兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash， 突破性读取速度，助力应用快速启动

Release time：2025-04-15
author：AMEYA360
source：兆易创新
reading：1133

　　今日，兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理(BBM)功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。

兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash， 突破性读取速度，助力应用快速启动

　　GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24nm工艺节点，支持内置8bit ECC、3V和1.8V两种工作电压，以及Continuous Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高速读取模式，为用户提供多种组合设计方案。与传统SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在ECC设计上摒弃了原有的串行计算方式，实现复杂ECC算法的并行计算，这极大地缩短了内置ECC的计算时间。该系列3V产品最高时钟频率为166MHz，在Continuous Read模式下可达83MB/s连续读取速率;1.8V产品最高时钟频率为133MHz，在Continuous Read模式下可达66MB/s连续读取速率。这意味着在同频率下，GD5F1GM9系列的读取速度可达到传统SPI NAND产品的2~3倍，该设计优势可有效提高器件的数据访问效率，显著缩短系统启动时间，进一步降低系统功耗。

　　为了解决传统NAND Flash的坏块难题，GD5F1GM9系列引入了先进的坏块管理(BBM)功能。该功能允许用户通过改变物理块地址和逻辑块地址的映射关系，从而有效应对出厂坏块和使用过程中新增坏块的挑战。一方面，传统NAND Flash在出厂时可能存在随机分布的坏块，若这些坏块出现在前部代码区，将导致NAND Flash无法正常使用。而GD5F1GM9系列通过坏块管理(BBM)功能，可确保前256个Block均为出厂好块，进而保障代码区的稳定性。另一方面，在使用过程中，NAND Flash可能出现新增坏块，传统解决方案需要预留大量冗余Block用于不同分区的坏块替换，造成严重的资源浪费。GD5F1GM9系列的坏块管理(BBM)功能允许用户重新映射逻辑地址和物理地址，使损坏的坏块地址重新可用，并且仅需预留最小限度的冗余Block，该功能不仅显著提高了资源利用率，还有效简化了系统设计。

　　“目前，SPI NAND Flash的读取速度普遍较慢，已成为制约终端产品性能提升的重要瓶颈”，兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash的推出，为市场中树立了新的性能标杆，该系列不仅有效弥补了传统SPI NAND Flash在读取速度上的不足，并为坏块管理提供了新的解决方案，可成为NOR Flash用户在扩容需求下的理想替代选择。未来，兆易创新还将持续打磨底层技术，为客户提供更高效、更可靠的存储方案。”

　　目前，兆易创新GD5F1GM9系列可提供1Gb容量、3V/1.8V两种电压选择，并支持WSON8 8x6mm、WSON8 6x5mm、BGA24(5×5 ball array)5x5ball封装选项。如需了解详细信息及产品定价，请联系AMEYA360销售代表。


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兆易创新推出GD33AP236x系列车规级SBC，进一步完善汽车电子布局
行业新闻

