更紧凑、更可靠、更易于开发！纳芯微发布车规级阳光雨量传感器芯片系列NSUC183x

Release time：2026-07-07
author：AMEYA360
source：纳芯微
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　　纳芯微推出车规级阳光雨量传感器芯片系列NSUC183x。该系列产品面向智能座舱与ADAS应用，集成高精度光感知、雨量检测、LED驱动及车载通信能力，提供AFE、AFE+SBC、AFE+MCU+SBC等不同集成度产品形态，帮助客户构建更紧凑、更可靠、更易于开发的车规级阳光雨量传感器系统。

更紧凑、更可靠、更易于开发！纳芯微发布车规级阳光雨量传感器芯片系列NSUC183x

　　面向智能座舱与ADAS

　　阳光雨量环境感知需求持续升级

　　随着智能座舱、ADAS和车身智能化持续发展，车辆对外部环境感知能力的要求不断提升。阳光雨量传感器可用于自动大灯、自动雨刷、环境光检测、HUD亮度调节等场景，帮助车辆根据外部光照和雨量变化进行自动响应。

　　在系统设计层面，阳光雨量传感器模块需要在有限空间内实现多路光感知、雨量检测、光源驱动、车载通信和安全诊断等功能。客户不仅关注感知精度，也关注系统尺寸、外围器件数量、PCB布局复杂度和车规可靠性。因此，高集成度、高精度和功能安全能力正成为车规级阳光雨量芯片的重要发展方向。

　　01

　　覆盖多种集成度选择

　　满足不同系统架构需求

　　目前行业主流整机方案需要三颗独立芯片搭配使用，分别是：

　　专门完成阳光雨量光信号调理的 AFE 模拟前端芯片;

　　集成 LDO 供电功能的 SBC 电源接口芯片;

　　通用 32 位 MCU 主控芯片。

　　单芯片方案在硬件开发难度、整机物料成本、终端应用适配性三方面都具备明显优势。在行业从三芯片分立向单芯片集成迭代的过程里，纳芯微同步推出多种集成度芯片选择，给客户提供分层选型空间，满足不同项目阶段的开发需求：

　　NSUC1830 集合完整“三合一”方案，通过“AFE+MCU+SBC”架构，适配高集成度阳光雨量传感器模块设计;

　　NSUC1832 采用“AFE+SBC”架构，可配合外部MCU使用，适用于客户自有MCU平台的阳光雨量系统;

　　NSUC1834 采用AFE架构，面向已有成熟系统平台，提供高精度光感与雨量检测能力。

更紧凑、更可靠、更易于开发！纳芯微发布车规级阳光雨量传感器芯片系列NSUC183x

　　02

　　高度集成驱动、通信与供电能力

　　简化紧凑型设计

　　为简化客户系统设计，NSUC183x系列集成2路LED Driver，最高支持200mA灌电流能力，并支持0.1mA步进配置，可满足雨量检测光路中的发射光源控制需求。

　　NSUC1830与NSUC1832集成LIN 2.x通信能力，通信速率可达100kbps，并符合SAE J2602标准;同时集成40mA LDO，可支持车载网络通信与系统供电需求，帮助客户减少外部器件、简化系统设计。

　　NSUC1830还集成32-bit ARM Cortex-M3 MCU子系统，支持片上Flash、data Flash、SRAM with ECC，并集成SPI、I2C、WD、GPIO、Timers等片上外设资源，可支持阳光雨量模块本地数据处理与系统交互。在典型应用中，阳光雨量模块可通过LIN总线与BCM车身控制器连接，并接入整车CAN/LIN网络，实现与大灯、雨刷等执行器的协同控制。

　　03

　　多通道高精度感知

　　提升复杂光照场景检测稳定性

　　在感知能力方面，NSUC183x系列集成4路固定光感应通道，可覆盖太阳光、前向光、顶向光和HUD光感，并支持固定雨量感应通道及可配置通道，满足智能座舱与ADAS应用中的主要光照与雨量检测需求。

