纳芯微推出基于AMR技术的ABS轮速传感器

Release time:2025-01-21
author:AMEYA360
source:纳芯微
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  近日,纳芯微宣布推出全新基于AMR(各向异性磁阻技术)的轮速传感器NSM41xx系列。该系列产品通过集成先进的磁性传感敏感单元与ASIC技术,能够精准监测车轮转速,为防抱死制动系统(ABS)、车身电子稳定系统(ESP)以及电动转向助力系统(EPS)等控制系统提供了有力支持,显著提升了车辆在复杂工况下的安全性和稳定性,为汽车安全出行保驾护航。

纳芯微推出基于AMR技术的ABS轮速传感器

  作为控制系统中的关键组件,轮速传感器在车辆行驶过程中扮演着至关重要的角色。它必须在高温、严寒、潮湿等极端路况下稳定运行,同时抵御电磁干扰(EMI)等复杂环境因素的影响。因此,轮速传感器不仅需要具备卓越的抗干扰能力,还要拥有出色的环境适应性。这些特性共同确保了其在各种工况下的功能安全、可靠性和精度,从而满足汽车对高性能传感器的严格要求。

  NSM41xx系列轮速传感器严格按照功能安全标准ISO 26262 ASIL B (D)要求开发,支持ASIL D等级的系统,确保在极端条件下仍能保持高度的功能安全性和可靠性。此外,该系列产品满足AEC-Q100 Grade 0的可靠性标准,并通过了头部大客户提出的超过30项严苛EMC测试要求。这些认证和测试结果充分证明了NSM41xx系列在极端工作温度和复杂干扰工况下的卓越稳定性。无论是在城市道路的频繁启停、高速公路的长时间稳定行驶,还是山区道路的爬坡、下坡以及崎岖路面的颠簸行驶等复杂工况下,NSM41xx系列轮速传感器均能精准测量车轮速度,为车辆的安全行驶提供可靠保障。

  高灵敏度、强抗干扰能力

  相比传统的霍尔(Hall)技术,采用AMR技术的NSM41xx系列轮速传感器的灵敏度有了显著提升。在相同磁轮对比中,其气隙(airgap)比霍尔轮速传感器提升了50%,在大空气间隙下的抖动(jitter)表现提升了3倍。这种性能的飞跃得益于AMR传感器独特的设计结构和电路架构,使其在复杂电磁环境中展现出卓越的抗干扰能力,有效保障了测量数据的精准与稳定。

  此外,NSM41xx系列的敏感单元采用纳芯微的磁阻专利设计,并结合优化算法与先进封装工艺。这些技术的融合确保了传感器在极端驾驶条件下依然能够保持高度可靠的性能,满足高灵敏度轮速测量的需求。

  高精度、高可靠性

  在极端环境条件下,NSM41xx系列轮速传感器也展现了卓越的稳定性和可靠性,支持-40℃至150℃的宽工作温度范围,确保汽车控制系统在高温、低温等极端环境下依然能够精准、稳定地运行。

  凭借先进的振动抑制算法和信号追踪算法,NSM41xx系列能够在颠簸路段等复杂工况下持续输出高精度的轮速信号。即使在极其严苛的行驶条件下,它也能确保测量结果的精准与一致,为车辆的关键安全系统提供坚实可靠的保障,守护每一次安全出行。

  多种型号可供选择

  NSM41xx系列轮速传感器不仅兼容磁轮目标轮,还支持铁轮目标轮的应用。纳芯微产品出厂时自带背磁,完美适配铁轮需求,客户无需进行二次贴磁芯操作,从而省去了复杂的贴背磁及检验工序,大大简化了客户的生产流程。

  此外,NSM41xx系列支持多种通信协议,包括标准方波协议、PWM协议以及AK协议,为客户提供灵活的配置选择,满足不同应用场景的需求,进一步提升了产品的通用性和易用性。

  高质量、高品质

  在晶圆测试阶段,NSM41xx系列的每一颗芯片均经过严格的质量检测,包括DFT扫描测试和IDDQ测试,以提前筛选出晶圆制造过程中可能出现的缺陷。在最终检验阶段(FT),NSM41xx系列的每一颗芯片还需经历三温测试(-40℃、25℃、150℃),确保产品在交付前经过全方位的严格测试。

