罗姆加强GaN功率器件供应能力

发布时间：2026-03-02 15:45
作者：AMEYA360
来源：罗姆
阅读量：166

　　~融合台积公司工艺技术，在集团内部建立一体化生产体系~

　　中国上海，2026年3月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司(TSMC)的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。

　　GaN功率器件具有优异的高电压和高频特性，有助于应用产品实现更高效率和更小体积，因此已被广泛应用于AC适配器等消费电子产品。此外，其在AI服务器的电源单元及电动汽车(EV)的车载充电器等高电压领域的应用也日益广泛，预计未来需求还将持续扩大。

　　罗姆很早就开始着手开发GaN功率器件，并于2022年3月在罗姆滨松工厂建立了150V GaN的量产体系。在中等功率领域，罗姆在积极开展外部合作的同时不断完善供应体系。其中，台积公司是罗姆非常重要的 合作伙伴之一，自2023年起，罗姆就采用了台积公司的650V GaN工艺，双方还于2024年12月缔结了关于车载GaN的合作伙伴关系*1，并一直在不断深化合作关系。

　　本次技术融合正是双方合作伙伴关系进一步深化的印证，在签订授权合同后，台积公司的工艺技术将转移给罗姆滨松工厂。罗姆计划在2027年内建立起相应的生产体系，以应对AI服务器等领域不断扩大的需求。

　　随着技术转移的完成，双方关于车载GaN的合作伙伴关系将告一段落，但双方还将继续加强合作，共同致力于推动电源系统的效率提升和小型化。

　　关于罗姆

　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业 设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情，欢迎访问罗姆官方网站：https://www.rohm.com.cn/

　　关于EcoGaN™

罗姆加强GaN功率器件供应能力

　　EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。

　　EcoGaN™系列于2023年被Delta Electronics, Inc.旗下品牌Innergie的45W交流适配器“C4 Duo”采用*2， 2024年又被Murata Power Solutions的AI服务器电源方案采用*3，正逐步应用于消费类产品及工业设备 领域。