　　该系列产品采用PGA+ADC信号链架构，支持>18bit动态范围，并集成16bit Sigma-Delta ADC，可提升强光、弱光、反射光及环境干扰等复杂场景下的检测稳定性。同时，产品集成多路TIA跨阻放大器，支持雨量检测、环境光补偿及多路光感分时采样需求。

　　04

　　面向车规可靠性要求

　　支持功能安全与系统诊断

　　面向车规应用对安全性和可靠性的要求，NSUC183x系列具备功能安全与系统诊断相关设计能力。

　　在功能安全方面，NSUC183x系列支持面向ASIL等级应用的功能安全设计，其中光感相关功能可支持ASIL B，雨量相关功能可支持ASIL A，满足不同安全等级应用需求。

　　在系统诊断方面，产品支持信号链路及外部连接电路诊断，并集成带时间窗口的看门狗、输入电压过压/欠压监测等设计，可帮助系统提升故障检测与保护能力。

　　在存储可靠性方面，产品支持SRAM、Flash等存储ECC纠错，确保关键数据可靠性，进一步提升车规级系统运行稳定性。

更紧凑、更可靠、更易于开发！纳芯微发布车规级阳光雨量传感器芯片系列NSUC183x


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纳芯微重磅推出车载摄像头PMIC，打造高清感知时代的一体化电源管理方案！
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纳芯微重磅推出车载摄像头PMIC，打造高清感知时代的一体化电源管理方案！

