ROHM开发出车载一次侧LDO“BD9xxM5-C”,利用高速负载响应技术“QuiCur™”实现业界超优异的负载响应特性

Release time:2024-02-23
author:AMYEA360
source:ROHM
reading:1392

  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出额定电压45V、输出电流500mA的一次侧*1LDO稳压器*2(以下简称LDO)“BD9xxM5-C”(BD933M5EFJ-CBD950M5EFJ-CBD900M5EFJ-CBD933M5WEFJ-CBD950M5WEFJ-CBD900M5WEFJ-C),非常适用于由车载电池驱动的车载电子产品和ECU(电子控制单元)等的电源。

ROHM开发出车载一次侧LDO“BD9xxM5-C”,利用高速负载响应技术“QuiCur™”实现业界超优异的负载响应特性

  近年来,随着汽车中使用的电子元器件的增加,车载电源系统也在增加,对于可直接降低电池电压的、给ECU所用的微控制器等供电的一次侧LDO的需求也与日俱增。但是,车载电池提供的电力容易出现急剧的电压波动,因此要求一次侧LDO对输入电压波动具有优异的输入响应特性。同时,包括ECU在内的LDO后级器件在工作期间,负载电流容易产生波动,因此需要优异的负载响应特性。而另一方面,要想改善这些特性,提高频率特性中的频率是非常重要的,然而对于LDO, 很难实现在确保有助于电源响应性能的相位裕度的同时,将频率特性提高至更高频段。ROHM利用高速负载响应技术“QuiCur™”解决了这一课题,大大提升了新产品的响应性能。

  新产品采用ROHM的高速负载响应技术“QuiCur™”,对负载电流*3波动具有优异的响应特性。因此,即使在输入电压或负载电流波动时,也能实现应用产品所需的稳定工作(输出电压波动100mV以内:负载电流波动0mA⇔500mA Tr/Tf=1μ秒)。另外,还实现了消耗电流仅为9.5µA(Typ.值)的低电流工作,有助于降低车载应用的功耗。不仅如此,新产品还计划提供四种封装形式,包括小型HTSOP-J8封装、散热性能出色的TO252封装(TO252-3/TO252-5)和HRP5封装,客户可根据使用环境灵活选用。

  HTSOP-J8封装的新产品已于2023年12月开始暂以月产2万个的规模投入量产(样品价格:200日元/个,不含税)。预计到2024年底,产品阵容将扩大为包括TO252-3、TO252-5和HRP5三种封装形式的共18款产品。前道工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.(日本滨松市),后道工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律宾)和ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过Ameya360等电商平台均可购买。

  未来,ROHM将围绕所擅长的模拟技术继续推进相关产品的开发,为提高汽车的可靠性并降低功耗贡献力量。

ROHM开发出车载一次侧LDO“BD9xxM5-C”,利用高速负载响应技术“QuiCur™”实现业界超优异的负载响应特性

  <产品阵容>

      新产品“BD9xxM5-C”满足对车载产品的基本要求,比如150℃工作、符合车载电子产品可靠性标准“AEC-Q100”等。而且,利用QuiCur™技术,实现了出色的响应性能,消耗电流也很低,目前计划开发多种封装,以便客户根据使用环境灵活选择。

ROHM开发出车载一次侧LDO“BD9xxM5-C”,利用高速负载响应技术“QuiCur™”实现业界超优异的负载响应特性

  <应用示例>

  适用于包括ECU在内的用车载一次电源驱动的各种应用。

  ・燃油喷射装置(FI)、胎压监测系统(TPMS)等动力总成应用

  ・车身控制模块(BCM)等车身应用

  ・仪表盘和抬头显示系统(HUD)等信息娱乐系统

  <关于高速负载响应技术“QuiCur™”>

  QuiCur™的命名源自可实现高速负载响应的ROHM自有电路“Quick Current”,利用该技术,在电源IC的反馈电路中,可以在不引起不稳定的前提下,更大程度地实现预期的负载响应特性(响应性能)。

  另外,还能够以尽可能小的输出电容器容量实现电源IC的稳定工作。此外,在电源IC的一种——开关稳压器中,可以线性调整电容量和输出电压波动,即使在因规格变更而改变电容量时,也能轻松实现预期的稳定工作,因此,从减少元器件数量和稳定工作这两方面的优势看,有助于大幅减少电源电路的设计工时。

  如果需要了解关于QuiCur™技术的更多信息,请访问下面的URL:

  https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2022-02-10_news_quicur&defaultGroupId=false

ROHM开发出车载一次侧LDO“BD9xxM5-C”,利用高速负载响应技术“QuiCur™”实现业界超优异的负载响应特性

  ・“QuiCur™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  <支持工具>

  新产品验证用的仿真模型,备有高精度SPICE模型“ROHM Real Model”,利用ROHM自有的基于模型的技术,可忠实地复现IC实物的电气特性和温度特性,从而可实现IC实际值与仿真值完全一致。通过切实可靠的验证,可防止产品试制后的返工等问题发生,有助于提高应用产品的开发效率。

  这种SPICE模型可从下面的ROHM官网链接获取:

  https://www.rohm.com.cn/products/power-management/linear-regulators/single-output-ldo-regulators?page=1&PS_ProductSeries=BD9xxM5%20series&PS_SpiceLink=1.0#parametricSearch

