点击报名 | ROHM罗姆9月研讨会报名开启！

发布时间：2024-09-04 14:30
作者：AMEYA360
来源：ROHM
阅读量：1906

　　近年来，在扫地机器人、AGV和自动驾驶汽车等需要自动化工作的广泛应用中，可以准确测量距离和识别空间的LiDAR日益普及。为了“更远”、“更准确”以及“更低功耗”地检测到信息，对提高作为光源的激光二极管的性能提出了哪些更高要求?同时，ROHM作为一家已经拥有实现了更窄的激光线宽的自有专利技术的综合半导体制造商，在LiDAR性能的提升方面又开发出哪些产品阵容以及又将应用于哪些领域?

　　此次研讨会将围绕LiDAR的作用原理、激光二极管的优点及重要特性，最后带来ROHM关于LiDAR用高输出功率激光二极管的产品阵容和设计工具介绍。

　　扫描下方海报，报名本次研讨会，共同探讨LiDAR技术以及ROHM相关产品，参与即有机会赢取精美礼品，精彩不容错过!

点击报名 | ROHM罗姆9月研讨会报名开启！

　　一、研讨会时间

　　2024年9月25日 10:00

　　二、研讨会主题

　　高输出功率激光二极管-助力LiDAR的性能提升

　　三、研讨会提纲

　　✦LiDAR的作用

　　✦LiDAR的原理

　　✦激光二极管相对于LED的优点

　　✦LiDAR的光源-激光二极管的重要特性

　　✦LiDAR用高输出功率激光二极管的产品阵容

　　✦设计工具介绍

　　研讨会讲师

点击报名 | ROHM罗姆9月研讨会报名开启！

　　王园芳 高级工程师

　　2016年进入罗姆，高级工程师。主要负责面向车载，工业以及消费类市场进行半导体激光二极管的推广和技术支持工作。

　　LiDAR及罗姆产品介绍

　　✦LiDAR用75W高输出功率激光二极管RLD90QZW3

　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2021-07-27_news_lidar&defaultGroupId=false

　　✦LiDAR用120W高输出功率激光二极管RLD90QZW8

　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2023-10-24_news_laser-diode&defaultGroupId=false

　　✦高输出半导体激光二极管系列产品

　　https://www.rohm.com.cn/products/laser-diodes/high-power-lasers

　　✦用LiDAR解决物流行业的难题

　　https://www.rohm.com.cn/blog/-/blog/id/8877939

　　资料下载

　　✦LiDAR用75W高输出功率半导体激光器

　　https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/catalog/recommend/OP_64OP7304_SC.pdf

　　✦905nm波段 120W高输出功率激光二极管

　　https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/catalog/recommend/OP_66OP7372_SC.pdf

　　✦半导体激光二极管运用笔记

　　https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/applinote/opto/laser-diodes/semiconductor-ld_an-c.pdf

　　✦High Power, Multi-channel Laser Diode Enabling High-Resolution LiDAR

　　https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/en/products/databook/white_paper/opto/laser_diode/high_power/lidar_high-power_laserdiode_wp-e.pdf

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：IGBT的工作原理 IGBT的作用和功能

下一篇：十大晶圆代工排名！

在线留言询价

相关阅读
AMEYA360代理丨ROHM 实战篇：通过驱动器源极引脚改善开关损耗—传统的MOSFET驱动方法
行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM 实战篇：通过驱动器源极引脚改善开关损耗—传统的MOSFET驱动方法