  此外,NSM41xx系列还具备多种内部诊断模式,能够在出现违背功能安全的失效时,及时输出报警信息,并使芯片进入安全状态,为客户的系统提供全方位的保障。

  可追溯性强

  NSM41xx系列的封装表面均印有二维码,通过扫码即可快速追溯对应的产品信息和封装批次信息。同时,芯片内部的ASIC die所在晶圆位置坐标以及晶圆批次信息均存储于内部的MTP(多次可编程存储器)中。这一设计有助于轻松追踪故障件的源头信息,极大地简化了故障排查流程,为产品的质量管控和问题溯源提供了有力支持。

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纳芯微 | SPI 隔离通信实战避坑:数字隔离器输出并联电平异常的原因与解决方案
  在工业系统 SPI 一主多从通信架构中,为节省 IO 资源,数字隔离器输出通道并联复用是常见设计,但实际应用中极易出现电平无法正常拉高 / 拉低的异常问题,严重影响通信稳定性。本文先梳理工业系统主流通信方式及 SPI 隔离的应用场景,深入剖析数字隔离器输出并联导致电平异常的核心原因,再针对性给出两种经实测验证的解决方案(CS 反向使能电路、二极管反向阻断配合软件配置),并明确实施过程中的关键注意事项,为工程师解决同类 SPI 隔离通信问题提供直接参考。  01 工业系统常见通信方式  通信接口是硬件系统中实现数据交换的核心模块,常分为内部通信接口(板级通信)、外部通信接口(对外通信),如图1,不同接口在速率、距离、复杂度等方面各有特点,是纳芯微产品主要的应用场景之一。图1 板级通信和对外通信  板级通信  板级通信为设备内部组件间的通信,通常具备速度快、距离短的特性,通常具备速度快、距离短的特性,常见有UART、I2C、SPI、单总线等。具体参数如表1所示:表1 板级通信具体参数  对外通信  对外通信为设备级信号传输,用于实现设备间的数据交互,多采用差分传输方式,具备传输距离远的优势,常见类型包括 RS-232、RS-485、CAN 等,具体参数如下表所示:  表2 对外通信具体参数  02 隔离SPI机会点  SPI全称为Serial Peripheral Interface(串行外设接口),由摩托罗拉公司开发的一种同步、全双工、主从式串行通讯总线,可以实现一主多从的通讯连接。  在硬件连接方式上,SPI常用4线制(SCK、MOSI、MISO、CS/SS),各信号线的传输方向及功能描述如下表3所示:表3 SPI各信号线的传输方向及功能  SPI一主多从的通讯拓扑,MOSI、MISO、SCK常采用复用接口,节省IO资源,通过独立的CS/SS实现从机选择。如图2所示。图2 SPI 一主多从基础拓扑  在工业系统中,MCU高压域与低压域之间需要做通讯隔离,纳芯微隔离器NSI8241W(3正1反)适用于SPI信号隔离。对于一主一从的隔离方式,4通道刚好一对一匹配(3正向通道对应SCK、MOSI、CS/SS,1反向通道对应MISO)。对于一主多从的拓扑架构,同样会复用通道节省IO资源,如图3示例。图3 带数字隔离器的SPI主多从拓扑  03 数字隔离器输出并联问题及解决方案  数字隔离器隔离SPI复用通道实际测试时,会发现复用MISO会出现电平异常,当一路输入高,一路输入低的情况下,MISO不能完全被拉高或者拉低。如图4,两颗8241 Out口复用,输入分别给高、低时,MISO波形。图4 Vdd1=Vdd2=5.25V,IND1高,IND2低 黄色OutD1=蓝色OutD2≈2.5V  数字隔离器Out内部为推挽输出:输入为高时,推挽上管导通,输出高电平;输入为低时,推挽下管导通,输出低电平。当输入一高一低时,就会形成分压回路,造成MISO电平异常,如图5,这显然与SPI中规定MISO复用冲突(当SS拉低使能时,从机输出配置为推挽输出,当SS拉高时,从机输出需配置为高阻态,防止多个输出导致电平冲突)。图5 数字隔离器内部分压回路  查阅NSI8241真值表(如图6所示),当EN拉低时,数字隔离器可以输出高组态,能够满足SPI复用要求。因此我们给出以下电路调整方案,来实现数字隔离器输出口并联复用需求。图6 NSI241真值表  方案1  CS 处增加反向电路,同步使能数字隔离器  在CS处增加反向电路(NPN、PNP、反相器等,需考虑Vce压降)同步使能数字隔离器。CS拉高禁用时,数字隔离器EN拉低禁用,Out复用输出高。  