森国科发布G6002C/G6003C系列线性霍尔传感器芯片：重新定义磁感应精度与能效

Release time：2026-01-23
author：AMEYA360
source：森国科
reading：290

　　森国科连续推出两款革命性的低功耗线性霍尔传感器——G6002C和G6003C。作为磁感应技术领域的创新者，我们持续致力于为消费电子和工业控制领域提供高性能、高可靠性的解决方案。

　　产品系列概览

　　G6002C和G6003C是我们专为不同应用场景优化设计的线性霍尔传感器，具有以下共同优势：

　　超低功耗：典型工作电流仅1.4mA

　　宽电压范围：2.7V～8V工作电压

　　工业级温度范围：-40℃至105℃

　　卓越ESD防护：HBM ESD Class2等级(≥2500V)

　　高集成度：SOT23-3小型化封装

森国科发布G6002C/G6003C系列线性霍尔传感器芯片：重新定义磁感应精度与能效

系统框图

　　G6002C：调速转把应用的理想选择

　　G6002C专为调速转把应用优化设计，具有以下突出特点：

　　比例输出特性：输出电压与电源电压成比例变化

　　中点零点：无磁场时输出电压为电源电压的一半(典型 1.65V@3.3V)

　　高灵敏度：2.4mV/Gs@VDD=3.3V

　　快速响应：仅0.7μs响应时间

　　双封装选项：SOT23-3或TO92S-3

　　输出特性曲线

　　典型应用：

　　电动车调速转把;

　　游戏手柄控制;

　　液面检测系统;

　　工业位置传感;

　　G6003C：磁轴键盘的专用解决方案

　　G6003C专为磁轴键盘单极性应用深度优化，具有以下独特优势：

　　专用零点设计：无磁场时固定输出2.05V

　　宽线性范围：0.8V～2.5V@VDD=3.3V

　　优化灵敏度：2.2mV/Gs@VDD=3.3V

　　低噪声输出：无需外部滤波电容

　　键盘专用曲线：针对按键行程特性优化

森国科发布G6002C/G6003C系列线性霍尔传感器芯片：重新定义磁感应精度与能效

磁玉轴应用曲线

　　核心价值：

　　提供更精确的按键行程检测;

　　实现更快地触发响应;

　　支持自定义按键力度曲线;

　　提升键盘使用寿命;

　　技术优势对比

森国科发布G6002C/G6003C系列线性霍尔传感器芯片：重新定义磁感应精度与能效

　　品质保证与供货信息

　　所有产品均经过严格测试，符合工业级可靠性标准。我们提供灵活的供货方案：

　　G6002C-B1：SOT23-3封装，3000只/盘

　　G6002C-A1：TO92S-3封装，3000只/盘

　　G6003C-B1：SOT23-3封装，3000只/盘

森国科发布G6002C/G6003C系列线性霍尔传感器芯片：重新定义磁感应精度与能效


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森国科丨吸尘器方案：高效节能的“心脏”，实现吸力与 能效双重突破！技术创新，让清洁电器更智能更高效
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森国科丨吸尘器方案：高效节能的“心脏”，实现吸力与 能效双重突破！技术创新，让清洁电器更智能更高效