　　MOSFET和IGBT等功率开关器件被广泛应用于各种功率转换应用中。需要尽可能地降低MOSFET和IGBT等开关器件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用其降低损耗的方法也不尽相同。　　近年来，出现了一种可以改善损耗的方法，那就是带有驱动器源极引脚(所谓的开尔文源极引脚)的新封装。在“通过驱动器源极引脚改善开关损耗”系列文章中，将为您介绍功率开关产品封装具有驱动器源极引脚的效果以及使用注意事项。　　传统的MOSFET驱动方法　　MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用其降低损耗的方法也不尽相同。近年来，发现有一种方法可以改善MOSFET和IGBT等的开关损耗问题，那就是带有驱动器源极引脚(所谓的开尔文源极引脚)的新封装。在本文——“通过驱动器源极引脚改善开关损耗”中，将介绍功率开关产品具有驱动器源极引脚的效果以及使用注意事项。　　传统的MOSFET驱动方法　　为了便于对驱动器源极引脚进行说明，我们先来了解一下传统的MOSFET驱动方法。　　MOSFET通常为电压驱动型，通过开/关栅极引脚的电压来控制开关工作。下面是传统TO-247N封装(3引脚)MOSFET的常见栅极驱动电路示例。　　驱动电源VG和MOSFET的栅极引脚Gate之间连接外置电阻RG_EXT，用来控制开关速度，但驱动电路中含有PCB版图的电感LTRACE和MOSFET源极引脚Source的封装电感LSOURCE，因此这个参数是需要好好考虑的重要项目。栅极引脚的封装电感包含在LTRACE中，而漏极引脚Drain的电感LDRAIN不包含在栅极驱动电路中，因此在这里省略。　　由于该驱动电路的具体工作是很基本的而且是常见的，因此在此省略相应的介绍，但需要注意的是，由于流过漏极和源极间的漏极电流ID的变化，LSOURCE中会产生电动势VLSOURCE，这一点在以往的开关速度下很容易被忽略。下面是驱动电路的开关工作中的电压施加情况：　　MOSFET被施加VG并导通后，ID増加，LSOURCE沿图中(I)的方向产生VLSOURCE。另一方面，由于电流IG流入栅极引脚，因此在RG_EXT上会产生压降VRG_EXT(I)。这些电压包含在导通时的驱动电路网中，如公式(1)所示，它们使MOSFET的导通动作所需的芯片上的电压VGS_INT减少，最终导致导通速度下降。LTRACE也会产生电动势，但因其非常小而在此省略。　　关断时也是同样的原理，由于公式(1)中的IG和dID/dt为负，因此使RG_EXT和LSOURCE电压上升(II)，VSG_INT增加，导致关断速度下降。　　一般来讲，电源开关元器件的LSOURCE为几nH到十几nH，加上当dID/dt达到几A/ns时可能会产生10V以上的VLSOURCE，这些将对MOSFET开关工作产生很大的影响。　　驱动器源极引脚是通过消除VLSOURCE的影响来改善MOSFET开关速度的。
2026-10-27 14:10 阅读量：177
直播预告丨AMEYA360×ROHM：AI 服务器电源与机器人应用，同步解锁 ROHM ESH 官方技术论坛
行业新闻

直播预告丨AMEYA360×ROHM：AI 服务器电源与机器人应用，同步解锁 ROHM ESH 官方技术论坛

　　AI 算力爆发，服务器功耗持续飙升，下一代800V/±400VDC 高压直流供电架构成为行业大势;工业机器人、自动化设备对电源器件效率、可靠性提出严苛考验。　　AMEYA360 联合 IDM 大厂ROHM 罗姆，带来专场技术直播，深度拆解 Power Rack AI 服务器电源完整解决方案，同时分享功率器件在机器人领域落地实践，工程师不要错过!　　扫描海报二维码即可预约直播，直播间福利多多，多重好礼等你拿!　　直播信息　　直播时间　　10 月 29 日 14:00‑16:00　　直播嘉宾　　AMEYA360 PM Dean(主持人)　　ROHM FAE Musk(原厂技术分享)　　直播核心看点　　AI 时代功耗危机　　AI 服务器耗电量激增背景，传统电源架构瓶颈解析　　下一代供电演进　　800V 总线高压直流架构优势，降低线缆损耗、减重降铜材成本，DC‑Grid 可再生能源适配方案　　ROHM Power Rack 完整方案　　IDM 垂直整合优势，SiC MOSFET、GaN HEMT、模拟驱动 IC、分流电阻器全器件矩阵 ✅GPU 功耗迭代趋势：面向 1MW 高功率机架的电源系统设计思路　　拓展应用　　功率半导体在工业机器人、自动化装备的实际市场应用　　在线答疑　　设计难题现场问诊，和原厂 FAE 面对面交流　　直播间福利　　直播互动抽奖，电子周边、礼品等多重好礼等你来!　　各位工程师朋友，为了确保中奖后奖品能顺利派发，请记得在参与直播抽奖前花 30 秒填写下方的【登记表】。建议大家现在就可以提前填写锁定资格，这样中奖后小助手就能第一时间为您安排奖品寄送啦!　　在登记表下方，我们为大家同步推荐了【ROHM官方技术论坛(ESH)】。接下来，为大家详细介绍一下这个极具含金量的原厂级技术交流平台：　　什么是ROHM官方技术论坛(ESH)?　　ROHM官方技术论坛(ESH)是罗姆半导体专为电子工程师打造的官方线上技术支持与交流平台。平台汇集海量原厂技术白皮书、应用指南及仿真设计资料，并有罗姆原厂专家在线提供权威的技术答疑与选型支持，助力工程师攻克研发难题，加速产品设计落地。　　如何注册/登录ROHM官方技术论坛(ESH)?　　工程师可通过以下步骤注册 / 登录：　　PC 端入口：　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703　　移动端入口：　　1、点链接进入主页(图 1)点击右上角注册&登录　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703图1　　2、跳转到(图 2)，点击新用户注册&登录图2　　3、这个页面比较长要往下滑动才看得到注册按钮，找到注册按钮点击(不要直接填写邮箱登录)　　　　　　4、 密码要设置的比较复杂，最好设置自己能记住的 (最后登录时需要输入密码) , 行业选项无法选中，可忽略不填　　　　　5、提交信息后，去注册邮箱收激活账号的邮件，点击链接激活　　　　　　6、点击激活链接后，再重新到第一步，点击链接，用邮箱&密码进行登录(必须要登录一次才算有效注册)　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703　　　　　注：使用 PC 端进行 ESH 注册，邮箱激活后会自动跳转到 ESH 首页并登录，　　若没有自动登录且跳转到首页或显示错误，还需要到首页自行登录一次　　注册完成后必须要登录才算有效注册!!!　　　　　　还没有预约直播的小伙伴，扫描海报二维码完成预约，10 月 29 日 14:00，我们直播间不见不散!　　
2026-10-26 14:46 阅读量：295
AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：桥式电路的开关产生的电流和电压
行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：桥式电路的开关产生的电流和电压