　　纳芯微宣布推出面向车载摄像头模组的汽车级电源管理芯片 NSR90332XX-Q1，该产品集成3路BUCK和1路LDO，可为车载摄像头模组内的图像传感器、SerDes等关键器件提供多路高质量供电，适用于环视、后视、前视、DMS、电子后视镜以及 PoC 摄像头模组等应用场景。　　随着智能驾驶、智能座舱和舱内安全应用加速发展，车载摄像头已经从“可选配置”逐步演进为汽车感知系统的关键基础设施。外部感知方面，智驾应用正在推动单车多摄像头、800万像素高清化部署;内部感知方面，DMS/OMS 等舱内监测系统也在法规和安全需求驱动下快速增长。　　车载摄像头布局趋势　　摄像头数量增加与分辨率提升，对摄像头模组电源系统提出了更高要求。OEM 和 Tier 1 不仅需要在有限模组空间内实现更高集成度和更小型化设计，也需要确保电源噪声不会影响图像质量;同时，摄像头模组还需满足车规 EMC、可靠性和功能安全要求，并能够灵活适配不同图像传感器和平台方案，帮助客户缩短开发周期。　　针对上述趋势，NSR90332XX-Q1 通过多路电源集成、低噪声设计、EMI 优化和全面诊断保护机制，为车载摄像头模组提供更高集成度、更易适配、更可靠的电源管理方案。该产品支持 I²C 配置输出电压和上下电时序，可帮助客户简化电源架构设计，并提升不同摄像头平台间的复用效率。　　低噪声电源设计　　保障高清摄像头图像质量　　在车载摄像头向更高清分辨率升级的过程中，图像传感器和高速信号链对供电质量更加敏感。电源噪声可能通过图像传感器模拟电源、SerDes 或相关信号链进入成像链路，导致噪点、画质下降或稳定性问题。　　NSR90332XX-Q1典型应用框图　　NSR90332XX-Q1 在多路电源输出噪声、LDO PSRR 以及电源纹波等方面进行了优化。其中，LDO PSRR 可达 -60 dB@100 kHz，LDO 输出噪声低至 15.77 μVRMS，Buck 2/3 输出噪声低至 313.6 μVRMS，支持车载摄像头实现更清晰、更稳定的图像输出。　　低噪声性能与其他市场方案对比　　每路电源EMI优化　　助力满足车规CISPR 25要求　　车载摄像头模组通常具有空间紧凑、线束复杂、靠近高速信号链等特点，同时需要在整车复杂电磁环境中长期稳定工作，系统 EMI 控制已成为摄像头模组设计中的关键挑战。NSR90332XX-Q1 集成展频功能(Spread Spectrum)，可通过频域能量分散降低开关频率处的EMI峰值发射，实现约10~20 dB的峰值发射降低，帮助客户应对CISPR 25 Class 5等车规EMC设计要求;同时支持多 BUCK 错相控制，进一步降低多路电源同时开关带来的噪声叠加风险。　　通过展频功能降低EMI峰值　　通过展频功能与多 BUCK 错相控制协同优化，该产品无需增加额外外围器件即可改善系统 EMI 表现，有助于降低 BOM 成本和 PCB 面积压力。　　面向ASIL B功能安全设计　　集成全面诊断与保护机制　　随着摄像头在 ADAS、DMS、OMS、电子后视镜等应用中的作用不断提升，摄像头模组电源系统也需要具备更高的故障检测和保护能力。对于安全相关应用而言，电源轨异常不仅可能影响单个摄像头模块的稳定工作，也可能进一步影响整车感知系统的可靠性。　　NSR90332XX-Q1 可支持客户实现 ISO 26262 ASIL B 等级的系统功能安全设计，集成多种诊断与保护机制，可对各路电源轨进行电压和电流监控，并支持过压保护、欠压保护、过流保护、过载故障检测、短路到地检测等功能。当检测到异常状态时，芯片可根据故障类型快速关闭对应输出通道或触发复位/掉电保护，帮助系统提升故障检测能力和安全设计完整性。　　协同SerDes产品　　构建从供电到传输的车载摄像头系统方案　　NSR90332XX-Q1 可与纳芯微车规级 SerDes 芯片组协同，围绕车载摄像头模组的关键电源轨供电与高清视频传输需求，构建从电源管理到数据传输的一站式系统方案。　　典型车载摄像头模组供电架构　　纳芯微 SerDes 芯片组基于全国产供应链、支持 HSMT 公有协议，产品包括单通道加串器 NLS9116 和四通道解串器 NLS9246，可面向 ADAS 与智能座舱中的摄像头数据的高速传输场景，与车载摄像头 PMIC 形成组合方案，帮助客户提升系统集成度和平台适配效率。　　封装与选型　　NSR90332XX-Q1 采用 4.00 mm × 4.00 mm、QFN24 封装，并支持 wettable flanks(可润湿侧翼)，便于车规应用中的焊点外观检测与可靠性验证。该产品满足 AEC-Q100 Grade 1 要求，支持 -40°C 至 125°C 宽温工作范围，可满足车载摄像头模组对高可靠性和长期稳定工作的要求。如需了解 NSR90332XX-Q1 更多产品信息或申请样片，请联系 sales@novosns.com。　　QFN24 封装
2026-07-03 09:50 reading：288
EtherCATx三核算力，满足高端工业控制！纳芯微发布实时控制MCU/DSP NS800RTA7系列
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EtherCATx三核算力，满足高端工业控制！纳芯微发布实时控制MCU/DSP NS800RTA7系列

