思瑞浦推出零交越失真TPA277x系列运算放大器

Release time:2025-12-26
author:AMEYA360
source:思瑞浦
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  聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK (股票代码: 688536) 推出TPA277x系列高压轨到轨输入输出运算放大器。与传统OPA双对管结构不同,其采用电荷泵技术,从根本上实现零交越失真,保障信号传输的线性度。此外,TPA277x拥有高电源抑制比与高共模抑制比,尤其在100KHz高频干扰环境下抑制能力达到60dB,帮助客户优化在电源与共模回路的设计和成本。凭借全面的性能优势,广泛应用于工业自动化、光伏逆变、储能系统、电机驱动器以及服务器电源等领域,为相关设备的稳定运行与性能提升保驾护航。凭借过硬的产品性能优势和市场竞争力,TPA277x系列产品已在多家头部客户批量出货。

  01TPA277x产品优势

  宽电源范围&高压RRIO

  TPA277x系列采用Bipolar工艺,宽供电范围支持3V-36V,同时具备RRIO输入输出导轨能力,增益带宽积4.6MHz ,压摆率3.5V/μs,宽输入共模范围最高支持到+VS+0.1V, 可覆盖绝大多数通用OPA在工业自动化、光伏逆变、储能、电机驱动器和服务器电源设备等使用场景,在电压跟随器、电压基准、电压、高低边电流采样等信号调理电路都可以覆盖,便于帮助客户归一Bom物料。

  零交越失真Zero-Crossover

  TPA277x系列采用内部电荷泵架构:如下左图所示,相比于传统RRIO技术输入对管采用互补差分双对管结构,当输入接近正电源轨时N对管工作, 当输入接近负电源轨时P对管工作。但是当输入信号在两组对管的切换区域时,因对管的特性差异,导致输入失调电压会发生非线性跳变,产生失真。

思瑞浦推出零交越失真TPA277x系列运算放大器

  左图:传统OPA内部PNP+NPN对管架构

  右图:TPA277x内部PNP管+Charge Pump升压架构

  如上右图所示,TPA277x系列内部只采用PNP管,通过内部电荷泵电路生成高于供电电源的电压,使输入对管始终能正常工作,如下图所示,全共模范围内输入失调电压无非线性跳变。尤其在光伏逆变并网侧,检测逆变电流信号时,保证采样信号不失真。

思瑞浦推出零交越失真TPA277x系列运算放大器

  高电源抑制比PSRR能力

  TPA277x系列具有高电源抑制比PSRR能力,如下图所示,能在高频100KHz干扰下抑制比达到了60dB,针对工业自动化、光伏逆变、储能、电机驱动、服务器电源等客户,在电源信号噪声受到板级功率拓扑如反激Flyback,Buck-Boost、谐振LLC、DC-AC等开关频率干扰严重场景,确保OPA本身供电受到这些拓扑的开关频率抖动抑制能力,节省了客户在电源干扰抑制上的设计成本。

  高共模抑制比CMRR能力

  TPA277x系列具有高共模抑制比CMRR能力,如下图所示,能在高频100KHz干扰下抑制比达到了60dB,针对工业自动化、光伏逆变、储能、电机驱动、服务器电源等客户,在输入信号因上述电源拓扑的开关频率的串扰之外,还会因PCB Layout长走线寄生电感同样引入共模干扰严重场景有较强抑制能力,节省了客户在输入共模信号跳变干扰抑制上滤波的设计成本。

  无相位翻转No phase reversal

  客户系统采样经常出现输入共模信号发生跳变,尤其是超过运放电源轨的场景下,输出信号很容易被拉到电源轨,无法恢复到正常工作范围,导致输出信号可能会出现短脉冲。这些输出短脉冲可能会对引起后级系统的误动作,例如在一些过流保护、过压保护应用中,输入共模信号的跳变会引起误保护,会给用户增加额外的成本去规避这些风险。为了应对这种场景,TPA277x系列通过设计优化,如下图所示,输入信号分别超过在电源正负轨±5V范围外时,Vout均未产生相位翻转的问题。

  02TPA277x产品特性

  •供电范围Supply Voltage: 3V to 36V;

  •高压轨到轨输入输出RRIO;

  •零交越失真Zero-Crossover;

  •电源抑制比PSRR&共模抑制比CMRR : 60dB@ 100kHz;

  •失调电压Vos: ±3.5mV Maximum at 25°C;

  •增益带宽积Gain-Bandwidth Product:4.6MHz ;

  •压摆率Slew Rate: 3.5V/μs;

  •总谐波失真加噪声THD+N:0.0008%;