　　在智能家居日益普及的今天，吸尘器作为家庭清洁的核心工具，正朝着更智能、更高效、更节能的方向发展。而这一切，离不开一颗强大的“心脏”——电机控制芯片。森国科推出的SGK32G03X系列芯片，正是为现代吸尘器量身定制的高性能解决方案。　　1、森国科芯片核心技术：高度集成，专为电机控制而生　　森国科的SGK32G03X系列芯片是一款32位M0内核的专用处理器，SGK32G032K6Q8, SGK32G034G6Q8,SGK32G035K6Q8拥有电机控制所需的全套资源模块。这款芯片采用高度集成化设计，将三相N/N MOS栅极驱动模块直接集成在芯片内部，可直接驱动三路双N MOS功率模块。　　芯片采用双电源设计，驱动部分直接接入高压(5~28V)并通过LDO输出5V电压给内核部分和外围电路供电。这种设计大大简化了吸尘器的电源架构，减少了外部元件数量，提高了系统可靠性。　　主要性能参数包括：　　32位M0内核处理器，内部时钟可达60MHz　　32K字节主闪存模块，4K字节内置静态SRAM　　1个12bit ADC(1MHz)，实现精准采样　　5~28V单电源供电，适应多种电池配置　　拥有欠压、限流、过温等多重保护措施　　2、强劲性能：吸尘器效率提升显著　　基于森国科芯片的吸尘器方案，在效率方面表现卓越。芯片的高频开关特性使其能够快速响应不同的清洁需求，同时保持较低的功耗。　　与传统吸尘器方案相比，森国科芯片方案可实现更精细的电机控制。以下是不同方案的性能对比表：　　3、智能保护：全方位保障系统稳定运行　　森国科吸尘器芯片方案集成了多重保护机制，确保系统在各种异常情况下都能稳定运行。这些保护措施包括：　　欠压保护：当电池电压过低时自动保护，防止电池过放　　过流保护：检测电机电流，防止电机堵转损坏　　过温保护：监控芯片温度，避免过热运行　　硬件设计: 原理图　　4、应用前景：推动吸尘器技术创新　　森国科的吸尘器芯片方案可广泛应用于各类清洁电器，包括但不限于：　　手持无线吸尘器：凭借高效能电机驱动，延长电池寿命　　扫地机器人：精准的电机控制有助于优化清洁路径　　智能洗地机：配合水泵控制，实现清洁一体化　　随着物联网技术的发展，未来吸尘器芯片将集成更多智能功能，如尘袋检测(部分吸尘器采用尘袋设计，方便清理)、智能功率调节等，进一步提升用户体验。　　5、结语　　森国科的吸尘器芯片方案，通过高度集成的设计和先进的电机控制算法，为吸尘器制造商提供了高性能、高可靠性的解决方案。这不仅有助于提升产品竞争力，也推动了整个清洁电器行业的技术进步。　　未来，随着技术的不断进步，森国科将继续为吸尘器行业提供更多创新解决方案，助力制造商打造更具市场竞争力的产品，共同推动智能清洁时代的发展。
2026-01-28 10:10 reading：198
以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道
行业新闻