　　近日，纳芯微正式发布NSSine™系列新一代实时控制MCU/DSP——NS800RTA7系列。该系列面向工业自动化、机器人、数字能源、通用伺服及运动控制等应用场景，首批推出NS800RTA7P65DE、NS800RTA7P66DE、NS800RTA7P66TE三款型号，覆盖大小核、双大核和三核等不同内核配置，集成EtherCAT 从站控制器(ESC)、第二代eMATH浮点数学加速核、高精度模拟采样、高级控制外设及功能安全、信息安全能力，为高性能实时控制系统提供高效、可靠、易于集成的控制平台。　　NSSine™产品矩阵　　工业控制走向系统融合，主控芯片需求持续升级　　随着工业自动化、机器人、数字能源及运动控制等应用持续升级，实时控制平台正在从“单一控制”走向“计算 + 通信 + 采样 + 安全”的系统融合。　　以机器人控制器、通用伺服、PLC、变频器、数字电源以及工商业大型储能系统为代表的应用场景，对主控芯片提出了更高要求：一方面，需要处理复杂算法、多任务协同、高速实时通信和多轴同步控制;另一方面，也需要具备高精度采样、小尺寸封装、高可靠性及信息安全能力。　　在工业实时通信领域，EtherCAT已成为高性能运动控制和工业自动化系统中的重要通信技术。EtherCAT的价值不仅在于通信接口本身，更在于支撑多轴同步、实时响应和系统协同控制能力。面向这一趋势，NS800RTA7系列通过多核并行计算、片上EtherCAT 从站控制器集成、高精度模拟采样和安全可靠设计，进一步提升实时控制系统的集成度和响应能力。　　首批发布三款型号，覆盖不同性能与系统复杂度需求　　NS800RTA7系列首批发布NS800RTA7P65DE/NS800RTA7P66DE/NS800RTA7P66TE三款型号，面向不同性能等级和应用复杂度提供灵活选择。　　其中，NS800RTA7P65DE采用“400MHz + 200MHz”的大小核配置，兼顾控制性能与系统成本;NS800RTA7P66DE采用“2×400MHz”双大核配置，面向高性能实时控制应用;NS800RTA7P66TE采用“2×400MHz + 200MHz”三核配置，可支持更复杂的多任务协同、多轴控制和实时通信场景。　　三款产品均集成EtherCAT、USB、CAN-FD、FSI、SPI、I2C、UART、USART等丰富通信接口，并支持eCAP、QEP、CLB、SDFM、ePWM、HRPWM等控制外设资源，满足伺服驱动、机器人控制、数字电源、储能逆变和工业自动化设备对实时控制与高速通信的综合需求。　　NS800RTA7P65DE/7P66DE/7P66TE 产品参数　　01　　多核Cortex-M7架构　　第二代eMATH　　支撑复杂实时控制任务　　在核心性能方面，NS800RTA7系列最高支持三核同构Cortex-M7架构，并为不同内核搭配eMATH数学加速器及专属TCM资源，为多核分时计算提供充足算力。该系列支持DSP指令集、FPU、eMATH、TCM与Cache等能力，可满足复杂控制算法、多任务协同及实时响应需求。通过大小核、双大核和三核三种配置，客户可根据应用复杂度、控制轴数、通信任务和成本目标进行灵活选型。　　第二代eMATH浮点数学加速核比一代eMATH提速约一倍，涵盖三角函数、指数和对数、开方、FFT/iFFT、滤波器、矩阵计算、卷积和相关性运算等多种数学运算，可在FOC电流环、数字电源控制和复杂DSP算法等应用中提升实时浮点计算效率。　　02　　集成德国倍福正式授权　　EtherCAT 从站控制器　　提升高实时工业通信能力　　NS800RTA7系列集成德国倍福正式授权的EtherCAT 从站控制器(ESC)，在片内集成ESC MAC，区别于传统系统中主控芯片与外部独立ESC器件配合的设计方式，降低BOM成本与PCB面积，提升系统集成度。　　在实时数据交换方面，NS800RTA7系列的硬件从站控制器(ESC)可处理EtherCAT帧转发，减少MCU对通信帧处理的参与;同时，片内ESC可直接与MCU内核内部高速总线互联，并通过内部共享RAM映射过程数据，支持高实时数据交换。