罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

发布时间:2022-10-14 10:41
作者:Ameya360
来源:网络
阅读量:3507

    全球能源短缺和大气污染问题日益严峻,汽车产业绿色低碳发展已成为降低全社会碳排放、增强国家竞争力的有效手段。作为领先的功率半导体厂商之一,罗姆一直致力于技术创新,研发各种高效、高品质的功率器件,为大功率智能充电站提供安全可靠的解决方案,在支持绿色出行的同时助力全面低碳社会的可持续发展。

    缩短充电时间的高输出挑战

    对电动汽车车主来说,缩短充电时间是非常重要的诉求,而大功率充电是其中关键的支撑技术。提升续航距离需要増加电池容量,为缩短充电时间,需要高输出能力的充电桩,如360kW的充电桩要搭载9个40kW的电源模块。在电路拓扑方面,单向充电桩使用三相Vienna整流LLC电路。基于纯电动车对电网、家庭供电的需求,双向充电桩也趋于使用三相B6-PFC+双有源桥电路。

    无论哪一种充电桩,客户都在一如既往地重视高品质的同时,随着输出功率的提高而追求高效化和热管理。对此,罗姆以功率器件为中心提供各种解决方案,满足各种客户需求。根据使用器件的不同,罗姆提供两类充电桩解决方案。一是碳化硅器件解决方案,适用于追求高效、小型化的大功率充电桩。二是硅器件解决方案,包括相对于碳化硅器件来说性价比较好的超级结MOS和IGBT。

    ·针对单向充电桩:面向大功率Vienna PFC+LLC电路拓扑的方案

    Vienna整流+LLC构成了充电桩的基本电路。如果考虑设备成本,罗姆推荐使用硅器件、FRD(快恢复二极管)方案;如果需要高功率密度和高效率,则推荐使用碳化硅 MOS/SBD方案。

罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

    PFC部分更适合使用碳化硅器件,理由有二:其一,高温时导通电阻增加较少,能实现高效率,同时可抑制发热,使用更小的散热板;其二,碳化硅器件的恢复损耗非常小,开关损耗较小,能够提高工作频率,有助于输入线圈的小型化。作为硅器件解决方案,也可以使用具有高速开关的罗姆SJ-MOSFET“R65xKN系列”以及IGBT“RGW系列”。

罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

    其次,对于LLC部分,罗姆通过高耐压1200V 碳化硅MOS来削减部件个数。通过将1200V 碳化硅MOS应用于LLC部分,可以将Stack型的LLC电路变更为下述Single型。具备高耐压、高速开关特点的碳化硅器件给Single LLC带来以下优点:

  • 减少功率器件数量,节省空间,简化电路,降低故障率;

  • 减少控制元件数量,简化驱动电路,减少MCU使用数、减少端口数。

    罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

  • 针对双向充电桩:面向三相B6-PFC电路拓扑的解决方案

    罗姆针对双向充电桩的三相B6-PFC拓扑的方案使用1200V 碳化硅MOS,它具有以下优点:

  • 受高温影响小

  • 高速恢复性能有助于可实现输入线圈、绝缘变压器的小型化

  • 抑制偏共振时的破坏风险

    20kW以下使用1200V开关元器件,例如高效率的碳化硅MOSFET “SCT3xxxKx(1200V/17-95A)”或标准IGBT “RGSxxTSX2”。在20kW以上的应用中,可以选择全碳化硅功率模块“BSMxxxD1xPxCxxx/Exxx/Gxxx(1200-1700V/80-600A/Half-Bridge)BSMxxxD1xPxCxxx/Exxx/Gxxx(1200-1700V/80-600A/Half-Bridge)”,实现双有源桥谐振变换器(绝缘双向DC-DC)。

罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

  • 针对充电桩二次电源系统的解决方案

    针对充电桩系统中的二次部分(控制器,驱动部分),罗姆也有非常多的产品可供选择,其中在电源方面,有电源树形式的提案,从HV-DCDC到DCDC或LDO。

罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

    罗姆推出了高耐压、大电流、内置MOSFET的降压型DC/DC转换器IC“BD9G500EFJ-LA”,既可实现小型高效,又确保即使受到雷电等突发性浪涌电压也不会损坏;同时以大电流支持更多的功能。

    新产品是非隔离型DC/DC转换器IC,采用BiCDMOS高耐压工艺,可提供先进工业设备所需的电源功能。适用于48V电源系统,具有超高的80V耐压,安全工作范围更宽,与同等输出电流的普通产品相比,耐压提高了约20%。其足够的余量可以应对突发性浪涌电压,有助于提高应用的可靠性。

    此外,还实现了耐压60V以上DC/DC转换器IC中超高的5A最大输出电流,有助于实现更多功能的小型化充电桩。另外,内置低损耗MOSFET可在2A至5A宽输出电流范围内实现高达85%的功率转换效率,更加节能。

罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

    助客户研发一臂之力

    在客户开发流程的各个阶段,罗姆提供全方位的应用支持,包括器件选型、电路设计、电路验证,到基板设计和实机验证。罗姆还特别针对客户在产品设计中比较花费工夫的3项技术提供重点支持:

    ·热设计支持

    通过包括印刷板在内的热模拟,可以在PCB发板之前验证热设计。如果发生热问题,可以通过实测和模拟提出改进建议。

    ·EMC(噪音)设计支持

    在构想、设计、试制阶段,由支持过众多客户、有丰富经验的工程师进行分析,支持客户解决EMC问题。

    ·仿真技术支持

    客户可以利用罗姆官网上的仿真工具ROHM Solution Simulator简单轻松地进行电路仿真和系统验证。在接近实际环境的解决方案电路中,同时验证碳化硅功率元器件和驱动IC,从而显著缩短应用开发周期。

    绿色,“充”向未来

    作为全球功率半导体特别是碳化硅技术创新的领导者之一,罗姆持续提供安全可靠的功率半导体解决方案,来满足各种场景电动汽车充电需求。未来,罗姆将积极推动技术创新,为构建绿色、智能、安全的充电生态提供更多安全可靠的充电解决方案,助力全面低碳社会的可持续发展。