以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道

　　在功率半导体领域，碳化硅(SiC)技术以其卓越的电气性能已成为不争的未来趋势。然而，市场普及始终面临一个核心挑战：如何在不牺牲性能的前提下，将成本降至可与成熟硅基产品正面竞争的水平?森国科最新推出的KWM2000065PM(750V/2Ω)与 KWM1000065PM(750V/1Ω)两款SiC MOSFET产品，以其革命性的微型化芯片设计，给出了一个强有力的答案——通过极致缩小的Die Size，实现系统级成本与性能的双重优势，直指高压平面MOSFET与SJ MOSFET的替代市场。　　01技术深潜：微型化Die引发的性能与成本革命　　这两颗晶圆最引人注目的特点，是其极其紧凑的尺寸。KWM2000065PM的芯片面积(不含划片道)仅为0.314 mm²(0.560 * 0.560mm)，而KWM1000065PM也仅为0.372 mm²(0.560 * 0.665mm)。这一尺寸远小于同规格的硅基器件，奠定了其颠覆性优势的基础。　　热性能的先天优势：更稳定，更高效　　与传统硅基MOSFET相比，SiC材料本身拥有高出三倍的热导率。这意味着，在同等体积下，SiC芯片内部的热量能更快速地传导至外壳。结合森国科这两款产品的微型化设计，其热阻(RthJC)具备先天的稳定性优势。　　--热阻稳定性：硅器件在高温下导通电阻(RDS(on))会急剧增大，而SiC的RDS(on)随温度变化率远低于硅。规格书显示，即使在175°C的高结温下，KWM1000065PM的导通电阻典型值仅从25°C时的1.0Ω升至1.6Ω，变化幅度远优于同级硅器件。这带来了更可预测的功耗和更稳定的高温运行表现。　　--高效散热：小尺寸Die允许采用成本更低、体积更小的封装(如DFN5x6, TO-252等)。由于芯片热点与封装外壳的热路径极短，热量能更高效地散发，从而允许器件在更高的功率密度下运行，或减少散热系统的体积与成本。　　电气性能的极致化：支持高频、高可靠性应用　　高开关速度与低损耗：两款产品均具备极低的电容(Ciss/Coss/Crss)，例如KWM2000065PM的Crss典型值低至1.0pF。这直接转化为更快的开关速度、更低的开关损耗(Eon/Eoff)和更小的栅极振荡，为高频开关电源提升效率、缩小无源元件体积奠定了基础。　　--750V耐压的可靠性裕量：相较于传统的600V-650V硅基MOSFET，750V的额定电压提供了更强的抗电压冲击和浪涌能力，在PFC电路、反激式拓扑等应用中，系统可靠性得到显著提升。　　--快速体二极管：内置的体二极管具有快速反向恢复特性(Qrr低)，在桥式电路或硬开关条件下，能有效降低反向恢复损耗，提升整体效率。　　成本结构的颠覆：从“芯片成本”到“系统成本”的胜利　　这才是森国科此次产品的核心破局点。微型化Die的直接优势是：　　单颗芯片成本大幅降低：在同等晶圆上，更小的尺寸意味着可切割的芯片数量呈指数级增长，直接摊薄了单片晶圆的制造成本。　　--封装成本显著下降：小芯片可采用更小、更简单的封装，封装材料(塑封料、引线框)和工艺成本随之降低。　　--系统级成本优化：由于SiC的高频、高效特性，电源系统中的散热器、磁性元件(电感、变压器)和滤波电容都可以做得更小、更轻，从而在整体系统层面实现显著的体积缩减和成本节约。　　02应用蓝图：灵活封装策略覆盖广阔市场　　森国科此次提供晶圆形态的产品，赋予了下游客户极大的设计灵活性，精准瞄准两大应用方向：　　合封(Chip-in-Package)：赋能超紧凑电源　　对于追求极致功率密度的应用，如氮化镓快充充电器、服务器AC/DC电源模块、通信电源模块等，这两颗小尺寸Die可与控制器、驱动IC等合封在一个多芯片模块(MCPM)内。这种“All-in-One”的方案能最大限度地减少寄生参数，提升频率和效率，是实现拇指大小百瓦级快充的理想选择。　　独立封装：替代传统硅基MOSFET　　对于工业电源、光伏逆变器辅助电源、电机驱动、LED照明驱动等需要独立器件的应用，这两颗晶圆可被封装为成本极具竞争力的分立器件。其目标正是直接替代目前市场中广泛使用的750V-800V高压平面MOSFET和超结MOSFET(SJ-MOSFET)，让终端产品在几乎不增加成本的情况下，轻松获得效率提升、体积缩小和可靠性增强的优势。　　03市场展望：开启“硅基成本，碳化硅性能”的新纪元　　森国科KWM2000065PM与KWM1000065PM的推出，具有深远的市场意义。它标志着SiC技术不再仅仅是高端应用的奢侈品，而是可以通过创新的设计与制造工艺，下沉到主流功率市场，成为替代硅基产品的“性价比之选”。　　森国科的这两款微型化750V SiC MOSFET晶圆，是一次精妙的“四两拨千斤”。它们没有盲目追求极致的单一性能参数，而是通过芯片尺寸的微型化革命，巧妙地平衡了性能、可靠性与成本，精准击中了市场普及的痛点。这不仅是两款优秀的产品，更代表了一种清晰的市场战略：让碳化硅的强大性能，以客户乐于接受的成本，渗透到每一个可能的电力电子角落，加速全球电气化的高效与节能进程。对于所有寻求产品升级换代的电源工程师而言，这无疑是一个值得密切关注的技术风向标。
2026-01-26 17:43 reading：240
森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准
行业新闻