兆易创新推出GD33AP236x系列车规级SBC，进一步完善汽车电子布局

　　6月25日，兆易创新(GigaDevice)推出全新GD33AP236x系列车规级SBC(系统基础芯片)。该系列集成LDO、电源管理单元、CAN FD与LIN收发器，满足AEC-Q100 Grade 1车规级要求，可全面适配车身域控(BDC)、车身控制(BCM)、车灯控制(Lighting)、空调/热管理控制器(HVAC)等主流车载电气化场景。GD33AP236x SBC的推出，能够与GD32A5x、GD32A71x系列车规级MCU形成系统级解决方案，将进一步完善兆易创新在汽车电子领域的产品矩阵。　　当前，汽车电子电气架构稳步迈向域控化、集成化阶段，车载控制模块对供电稳定性、通信可靠性、功耗管理与功能安全等级要求不断攀升。传统分立器件方案器件数量多、PCB占用面积大，且存在兼容性不足、故障防护薄弱等问题。兆易创新推出的GD33AP236x系列对标行业主流产品规格，升级供电架构、通信适配及安全监控体系，契合新一代车身ECU设计标准。　　多档灵活电压输出，适配多域供电场景　　GD33AP236x系列集成三路可配置LDO，供电架构与市场上主流产品兼容，同时优化了负载适配能力，满足车载多电压域的稳定供电需求。　　LDO1：主稳压输出，提供5V输出，并支持3.3V供电版本选型，最大电流驱动能力达250mA，主要为车规级MCU提供核心供电。　　LDO2：辅助稳压输出，提供5V电压输出，最大输出电流100mA，集成板外使用保护功能，适配车载传感器、外设器件供电。　　LDO3：提供多规格可选电压，支持5V/3.3V或3.3V/1.8V双版本，可搭配外部PNP晶体管，实现与主电源VCC1的负载分担模式或独立供电模式，同样具备板外使用保护功能。　　兼备优异性能，覆盖各类车身控制场景　　GD33AP236x系列兼具通信、安全、功耗管控等多重优异特性，覆盖各类车身控制应用场景。　　集成标准高速通信接口，兼容主流车载总线规范　　集成高速CAN收发器，支持CAN FD协议，传输速率最高5Mbps，兼容多项国际行业标准;同时集成多路LIN收发器，适配车身低速通信，内置多重防护机制。此外，该系列还集成多路高边输出、高压GPIO与唤醒输入端口，满足车载负载驱动、信号采集及多源唤醒交互需求。　　全维度安全监控，强化车载系统可靠性　　内置故障安全模块、硬件看门狗等监测单元，实时把控设备运行状态;配备过温、短路防护，防止复杂工况下的损坏风险。16位SPI接口可灵活配置参数、快速诊断故障，便于故障定位与溯源，有效提升车载系统运行可靠性。　　多模式功耗管控，适配全场景低功耗需求　　六种标准工作模式分级管控供电状态。睡眠模式可关停主电源，削减静态功耗;其余模式分别适配休眠唤醒、故障重启等工况，有效延长车载电池使用寿命。　　兆易创新副总裁、汽车事业部总经理李文雄表示：“汽车电子电气架构正加速转型，系统设计面临提升集成度、降低功耗等挑战。兆易创新全新推出的GD33AP236x系列SBC，将与GD32A7x系列MCU形成完善的组合方案，全面满足新一代汽车电子电气架构需求。”　　兆易创新GD33AP236x系列SBC均采用QFN-48封装，可提供12款不同型号选择。产品目前已开放样片申请，如需获取详细技术资料或报价信息，欢迎联系当地授权销售代表。
2026-06-25 10:12 reading：176
兆易创新与 Qt Group 达成全球合作，共筑嵌入式 GUI 新生态
行业新闻

兆易创新与 Qt Group 达成全球合作，共筑嵌入式 GUI 新生态

　　近日，兆易创新(GigaDevice)与全球领先的软件设计、开发与质量解决方案提供商 Qt Group 正式达成合作，双方将依托 GD32H7 高性能 MCU 系列，聚焦嵌入式 GUI 技术方案的联合打磨与优化，共同推动产品竞争力升级与开发者生态繁荣。此次合作标志着兆易创新在高端人机交互领域的生态布局迈入新阶段，也为双方在智能工业、储能、智能家居、消费电子等场景的深度协同奠定坚实基础。　　随着物联网与智能设备的快速普及，终端产品对高性能、高流畅度人机交互体验的需求持续攀升。兆易创新 GD32H7 系列 MCU 凭借强大的处理性能、丰富的图形外设接口及稳定的工业级特性，已成为工控、储能、智能家电等高端 HMI 场景的优选方案;而 Qt Group 的 Qt for MCUs 解决方案以独特的跨平台开发、高性能图形渲染、丰富组件库等优势著称，被广泛应用于各类智能设备的交互界面开发。　　双方将围绕三大方向展开深度协作：完成 Qt for MCUs 在 GD32H7 平台的底层深度适配与性能专项调优，充分释放硬件潜能;联合开发面向典型行业场景的标准化 GUI 参考方案与工具链，降低开发门槛并加速客户产品落地;同时依托双方渠道资源共建生态，通过联合技术培训、开发者社区与市场推广，为客户提供全周期技术保障与开发赋能。　　兆易创新高级副总裁、MCU 事业部总经理李宝魁表示：“兆易创新始终以构建完善的 MCU 生态体系为核心目标，Qt Group 在嵌入式 GUI 领域的技术积累与行业影响力，与我们服务高端客户、提升产品竞争力的战略方向高度契合。本次合作将充分发挥 GD32H7 系列的硬件优势与 Qt for MCUs 的软件能力，为开发者提供‘软硬件一体化’的高效 GUI 开发平台，助力终端客户打造更具差异化的智能产品体验。”　　“中国嵌入式MCU市场正在快速发展，兆易创新的GD32H7系列已在工业自动化和消费电子等领域展现出强劲的市场竞争力”，Qt Group中国区总经理许晟表示，“Qt for MCUs与GD32H7平台的深度适配，将帮助兆易创新的客户大幅缩短从原型验证到量产上市的周期，同时满足面向全球市场的产品对国际安全标准与合规要求。我们期待帮助更多中国嵌入式开发者打造具备全球竞争力的智能产品。”　　此次兆易创新与 Qt Group 的合作，是双方在嵌入式领域优势互补、协同创新的重要里程碑。未来，双方将持续深化技术协同与生态共建，为用户提供更完善的工具链与解决方案，共同推动嵌入式 GUI 技术的普及与发展，助力更多行业客户实现产品智能化升级。
2026-06-23 10:53 reading：221
兆易创新丨存算协同时代，每个计算节点都需要新的存储答案
行业新闻