　　在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET这一系列开关动作中，SiC MOSFET的VDS和ID的变化会产生什么样的电流和电压。　　下面的电路图是SiC MOSFET桥式结构的同步式boost电路，LS开关导通时的示例。电路图中包括SiC MOSFET的寄生电容、电感、电阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的变化带来的各处的栅极电流(绿色线)。　　ID的变化dID/dt所产生的电压　　ID的变化将会产生下述公式(1)所示的电压。　　这是由于存在于SiC MOSFET源极的寄生电感中流过ID而产生的电压，是由电路图中的(I)引起的。该电压会使电流(I’)流过。　　VDS的变化dVDS/dt所产生的电流　　以HS为例，当SiC MOSFET关断、VDS变化时，Gate-Drain寄生电容CGD中会流过电流ICGD。如电路图所示，该电流分为Gate-Source寄生电容CGS侧流过的电流ICGD1：(II)-1和栅极电路侧流过的电流ICGD2：(II)-2。当VDS开始变化时，栅极电路侧的阻抗较大，因此大部分ICGD都在CGS侧，此时的ICGD1如公式(2)所示。　　从公式可以看出，当CGD较大时或CGD/CGS的比值变小时，ICGD1会增加。　　dVDS/dt和dID/dt既可以为正也可以为负，所以因它们而产生的电流和电压的极性在导通(Turn-on)和关断(Turn-off)时是不同的。在下一篇文章中将会进一步详细解说。　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。
2026-10-22 10:05 阅读量：329
AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：SiC-MOSFET的桥式结构栅源电压动作解析
行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：SiC-MOSFET的桥式结构栅源电压动作解析