森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准

　　在追求更高效率、更高功率密度的电力电子领域，碳化硅(SiC)功率器件的性能优势已得到广泛认可。然而，传统的封装技术正成为限制其潜能全面释放的关键瓶颈。森国科(SGKS)近日创新性地推出KM025065K1(650V/25mΩ)与 KM040120K1(1200V/40mΩ)两款SiC MOSFET产品，率先将TOLL封装与铜夹片(Cu-Clip)技术深度融合，为下一代高性能电源方案树立了新标杆。　　01 技术基石：为何选择TOLL封装?　　TOLL(TO-Leaded，L-type)封装是一种专为大电流、高散热需求设计的表面贴装(SMD)封装。其外形与标准的TO-LL规范兼容，具备以下核心优势：　　低外形与高功率密度：　　TOLL封装的高度通常极低(如规格书中标注的典型值为2.30mm)，非常适合在空间受限的应用中实现高功率密度布局。　　出色的散热能力：　　封装底部具有大面积的可焊接散热焊盘，为芯片到PCB(或散热器)提供了极低的热阻路径。规格书中KM025065K1的结壳热阻(RθJC)低至0.46°C/W，KM040120K1更是达到0.42°C/W，为高效散热奠定了基础。　　低寄生电感：　　多个开尔文源极引脚和功率引脚的优化布局，有助于减小开关回路中的寄生电感，这对于发挥SiC高频开关优势、抑制电压过冲和振铃至关重要。　　02 性能跃迁：Cu-Clip技术如何赋能TOLL封装?　　森国科的创新之处在于，在TOLL封装内部，用铜夹片(Cu-Clip) 替代了传统的铝键合线(Bonding Wires)。　　彻底告别键合线瓶颈：　　传统键合线存在寄生电感较大、载流能力有限、热机械可靠性等问题。Cu-Clip通过一块扁平的铜片直接连接芯片源极和引线框架，实现了面接触。　　实现“三位一体”的性能提升：　　超低导通电阻：　　铜的导电性远优于铝，Clip结构提供了更广阔的电流通道，显著降低了封装内部的导通电阻。　　极致散热性能：　　铜片成为高效的导热桥梁，将芯片产生的热量快速、均匀地传导至整个引线框架和封装外壳，这正是实现超低RθJC的关键。　　更高的可靠性与电流能力：　　消除了键合线可能因热疲劳而脱落的风险，载流能力大幅提升，规格书中KM025065K1的连续漏极电流在Tc=25°C时高达91A。　　03 强强联合：TOLL+Cu-Clip与SiC晶圆的完美协同　　当优化的TOLL封装、先进的Cu-Clip互联技术与高性能SiC晶圆相结合，产生了“1+1+1>3”的协同效应：　　充分发挥SiC高频特性：　　低寄生电感的封装允许SiC芯片以更快的速度开关(如KM025065K1的上升时间tr=28ns)，从而显著降低开关损耗，提升系统频率和效率。　　最大化功率密度：　　优异的散热能力使得器件能在更高结温(Tj=175°C)下持续输出大电流，允许使用更小的散热器，最终实现系统体积和重量的大幅缩减。　　提升系统鲁棒性：　　KM040120K1规格书中特别提到“带有单独驱动源引脚的优化封装”，这有助于进一步改善开关性能，减少栅极振荡，使系统运行更稳定可靠。　　04 应用场景：为高效能源未来而生　　这款创新封装的SiC MOSFET非常适合对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的应用：　　光伏/储能逆变器：　　高开关频率可减小无源元件体积，高效率直接提升发电收益。　　电动汽车车载电源(OBC/DCDC)与电机驱动：　　高功率密度和卓越散热是满足紧凑空间和高温环境要求的关键。　　服务器电源/通信电源：　　助力打造效率超过80 Plus钛金标准的高密度电源模块。　　工业电机驱动与不间断电源(UPS)：　　高可靠性和高频特性满足工业环境的严苛需求。　　森国科KM025065K1与KM040120K1的推出，不仅是两款新产品的面世，更是一次针对功率封装瓶颈的精准突破。它证明了通过封装-互联-芯片的协同设计与创新，能够充分释放第三代半导体的巨大潜力。这为设计工程师在面对未来能源挑战时，提供了一把兼具高性能、高可靠性与高功率密度的利器，必将加速光伏、电动汽车、数据中心等关键领域的技术革新。
2026-01-26 17:39 reading：236
森国科SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命
行业新闻

