率因数校正,并建立稳定的高压直流母线(DC Link);随后通过LLC谐振变换级实现高效率隔离变换,输出稳定的12V、48V(54V)或HVDC电压,为服务器负载供电。

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  随着功率密度要求的不断提升,PSU中的功率器件技术路线也在持续升级。宽禁带器件能够显著降低开关损耗,并支持更高开关频率,从而提升系统效率与功率密度。因此,PFC级逐步由传统Si MOSFET向SiC MOSFET演进,而LLC则开始越来越多地采用SiC或GaN器件。

  在此类高功率电源系统中,除了功率器件本身,电流检测、电压采样以及栅极驱动等模拟与隔离器件同样是系统稳定运行的重要基础。

  电流检测模块需要实时监测输入电流、谐振电流以及输出电流,以支持系统闭环控制与保护功能;电压检测模块用于实现母线电压与输出电压的精确采样;而隔离栅极驱动器则负责驱动Si、SiC或GaN功率器件,实现高速开关控制。

  在 PSU中,输入侧、谐振侧、输出侧与备电支路对电流检测的带宽、隔离等要求不同,因此可根据具体节点选择分流器+检测放大器、隔离放大器、霍尔电流传感器等不同实现方式。

  在电流检测方面,纳芯微提供包括NSM201x、NSM211x、NSM204x系列霍尔电流传感器,以及 NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器在内的多种方案,可满足高带宽与高精度电流监测需求,为电源控制环路提供稳定的反馈信号。

  在高 dv/dt 开关环境下,隔离栅极驱动与隔离采样链路的 CMTI、延迟等特性将直接影响系统效率与稳定性。纳芯微提供多款隔离栅极驱动器,其中NSI6601、NSI6601M、NSI6601xE、NSI6801E系列单通道驱动器以及NSI6602V系列半桥驱动器,均可在高 dv/dt 环境下保持稳定驱动能力,适用于SiC与GaN功率器件的高速开关控制。

  此外,在系统电压检测与反馈控制环节,纳芯微提供NSI1400、NSI1300、NSI1200C、NSI1312、NSI1311、NSI1611及NSI36xx系列隔离放大器,以及NSOPA9xxx、NSOPA8xxx、NSOPA610x系列运算放大器,可实现高精度电压采样,为系统控制器提供稳定的反馈信号。通过在电流检测、电压采样及驱动控制等关键节点进行协同设计,可进一步提升服务器 PSU 系统的整体效率与可靠性。

  随着AI服务器功率持续提升,高功率、高效率服务器PSU将成为数据中心电源系统的重要发展方向。围绕功率器件驱动、隔离采样以及精密信号链等关键环节,高性能模拟与隔离芯片也将在下一代数据中心电源架构中发挥越来越重要的作用。


  2.BBU与CBU构建多层级备电体系的关键支撑

  BBU通常由锂电池组和DC/DC电源模块组成。当市电或主电源出现中断时,BBU可在短时间内为服务器系统提供持续供电,通常可维持数分钟,以保障关键数据完成写入,并支持系统安全关机。机架级BBU的输出能力通常需要与对应机架PSU的供电等级相匹配。

  在系统拓扑上,BBU中的DC/DC模块多采用非隔离双向变换结构,以实现电池充放电过程中的双向能量流动。常见实现方式包括多相Buck-Boost结构或四开关Buck-Boost拓扑,并由MCU或数字控制器实现电池管理与能量调度。

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  在实际数据中心系统中,BBU与CBU承担的角色有所不同。BBU主要用于应对电源中断场景,提供分钟级持续供电;CBU更偏“毫秒到秒级”的瞬态功率波动的吸收或补偿。

  CBU通常采用超级电容作为储能介质。相比电池,超级电容具有更高功率密度、更快充放电速度以及更长循环寿命,更适合用于短时间功率补偿。

  当服务器负载发生快速变化时,CBU可以在极短时间内释放或吸收能量,从而稳定系统母线电压。在部分应用场景中,CBU也可在短时间掉电情况下提供瞬态能量支撑,保障关键系统状态平稳过渡。

  在系统架构上,CBU同样通过双向DC/DC模块实现超级电容与系统母线之间的能量交换,其拓扑结构通常与BBU类似,多采用Buck-Boost架构,并通过控制器进行动态调节。

  在BBU与CBU系统中,需要对电池或超级电容的电流、电压以及系统运行状态进行实时监测,同时通过驱动电路控制功率器件实现能量转换。因此,电流检测、电压采样以及通信隔离等功能模块是系统稳定运行的重要基础。

