士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”

发布时间：2025-07-16 11:35
作者：AMEYA360
来源：士兰微
阅读量：2431

　　2025年7月11日-12日，“第五届中国集成电路设计创新大会”(ICDIA 创芯展)在苏州成功召开。大会期间，由中国集成电路设计创新联盟组织开展的“2025中国创新IC-强芯评选”颁奖典礼隆重举行。士兰微电子SiC MOSFET产品SCDP120R007NB2CPW4荣获2025中国创新IC“创新突破奖”。

士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”

　　“强芯评选”旨在推动自主芯片创新应用，在全国范围内评选技术领先、竞争力强、质量可靠的创新IC 产品，为系统整机、品牌终端、 用户单位提供国产优质芯片应用选型，以此深度挖掘中国芯领先产品，共建自主产业生态。其作为一年一度的国产IC推优平台，对我国自主集成电路产业创新具有重要意义。

　　SCDP120R007NB2CPW4

士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”

士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”

　　士兰微电子SCDP120R007NB2CPW4 (1200V 7mΩ，TO-247Plus-4L)是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用公司碳化硅自主工艺技术，具有极低的导通电阻(RDS(on)(typ.)=5.5mΩ)、传导损耗和开关损耗，具有较高的功率密度，能提供最佳的热性能。

　　士兰微“一体化”战略

　　近年来，士兰微电子深入实施“一体化”战略，通过持续推出富有竞争力的产品，持续加大对大型白电、汽车、新能源、工业、通讯和算力等高门槛市场的拓展力度，公司总体营收保持了较快的增长势头。同时，公司非常重视SiC产品的开发和应用。

　　在碳化硅产品方面，士兰微已搭建起包含晶圆、分立器件、模组在内的多元产品矩阵，全面覆盖汽车主驱、汽车热管理、光伏储能、充电桩、AI服务器、工业电源等应用领域，在多家头部客户实现项目批量交付。当前士兰第二代碳化硅产品已实现稳定交付，备受期待的第四代碳化硅产品也计划于今年正式推出。

　　在碳化硅产能建设方面，2025年士兰厦门碳化硅8英寸生产线将实现通线并投产，这一突破将大幅提升生产效率与规模。未来，士兰微将依托技术与产能的双重升级，为客户提供更高品质，更多元化的碳化硅产品，持续为功率半导体国产化进程注入绿色动能。

　　未来，士兰微电子也将以不断发展的电子信息产品市场为依托，抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇，设计与制造并举，强化投入，持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力，扩大产业基础，为成为国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力。


