上海贝岭高压电机驱动系统关键技术及芯片应用选型

　　上海贝岭自2018年战略布局工控和储能市场以来，持续深耕光伏储能、伺服变频、工业电源、BMS、电动工具、电动车等核心领域，致力于为客户提供高性价比的半导体产品与系统解决方案。

　　公司产品涵盖电源管理、信号链产品和功率器件3大产品领域，依托功率器件、电源管理、接口芯片、隔离器、存储器、马达驱动、数据转换及标准信号八大产品线，全面构建模拟和数模混合产品解决方案平台。在高压电机驱动领域，公司产品覆盖率可达80%以上。

　　主功率链产品介绍

　　在高压电机驱动主功率链中，上海贝岭可提供650V全系列IGBT以及栅极驱动产品配套：

　　① 650V10A~75A系列IGBT产品

　　基于贝岭G2 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的H4代产品工艺，采用3um pitch的微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，获得良好Vcesat-Eoff折衷，以及优秀的短路能力;终端采用优化的“FLR+场板技术”，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。

　　该系列提供3个版本产品：

　　低频版：先进的正面结构设计，可以实现Vge≤15V，tsc=5us的短路能力，以及足够低的Vcesat，推荐应用频率2~25kHz，目前已在高压伺服、工业缝纫机、跑步机等市场批量应用

　　低频版plus：通过正面结构设计的进一步优化，实现Vge≤16.5V，tsc=5us的短路能力，以及Vcesat typ=1.55V，对变频器等电机驱动应用提供更匹配的应用支持

　　高频版：通过良好的Vcesat-Eoff折衷特性，可以支持客户最高60kHz的应用频率需求

　　650V 10A~75A系列IGBT产品图片(封装形式)

　　② 650V80A~200A系列IGBT产品

　　基于贝岭G3 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的H5代和H7代产品工艺，采用更加先进的1.6um pitch微沟槽工艺，正面结构通过“Gate沟槽+E短接沟槽+dummy 沟槽”3种沟槽的设计比例优化，背面采用优化的H FS工艺，获得足够低的Vceast和良好的开关损耗，满足电机驱动应用所需的短路能力;终端采用优化的“VLD技术”，在提高芯片有效面积占比的同时，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。

　　该系列提供3个版本产品：

　　低频版：Vcesat_typ=1.5V，可以实现Vge≤15V，tsc=3us的短路能力，推荐应用频率2~25kHz

　　高频版：Vcesat_typ=1.5V，推荐应用频率：20~30kHz，推荐应用领域：光伏储能，工业焊机

　　特高频版：Vcesat_typ=1.6V，推荐应用频率：30~50kHz，推荐应用领域：充电桩，工业电源，工业焊机

　　为满足不同客户需求，该系列产品还可以提供低频版plus的定制化需求(实现Vge≤16.5V，tsc=5us的短路能力，Vcesat typ=1.5V)。

　　650V80A~200A系列IGBT产品图片(封装形式)

　　③ 栅极驱动产品-SA3626A/BL2601A

　　SA2636A 是一款最高耐压650V的全桥驱动器，用于驱动三相系统中的MOSFET或IGBT。其低侧兼容3.3V逻辑控制，提供300mA/600mA的拉灌电流能力。芯片集成欠压锁定及可调电阻过流检测功能，故障时立即关断所有开关并输出错误信号，内置290ns死区时间以提升系统安全性。

　　BL2601A是一款高压半桥栅极驱动芯片，专为驱动双NMOS或IGBT设计，工作电压可达600V。芯片内置VCC/VBS欠压保护(UVLO)，输入兼容3.3-15V逻辑，上下管延时匹配典型50ns，提供+0.3A/-0.6A的驱动能力，采用SOP8封装。

　　高压电机驱动系统全链路芯片

　　一站式选型指南

　　在高压电机驱动系统中，除了核心的主功率变换链，高效的电源管理和精确的信号处理同样是确保系统稳定、可靠运行的关键环节。上海贝岭凭借全面的模拟芯片产品线，可为此提供完整的配套解决方案：其电源管理芯片(如PWM控制器、DC-DC转换器、LDO及稳压器)为系统中的控制电路、传感器和接口提供稳定、洁净的各级供电;而信号链芯片(包括隔离接口、运算放大器、EEPROM等)则负责实现关键的信号隔离、调理、通信与数据存储功能。二者与主功率链协同工作，共同构筑高性能、高集成度的电机驱动平台。