  •工作温度范围Operating Temperature:−40℃ to +125°C。

  03TPA277x典型应用

  TPA277x系列在全供电电压范围内,能覆盖绝大多数场景下的工业应用,保证在全温度范围内实现信号的准确采样,其典型应用电路如下图所示。

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超小封装+负压适配!思瑞浦TPP05301打造端侧智能设备可靠电源供电
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2026-07-01 10:23 reading:323
单颗顶两颗! 思瑞浦TPAFEA003A/B超高集成硅光AFE,功耗性能双突破
  思瑞浦3PEAK(股票代码:688536)推出TPAFEA003A/TPAFEA003B高精度硅光模拟前端AFE,专为800G/1.6T硅光模块设计。集成4通道12位电流输出DAC(IBIAS)、12通道12位电压输出DAC(Heater Bias)、12位500kSPS ADC及4通道12位通用DAC(GDAC),提供高达500mA输出电流、±60mAheater驱动及多通道可配置监控。产品支持 I²C/SPI接口,工作温度-40°C至+125°C,以小型化WLCSP封装实现超高集成度,助力下一代光模块设计。  01  产品优势  大电流激光偏置(IBIAS)  4通道12位IDAC,支持可编程控制输出:  TPAFEA003A:0-245mA/0-350mA两档输出,单通道支持70mW激光器满功率输出;  TPAFEA003B:0-350mA/0-500mA两档输出,单通道支持100mW激光器满功率输出;  超低headroom电压,可以显著降低器件功耗,提升光模块效率指标:  0~245mA(100mV)/0~350mA(150mV);  0~350mA(150mV)/0~500mA(200mV);  超低工作电压,创新设计架构,支持IBIAS供电最低0.5V就可以工作,适配更低偏置电压的激光器产品时可显著降低系统功耗。  多通道大电流 DAC  12通道DAC分为2BANK(8+4),BANK单独供电,可以实现,Heater DAC与VBIAS DAC分开供电,实现不同的电压配置范围,降低系统功耗。  驱动电流支持Sink/Source均60mA,可以支持更多种类PIC的Heater驱动。  丰富的Multi-IO通道  TPAFEA003A配置最高21通道、TPAFEA003B配置最高29通道;芯片集成ADC、电流镜与多档位下拉电阻,单芯片即可全覆盖硅光光模块全场景光功率检测需求。产品最高可适配4路入光、8路出光、8路检测光及8路RSSI信号采集,且配套电路无需外接上下拉电阻。  内部电流镜支持外部MPD共阴极共阳极检测,具备1:1和1:3两种电流增益。  两通道MON口,支持外部ADC采样模式。  超强兼容性  A/B两个版本自身兼容, 按64引脚设计PCB可以实现一个PCB兼容TPAFEA003A与TPAFEA003B两种方案。  以一敌二  依托创新架构打破IBIAS电流驱动能力与Multi‑IO通道数量的固有瓶颈,单颗芯片即可覆盖传统硅光光模块方案中需搭载两颗及以上AFE芯片才能实现的设计需求。  图1、TPAFEA003A/B Function Block  02产品特性  •IDAC:4CH,12位,DNL<±1LSB;  •Heater DAC:12CH,12位<dnl±1lsb p="" ;  •ADC性能:INL<±4LSB,转换时间2μs;  •电源范围:VDD2.7-5.5V,VDRIVE2.5-5.5V,PVDD0.5-2.5V;  •封装:WLCSP3.50×3.53mm(A版56-ball,B版64-ball);  •工作温度:-40°C至+125°C;  图2、TPAFEA003A/B Pin Map Compatibility  03典型应用  800G/1.6T硅光模块:激光器偏置(IBIAS)+调制器偏置(Heater Bias)+光功率监控(mPD+RSSI)。  光收发器:多通道电流/电压控制与诊断。  测试测量仪器:高精度多通道模拟输出与采集。  TPAFEA003A/TPAFEA003B系产品可提供样品申请及评估板技术支持。如有需求,请联系思瑞浦当地销售团队或邮件至business@3peak.com。  订购信息:
2026-06-23 10:03 reading:375
搞定车载激光雷达VCSEL驱动!思瑞浦发布高压大电流高速驱动技术白皮书