　　・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

　　*1) 罗姆与台积公司在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙伴关系

　　*2) 罗姆的EcoGaN™被台达电子Innergie品牌的45W输出AC适配器“C4 Duo”采用

　　*3) 罗姆的EcoGaN™被村田制作所Murata Power Solutions的AI服务器电源采用

罗姆加强GaN功率器件供应能力


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Side)，连接电源负极(GND，接地)的一侧称为低边　　(Lo侧/下侧/Low Side)。例如这样的表述：“将三个高边晶体管全部关闭”。　　■ 位置检测器(霍尔器件)　　检测转子的位置。在这里我以霍尔器件为例进行介绍。除了霍尔器件外，还有编码器和旋转变压器等位置检测器。　　还有一种称为“无传感器驱动”的技术，这种技术不使用位置检测器，而是根据绕组的电压和电流大小等信息来推算转子位置。　　在实际的电机电路板上，会配有集成了控制IC和电平转换电路的IC、集多个功率晶体管于一身的一体化封装晶体管等产品。另外，霍尔器件会被配置在容易检测永磁体磁通量的位置。此外，还会配备各IC的外置部件所需的电阻和电容等元器件。但是，在电路简图中，可以简化为上图所示的“电路结构”(※在IC的规格书中给出的应用电路示例等电路图中，基本上会包含外围元器件)。　　在下一篇中，我将通过驱动电路输出的电信号和绕组作为电磁体而产生的磁场，为大家介绍无刷电机是如何旋转的。　　本文的关键要点　　・要驱动无刷电机，需要了解电机驱动器的电路结构和时序图。　　・时序图是电机驱动控制的重要规格图，需要扎实掌握。　　・无刷电机驱动电路主要由控制IC、电平转换电路(栅极驱动器)、功率晶体管和位置检测器组成。　　・除霍尔器件外，还有编码器和旋转变压器等位置检测器。　　・还有一种称为“无传感器驱动”的技术，这种技术不使用位置检测器，而是根据绕组的电压和电流等信息来推算位置。　　・在实际的电机电路板上，多会配有集成了控制IC和电平转换器的IC、集多个功率晶体管于一身的一体化封装晶体管等产品。　　无刷电机驱动电路的时序图　　要想很好地驱动无刷电机，了解时序图中的波形含义是非常重要的。时序图是电机驱动控制用的规格说明图。在本文中，我将为大家介绍时序图中的每个波形的含义。　　电机是随着施加于绕组的电压和所流过的电流的变化而旋转的。表示使电机旋转时的电信号变化的图称为“时序图”。在表示逻辑电路的工作等情况下也会用到“时序图”这个术语，在本文中是指电机驱动的时序图。　　时序图是以转子位置(电角度)为横轴来表示各电路的主要信号的。在时序图中，当信号为数字信息时，通常用Hi或Lo两个值来表示。在下面的时序图中，霍尔信号和UH等的实际电压值各不相同，这些不同本应该体现在波形的高度上，但由于希望表达出来的是Hi或Lo，因此很多情况下并没有在波形中体现出来。　　在这里，作为示例，给出了与前述有刷电机的工作几乎相同的无刷电机驱动电路的时序图。希望执行这样的工作时，最好将霍尔器件安装在下图所示位置。后面会讲到为什么这个位置更好，在这里只要知道最好安装在这里即可。接下来，我通过下图来进行具体介绍。　　无刷电机驱动电路的时序图(1)：绕组端子的电压　　首先，设上图中的转子位置在时序图的左端，角度为0度(参见图底部的刻度值)。当电机从此处向左(逆时针方向)旋转时，每个电路信号的变化如时序图所示。下面对信号的进行简要说明：　　■ 向控制IC输入：霍尔U、V、W　　霍尔器件根据对面的磁极来输出Hi/Lo信号。在IC中，可根据3枚霍尔器件的Hi/Lo逻辑将转子位置分为6处(参见时序图顶部的数字编号)。　　例：{U、V、W｝=分度1{Lo、Hi、Lo｝、分度2{Lo、Hi、Hi｝～分度6{Hi、Hi、Lo｝　　■从控制IC输出：UH～WL　　控制IC根据上述分度信息生成晶体管ON/OFF指令信号UH～WL。　　虽然图示中没有列出，但从UH～WL的信号会传递至电平转换部，由电平转换电路转换为晶体管可以接收(可以驱动晶体管)的信号　　■晶体管部分：U、V、W绕组电压　　功率晶体管以UH～WL信号为指令进行ON/OFF(指令为Hi时ON，指令为Lo时OFF)。此工作决定了绕组端子的电压。　　高边和低边晶体管均OFF时，绕组端子电压处于开路状态(这里本应看到的波形将在后面进行介绍)。　　前面提到的“动作几乎与有刷电机相同”是指该绕组电压的模式相同。　　无刷电机驱动电路的时序图(2)：电压模式产生的电磁场　　前面的图中显示了绕组端子的电压。接下来，我将使用下图来讲解通过施加这种绕组端子电压，在什么位置产生电磁体，以及转子是如何旋转的。　　第一张图是表示电流方向与N极/S极关系的示意图。要想很好地理解后续要介绍的时序图和1～6分度的转子位置解说，需要先了解第一张示意图中的关系。　　首先，在图中的分度1中，电源电压施加在U相绕组上，V相绕组接地(以下简称“GND”)。也就是可以理解为电流从U相流向V相。　　另外，如果U相绕组为N极，则V相绕组为S极(假设是这样绕制的)。当转子处于1分度的位置时，如果绕组的磁极如上所示，则转子将逆时针旋转。　　当转子转动，霍尔信号W的极性切换后，进入分度2。