  针对上述需求,纳芯微提供多类关键器件解决方案。例如,NSM201x、NSM211x、NSM2311、NSM204x系列霍尔电流传感器,以及NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器可用于电池充放电电流检测;NS800RT1137、NS800RT3025系列MCU可承担系统主控功能,并结合NSI822x、NSI823x、NSI824x、NIRS21、NIRS31系列数字隔离器及NSI1042、NSI1050 隔离 CAN 接口,实现系统通信与隔离控制。

  在辅助电源(AUX power)部分,纳芯微提供覆盖反激与 Buck 拓扑的电源管理芯片,包括 NSR28C4x、NSR284x、NSR2240x、NSR2260x 系列反激电源芯片及即将发布的NSV2801/2系列,以及NSR1143x、NSR1103x系列 Buck 转换器,为控制、驱动、采样及通信模块提供稳定供电支撑,提升服务器供电系统的整体可靠性。

  随着AI服务器功率规模不断提升,备电系统在数据中心供电架构中的作用也愈发关键,通过合理的系统设计与关键芯片协同应用,可以有效提升服务器备电系统的稳定性与安全性。

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2026-07-02 15:35 阅读量:272
纳芯微上海慕展发布车规级阳光雨量传感器、车载摄像头PMIC、三核EtherCAT实时控制MCU/DSP和GaN驱动等多款创新产品
  上海,2026年7月1日——纳芯微亮相2026慕尼黑上海电子展。展会期间,公司发布多款面向汽车电子和泛能源应用的数模混合芯片新品,包括车规级阳光雨量传感器NSUC183x系列、车载摄像头PMIC NSR90332XX-Q1、三核EtherCAT实时控制MCU/DSP NS800RTA7系列以及110V半桥GaN驱动芯片NSD2123。同时,公司展示了面向智能终端应用的线性位置、温湿度与压力传感器等产品组合。  本次发布与展示覆盖车载视觉供电、智能座舱感知、工业实时控制、AI服务器电源、消费电子位置检测、白电环境检测和液位检测等场景,体现纳芯微聚焦汽车电子、泛能源与智能终端应用,持续完善数模混合芯片产品组合与应用支持能力。  汽车电子  发布车载摄像头 PMIC 与车规级阳光雨量传感器  支撑车载视觉与智能车身感知升级  车载摄像头正向高清化和多位置部署发展,摄像头模组对电源质量、EMC、诊断保护和集成度提出更高要求。纳芯微发布一体化多路车载 PMIC NSR90332XX-Q1,可为车载摄像头模组内的图像传感器、SerDes等关键器件提供平台化供电方案,适用于环视、后视、前视、DMS、电子后视镜和 PoC 摄像头模组等应用。  该产品通过多路电源集成、低噪声特性、EMI优化及ASIL B功能安全设计,为车载摄像头模组提供高集成度、易适配、高可靠的电源管理方案;同时支持通过 I²C 配置输出电压和上下电时序,帮助客户简化电源架构设计,并提升不同摄像头平台间的方案复用效率。  车载视觉链路还需要高清图像数据传输能力。纳芯微推出基于 HSMT 公有协议的 SerDes NLS911x 系列加串器与 NLS924x 系列解串器,支持单通道 6.4 Gbps 传输,可用于摄像头端与域控制器端的数据连接,支持舱驾一体架构下的多路高清图像传输。目前,该系列 SerDes 产品已在国内头部 ADAS 客户完成验证,并正推进量产导入。  通过车载摄像头 PMIC 与 SerDes 产品组合,纳芯微可为智能驾驶摄像头系统提供稳定供电和高速数据传输支持。  在智能车身与座舱感知方向,纳芯微发布车规级阳光雨量传感器 NSUC183x 系列解决方案。该系列面向不同客户平台架构,提供 NSUC1834(AFE)、NSUC1832(AFE+SBC)和 NSUC1830(AFE+MCU+SBC)等产品形态,支持阳光、前向光、顶向光、HUD 光感和雨量等检测需求。通过覆盖从 AFE 到 AFE+MCU+SBC 的不同集成度选择,NSUC183x 系列可帮助客户减少外围器件、缩小 PCB 面积,并简化阳光雨量传感器模块开发。  2025年,纳芯微汽车电子收入达约12亿元,同比增长约65%。纳芯微已形成覆盖汽车多系统的芯片产品布局,产品广泛应用于汽车三电与热管理、车身控制与照明、智能座舱与ADAS、底盘与安全等场景。