该系列还支持多FMMU和同步管理器，便于灵活配置PDO映射，满足伺服驱动、机器人、PLC、运动控制和工业自动化设备等场景对高速通信与多轴同步的需求。　　在同步控制方面，NS800RTA7系列集成硬件分布式时钟单元，可实现高精度时钟同步，并精确生成Sync0/Sync1事件，用于触发ADC/PWM等实时控制任务，多节点同步事件触发误差小于30ns;在125us帧周期下，实时任务MCU负荷率仅为2%，可支撑多轴联动、精密运动控制等对同步性、低抖动和低系统负载有较高要求的应用。　　03　　高精度采样　　CLB可编程逻辑　　增强高速闭环控制灵活性　　NS800RTA7系列最多可集成4个12bit ADC模组，最多可支持55路ADC采样通道，每个ADC支持32个SoC触发事件;同时支持36路ePWM、36路HRPWM，HRPWM分辨率达80ps，并集成6个CLB、7个eCAP、6个QEP和16路SDFM，为伺服驱动、变频控制、数字电源和多轴运动控制提供丰富外设资源。　　其中，CLB片上可编程逻辑模块可通过软件配置实现定制化数字逻辑功能，并可与ePWM、eCAP、eQEP及外部GPIO互联，用于增强现有外设功能，支持复杂协议位置编码器硬件解码、实时脉冲序列输出、信号整定和时间阈值监测等应用。　　04　　功能安全x信息安全　　面向高可靠控制系统　　面向工业控制、数字能源及汽车相关应用对可靠性和安全性的要求，NS800RTA7系列支持ISO 26262 ASIL B与IEC 61508 SIL2功能安全设计，可满足汽车与工业领域高可靠控制系统的功能安全需求。　　在信息安全方面，NS800RTA7系列集成AES-128/256加密引擎、SHA哈希算法、TRNG真随机数发生器以及RSA和ECC等非对称加密引擎等硬件安全能力，为系统通信、数据处理和安全启动等应用提供信息安全支持。　　在数据完整性保护方面，NS800RTA7系列最高集成1.8MB eFlash与864KB SRAM，并通过ECC错误校正码覆盖eFlash和SRAM，可自动检测并纠正数据错误，提升关键数据存储与系统运行可靠性。　　05　　小封装与平台化设计　　助力客户快速导入　　NS800RTA7系列兼顾平台化设计与灵活封装需求，支持BGA169、BGA256、HLQFP176、HLQFP100等封装选择，其中BGA169封装尺寸为9mm × 9mm，可为空间受限的高性能控制系统提供更紧凑的封装选择。　　同时，该系列支持引脚兼容和外设寄存器兼容，有助于客户在不同性能等级和应用复杂度之间实现平滑迁移，复用已有软硬件资产，降低二次开发成本并加速产品导入。　　完善开发生态，支持高效开发　　NSSine™系列实时控制MCU/DSP同步提供覆盖开发工具、硬件平台、软件支持和生态系统的完整支持能力。　　在工具链方面，NS800RTA7系列支持NovoStudio、ARM Keil MDK、IAR EWARM等开发环境，并提供NovoMonitor实时监测与调试工具、NovoClbConfig逻辑单元配置工具，帮助客户完成变量监控、参数调试、逻辑配置和系统验证。　　在硬件与软件支持方面，纳芯微提供评估板、SWD/JTAG仿真器、逆变器系统板、底层驱动、BootCode、CAN-FD/LIN通信软件支持，以及FreeRTOS、uC/OS-II、RT-Thread等EOS支持，帮助客户缩短开发周期、提升产品导入效率。
2026-07-02 15:35 reading：267
纳芯微上海慕展发布车规级阳光雨量传感器、车载摄像头PMIC、三核EtherCAT实时控制MCU/DSP和GaN驱动等多款创新产品
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纳芯微上海慕展发布车规级阳光雨量传感器、车载摄像头PMIC、三核EtherCAT实时控制MCU/DSP和GaN驱动等多款创新产品