  <电商销售信息>

  网售平台:Ameya

  新产品在其他电商平台也将逐步发售。

  (开始销售时间:2024年2月)

  ・产品信息

  产品型号:BD950M5EFJ-CBD933M5WEFJ-CBD950M5WEFJ-CBD900M5WEFJ-C

  <术语解说>

  *1) 一次(Primary)

  在电源IC中,从电池等电源的角度看,进行第一级转换的被称为“一次”,进行第二级转换的被称为“二次”。

  *2) LDO稳压器(Low Drop Out稳压器/低饱和稳压器)

  一种可将电压从直流电 (DC) 转换为直流电的电源IC。输入输出电压差较小,属于线性稳压器(输入输出电压为线性动作)。与DC-DC转换器IC(开关稳压器)相比,具有电路结构简单、噪声少等特点。

  *3) 负载电流

  对于电源IC而言,微控制器、传感器等后级电子电路均可视为“负载”。当这些负载工作时,会流过电流(负载电流),这会导致电源IC的输出电压波动(下降)。负载响应特性是指恢复受负载电流影响而波动的电压所需的响应时间以及电源的稳定性。

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  关键要点  ・光传感器本质上是将感光器件接收到的光转换为电能,并利用其电流的传感器的总称。  ・光电二极管是比较简单的光电转换元件。  ・光电晶体管采用光电二极管与晶体管的一体化结构,是通过晶体管将光电二极管的输出电流(光电流)放大后再输出的元件。  利用光检测的传感器种类繁多。此前介绍过的照度传感器和接近传感器以及利用光电容积脉搏波法的脉搏传感器也属于光传感器的范畴。本文将介绍光传感器中比较基础的光电二极管和光电晶体管。  01什么是光传感器  光传感器本质上是将感光元件接收到的光转换为电能,并利用其电流的传感器的总称。其功能多样,既可简单地检测光的有无与强弱,也能识别颜色等,并且可以适配自然光和发光二极管等多种光源。光传感器的核心是感光元件,其中比较基础的元件是光电二极管和光电晶体管。它们的应用场景丰富多样,覆盖范围非常广泛。  02什么是光电二极管  光电二极管是比较简单的光电转换元件。其结构由p型半导体和n型半导体组成的pn结构成,与普通的pn结整流二极管基本相同。其V-I特性在无光条件下与普通二极管相同(下图中的蓝色曲线),但当pn结受光时,光电二极管的V-I特性会向下偏移(下图中的红色曲线)。此时,从阴极流向阳极的反向电流称为“光电流”。光电流基本与照度(入射光量)成正比(见下图)。由于以反向电流作为输出,因此通常在反向偏置中使用。  光电二极管的输出电流(光电流)通常为微安(μA)级,数值较小,因此一般需要先通过晶体管或运算放大器等接收并放大后再利用。另外,光电二极管具有照度(入射光量)与输出电流之间的线性度较高、响应速度快等特点。  03什么是光电晶体管  光电晶体管采用光电二极管与晶体管的一体化结构,是通过晶体管将光电二极管的输出电流(光电流)放大后再输出的元件(见下图)。光电二极管的光电流为μA级,由于通常很难直接处理如此微小的电流,因此光电晶体管会将其放大至mA级再输出。另外,通过放大,即使在照度较低(即光电流较小)的情况下也能获得足够的输出,从而提升灵敏度。  在图中,NPN晶体管的集电极-基极之间似乎连接了光电二极管,但实际上是NPN晶体管的基极(p型)和集电极(n型)之间的pn结起到了光电二极管的作用。此处产生的光电流成为晶体管的基极电流,经晶体管放大hFE倍后,形成集电极电流Ic(输出电流)流过。输出电流基本与照度成正比。由于结构和工作原理的差异,光电晶体管的响应速度比光电二极管慢。
2026-04-10 09:45 reading:405
4月研讨会报名中!ROHM Nch LV MOSFET:赋能AI服务器,解锁高效电源新方案
  随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升,低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域,致力于相关产品和技术的持续创新,其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景,为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。  本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品,涵盖工艺、封装技术、产品阵容等,并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码,即可报名,参与还有机会赢取精美礼品!  一、研讨会概要  1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用  2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺  3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容  4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍  二、研讨会主题  ROHM Nch LV MOSFET产品介绍  三、研讨会时间  2026年4月22日上午10点  四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)  负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广,涉及功率器件和小信号器件等产品,为客户进行选型指导和技术支持。  五、官方技术论坛  不仅是Webinar相关内容,所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!  点击下方链接查看:https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858  相关产品页面  · 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET: https://ameya360.com/hangye/113949.html  · 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET:  https://ameya360.com/hangye/113215.html  · 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET:  https://ameya360.com/hangye/112418.html  相关产品资料  适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf  ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf  低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf  好礼来袭  互动礼  观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个,共计15份。  宣传礼  转发研讨会文章/海报,同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。  专业微信群  拓展坞(30份)  微信朋友圈  桌面风扇(20份)  邀约礼  分享本次研讨会,邀请5位好友报名,并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台,即有机会获取30元京东卡1份,共计20份。  注意事项  1. 请注意,想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号:rohmsemi)。  2. 每位用户仅可领取一种奖品,报名信息须真实有效。  3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
2026-04-10 09:29 reading:336
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