在这里，电流从U相流向W相，绕组的磁场如上图所示进行切换。此时转子也是逆时针旋转。　　转子通过反复“产生磁场”→“转子旋转”→“霍尔信号切换”→“产生下一模式的磁场”→“转子旋转”→“霍尔信号切换”而连续旋转。这是该时序图所显示的工作情况。　　对了，讲解内容读到这里，有些人可能会有疑惑：讲解的角度是否反了呢?的确，如果是讲解电路工作的话，按照上述思路是没问题的，但是从驱动电机的角度来看，应该是按照“希望在能让转子转动的位置产生磁场”→“以这种方式控制晶体管的ON/OFF” → “在必要的位置安装霍尔器件”的思路进行。在下一篇中，我将按照这个思路为大家介绍如何绘制时序图。　　本文的关键要点　　・时序图是电机驱动控制用的规格说明图，因此理解其中的波形含义是非常重要的。　　・本文通过时序图显示了用来使电机旋转的施加电压模式，以及由此产生的电磁场。　　无刷电机时序图的绘制方法　　在上一篇文章中，我从控制IC入手，从电路工作的角度为大家讲解了电机的工作机制。通过这些内容，我想大家应该已经了解了整个电路的运作情况。在本文中，我将更进一步，来讲解为什么信号会形成这样的时序。实际上，在电机驱动器的开发和设计过程中，要想绘制(可能用“创建”更贴切吧)出能够实现自己预期性能(比如使电机高效且安静地旋转)的时序图，从这个方向进行思考是非常重要的。　　首先应该掌握的是，相对于转子(永磁体)，应该在什么位置产生电磁体的磁场更好。例如，如果希望逆时针旋转，那么就需要在永磁体N极左侧的适当位置创建电磁体的S极。然而，仅仅如此并不能说是最优的，除此之外还要求电机能够以尽可能少的功率(电能)产生所需的转矩(机械能)。这会受电机要素特性(如增加磁体的磁力)的影响，也受永磁体与电磁体的相对位置(角度)的影响。因此，重要的是要确切地知道创建电磁体的位置，而不仅仅是知道配置在左侧。　　关于永磁体转子和电磁体定子产生的转矩，适用下图所示的理论。从下图可以看出，电机产生的转矩取决于磁体磁场与绕组(电磁体)磁场之间的相对角度θ，通过sinθ计算(假设绕组产生的磁场和永磁体产生的磁场的大小是恒定的)。　　理论上，在磁场的相对角度为90度时转矩最大。因此，相对于转子磁场方向，最好使绕组磁场的方向在该角度附近。　　基于该理论，我们根据可能的条件来思考，在实机应用中应该以怎样的时序来产生绕组磁场才算好。首先，我们在“电机的极数与槽数、机械角度与电角度”一文中，了解过可以利用3枚霍尔器件的极性信号，以60度间隔的电角度来区分转子位置。还有，通过施加在绕组端子上的电压组合，可以在6个方向上产生绕组磁场，这在“无刷电机驱动电路的时序图”的“无刷电机驱动电路的时序图(2)：电压模式产生的电磁场”中也提到过。由此可见，根据转子的6个位置(范围)，正好可以选择6个方向的绕组磁场。　　那么，在每个转子位置应产生多大相对角度的绕组磁场呢?如果要想获得较大的转矩，那么相对角度范围应在60～120度之间比较好。当转子旋转并超出该范围后，电机将会进入下一个绕组磁场模式(下图)。　　我们基于这个思路，从下往上看下面给出的时序图。换句话说，我们需要根据转子的位置和转动情况来确认各信号处于什么样的状态(必须处于哪种状态)。　　针对时序图最右侧灰色箭头所示的1～5，说明如下：　　首先，U、V、W绕组的磁极是由转子的位置来决定的。从图中可以看出，在这个转子位置上转矩最大，需要在该位置前后30度区间产生相同的磁场。　　接下来，确定产生该绕组磁场的电流方向。电流方向与施加在绕组上的电压方向一致。例如，如果电流从U相流向V相以使U为N极、V为S极的话，那么U相绕组端子电流为正，V相电流为负(GND)。　　要想这样向绕组施加电压，需要使U相的高边晶体管和V相的低边晶体管导通。因此，将UH和VL的信号置Hi。此时，其他信号为Lo。其他转子位置也是用同样的思路，来确定从UH到WL的信号逻辑。　　接下来，为了能够如图所示切换从UH到WL的6个信号，最好使原来的霍尔信号在图示位置进行切换。顺便提一下，这里每个信号的Hi/Lo的切换位置都很重要，并不是必须实现和上图完全一样的霍尔U、V、W波形(只要知道转子的6个位置位置，那么其他逻辑组合也可以)。　　为了在该转子位置切换霍尔信号，应在上图所示的位置安装霍尔器件。对于此处的安装位置而言，相对于绕组的角度是非常重要的。径向位置需要另行单独考虑。　　如上所述，无刷电机的时序图以及相应的霍尔器件安装位置就是这样决定的。这种工作模式与有刷电机一样的时序图，在无刷电机驱动控制中被称为“120度激励”。由于这种控制方式比较简单而得以广泛应用，不过目前已经针对无刷电机的驱动控制，设计出了其他多种激励模式。也可以说，这种方式与使用换向器的机械开关的结构不同，现在已经可以使用控制IC来调整激励模式了。其他的激励模式我会另行介绍。　　那么至此，已经分三篇讲解了无刷电机的驱动电路结构和时序图，不知您是否已经理解?从下一篇开始，我将围绕120度激励的电机驱动工作，稍微详细地讲解一下此前没有介绍过的电机实际特性。　　本文的关键要点　　在电机驱动器的开发和设计过程中，绘制出能够实现自己预期性能(比如使电机高效且安静地旋转)的时序图是非常重要的。　　要想使无刷电机按预期旋转，基于时序图确定位置检测器(这里为霍尔器件)的安装位置也是很重要的工作。
2026-03-02 15:28 阅读量：194
星光熠熠！2025罗姆产品荣获多项行业大奖
企业动态