　　上海，2026年7月1日——纳芯微亮相2026慕尼黑上海电子展。展会期间，公司发布多款面向汽车电子和泛能源应用的数模混合芯片新品，包括车规级阳光雨量传感器NSUC183x系列、车载摄像头PMIC NSR90332XX-Q1、三核EtherCAT实时控制MCU/DSP NS800RTA7系列以及110V半桥GaN驱动芯片NSD2123。同时，公司展示了面向智能终端应用的线性位置、温湿度与压力传感器等产品组合。　　本次发布与展示覆盖车载视觉供电、智能座舱感知、工业实时控制、AI服务器电源、消费电子位置检测、白电环境检测和液位检测等场景，体现纳芯微聚焦汽车电子、泛能源与智能终端应用，持续完善数模混合芯片产品组合与应用支持能力。　　汽车电子　　发布车载摄像头 PMIC 与车规级阳光雨量传感器　　支撑车载视觉与智能车身感知升级　　车载摄像头正向高清化和多位置部署发展，摄像头模组对电源质量、EMC、诊断保护和集成度提出更高要求。纳芯微发布一体化多路车载 PMIC NSR90332XX-Q1，可为车载摄像头模组内的图像传感器、SerDes等关键器件提供平台化供电方案，适用于环视、后视、前视、DMS、电子后视镜和 PoC 摄像头模组等应用。　　该产品通过多路电源集成、低噪声特性、EMI优化及ASIL B功能安全设计，为车载摄像头模组提供高集成度、易适配、高可靠的电源管理方案;同时支持通过 I²C 配置输出电压和上下电时序，帮助客户简化电源架构设计，并提升不同摄像头平台间的方案复用效率。　　车载视觉链路还需要高清图像数据传输能力。纳芯微推出基于 HSMT 公有协议的 SerDes NLS911x 系列加串器与 NLS924x 系列解串器，支持单通道 6.4 Gbps 传输，可用于摄像头端与域控制器端的数据连接，支持舱驾一体架构下的多路高清图像传输。目前，该系列 SerDes 产品已在国内头部 ADAS 客户完成验证，并正推进量产导入。　　通过车载摄像头 PMIC 与 SerDes 产品组合，纳芯微可为智能驾驶摄像头系统提供稳定供电和高速数据传输支持。　　在智能车身与座舱感知方向，纳芯微发布车规级阳光雨量传感器 NSUC183x 系列解决方案。该系列面向不同客户平台架构，提供 NSUC1834(AFE)、NSUC1832(AFE+SBC)和 NSUC1830(AFE+MCU+SBC)等产品形态，支持阳光、前向光、顶向光、HUD 光感和雨量等检测需求。通过覆盖从 AFE 到 AFE+MCU+SBC 的不同集成度选择，NSUC183x 系列可帮助客户减少外围器件、缩小 PCB 面积，并简化阳光雨量传感器模块开发。　　2025年，纳芯微汽车电子收入达约12亿元，同比增长约65%。纳芯微已形成覆盖汽车多系统的芯片产品布局，产品广泛应用于汽车三电与热管理、车身控制与照明、智能座舱与ADAS、底盘与安全等场景。截至 2025 年底，纳芯微车规级芯片累计出货量突破 14.18 亿颗。现阶段，国内新能源汽车单车平均搭载纳芯微芯片约 50 颗，单车产品价值量约达 2000 元。　　泛能源　　发布三核EtherCAT 实时控制 MCU/DSP与 GaN 驱动　　支撑高功率密度电源与高性能运动控制升级　　工业控制系统正向更高算力、更高实时性、更高精度和更高集成度方向演进。纳芯微发布三核EtherCAT实时控制MCU/DSP NS800RTA7系列。该系列产品采用最高三核Cortex-M7架构，并片上集成EtherCAT控制器、高速ADC和安全功能，支持ISO26262 ASIL B与IEC61508 SIL2，面向工业自动化、伺服驱动、运动控制、储能系统和机器人控制等应用。相比传统“主控MCU+外挂EtherCAT”方案，NS800RTA7系列将实时控制、工业通信、高速采样和安全功能集成于同一平台，可帮助客户简化系统架构，并推进平台化开发。　　