方案2  二极管反向阻断 + 软件配置,实现并联复用  通过二极管进行反向阻断,配合软件配置合理实现数字隔离器输出并联复用。  但需要注意的是:  (1)需添加上下拉电阻,明确默认电平,同时满足信号上升沿、下降沿的时间要求;  (2)需考虑二极管压降对电平幅值的影响,避免因压降导致通信误判;  (3)当一路输出通道由高电平切换至低电平时,受寄生参数影响,可能会短暂通过二极管抽取另一通道电流,需重视由此产生的电压尖峰问题。  结论与建议  在工业 SPI 一主多从隔离通信场景中,数字隔离器输出通道并联复用是节省 IO 资源的常用方案,但因隔离器内部推挽输出结构,直接并联易导致电平异常。本文通过分析异常产生的核心原因,提供了两种经实测验证的解决方案(CS 反向使能电路、二极管反向阻断 + 软件配置),同时明确了实施过程中的关键注意事项。工程师在实际设计中可根据项目需求选择合适方案,规避电平异常问题,保障 SPI 通信的稳定性。  高可靠性四通道数字隔离器NSI824x已通过 UL1577 安全认证,支持3kVrms-8kVrms 多档绝缘电压,同时在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。数据速率高达 150Mbps,共模瞬态抗扰度 250kV/μs。支持数字通道方向及输入失电默认输出电平配置,宽电源电压可直接适配多数数字接口,简化电平转换;高系统级 EMC 性能进一步提升使用可靠性与稳定性。
2025-12-05 11:20 reading:176
纳芯微车载电源芯片方案,选Ta就稳了!
纳芯微NSUC1610成功斩获「年度优秀电机控制技术产品奖」!
连续5年获奖,纳芯微荣膺第二十届“中国芯”“整车芯应用卓越产品”和“优秀技术创新产品”
  近日,以“芯生万物 智算无界”为主题,2025年“中国芯”集成电路产业促进大会暨第二十届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在珠海横琴圆满举办。活动期间,纳芯微凭借在汽车电子领域的系统级应用能力与技术创新实力,荣膺“中国芯”两大奖项—— “整车芯应用卓越产品” 与 “优秀技术创新产品”,成为业内极少数在同一年同时获此双项荣誉的企业。获奖产品分别为 全集成嵌入式电机控制芯片 NSUC1610-Q1QNR 与 汽车级集成式耐腐蚀绝压传感器 NSPAS5 系列。  “整车芯应用卓越产品”主要表彰对国内汽车工业发展具有突出贡献的车规级芯片。该奖项强调产品的关键参数竞争力、可靠性稳定性、技术路线清晰度及在整车关键域控中的广泛落地情况。获奖产品 NSUC1610 是国内首款高集成度车用小电机驱动芯片,填补国内新能源汽车热管理电机控制处理器“MCU+”芯片空白,已覆盖国内多家主流 OEM。“优秀技术创新产品”旨在表彰具备显著技术突破与创新价值的集成电路产品。NSPAS5 系列具备业界领先的响应速度(<1ms),支持模拟比例 / 绝对输出,量程覆盖 10kPa~400kPa 可定制,并具备高耐腐蚀能力,面向汽车动力系统、热管理等核心应用场景。  自2021年以来,纳芯微连续5年荣获“中国芯”奖项,产品覆盖车规级MEMS绝压压力传感器晶圆NSP163X系列(2021)、高可靠性隔离式双通道栅极驱动器NSI6602系列(2022)、高压半桥栅极驱动器NSD1624(2023)、40V车规级32细分步进电机驱动器NSD8381(2024),标志其在汽车、泛能源领域,围绕应用创新的丰硕成果及市场认可,实现集成电路关键核心技术突破,加速科技创新和产业创新融合。截止2025年上半年,纳芯微汽车电子累计出货量超过9.8亿颗。  关于“中国芯”优秀产品评选  “中国芯”优秀产品评选活动由中国电子信息产业发展研究院主办,自2006年启动以来已成功举办二十届。该活动坚持以应用为导向,持续推动评选机制创新,致力于成为中国集成电路产品与技术发展的“风向标”。  活动始终秉持“以用立业、以用兴业”的发展思路,通过建立公正、专业的中国芯产品推荐机制,为国内集成电路企业搭建起一个展示优秀产品和技术的公益性平台,助力我国集成电路产业实现高质量发展。
2025-11-25 09:37 reading:326
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