AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

Release time:2024-07-17
author:AMEYA360
source:网络
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  自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向,而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片NSD2017,专为激光雷达发射器中驱动GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)而设计,助力应对激光雷达应用中的各项挑战。

  1)激光雷达系统结构介绍

  自动驾驶中使用的激光雷达通常采用DToF(Direct Time-of-Flight)测距方式,即通过直接测量激光的飞行时间来进行距离测量和地图成像。下图为DToF激光雷达系统的典型结构,其中信号处理单元通过记录激光发射器发出光脉冲的时刻,以及激光接收器收到光脉冲的时刻,根据时间间隔和光速即可计算出目标距离。

AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

  激光雷达为了实现高分辨率与宽检测范围,需要极窄的激光脉冲宽度、极快的激光脉冲频率和极高的激光脉冲功率,这对激光发射器中功率开关器件的性能提出了更高的要求。相比传统的Si MOSFET,GaN HEMT具有更优越的开关特性,非常适合DToF激光雷达应用。GaN HEMT的性能表现依赖于高速、高驱动能力和高可靠性的GaN栅极驱动芯片,NSD2017凭借其优异的产品特性,充分发挥了GaN HEMT在激光雷达中的优势。

  2)NSD2017产品特性

  - 推荐工作电压:4.75V~5.25V

  - 峰值拉灌电流:7A/5A

  - 最小输入脉宽: 1.25ns

  - 传输延时: 2.6ns

  - 脉宽畸变: 300ps

  - 上升时间@220pF负载: 650ps

  - 下降时间@220pF负载: 850ps

  - 封装:DFN6(2mm*2mm),WLCSP(1.2mm*0.8mm)

  - 满足AEC-Q100车规认证

  - 同相和反相输入引脚可用于产生极窄脉宽

  - 具备UVLO、OTSD保护

AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

  3) NSD2017关键性能应对激光雷达应用挑战

  1. 大电流驱动能力,支持激光雷达远距离探测

  激光雷达的远距离探测能力使自动驾驶车辆能够提前发现障碍物并及时避让,从而提升自动驾驶速度上限。为实现更远的探测距离,通常需要在保证不损伤人眼的前提下,采用更大功率的激光发射器,这就需要更大电流的GaN HEMT以及驱动能力更高的驱动芯片。纳芯微的NSD2017具备7A峰值拉电流和5A灌电流能力,可用于驱动大电流GaN HEMT,从而产生高峰值激光功率,实现远距离探测。

  2. 极窄输入脉宽,满足激光雷达高测距精度要求

  DToF激光雷达通过测量脉冲激光发射和接收的时间间隔来实现测距,但是如果来自两个相邻目标的反射光脉冲发生重叠,系统将无法分辨出这两个相邻目标的距离信息。为了满足厘米级别的距离分辨率的要求,激光雷达需要极窄的光脉冲宽度,通常低至几纳秒,并且具有快速的上升沿和下降沿。NSD2017的最小输入脉宽典型值仅为1.25ns,且开启和关断路径具有优异的延迟匹配,输入到输出的脉冲宽度失真低至300ps。此外在220nF负载下,NSD2017的上升时间典型值为650ps,下降时间典型值为850ps,也有利于产生更窄的脉冲激光。

AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

  3. 小封装和高频开关,优化激光雷达角分辨率与点频性能

  激光雷达的角分辨率表示扫描过程中相邻两个激光点之间的角度差,点频则表示在三维视场内每秒发出的激光点数。一般来说,激光雷达的角分辨率越小,相邻点云之间越密集,往往点频越高,激光雷达的感知能力也就越强。为实现更高的角分辨率和点频,激光雷达需要布置更多的激光发射器,因而对驱动芯片的封装尺寸提出了更高的要求。NSD2017车规级芯片不但提供DFN (2mm*2mm) 封装,还可以提供更小尺寸的WLCSP (1.2mm*0.8mm) 封装。NSD2017支持最高60MHz开关频率,传输延时典型值低至2.6ns,确保了系统控制环路具有足够快的响应时间,也有利于提高激光雷达点频性能。

AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

  4. 强抗干扰能力,保证激光雷达的安全可靠

  在激光发射器中,为了快速开关GaN HEMT,栅极驱动芯片外部的栅极串联电阻通常设置为零;栅极驱动芯片的峰值拉电流和灌电流,会通过芯片的封装寄生电感和PCB寄生电感,引起芯片内部的VDD和GND产生较大的抖动,从而可能导致驱动电路工作异常。NSD2017通过优化封装寄生电感,并且在芯片内部集成去耦电容,有效地滤除驱动电路抽载产生的高压毛刺,从而提升了抗噪声能力。此外,NSD2017具备过温保护和欠压保护功能,保证激光雷达安全可靠地工作。

