近日,由行家说主办的2025行家说第三代半导体年会——“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳举办。瑞萨650V GaN系列凭借卓越的产品性能及可靠的应用表现,荣获“行家极光奖-2025年度优秀产品奖”。

“2025行家极光奖”旨在表彰第三代半导体领域中具有行业表率的优秀企业、引领产业变革的创新技术和优秀产品。其中,优秀产品奖的评选,从产品创新性、技术先进性、市场表现力、客户信赖度等多个维度进行审核。此次获奖,也展现出行业及市场对瑞萨650V GaN系列的认可与信任。
瑞萨650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS,适用于人工智能(AI)数据中心和服务器电源(包括新型800V高压直流架构)、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型(Gen IV Plus)产品专为多千瓦级应用设计,将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合,显著降低开关功率损耗,同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和TOLL三种封装选项,使工程师能够灵活地针对特定电源架构定制热管理和电路板设计。
瑞萨在GaN市场上独具优势,提供涵盖高功率与低功率的全面GaN FET解决方案,丰富的产品组合使瑞萨能够满足更广泛的应用需求和客户群体。
当前,全球能源结构正以前所未有的速度与规模,向清洁化、低碳化转型。第三代半导体作为支撑能源高效转换、智能控制的核心基础材料,正强劲拉动着新能源汽车、光储充、数据中心、机器人和元宇宙等关键领域的技术创新与产业升级。面向未来,瑞萨将继续以创新、品质与可靠性为核心驱动,深化与上下游企业的协同合作,加速GaN产品与技术在更多领域的融合应用,推动功率电子行业的"芯"发展。
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| model | brand | Quote |
|---|---|---|
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| MC33074DR2G | onsemi |
| model | brand | To snap up |
|---|---|---|
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor |
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