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
罗姆丨“大容量电容器”已经风光不再?颠覆LDO常识的ROHM NanoCap™技术
  随着车载电子设备和工业设备的不断发展,电路板上电容器容量不足和安装空间紧张已成为亟待解决的严峻课题。但另一方面,在LDO(Low Dropout)稳压器的输出电容器选型时,为避免振荡等非常恶劣的情况发生,即便牺牲电路板空间和成本,也需要配置大容量电容器,这已成为业界惯例。然而,担心这种方法在未来是否依然可行的工程师应该不在少数。  对此,ROHM开发出适用LDO的新技术“NanoCap™”,可在将输出电容容量降至470nF(0.47µF)的同时实现稳定工作。这为工程师提供了一种降低振荡风险的同时削减电路板安装面积的设计方法。本文将为您介绍颠覆LDO设计常识的创新技术——NanoCap™。  ※NanoCap™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。  目录  1. 这种LDO设计,真的有那么好吗?  2. ROHM的设计理念:为何470“nF”的电容也不会振荡?  3. NanoCap™ LDO有何独特之处?  4. 设计人员的福音:摆脱电容的束缚  5. 有疑问不妨在“ROHM官方技术论坛”上讨论一下?  6. “真的不会振荡吗?”致心存疑虑的你  7. 设计,因思维而大不同  8. 产品介绍、详细信息、其他链接等  1.这种LDO设计,真的有那么好吗?  LDO是一种可在输入输出电位差较小状态下工作的线性稳压器,而“NanoCap™”则是一项通过内部电路控制其相位裕度的创新技术。  “担心发生振荡,姑且先装上偏大容量的电容器吧。”  在LDO设计中,您是否有过这样的“保险”经历?  为了使输出稳定,需要配置数µF〜数十µF的电容,为保险起见会选择更高一级的容量。若启动时出现异常行为,再进一步追加容量——这种方法本身并无不妥,多数电路借此便能稳定运行。  然而,这种稳定性也需要付出一些代价。  那就是电路板面积被挤压,元器件数量也不断增加,随之而来的是成本的持续攀升。  即便如此,振荡的风险也不能完全消除。  如今,在车载、工业设备及消费电子等众多领域的高密度安装趋势中,LDO的应用场景也在不断扩大。“因为担心发生振荡,姑且先装上大容量电容器再说”这种传统认知,今后是否仍能称之为更优解呢?  ROHM的NanoCap™技术,正是源于对这种“传统认知”的质疑而诞生的创新成果。  如果有一种LDO,即使采用容值非常小的电容器也能稳定运行,而且同时具备高速响应特性会怎么样呢?有了这样的产品,还要继续沿用传统做法采用大容量电容器吗?  2.ROHM的设计理念:为何470“nF”的电容也不会振荡?  LDO的输出电容器主要有两个作用。  一个是通过相位补偿实现稳定,另一个是在负载波动时提供电荷。  传统LDO将电容容量(及ESR)作为稳定性的核心考量要素。因此,降低容量会导致相位裕度不足,从而使电压波动增大,严重时甚至会引起振荡。  ROHM的NanoCap™ LDO设计理念,恰恰与之相反——  并不依赖电容,而是专注于在“控制电路层面”实现稳定性。  该技术并非依赖外部电容来获取相位裕度,而是通过优化LDO内部的补偿电路,实现了即使使用仅纳法(nF)级的小容量电容器,也能确保充分相位裕度的设计。  然而,若减少容量,在负载骤变时可供给的电荷量便会减少,从而导致电压大幅下降。  对此,ROHM在NanoCap™ LDO中融入了高速响应技术“QuiCur™”。这样,可以将频率特性发挥到更优,即使容量很小也能瞬时响应负载波动,从而成功维持了实用的电压精度。  ※“QuiCur™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  3.NanoCap™ LDO有何独特之处?  NanoCap™ LDO与传统LDO的本质区别在于“更小电容”这一前提。  常规LDO通常以2.2µF至10µF左右的容值规格为前提进行评估和设计,而NanoCap™ LDO仅需470nF(0.47μF)的输出电容即可。也就是说,即使将输出电容降至传统产品的1/5到1/20,在数百mA级的负载波动状态下,仍可将电压波动控制在数十mV至100mV范围内,实现了与传统产品同等的性能。  具体在哪些应用场景中采用NanoCap™ LDO,更能充分发挥其优势性能呢?  例如,车载摄像头模块、ADAS传感器等空间非常有限的车载应用,以及需要超小型封装的IoT设备和可穿戴设备等应用,都非常适合采用该产品。  