兆易创新丨存算协同时代，每个计算节点都需要新的存储答案

　　AI正以前所未有的速度重塑全球计算架构，而每一次计算范式的跃迁，都伴随着存储需求的结构性变革。针对这一趋势，兆易创新Flash市场部经理Paul近期发表了题为《兆易创新全面赋能AI时代利基存储市场》的主题演讲，系统阐述了AI时代计算架构变革给存储产业带来的结构性机遇，并分享了兆易创新在利基存储领域的战略布局与发展路径。　　AI时代的存储需求变革　　AI时代的计算需求，正从云端集中式处理向"云端+边缘"协同处理的模式深刻转变。AI的价值不仅在于算力的突破，更在于存与算的高效协同，每一个计算节点都对存储提出了新的要求。Paul表示，这恰恰是利基存储的历史性机遇，也是兆易创新长期布局、优势鲜明的核心市场。　　在云端，大规模并行计算与大模型训练对存储的带宽、容量与可靠性提出极高标准，HBM与大容量DDR5已成为AI服务器标配，而用于固件的NOR Flash需求也随之同步激增。在边缘侧，AI PC、智能手机、智能汽车及各类IoT传感器需要在本地实时运行模型，对超低功耗、快速响应与高耐用性提出了严苛要求。芯片内执行(XIP)技术让代码无需搬运即可直接运行，实现快速启动与实时响应，而低功耗LPDDR与NOR Flash的组合，正是端侧AI场景的最佳技术答案。　　在数据中心、端侧AI与汽车电子三大引擎的共同驱动下，全球利基存储市场正迎来黄金发展期。Paul指出，根据对市场的研判，2024年至2029年间，NOR Flash市场有望从28亿美元增长至42亿美元，利基DRAM市场预计从85亿美元增至132亿美元;SLC NAND市场也将从23亿美元提升至34亿美元。兆易创新已在三条产品线上构筑起完整而协同的产品矩阵，得以精准卡位、全面承接这一轮市场扩张带来的结构性红利。　　全场景赋能AI产业链　　截至当前，兆易创新的Flash产品累计出货已突破370亿颗。根据Web-Feet Research统计，2024年兆易创新在SPI NOR Flash领域的全球市场份额达到20.4%，稳居全球第二。　　Paul表示，这些优势源自公司深厚的技术积累：工艺制程上，兆易率先实现4xnm工艺量产;产品覆盖上，提供512Kb至2Gb的完整容量谱系，适配多元需求;品质标准上，高速、低功耗、低电压、小封装与业界领先的低PPM，构成了赢得全球客户认可的底层保障。从服务器的BIOS/Firmware到AI PC与IoT的广泛端侧应用，NOR Flash正以高可靠性深度赋能AI产业链的关键环节。　　备受关注的SLC NAND市场，则正面临结构性供需失衡。需求侧，网络通信、安防、工业自动化、物联网构成稳定基本盘，可穿戴市场需求大幅攀升，加之主流厂商收缩MLC产能，进一步推升了大容量SLC NAND需求;供给侧，存储巨头为追求更高利润，将产能优先分配给HBM、DDR5与3D NAND，主动缩减SLC NAND供给，叠加AI虹吸效应下晶圆与封测资源全面紧张，供给缺口持续扩大。正是在这样的格局下，兆易创新持续发力，进一步完善了在高可靠性利基存储市场的产品组合，与NOR Flash形成强大协同，同时助力缓解国内市场的供应紧张。　　Paul特别强调，在AI服务器、AI PC等新兴的高价值场景中，兆易创新的产品都展现出独特竞争力。无论是在AI服务器还是数据终端，公司的NOR Flash产品都对系统的安全稳定启动起着关键作用。　　随着在AI服务器、AI PC等领域定制化存储方案的陆续落地，兆易创新正从传统的存储芯片设计商，向覆盖“感存算控”的平台型AI解决方案提供商演进。Paul最后表示，感知、存储、计算、控制四位一体的布局，让兆易创新得以站在系统层面理解客户需求，提供超越单一芯片的整体价值。兆易创新愿与全球合作伙伴携手，共同迎接智能计算的广阔未来。
2026-06-22 09:49 reading：213
兆易创新丨800V HVDC商用元年：国产MCU破解AIDC供电转型难题
行业新闻