森国科SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命

　　在小体积、高功率密度、高效散热成为行业刚需的今天，　　森国科通过创新的封装技术给出了自己的解决方案。　　继成功推出PDFN8 * 8+Cu-Clip封装的SiC二极管后，森国科正式发布三款同封装类型的SiC MOSFET产品——KM025065P1、KM040120P1和KM065065P1，形成了完整的650V-1200V电压覆盖，为高功率密度应用提供了更为丰富的选择。　　这一系列新品基于森国科自主研发的第三代平面栅SiC MOSFET芯片技术，通过创新的铜夹片封装技术和优化的内部结构设计，在保持高性能的同时显著提升了散热效率和功率密度。　　PART01 三款新品核心参数解析：满足不同功率等级需求　　KM025065P1：650V/25mΩ高电流型号　　这款产品在25℃条件下连续漏极电流高达91A，脉冲电流能力达到261A，特别适合大电流应用场景。其低导通电阻(典型值25mΩ)确保在高电流下仍保持较低的导通损耗。　　该器件结壳热阻低至0.49°C/W，配合Cu-Clip技术，能够将芯片产生的热量快速传导至PCB板，保证在高功率运行时的稳定性。　　KM040120P1：1200V/40mΩ高压应用优选　　针对光伏逆变器、工业电机驱动等高压应用，KM040120P1提供了1200V的耐压能力，同时在15V驱动电压下导通电阻典型值为40mΩ。该产品静态栅源电压为-5/+15V，适用于严苛的工业环境。　　值得一提的是，这款产品特别优化了开关特性，在800V/33A测试条件下，开关能量表现优异(Eon典型值530μJ，Eoff典型值32.1μJ)，有效降低系统开关损耗。　　KM065065P1：650V/65mΩ性价比之选　　对于成本敏感型应用，KM065065P1提供了平衡的性能与价格。其导通电阻典型值为65mΩ，连续漏极电流38A，适合中小功率场景。该产品输入电容仅为977pF，栅极总电荷41nC，便于驱动电路设计。　　三款产品均支持-55℃至+175℃的工作结温范围，满足汽车电子、工业控制等严苛环境要求。　　PART02 PDFN8 * 8+Cu-Clip封装技术深度解读　　PDFN8 * 8+Cu-Clip封装是森国科为应对高功率密度挑战而推出的先进封装解决方案。与传统的引线键合技术不同，Cu-Clip(铜夹片)技术采用扁平铜桥连接芯片表面和外部引脚，有效降低封装电阻和热阻。　　这种封装结构的优势显而易见：更低的寄生参数、更好的热性能以及更高的电流承载能力。实测数据显示，与传统封装相比，Cu-Clip技术能够降低约35%的封装电阻，同时提升约20%的电流能力。　　热性能是功率器件的关键指标。PDFN8 * 8+Cu-Clip封装通过优化设计，实现了从芯片到PCB的高效热管理路径。三款新品的结壳热阻均在0.46-0.81°C/W范围内，大幅提升了整体散热能力。　　封装尺寸方面，PDFN8 * 8保持了8mm×8mm的紧凑外形，引脚间距为2.0mm典型值，厚度控制在0.95mm典型值。这种紧凑设计使得器件在空间受限的应用中具有明显优势。　　PART03 电气性能优势：低损耗与高可靠性兼备　　开关损耗是影响功率转换效率的关键因素。三款新品在开关特性方面表现出色：　　优化的开关速度:　　由于减少了栅极回路的寄生电感，新品的开关速度得到显著提升。以KM025065P1为例，其开启延迟时间仅12ns，上升时间28ns，下降时间22ns，支持更高频率的运行。　　低栅极电荷：　　KM065065P1的栅极总电荷仅为41nC，KM040120P1为84nC，降低驱动电路的设计难度和功率需求。　　优异的体二极管特性：　　内置的快恢复体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)，KM065065P1的Qrr典型值仅为67nC，减少反向恢复损耗。　　可靠性方面，所有产品均通过严格的可靠性测试，包括高温反偏(HTRB)、高低温循环等测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。　　PART04 应用场景全覆盖：从消费电子到工业驱动　　新能源汽车领域　　在车载充电机(OBC)和直流-直流转换器中，KM025065P1的高电流能力(91A连续电流)可直接替代多个并联的传统器件，简化系统设计。KM040120P1的1200V耐压适合800V电池系统应用。　　可再生能源系统　　光伏逆变器是SiC MOSFET的重要应用领域。KM040120P1的高耐压和低导通损耗可有效提升系统效率，配合其优异的开关特性，助力实现99%以上的转换效率。　　工业电源与电机驱动　　服务器电源、通信电源等场景中，KM065065P1的平衡性能和成本优势明显。其紧凑的封装尺寸有助于提升功率密度，满足现代数据中心对高密度电源的需求。　　消费类电子　　大功率快充电源适配器、便携式充电站等应用中，KM025065P1的高功率密度特性可在有限空间内实现更大的功率输出。　　PART05 设计与应用支持：助力客户快速量产　　针对不同的应用场景，森国科技术团队可提供定制化的解决方案，帮助客户优化系统性能，缩短产品上市时间。　　在驱动设计方面，由于三款产品的阈值电压(VGS(th))在2.7-3.2V范围内，建议驱动电压在15-18V之间，以确保充分导通的同时避免过驱动。　　散热设计建议　　虽然Cu-Clip封装具有良好的散热性能，但在大功率应用中仍需注意PCB的热设计。建议使用2盎司及以上铜厚的PCB，并合理设计散热过孔和散热焊盘。　　森国科此次推出的三款PDFN8 * 8+Cu-Clip封装SiC MOSFET产品，与先前发布的同封装SiC二极管共同构成了完整的功率半导体解决方案。这一产品组合体现了森国科在碳化硅技术领域的深厚积累和对市场需求的精准把握。　　随着新能源、电动汽车等行业的快速发展，对功率器件的功率密度、效率、可靠性要求不断提高。森国科通过持续的技术创新和产品优化，为行业客户提供更具竞争力的解决方案。　　未来，森国科将继续扩展Cu-Clip封装的碳化硅功率器件产品线，包括2200V及更高电压等级的器件，为全球绿色能源转型提供核心半导体支撑。　　以下是三款产品的规格：
2026-01-23 11:02 reading：335
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