截至 2025 年底,纳芯微车规级芯片累计出货量突破 14.18 亿颗。现阶段,国内新能源汽车单车平均搭载纳芯微芯片约 50 颗,单车产品价值量约达 2000 元。  泛能源  发布三核EtherCAT 实时控制 MCU/DSP与 GaN 驱动  支撑高功率密度电源与高性能运动控制升级  工业控制系统正向更高算力、更高实时性、更高精度和更高集成度方向演进。纳芯微发布三核EtherCAT实时控制MCU/DSP NS800RTA7系列。该系列产品采用最高三核Cortex-M7架构,并片上集成EtherCAT控制器、高速ADC和安全功能,支持ISO26262 ASIL B与IEC61508 SIL2,面向工业自动化、伺服驱动、运动控制、储能系统和机器人控制等应用。相比传统“主控MCU+外挂EtherCAT”方案,NS800RTA7系列将实时控制、工业通信、高速采样和安全功能集成于同一平台,可帮助客户简化系统架构,并推进平台化开发。  AI服务器正向高效率和高功率密度方向发展,服务器PSU及二级电源应用对驱动、隔离、控制和保护提出更高要求。纳芯微发布110V半桥GaN驱动芯片NSD2123。该产品专为增强型E-mode GaN HEMT驱动优化设计,适用于电源模块、同步整流、机器人、光储等领域,以及Buck、Boost、LLC、HSC等开关电源拓扑。针对半桥拓扑中的动态栅极过压、桥臂中点负压、高dv/dt干扰和误导通等问题,NSD2123通过智能自举充电控制、Split Output驱动架构和内置有源米勒钳位,帮助客户提升高频开关场景下的驱动可靠性。  目前,纳芯微已面向服务器PSU及二级电源应用提供驱动、隔离芯片、MCU等产品,部分产品已在国内外服务器电源客户中量产出货。2025年,纳芯微泛能源收入达约18亿元,同比增长约84%。  智能终端  展示线性位置、温湿度与压力传感器  拓展消费电子与白电感知应用  在智能终端领域,白电与消费电子产品对状态感知、人机交互和运行判断提出更高要求。纳芯微展示线性位置、温湿度与液位检测传感器产品组合。  其中,MT911x 与 MT912x 系列线性位置传感器具备±20mV失调电压与±1.5%线性度误差,可用于手持云台、游戏手柄、磁轴键盘、3D 打印机等设备中的线性位置与角度检测。NST113x系列高精度低功耗数字温度传感器采用0.75mm × 0.75mm DSBGA(4) CSP超小尺寸封装,具备±0.1℃(max)常温测温精度和超低功耗特性,可用于可穿戴设备、医疗电子等场景的温度监测。NSPGD1 表压传感器采用 MEMS 表压检测方式,支持模拟比例输出、I²C 数字输出及频率输出,可用于洗衣机、洗碗机等液位检测场景,支持用水控制、补水保护和运行状态判断。  应用创新  以技术与市场双轮驱动,完善数模混合芯片产品组合  面对客户系统设计复杂度提升,客户需要的不只是单颗芯片性能,也更加关注系统适配、可靠量产和长期支持。纳芯微坚持技术与市场双轮驱动,围绕客户系统需求推进产品定义与产品组合协同。  目前,公司已形成覆盖传感器、信号链、隔离、接口、功率驱动、电源管理和 MCU 的数模混合芯片产品组合,可支持客户在感知、传输、控制、驱动和供电等环节的设计需求。同时,公司将重点应用中的产品定义与量产经验沉淀至技术平台、质量体系与客户支持体系中,持续提升产品导入、系统适配与长期量产支持的可控性。  纳芯微已获得 TÜV 莱茵 ISO 26262 ASIL D “Defined-Practiced” 功能安全流程认证,相关支持场所通过 IATF 16949 认证。  展台与论坛信息  展台信息:2026 慕尼黑上海电子展期间,纳芯微将在上海新国际博览中心 N4 馆 621 号展台,展示面向汽车电子、泛能源与智能终端应用的多款产品和系统解决方案。  论坛演讲:展会同期,纳芯微产品经理张炎将出席 2026 国际电机驱动与控制技术论坛,并发表主题演讲“纳芯微 NSSine™ 系列实时控制 MCU/DSP——产品核心性能和生态解析”。  演讲时间:2026 年 7 月 2 日 14:30—15:00  演讲地点:上海新国际博览中心 N3 馆现场论坛区(N3.379 展位)  欢迎各位莅临纳芯微展台及论坛现场交流!
2026-07-02 15:16 阅读量:283
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