星光熠熠！2025罗姆产品荣获多项行业大奖

　　获奖产品一览　　· 4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”　　· 二合一SiC模块“DOT-247”　　· 适用于边缘计算的完全独立型AI解决方案“Solist-AI™”　　1、2025盖世汽车金辑奖　　在盖世汽车主办的“金辑奖”颁奖典礼上，罗姆的4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”荣获“2025中国汽车新供应链百强”，此次是罗姆第五次获得该奖项。　　产品介绍　　4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”，非常适用于xEV(电动汽车)车载充电器(OBC)的PFC和LLC转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型 (BSTxxx1P4K01) 和1200V耐压的7款机型 (BSTxxx2P4K01) 。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。　　2、2025行家极光奖　　在由行家说主办的2025行家说第三代半导体年会——“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”上，罗姆因在SiC和GaN领域贡献技术创新并引领行业发展，荣获“年度企业”之“2025年度第三代半导体市场开拓领航奖”。　　同时，罗姆的二合一SiC模块“DOT-247”也凭借其在技术创新、性能提升、成本优化、量产支持及效率改善等方面的突出表现，荣获“年度产品奖”之“2025年度创新产品奖”。　　产品介绍　　二合一SiC模块“DOT-247”非常适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。模块保留了功率元器件中广泛使用的“TO-247”的通用性，同时还能实现更高的设计灵活性和功率密度。　　3、2025电子发烧友年度优秀电机控制技术产品奖　　电子发烧友主办的“2025电机控制先进技术研讨会”成功举办。大会同期颁发“电机控制技术市场表现奖”，罗姆适用于边缘计算的完全独立型AI解决方案 “Solist-AI™”荣获“年度优秀电机控制技术产品奖”。　　产品介绍　　罗姆凭借自主研发的设备端学习AI技术推出的Solist-AI™微控制器，其无需与外部通信、仅用单芯片即可实现监控设备。Solist-AI™解决方案主要由配备罗姆自有AI处理专用硬件加速器“AxlCORE-ODL”的Solist-AI™微控制器，以及支持系统引入的专用实用软件构成。这项突破性AI解决方案为工业设备和消费电子设备带来全新可能性。
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参会有礼 | 罗姆车载应用产品解析
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　　罗姆的产品体系丰富全面，涵盖小信号、低压及高压MOSFET等多种类型，能够精准匹配并满足不同市场的多样化需求，其应用场景广泛，涉及工控、光伏以及车载等关键领域。　　本次将重点为大家介绍罗姆专为汽车应用打造的低压MOSFET与高压IGBT产品。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　1、研讨会概要　　- MOSFET系列产品　　1. 封装技术发展及介绍　　2. 产品阵容及封装优势　　3. 全球化生产及产能布局　　- IGBT系列产品　　1. 产品发展路线图　　2. 产品阵容及封装优势　　2、研讨会主题　　车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT　　3、研讨会时间　　2026年1月21日上午10点　　4、研讨会讲师倪敏(高级经理)　　2010年加入罗姆，现任罗姆半导体(上海)有限公司 中国技术中心高级经理。 统管中国华东区车载功率器件的技术支持团队。　　多年来负责中国区大客户的技术支持和应用解决方案提供，并在车载市场，有着丰富经验。特别对功率器件相关行业有深入了解和独特见解，曾多次在各种电子行业大型展会以及专业技术研讨会上发表技术报告。2021年6月Bodo's功率系统封面故事中发表《Hybrid IGBT在图腾柱PFC中的应用》。　　5、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　相关产品页面　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/d55b1db91ee7385d739f4192ec1a0b1e/mid/858　　· 实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/6aa5e3445235ef744f85ce2c43ff6290/mid/858　　· MOSFET产品列表：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/93367cfdb506c0187bbd05b16b1f2f69/mid/858　　· IGBT产品列表：　https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/fb4747ae60a02064853d185b8304a15e/mid/858　　相关产品资料　　面向车载应用的产品目录:　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250317/3a8104a096ca6d2a3921557a3300518a.pdf　　晶体管的种类和特征:　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20240710/153c68e9e5a02025c88252f3c3516b00.pdf　　罗姆功率半导体产品概要:　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250122/b6f2be0a6c2155a4e0d393fef33533cc.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取小米鼠标1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　标签打印机(30份)　　微信朋友圈　　车载手机支架(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
2026-01-16 13:01 阅读量：455
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