  4)总结

  GaN HEMT栅极驱动芯片NSD2017具备高开关频率、低传输延时、极窄脉宽、低失真、强驱动能力和抗干扰等特性,采用小尺寸车规级封装,能够助力应对激光雷达各项应用挑战,提升感知能力,确保其安全可靠运行。

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纳芯微 | SPI 隔离通信实战避坑:数字隔离器输出并联电平异常的原因与解决方案
  在工业系统 SPI 一主多从通信架构中,为节省 IO 资源,数字隔离器输出通道并联复用是常见设计,但实际应用中极易出现电平无法正常拉高 / 拉低的异常问题,严重影响通信稳定性。本文先梳理工业系统主流通信方式及 SPI 隔离的应用场景,深入剖析数字隔离器输出并联导致电平异常的核心原因,再针对性给出两种经实测验证的解决方案(CS 反向使能电路、二极管反向阻断配合软件配置),并明确实施过程中的关键注意事项,为工程师解决同类 SPI 隔离通信问题提供直接参考。  01 工业系统常见通信方式  通信接口是硬件系统中实现数据交换的核心模块,常分为内部通信接口(板级通信)、外部通信接口(对外通信),如图1,不同接口在速率、距离、复杂度等方面各有特点,是纳芯微产品主要的应用场景之一。图1 板级通信和对外通信  板级通信  板级通信为设备内部组件间的通信,通常具备速度快、距离短的特性,通常具备速度快、距离短的特性,常见有UART、I2C、SPI、单总线等。具体参数如表1所示:表1 板级通信具体参数  对外通信  对外通信为设备级信号传输,用于实现设备间的数据交互,多采用差分传输方式,具备传输距离远的优势,常见类型包括 RS-232、RS-485、CAN 等,具体参数如下表所示:  表2 对外通信具体参数  02 隔离SPI机会点  SPI全称为Serial Peripheral Interface(串行外设接口),由摩托罗拉公司开发的一种同步、全双工、主从式串行通讯总线,可以实现一主多从的通讯连接。  在硬件连接方式上,SPI常用4线制(SCK、MOSI、MISO、CS/SS),各信号线的传输方向及功能描述如下表3所示:表3 SPI各信号线的传输方向及功能  SPI一主多从的通讯拓扑,MOSI、MISO、SCK常采用复用接口,节省IO资源,通过独立的CS/SS实现从机选择。如图2所示。图2 SPI 一主多从基础拓扑  在工业系统中,MCU高压域与低压域之间需要做通讯隔离,纳芯微隔离器NSI8241W(3正1反)适用于SPI信号隔离。对于一主一从的隔离方式,4通道刚好一对一匹配(3正向通道对应SCK、MOSI、CS/SS,1反向通道对应MISO)。对于一主多从的拓扑架构,同样会复用通道节省IO资源,如图3示例。图3 带数字隔离器的SPI主多从拓扑  03 数字隔离器输出并联问题及解决方案  数字隔离器隔离SPI复用通道实际测试时,会发现复用MISO会出现电平异常,当一路输入高,一路输入低的情况下,MISO不能完全被拉高或者拉低。如图4,两颗8241 Out口复用,输入分别给高、低时,MISO波形。图4 Vdd1=Vdd2=5.25V,IND1高,IND2低 黄色OutD1=蓝色OutD2≈2.5V  数字隔离器Out内部为推挽输出:输入为高时,推挽上管导通,输出高电平;输入为低时,推挽下管导通,输出低电平。当输入一高一低时,就会形成分压回路,造成MISO电平异常,如图5,这显然与SPI中规定MISO复用冲突(当SS拉低使能时,从机输出配置为推挽输出,当SS拉高时,从机输出需配置为高阻态,防止多个输出导致电平冲突)。图5 数字隔离器内部分压回路  查阅NSI8241真值表(如图6所示),当EN拉低时,数字隔离器可以输出高组态,能够满足SPI复用要求。因此我们给出以下电路调整方案,来实现数字隔离器输出口并联复用需求。图6 NSI241真值表  方案1  CS 处增加反向电路,同步使能数字隔离器  在CS处增加反向电路(NPN、PNP、反相器等,需考虑Vce压降)同步使能数字隔离器。CS拉高禁用时,数字隔离器EN拉低禁用,Out复用输出高。  方案2  二极管反向阻断 + 软件配置,实现并联复用  通过二极管进行反向阻断,配合软件配置合理实现数字隔离器输出并联复用。  