AI服务器正向高效率和高功率密度方向发展，服务器PSU及二级电源应用对驱动、隔离、控制和保护提出更高要求。纳芯微发布110V半桥GaN驱动芯片NSD2123。该产品专为增强型E-mode GaN HEMT驱动优化设计，适用于电源模块、同步整流、机器人、光储等领域，以及Buck、Boost、LLC、HSC等开关电源拓扑。针对半桥拓扑中的动态栅极过压、桥臂中点负压、高dv/dt干扰和误导通等问题，NSD2123通过智能自举充电控制、Split Output驱动架构和内置有源米勒钳位，帮助客户提升高频开关场景下的驱动可靠性。　　目前，纳芯微已面向服务器PSU及二级电源应用提供驱动、隔离芯片、MCU等产品，部分产品已在国内外服务器电源客户中量产出货。2025年，纳芯微泛能源收入达约18亿元，同比增长约84%。　　智能终端　　展示线性位置、温湿度与压力传感器　　拓展消费电子与白电感知应用　　在智能终端领域，白电与消费电子产品对状态感知、人机交互和运行判断提出更高要求。纳芯微展示线性位置、温湿度与液位检测传感器产品组合。　　其中，MT911x 与 MT912x 系列线性位置传感器具备±20mV失调电压与±1.5%线性度误差，可用于手持云台、游戏手柄、磁轴键盘、3D 打印机等设备中的线性位置与角度检测。NST113x系列高精度低功耗数字温度传感器采用0.75mm × 0.75mm DSBGA(4) CSP超小尺寸封装，具备±0.1℃(max)常温测温精度和超低功耗特性，可用于可穿戴设备、医疗电子等场景的温度监测。NSPGD1 表压传感器采用 MEMS 表压检测方式，支持模拟比例输出、I²C 数字输出及频率输出，可用于洗衣机、洗碗机等液位检测场景，支持用水控制、补水保护和运行状态判断。　　应用创新　　以技术与市场双轮驱动，完善数模混合芯片产品组合　　面对客户系统设计复杂度提升，客户需要的不只是单颗芯片性能，也更加关注系统适配、可靠量产和长期支持。纳芯微坚持技术与市场双轮驱动，围绕客户系统需求推进产品定义与产品组合协同。　　目前，公司已形成覆盖传感器、信号链、隔离、接口、功率驱动、电源管理和 MCU 的数模混合芯片产品组合，可支持客户在感知、传输、控制、驱动和供电等环节的设计需求。同时，公司将重点应用中的产品定义与量产经验沉淀至技术平台、质量体系与客户支持体系中，持续提升产品导入、系统适配与长期量产支持的可控性。　　纳芯微已获得 TÜV 莱茵 ISO 26262 ASIL D “Defined-Practiced” 功能安全流程认证，相关支持场所通过 IATF 16949 认证。　　展台与论坛信息　　展台信息：2026 慕尼黑上海电子展期间，纳芯微将在上海新国际博览中心 N4 馆 621 号展台，展示面向汽车电子、泛能源与智能终端应用的多款产品和系统解决方案。　　论坛演讲：展会同期，纳芯微产品经理张炎将出席 2026 国际电机驱动与控制技术论坛，并发表主题演讲“纳芯微 NSSine™ 系列实时控制 MCU/DSP——产品核心性能和生态解析”。　　演讲时间：2026 年 7 月 2 日 14:30—15:00　　演讲地点：上海新国际博览中心 N3 馆现场论坛区(N3.379 展位)　　欢迎各位莅临纳芯微展台及论坛现场交流!
2026-07-02 15:16 reading：277
纳芯微丨智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，推出110V半桥驱动芯片NSD2123
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纳芯微丨智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，推出110V半桥驱动芯片NSD2123