兆易创新丨800V HVDC商用元年：国产MCU破解AIDC供电转型难题

　　算力的尽头是电力。　　当英伟达Rubin GPU功耗锁定2.3千瓦、下一代Vermeer迈向5千瓦以上时，AI数据中心的供电挑战已从芯片延伸至整个电力基础设施的重新定义。一台AI服务器机柜的功耗正从数十千瓦级向兆瓦级迈进，传统供电架构正遭遇前所未有的效率与功率密度瓶颈。　　在这场由AI算力驱动的供电范式迁移中，芯片供应商正扮演着从被动跟随到主动定义的关键角色。　　在2026上海SNEC国际太阳能光伏与智慧能源展会上，兆易创新集中展出多款基于GD系列主控芯片的标杆电源方案，依托自研MCU、模拟信号链、存储全品类产品，实现从分布式光伏到算力数据中心用电侧全链条技术落地。　　半导体行业观察受邀到展位现场进行参观，兆易创新MCU事业部资深市场经理Jeff Cui，立足行业变革痛点与产品落地实践，向笔者深度解读了兆易创新在AIDC及全域数字能源赛道的技术布局与商业化思路，充分展现了其作为数字能源全域解决方案服务商的深厚技术实力。　　GPU功耗三级跳　　推动供电架构加速跃迁　　AI数据中心的供电架构变革，并非渐进式优化，而是一场被迫加速的系统性重构。　　从英伟达历代GPU的功耗演变轨迹来看，变化趋势清晰可辨：从H100到Blackwell，再到Rubin，单芯片功耗已从数百瓦跃升至超过1.2千瓦，Rubin整卡热设计功耗更是高达2.3千瓦，而下一代Vermeer预计将站上5千瓦以上。更值得关注的是，单机柜功率密度从2024年的约60千瓦、到2025年已攀升至200千瓦，预计2027年“标准机架”目标将指向600千瓦——功率密度三年内增长十倍，这意味着传统的48V母线、风冷散热和UPS供电等经典架构几乎触及物理极限。　　“在此趋势下，供电架构的演进方向也逐步清晰——以HVDC(高压直流)和SST(固态变压器)为代表的新一代供电架构正在加速走向前台。”Jeff Cui表示，与主流UPS供电的多次AC-DC变换不同，HVDC架构将交流电直接升压至800V直流，有效减少多级电能变换中的效率损耗，同时抬升母线电压大幅降低线缆电流。在业界实测中，800V HVDC相较传统UPS约92%的效率水平，整体能效可提升至97%以上。这对一座拥有数十万颗GPU的超大规模数据中心而言，意味着每年数以亿计的电费差异。　　英伟达在2025年OCP峰会上正式发布800V HVDC电源架构并发布技术白皮书，微软、谷歌等云计算巨头也在加速引入直流供电体系。而在中国市场，字节跳动已在今年年初宣布首次大规模引入800V HVDC方案，国内东数西算工程中新建大型AIDC，已逐步将800V供电纳入硬性要求。2026年，一度被业内视作800V HVDC商用元年。　　与此同时，为应对更高功率密度的供电需求，部分领先企业已经开始研发支持±400V和800V输出的1MW HVDC电源系统，进一步拉高了行业技术天花板。　　供电架构的跃迁并非仅是变压器和配电柜的更替，而是一场涉及整个电源控制链条的重构。更高电压、更高功率密度、更复杂的拓扑结构，对核心控制器件MCU提出了前所未有的挑战，不仅需要更高的主频和算力来支撑复杂的电源控制算法，还需要更丰富灵活的外设资源来适配多种新型拓扑结构的实时控制需求。　　这正是兆易创新GD32G5系列MCU切入行业变革切入点的技术逻辑。　　一颗MCU“跨界”突围　　打造AIDC电源控制标杆主控　　作为兆易创新专门面向数字电源和功率控制场景量身打造的高性能MCU系列，GD32G5采用Arm® Cortex®-M33，主频高达216MHz，配备高级DSP硬件加速器与单精度浮点单元，支持硬件FFT和三角函数加速，是本次AIDC全系列方案的核心硬件基座，也是10kW维也纳PFC、12kW OCP、7kW直流桩等标杆方案的主控芯片。　　