  激光雷达需在纳秒量级内向VCSEL注入数十安培的精准电流,既要保证探测距离,又不能在任何情况下灼伤人眼——难点大多集中在发射端这颗驱动芯片上。本文从电压预算、驱动架构、人眼安全到选型,拆解它为何需要60V–80V耐压、20A–50A峰值、ns级边沿。  图1 车载LiDAR扫描架构分类与演进——机械式/半固态/纯固态,趋势向纯固态电子扫描收敛  车载LiDAR正转向纯固态2-D可寻址VCSEL阵列,对发射端多通道集成要求更高。dToF测回波飞行时间,发射驱动须在精确时刻注入高峰值、窄脉宽、快边沿脉冲。  图2 LiDAR系统框图——涵盖发射Tx、接收Rx、电源转换、系统监控与接口,其中蓝色为3PEAK产品覆盖范围  一、为什么发射驱动需要60V–80V?  图3 dToF测距信号链——TX发射、目标回波、RX接收到信号处理  核心约束可用一个公式概括:电流变化越快,回路寄生电感产生的感性压降越大——每nH电感都按V=L·di/dt占去一截电压裕量,同时拖慢脉冲边沿。而边沿每增加1ns,测距误差约增大15cm,约一本书的宽度。  驱动电压预算:六结、20A、1ns上升时间基线  各项压降逐一叠加(见上表),六结即达四十余伏;随多结VCSEL向八结、十结演进、电流加大,电压预算很快逼近80V。约束由此明确:高电压、低电感、快开关。  二、几十安培,怎么一瞬间放出来?  图4 2-D Flash LiDAR TX 驱动系统架构——Boost升压、TPM8909Q高边充电、TPM8918Q低边脉冲与VCSEL阵列  采用“高边充电加低边脉冲”架构,其原理类似相机闪光灯:由高边电路预先将能量储入本地电容,再由低边开关在发射瞬间释放,从而把慢速充电与快速脉冲解耦,停止充电即切断能量源。整条链路含四个模块:Boost升压、高边充电IC、储能电容阵列、低边脉冲IC(见上图)。  充电拓扑与封装  充电拓扑有恒流与谐振两种方式:恒流方案电路成熟、时序确定、EMC表现好;谐振方案借LC谐振转移能量、效率更高,适合大电容、高帧率,代价是电路更复杂。封装则在物理上决定回路寄生电感——集成度越高、键合线越少,寄生越小,而在大电流、快边沿下寄生会直接抬高关断过冲,故低寄生封装对高压快脉冲尤为关键。  2-D 阵列驱动  阵列驱动是2-D固态路线的核心。传统1-D线阵加机械扫描存在三处短板:任意时刻只有一列发光、光子利用率低,热耗集中在同一组发射器、限制峰值功率,外加扫描光学的损耗与可靠性风险。2-D可寻址 VCSEL面阵改以电子方式逐区点亮,把光能集中到目标区域,单个发射器每帧只承担一小部分脉冲、热负载下降,并省去运动光学。  由此带来的一项关键能力是高反膨胀抑制:车牌、路牌等强反射目标的回波会使接收端饱和、向邻近像素溢出,模糊甚至淹没周边目标,而 2-D逐区可寻址可对这些已知高反区域单独调低驱动电流或发射器数量,从发射端做区域级功率控制、从源头抑制,又不牺牲其它区域的探测能力。  实现上有两处关键设计:行列寻址让阵列按“行+列”寻址、控制线数大幅减少,多颗芯片级联即可覆盖整片阵列;双寄存器组的乒乓机制在当前行发光期间预写下一行参数、切换即时生效,几乎不占用时序。系统再以大小波交替兼顾远近——远距用大波保证回波信噪比,近距用小波避免接收端饱和。  关得太快,会出什么问题?  图5 TPM8915Q实测光脉冲——脉宽约 6.1ns、上升 / 下降约 1.8ns,关断后可见振铃引起的二次发光  关断越快脉宽越窄,但回路电感对负向di/dt同样按V=L·di/dt,带来两类风险。一是二次发光:振铃让VCSEL再次正偏,主脉冲后冒出小光脉冲、形成虚假回波,即上图衰减振铃。  图6 TPM8915Q关断电压振铃实测——约56.5A、回路寄生约3nH下节点对地过冲约110V  二是过电压:回路电感像急刹车时的惯性一样抗拒电流骤变——电流被快速切断时,它为维持电流而在两端激起反向电压尖峰,实测可达约110V,既冲击器件耐压、又反偏VCSEL。对策是降低回路寄生、将过冲控制在80V以内,并辅以可编程斜率与续流钳位。  三、芯片坏了,会闪伤眼睛吗?  图7 正常脉冲模式与低边短路故障模式的对比——后者脉冲退化为连续发光  VCSEL的单脉冲能量本就超出IEC 60825-1 Class1的MPE一到两个数量级,正常工作全靠不到0.1%的占空比,把平均功率压在安全线内。风险在于故障:一旦低边开关短路,激光便从脉冲退化为连续发光(CW),占空比跳至100%、平均功率约等于峰值功率,相对安全平均限值可超标上千倍。因此标准要求:任何单一故障下都不得超过 MPE,并达到车规功能安全ASIL B以上。  人眼安全先从识别链路失效模式及其危害入手:  双芯片架构在此提供了一道独立兜底:即便低边IC彻底失效,高边仍能停止充电并主动放电,待储能电容能量耗尽后激光自然熄灭——这是将全部功能集成于单颗芯片的纯低边方案难以具备的。  四、按场景怎么选?  