　　从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作”。　　前言　　MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外，所使用的电路方式也多种多样，除单独使用外，还有串联连接、并联连接等多种使用方法。　　其中，在将开关元件上下串联连接的桥式结构中，通常交替地导通与关断各个元器件。下面是常规的桥式结构同步方式boost电路，波形图是根据栅极信号交替地导通/关断的低边(LS)MOSFET和高边(HS)MOSFET的漏极-源极间电压(VDS)和漏极电流(ID)示例。　　通过开关工作，流过各元件的电流和变化的电压以复杂的方式相互影响。尤其是在处理高电压高电流的电路中，受安装电路板和结线引起的寄生分量等影响，产生电压和电流的动作，并因此导致工作不稳定、效率下降，从而可能导致损耗增加、产生异常发热等问题。　　近年来，SiC MOSFET等高性能功率元器件的应用，使得通过高速开关转换大功率成为可能，但在操作过程中，需要对开关工作有深入的了解。　　在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。　　SiC MOSFET的桥式结构　　下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的SiC MOSFET的高边(HS)和低边(LS)是交替导通的，为了防止HS和LS同时导通，设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号(VG)时序。　　该电路中HS和LS MOSFET的Drain-Source电压(VDS)和漏极电流(ID)的波形示意图如下。这是电感L的电流处于连续动作状态，即所谓的硬开关状态的波形。　　横轴表示时间，时间范围Tk(k=1～8)的定义如下：　　T1： LS为ON时、MOSFET电流变化的时间段　　T2： LS为ON时、MOSFET电压变化的时间段　　T3： LS为ON时的时间段　　T4： LS为OFF时、MOSFET电压变化的时间段　　T5： LS为OFF时、MOSFET电流变化的时间段　　T4～T6： HS变为ON之前的死区时间　　T7： HS为ON的时间段(同步整流时间段)　　T8： HS为OFF时、LS变为ON之前的死区时间　　本文将针对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。　　SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路　　LS(低边)侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压(VGS)带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的栅极驱动电路的寄生分量在内的等效电路基础上进行考量。　　右图是最基本的栅极驱动电路和SiC MOSFET的等效电路。栅极驱动电路中包括栅极信号(VG)、SiC MOSFET内部的栅极线路内阻(RG_INT)、以及SiC MOSFET的封装的源极电感量(LSOURCE)、栅极电路局部产生的电感量(LTRACE)和外加栅极电阻(RG_INT)。　　关于各电压和电流的极性，需要在等效电路图中，以栅极电流(IG)和漏极电流(ID)所示的方向为正，以源极引脚为基准来定义VGS和VDS。　　SiC MOSFET内部的栅极线路中也存在电感量，但由于它比LTRACE小，因此在此忽略不计。　　导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作　　为了理解桥式电路的Turn-on / Turn-off动作，下面对上一篇文章中提到的桥式电路中各SiC MOSFET的电压和电流波形进行详细说明。下面的波形图与上次的波形图是相同的。我们和前面的等效电路图结合起来进行说明。　　当正的VG被施加给LS侧栅极信号以使LS侧ON时，Gate-Source间电容(CGS)开始充电，VGS上升，当达到SiC MOSFET的栅极阈值电压(VGS(th))以上时， LS的ID开始流动，同时从源极流向漏极方向的HS侧ID开始减少。这个时间范围就是前一篇文章中定义的T1(见波形图最下方)。　　接下来，当HS侧的ID变为零、寄生二极管 Turn-off时，与中间点的电压(VSW)开始下降的同时，将对HS侧的Drain-Source间电容(CDS)及Drain-Gate间电容(CGD)进行充电(波形图T2)。对该HS侧的CDS+CGD充电(LS侧放电)完成后，当LS侧的VGS达到指定的电压值，LS侧的 Turn-on动作完成。　　而Turn-off动作则在LS侧VG OFF时开始，LS侧的CGS蓄积的电荷开始放电，当达到SiC MOSFET的平台电压(进入米勒效应区)时，LS侧的VDS开始上升，同时VSW上升。　　在这个时间点，大部分负载电流仍在LS侧流动(波形图T4)，HS侧的寄生二极管还没有转流电流。LS侧的CDS+CGD充电(HS侧为放电)完成时，VSW超过输入电压(E)，HS侧的寄生二极管Turn-on，LS侧的ID开始转向HS侧流动(波形图T5)。　　LS侧的ID最终变为零，进入死区时间(波形图T6)，当正的VG被印加给HS侧MOSFET的栅极信号时Turn-on，进入同步工作时间(波形图T7)。　　在这一系列的开关工作中，HS侧和LS侧MOSFET的VDS和ID变化导致的各种栅极电流流动，造成了与施加信号VG不同的VGS变化。具体内容将在下一篇文章进行详细说明。　　AMEYA360优势料号　　SCT4018KRC15：　　1200V, 18mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　SCT4026DLLTRDC：　　750V, 61A, 9引脚SMD，沟槽结构，碳化硅(SiC) MOSFET　　SCT4036DLLTRDC：　　750V, 46A, 9引脚SMD, 沟槽结构, SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4045DLLTRDC：　　750V, 37A, 9引脚SMD，沟槽结构，SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4036KRC15：　　1200V, 36mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。
2026-10-20 13:02 阅读量：368
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码：

验证码