　　随着AI算力需求爆发，GaN器件在AI数据中心电源的渗透率正加速提升，以突破功率密度瓶颈;与此同时，机器人关节驱动、光储、Class D音频等领域也对高效紧凑的电源方案提出需求，共同推动GaN技术从消费快充迈向泛工业市场。GaN器件凭借低损耗、高开关频率等优势，已成为新一代电源设计的核心选择，而其价值释放离不开专用驱动芯片的精准适配。　　在此背景下，纳芯微全新推出110V半桥GaN驱动芯片NSD2123，具备智能自举充电控制、桥臂中点耐负压和抗干扰能力强、内置有源米勒钳位等特点，广泛适用于电源模块、同步整流、机器人、光储、音频功放等领域，以及Buck、Boost、LLC、HSC等各类硬开关或软开关拓扑。　　产品特性　　专为增强型E mode GaN HEMT驱动优化　　采用自举开关代替自举二极管，消除自举电容压降　　自举开关采用智能充电控制，避免GaN第三象限导通时自举电容被过充　　HS耐压范围：-10V~110V　　HS dv/dt抑制能力100V/ns　　推荐供电范围4.5V~5.5V　　HI/LI输入支持TTL逻辑电平　　3A/5A峰值驱动电流，并且内置有源米勒钳位　　灌电流/拉电流输出引脚分开，可独立调节开通、关断速度　　典型值10ns最小输入脉宽　　典型值17ns输入输出传输延时　　典型值1ns HO/LO传输延时失配　　典型值6ns上升时间(1nF 负载)　　典型值4ns下降时间(1nF 负载)　　封装：2mm*2mm WLCSP、2mm*2mm LGA　　工作结温范围：-40℃~150℃　　NSD2123功能框图　　智能充电控制，　　消除自举过压风险　　GaN器件没有传统硅MOSFET的体二极管，而是依靠第三象限导通实现续流。在半桥拓扑中，死区时间内下管续流会使HS节点出现负压，传统自举供电方式可能导致自举电容过充，增加高边GaN栅极过压风险，影响系统长期运行可靠性。　　GaN/Si MOSFET/IGBT 导通和续流特性对比　　针对这一挑战，NSD2123采用智能自举充电控制，仅在低边GaN导通期间开启自举充电路径，在死区时间自动停止充电，从而有效避免自举电容过充，降低高边GaN栅极过压风险，为GaN应用提供更加可靠的驱动方案。　　同时，NSD2123采用MOSFET替代传统自举二极管作为充电通路，大幅降低自举充电路径压降，使高边GaN能够获得接近VDD的驱动电压，在保证可靠驱动的同时进一步降低导通损耗，充分释放GaN器件的高效率优势。　　兼顾耐负压与抗干扰能力，　　契合高频、高速应用　　由于GaN器件的高速开关特性，在各类应用中容易引起桥臂中点的负压振荡现象，特别是在电机短路等大电流关断的应用场景下，桥臂中点的负压震荡最低可达-10V左右，如果GaN半桥驱动芯片设计不当，可能导致闩锁或误触发，影响系统稳定运行。　　桥臂中点产生负压震荡的机理　　针对这一挑战，NSD2123通过专门强化的电路工艺，可以实现瞬态-10V的桥臂中点耐负压能力，从而避免发生闩锁问题。此外，通过对内部level shifter电路的特殊设计，可以实现100V/ns的dv/dt抑制能力，充分释放GaN高频、高速开关性能。　　驱动输出独立调节，内置有源米勒钳位，　　降低误导通风险　　GaN器件对栅极驱动电压和开关速度更加敏感，传统驱动方案通常需要借助外部二极管实现开通、关断速度的独立调节，但二极管压降会降低GaN栅极驱动电压影响导通损耗，或增加关断状态下的误导通风险。　　GaN采用Split Output驱动芯片方案　　NSD2123采用Split Output驱动架构，无需额外串联二极管，即可分别调节GaN器件的开通和关断速度。此外，NSD2123提供3A拉电流、5A灌电流峰值驱动能力，即使在多颗GaN并联应用中也能实现快速稳定驱动;内置有源米勒钳位，进一步增强关断期间的栅极下拉能力，有效降低误导通风险，提升系统可靠性。　　封装与选型　　纳芯微110V半桥GaN驱动芯片NSD2123提供WLCSP及LGA两种2mm*2mm小尺寸封装，进一步咨询NSD2123产品及申请样片，可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。
2026-06-30 09:24 reading：291
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