▲GD32G5 MCU　　在采访中，Jeff Cui从算力、外设、安全、封装四大维度拆解了该产品的差异化优势：　　高主频与充沛算力：芯片内置硬件FPU浮点、FFT、硬件三角函数加速器(TMU)，PFC、LLC 等电源拓扑所需复杂数学运算由硬件完成，大幅缩短控制周期，支撑电源实现更高开关频率;片上配备512KB双Bank Flash+128KB SRAM，32KB零等待TCM内存，满足大参数控制算法存储需求。　　丰富的Timer资源：在AIDC场景下，除了功率等级提升，GPU的另一个特点是负载电流波动极大、电流动态响应要求极高，可能在很短时间内从零安培拉到数百安培。GD32G5的多路高精度定时器可以支持多相交错并联架构，甚至包括电流型LLC等先进拓扑，从而提升系统效率、优化电源输出纹波和谐波，满足GPU对瞬时大电流动态响应的苛刻要求。　　支持在线OTA升级：对于OTA在线升级和信息安全的需求，GD32G5 MCU支持双Bank FLASH分区在线升级，升级时设备无需停机，不影响业务正常运行。同时，芯片原生内置安全加密模块，满足AIDC日趋严苛的功能安全与信息安全规范，符合IEC61508 SIL2安全认证标准，为后续功率控制的安全等级提升奠定了坚实基础。　　超小封装：随着功率密度日益提升，器件的封装尺寸直接影响电源模块的功率密度指标。GD32G5提供了BGA64和WLCSP81等多种超小型封装方案，助力电源系统进一步压缩体积，适配AIDC电源砖小型化、高密度发展趋势，帮助电源厂商提升整机功率密度。　　这几点优势恰好击中了AIDC电源场景的几大核心痛点，系统性地回应了AI数据中心对供电架构“更高、更快、更小、更安全”的演进诉求，为AIDC迈向下一代供电基础设施提供了坚实可控的技术支撑。　　“这颗芯片还有一个很有意思的现象——GD32G5系列MCU最初研发瞄准的是数字电源和功率控制设计的，但凭借高算力、丰富定时器、小型封装等特性优势逐渐拓宽了产品应用边界，陆续在光模块、工业伺服电机、机器人灵巧手等多个领域都打开了市场。” Jeff Cui指出，“电源和电机控制硬件设计逻辑相近，再叠加下游行业小型化、数字化的改造需求，这颗芯片成了跨界放量的幸运儿，预计2026年出货量将迎来高速增长。”　　成套AIDC电源方案落地　　以数字化重构服务器电源产业链　　如果说AI芯片功耗谱系是面向未来的远景，那么12kW OCP电源便是当下供应链中最为紧迫的现实需求。　　“行业2025到今年上半年主流的GPU配套电源是5.5kW，但从今年下半年开始，12kW OCP将进入2到3年的黄金窗口期。”Jeff Cui对市场节奏的判断与行业趋势高度吻合。　　据市场分析机构数据，随着GB200系列放量出货，5.5kW电源已开始大规模部署，8至12kW更高功率电源有望伴随下一代Rubin GPU进入市场。　　▲左上：基于GD32G5系列MCU的OCP 12kW服务器电源方案　　从性能指标来看，12kW OCP的难度远非简单的功率叠加。首先，超高功率密度要求电源模块在有限体积内处理更高功率，实现这一目标需要采用多相交错技术，以降低纹波和谐波;其次，氮化镓、碳化硅等第三代功率半导体的渗透要求控制芯片在更高开关频率下仍保持精准和稳定。兆易创新的12kW OCP方案采用两颗GD32G5 MCU分工协作，一颗负责前级图腾柱PFC控制，一颗管控后级全桥LLC，有效支撑了这一高功率等级电源产品的稳定运行。　　