但需要注意的是:  (1)需添加上下拉电阻,明确默认电平,同时满足信号上升沿、下降沿的时间要求;  (2)需考虑二极管压降对电平幅值的影响,避免因压降导致通信误判;  (3)当一路输出通道由高电平切换至低电平时,受寄生参数影响,可能会短暂通过二极管抽取另一通道电流,需重视由此产生的电压尖峰问题。  结论与建议  在工业 SPI 一主多从隔离通信场景中,数字隔离器输出通道并联复用是节省 IO 资源的常用方案,但因隔离器内部推挽输出结构,直接并联易导致电平异常。本文通过分析异常产生的核心原因,提供了两种经实测验证的解决方案(CS 反向使能电路、二极管反向阻断 + 软件配置),同时明确了实施过程中的关键注意事项。工程师在实际设计中可根据项目需求选择合适方案,规避电平异常问题,保障 SPI 通信的稳定性。  高可靠性四通道数字隔离器NSI824x已通过 UL1577 安全认证,支持3kVrms-8kVrms 多档绝缘电压,同时在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。数据速率高达 150Mbps,共模瞬态抗扰度 250kV/μs。支持数字通道方向及输入失电默认输出电平配置,宽电源电压可直接适配多数数字接口,简化电平转换;高系统级 EMC 性能进一步提升使用可靠性与稳定性。
2025-12-05 11:20 reading:172
纳芯微车载电源芯片方案,选Ta就稳了!
纳芯微NSUC1610成功斩获「年度优秀电机控制技术产品奖」!
连续5年获奖,纳芯微荣膺第二十届“中国芯”“整车芯应用卓越产品”和“优秀技术创新产品”
  近日,以“芯生万物 智算无界”为主题,2025年“中国芯”集成电路产业促进大会暨第二十届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在珠海横琴圆满举办。活动期间,纳芯微凭借在汽车电子领域的系统级应用能力与技术创新实力,荣膺“中国芯”两大奖项—— “整车芯应用卓越产品” 与 “优秀技术创新产品”,成为业内极少数在同一年同时获此双项荣誉的企业。获奖产品分别为 全集成嵌入式电机控制芯片 NSUC1610-Q1QNR 与 汽车级集成式耐腐蚀绝压传感器 NSPAS5 系列。  “整车芯应用卓越产品”主要表彰对国内汽车工业发展具有突出贡献的车规级芯片。该奖项强调产品的关键参数竞争力、可靠性稳定性、技术路线清晰度及在整车关键域控中的广泛落地情况。获奖产品 NSUC1610 是国内首款高集成度车用小电机驱动芯片,填补国内新能源汽车热管理电机控制处理器“MCU+”芯片空白,已覆盖国内多家主流 OEM。“优秀技术创新产品”旨在表彰具备显著技术突破与创新价值的集成电路产品。NSPAS5 系列具备业界领先的响应速度(<1ms),支持模拟比例 / 绝对输出,量程覆盖 10kPa~400kPa 可定制,并具备高耐腐蚀能力,面向汽车动力系统、热管理等核心应用场景。  自2021年以来,纳芯微连续5年荣获“中国芯”奖项,产品覆盖车规级MEMS绝压压力传感器晶圆NSP163X系列(2021)、高可靠性隔离式双通道栅极驱动器NSI6602系列(2022)、高压半桥栅极驱动器NSD1624(2023)、40V车规级32细分步进电机驱动器NSD8381(2024),标志其在汽车、泛能源领域,围绕应用创新的丰硕成果及市场认可,实现集成电路关键核心技术突破,加速科技创新和产业创新融合。截止2025年上半年,纳芯微汽车电子累计出货量超过9.8亿颗。  关于“中国芯”优秀产品评选  “中国芯”优秀产品评选活动由中国电子信息产业发展研究院主办,自2006年启动以来已成功举办二十届。该活动坚持以应用为导向,持续推动评选机制创新,致力于成为中国集成电路产品与技术发展的“风向标”。  活动始终秉持“以用立业、以用兴业”的发展思路,通过建立公正、专业的中国芯产品推荐机制,为国内集成电路企业搭建起一个展示优秀产品和技术的公益性平台,助力我国集成电路产业实现高质量发展。
2025-11-25 09:37 reading:325
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