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　　在风电变流器这类高功率、高可靠性应用场景中，功率模块直接影响系统效率、热设计、并联均流和长期运行表现。尤其在高温、低频、并网与发电等复杂工况下，客户需要的不仅是一颗“参数达标”的器件，更是兼顾损耗、短路能力与系统可靠性的整体方案。　　SRM600HF17B4TFD是杭州士兰微电子股份有限公司基于自主研发的RC Ⅲ工艺反向导通 IGBT(RC-IGBT)芯片技术开发的600A/1700V RC-IGBT半桥模块。　　该模块具有高电流密度、低开关损耗、高短路能力和高阻断电压水平，能在恶劣环境条件下为逆变器运行提供更可靠的保护，适用于风力变流器、电机传动、太阳能逆变器、高压级联储能系统及UPS系统等应用。图：产品外形及引脚　　产品亮点　　600A/1700V半桥拓扑，面向高功率变流应用　　VCE(sat)(典型值) = 1.98V@IC = 600A， 25℃　　基于RC-Ⅲ工艺，降低模块内部杂散电感与热阻　　VCE(sat)带正温度系数，有利于并联自均流　　高抗短路能力，提升恶劣工况下的保护可靠性　　低开关损耗，兼顾效率与热设计　　采用绝缘 DBC 技术　　集成负温度系数热敏电阻器　　应用领域　　风力变流器　　电机传动　　太阳能逆变器　　高压级联储能系统　　UPS 系统　　应用仿真　　01 网侧仿真条件　　Vbus=1850V，Vac=1140Vac，Tc=105℃，fsw=2.1kHz，SVPWM，PF=0.95，fac=50Hz，3并联*1模组，Irms=318A(单模块)　　单模块损耗777.2W，效率99.18%　　　02 机侧仿真条件　　Vbus=1850V，Tc=105℃，fsw=2kHz，SVPWM，PF=-0.85，fac=10Hz，3并联*2模组，Irms=310A(单模块)　　单模块损耗753.3W，效率98.18%　　对于风电变流器等对效率、热管理和可靠性要求较高的应用，SRM600HF17B4TFD提供了兼顾功率密度、开关损耗与保护能力的器件选择。如需获取完整规格书、仿真报告或样品支持，欢迎联系AMEYA360客服。
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　　“安全可靠”是汽车永恒的主题。士兰微推出车规级PMIC产品SZ4981，实现最高功能安全等级ASIL-D、最高可靠性温度等级AEC-Q100 Grade0，助力新能源汽车芯片国产化发展战略。　　近日，国际独立第三方检测、检验和认证机构德国莱茵TÜV集团向士兰微车规级多通道电源管理芯片SZ4981颁发ISO 26262 ASIL-D产品认证证书。　　01　　产品概述　　不论汽车工业技术如何飞速成长迭代，安全可靠永远是汽车零部件设计的核心诉求。PMIC + MCU组成的最小系统，承担了实现汽车零部件高功能安全等级、高可靠性的重要任务。然而，高端国产化车规级电源管理(PMIC)芯片仍然长期存在供给缺口，亟需技术实现与量产认证的双重突破。基于此，士兰微电子正式推出车规级多通道PMIC芯片：SZ4981。它将多项指标做到了业内领先水准：　　最高功能安全等级：ISO 26262 ASIL D　　最高温度等级的车规认证：AEC-Q100 Grade0 (TA=-40℃~150℃)　　宽输入电压范围：3V~40V　　Typ.≤50μA极低的休眠静态电流　　目前，SZ4981已广泛应用于汽车各类功能安全需求场景，在电动助力转向(EPS)、主驱逆变器、变速箱控制单元(TCU)、电池管理系统(BMS)、区域控制器(ZCU)、高级驾驶辅助系统(ADAS)等领域中实现应用落地。已在数十家客户项目中实现量产或系统验证。　　02　　主要参数　　AEC-Q100认证，Grade0：TA=-40°C~150°C　　功能安全符合ISO 26262-2018标准ASIL-D等级　　输入电压范围：3V~40V　　可承受3V冷启动(Cold crank)及42V抛负载脉冲(Load Dump)　　1路Pre_boost及1路Pre_buck　　支持展频功能提升EMI特性　　4路LDO，2路Tracker输出　　两个故障安全信号SS1/2　　多种看门狗：问答式、窗口式　　超长待机时间　　Standby / Sleep多种低功耗模式　　QFN48-7x7封装，可湿性侧翼设计　　03　　应用场景　　电动助力转向系统(EPS)　　主驱逆变器　　电池管理系统(BMS)　　区域控制器(ZCU)　　变速箱控制单元(TCU)　　高级驾驶辅助系统(ADAS)　　04　　典型应用框图　　05　　产品亮点　　ASIL-D功能安全设计　　SZ4981内置独立故障安全状态机，集成 ABIST 模拟自测试、时钟校验与带 CRC/ECC 校验的 SPI 安全通道，可有效检出隐性故障。芯片搭载双看门狗方案，搭配独立 Bandgap 基准的电压监测单元，实现过压、欠压、过热、过流等多类故障分级保护。芯片支持 MCU 错误实时监测，可输出中断、复位信号，同时提供两路具备物理电气独立性、延时可配置的安全状态输出。故障发生时能够快速触发预定义安全状态，构建完整的故障检测 - 上报 - 安全响应闭环，满足 ASIL-D 最高等级功能安全要求。　　休眠模式下的低功耗设计　　SZ4981在休眠模式(Standby)下可实现极低的静态电流，常温下静态电流可控制在typ. 50μA级别。可满足休眠模式低功耗应用场景需求。　　可配置展频功能，提高EMI特性　　SZ4981的开关电源具备可配置的展频功能，通过开关频率的扩展和抖动，提升产品EMI特性。展频的范围可通过SPI配置调整，方便客户根据应用情况自行选择。
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