另外，兆易创新还推出了应用于二次电源侧的多相Buck方案。众所周知，传统二次电源长期以模拟方案为主，硬件定型后参数无法修改，服务器电源标准迭代时需要重新改板开模，研发周期动辄数月;现在兆易创新推出全数字化多相Buck方案，仅通过软件修改代码参数即可快速适配不同电源规格，原生支持OTA远程升级、信息安全管控能力，具备灵活性更强、迭代更快速的优点，极大地缩短了开发和量产周期。　　此外，10kW三相维也纳PFC方案也是兆易创新本次展出的重磅新品。Jeff Cui在采访中特别谈及该方案的独特价值：“三相维也纳PFC原本用在直流充电桩里，为的是把三相交流电变成高压直流给车充电。而在HVDC架构下，系统同样需要把交流电变成±400V或800V的高压直流母线。这两个以前不同行业的需求，在三相维也纳拓扑中实现了交汇。”　　这款基于GD32G5系列MCU的方案在性能参数上也体现出较强的竞争优势：满载电流总谐波畸变率(THDi)低至1.303%，满载功率因数(PF)高达0.999，既可服务新能源汽车直流充电桩客户，也能直接适配AIDC HVDC前端整流场景，实现同一方案跨两个用电侧赛道的复用。　　据透露，兆易创新上述多项AIDC电源方案已与多家行业头部电源厂商进入深度合作阶段，部分项目已进入规模化量产阶段，市场反馈积极。　　MCU+边缘AI落地电源安全　　从被动保护走向前置预判　　在MCU的算力底座之上，端侧AI成为数字能源智能化升级关键方向，光伏拉弧、电源过流、高压短路等故障的提前预警，是AIDC与光储系统降运维成本、规避设备烧毁的刚需。　　对此，兆易创新正在尝试将端侧AI能力注入能源控制全流程。Jeff Cui强调：“现阶段边缘AI尚未在工业电源领域大规模商用，行业整体处在算法验证与产品预埋阶段。目前，行业主要布局两条技术落地路线，既适配低成本中小场景，也面向高阶智能电源需求。”　　路线一：轻量化模型片上运行，无需外挂NPU。　　此次展会上，基于GD32H7/GD32G5系列MCU的AI直流拉弧检测方案是该路线的一个典型样本。系统利用深度卷积神经网络实时识别电弧特征，在500k采样率下支持多达12路ADC通道的实时AI推理，模型仅占用1.7KB Flash空间，单次推理耗时不超过0.6毫秒，能够在直流拉弧发生前即完成预警。相比传统方案的故障发生后被动关断，AI方案实现了故障发生前的主动预判。　　路线二：自研内置NPU的新一代MCU。此类MCU更多是面向高阶智能电源、大型储能BMS场景，用于承载更大体量AI算法。　　目前行业的主攻方向还是故障检测和故障预判，从被动保护转向主动防护，这也是未来AI在电源领域最有可能率先规模化落地的方向。”　　据悉，兆易创新中央研究院已成立AI实验室，聚焦“MCU+边缘智能”的技术突破，在两条技术路径上进行同步布局，加速以AI技术推动能源控制技术革新。　　结语　　从光储充到AIDC，从模拟时代到数字智能，兆易创新的路径清晰而坚定——以不断进化的MCU为基石，支撑AI时代每一次从交流到直流的电能跃迁，用端侧AI赋予能源控制“从被动关断到主动预判”的感知智慧。　　未来，随着12kW OCP加速放量、800V HVDC标准逐步落地、机器人灵巧手等跨界应用持续拓展，GD32G5系列MCU正以扎实的芯片性能与完整的数字能源生态，成为中国半导体赋能全球AI基础设施的一个新坐标。
2026-06-18 09:36 reading：342
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