图8 TPM8915Q 集成功率级驱动系统——WLCSP封装内集成 80V/50A功率级,封装寄生小于0.1nH  Flash固态多通道:高边加低边  高边充电IC TPM8909Q与TPM8909AQ给16通道80V储能与 CVD/RVD诊断,低边脉冲IC TPM8918Q与TPM8918BQ给8通道 20A脉冲,级联覆盖2-D阵列。  扫描式/MEMS:GaN驱动  外挂第三方GaN FET配GaN驱动IC:车规TPM1025Q、TPM2025Q,工规TPM1020、TPM1025、TPM2025,用于单或少通道EEL、1-D VCSEL。  单通道高性能:集成功率级  TPM8915Q在WLCSP 3.35×1.65mm内集成80V/50A功率级,封装寄生<0.1nH,脉宽可窄至1ns。  全系列覆盖高边充电、低边脉冲、GaN驱动到集成功率级,均有车规与工规版。低成本是规模标配门槛:集成方案把BOM从50+压到20–30颗,下一代充电IC向24通道以上、更高电流、SPI取代并行接口。
2026-06-12 09:26 reading:605
思瑞浦丨超小封装!思瑞浦隔离Delta‑sigma调制器TPA8101/TPA8102,解决狭小空间高精度隔离采样痛点
  当前,低压伺服行业正蓬勃发展,2025年国内市场规模破120亿元,同比增速18.2%。受益于制造业升级与新兴产业崛起,锂电、光伏、机器人等领域需求旺盛。产品向小型化、集成化、低功耗演进,技术突破推动行业高景气前行。  思瑞浦(3PEAK,股票代码:688536)推出TPA8101与TPA8102两款超小封装、高性能、功能性隔离精密Delta-sigma调制器。TPA8101与TPA8102分别支持±250mV与±50mV的输入电压范围。其隔离性能支持电压高达200V有效值电压及280V直流电压,并可承受60秒达570V有效值与800V直流电压的瞬态耐压。两者均采用3.5mm×2.7mm DFN8超小封装,具备100kV/μs的共模瞬态抑制能力(CMTI)。TPA8101与TPA8102适用于基本隔离、精密电流采样及空间受限各类应用场景。  01  产品优势  超小型化封装  DFN8封装,尺寸仅为3.5mm*2.7mm*0.9mm,相比于WSOP8封装(11.5mm*5.8mm*2.5mm),单颗芯片面积可以缩小至原来的14%,三颗芯片共计可以节省约170mm2 PCB板面积,且厚度<1mm,可以同时满足平面与纵向高密度布局要求。  图1  优异的直流精度  失调低于±15μV(图2,个体测试值),增益误差小于0.1%(图3,个体测试值),确保高精度测量。在-40~125℃范围内,失调电压温漂在±1μV/℃以内,增益误差温漂在±40ppm/℃以内。常温校准后,100℃温度变化,失调电压变化小于100μV,增益误差变化小于0.4%。  图2  图3  出色的动态性能  信噪比(SNR 图4)高达80dB以上(Fin≤20kHz),提高信号分辨质量。  图4  02产品特性  •强抗干扰能力CMTI: 100kV/μs的共模瞬态抑制能力,确保在恶劣噪声环境下稳定运行;  •宽供电电压范围:  高侧(VDD1): 3.0V到5.5V  低侧(VDD2): 3.0V到5.5V  •输入电压范围: ±250mV(TPA8101), ±50mV(TPA8102);  •低失调误差(25°C,最大值): ±150 μV(TPA8101) ,±50 μV (TPA8102);  •低增益误差(25°C,最大值): ±0.3% ;  •系统级诊断: 输入共模电压过压与高侧供电电压缺失检测功能;  •宽工作温度范围: −40°C至+125°C;  •隔离耐压:  工作耐压:200VRMS, 280VDC  瞬态耐压(60s):570VRMS, 800VDC  03典型应用  48V电机系统应用,流过分流电阻器RSHUNT的电流所产生的压降信号输入至TPA8101或TPA8102。器件将高压侧的模拟输入信号进行数字化,并通过内部隔离器将量化数据传送至低侧。在低侧,DOUT引脚输出数字比特流与CLKIN引脚输入的时钟同步,该数字比特流由微控制器(MCU)或FPGA中的低通数字滤波器处理,系统的48V母线电压可通过TPA8023检测与传输。TPA8101与TPA8102不仅适用于48V电机系统电流检测,也广泛适用于各类需要基本隔离的中低压电子系统电流检测应用。  图5  TPA8101与TPA8102现已开放样品申请,并配套提供评估板及技术支持。  如有需求,请联系思瑞浦当地销售团队或邮件至business@3peak.com。
2026-06-09 09:50 reading:542
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