如果应用于工业传感器网络,将有助于降低配置多个LDO时电路板的BOM成本,并减轻元器件管理负担。  ROHM针对车载设备、工业设备、通信基础设施等领域所使用的12V/24V级一次电源应用,已经开发出输出电流500mA的LDO稳压器IC“BD9xxN5系列”(共18款产品),并已投入实际应用。  本产品为输出电流150mA的“BD9xxN1系列”的电流扩展型号。其输出电流提高至500mA,是以往型号的3倍以上,适用于需要更大电流的应用,应用范围更广。  (产品详情:单通道输出 低饱和稳压器 (LDO) - 产品搜索结果 | 罗姆半导体集团- ROHM Semiconductor)  4.设计人员的福音:摆脱电容的束缚  不仅仅是容量减小,这个差异将给实际设计带来四大显著变化。  1. 减少电路板安装面积  若选用470nF(0.47μF)级的电容器,在0603尺寸中进行贴装也具备可行性。  越是大量使用LDO的电路板,这种空间节省对整体尺寸的影响就越大。  另外,即使常规的10μF级别LDO在市场上出现紧缺,只要拥有了470nF(0.47μF)这一选项,就能确保在不更改设计的前提下灵活应对。  2. BOM的精简优化  无需“为了以防万一而增加并联”。  由于可直接在建议条件下完成设计,因此能将元器件数量控制在更低限度。  另外,减少元器件数量有助于降低采购管理成本,从而有望带来经营层面的效益。  3. 提升布局灵活性  电容器的布局限制得以放宽,因此可以将资源分配给更需要优先考虑的布局事项,如热设计、噪声对策和更短布线等。另外,取消大电容器可以扩大电路板的铜箔走线面积,从而有望提升LDO自身的散热效率。  4. 加快设计决策  摆脱“为应对振荡而疲于调试”的困扰。  考量的维度得以简化,从而加快试制与评估的循环。  5.有疑问不妨在“ROHM官方技术论坛”上讨论一下?  “曾因启动时的振荡而耗时数日苦苦排查原因”  “应对负载波动的对策,最终演变成电容器的数量战”  对于许多拥有此类经历的工程师而言,NanoCap™ LDO作为“增加容量之外的解决方案”,必将成为设计过程中的一大利器。  不过,即便是这样的NanoCap™ LDO也并非是万能的。  这是一款与传统电容器的设计理念截然不同的产品,因此大家难免会有诸多顾虑,例如“在自己的设计环境中效果如何?”“采用时有哪些注意事项?”等。  为此,ROHM在免费的官方技术论坛“ROHM官方技术论坛”上,与各位工程师共享电源设计中的实际困扰与见解,跨越行业、业务领域及企业的壁垒,并推进各项举措以解决工程师所面临的难题。  “您的电路板上,电容器所占面积的百分比大约是多少?”“是否出现过470nF(0.47μF)电容器实际上不够用的情况?”诸如此类仅靠企业内部难以收集到的与小型化相关的信息,以及实际试用过“NanoCap™”的工程师的反馈与建议,乃至其他各种问题和疑惑,ROHM工程师也会一起参与其中展开讨论。  例如,不妨试着浏览一下ROHM官方技术论坛中的社区小组“DCDC转换器的PCB Layout指南(仅限会员)”。从电源设计的基本理念到基于具体产品的疑问,以及ROHM技术人员对此的解答和各位工程师的真知灼见,您一定能找到有助于提升技术开发能力和解决疑难问题的信息。  欢迎随时浏览,更期待您加入小组,分享您的经验和见解。  小组:DCDC转换器的PCB Layout设计指南  6.“真的不会产生振荡吗?”致心存疑虑的你  “道理明白了,但还是想在实机设备上验证一下。”作为工程师,这么想是理所当然的。  NanoCap™的详细特性数据和评估波形,已在ROHM官网上公开。  另外,对于“希望在实机运行前先进行测试”的工程师,推荐使用ROHM Solution Simulator,该工具可在浏览器上对NanoCap™ LDO的瞬态响应和稳定性进行仿真。同时ROHM还提供SPICE模型,有助于降低客户的试制成本,并使元器件用量的优化调整过程更加顺畅。  针对车载设备、工业设备和通信基础设施等领域所使用的12V/24V级一次电源应用,输出电流500mA的LDO稳压器IC“BD9xxN5系列”(共18款产品)正获得越来越多工程师的青睐,该系列是输出电流150mA的“BD9xxN1系列”的电流扩展型号。  该产品的输出电流提高至500mA,是以往型号的3倍以上,非常适用于需要更大电流的应用。详情请点击以下链接:  单通道输出 低饱和稳压器 (LDO) - 产品搜索结果 | 罗姆半导体集团 - ROHM Semiconductor  7.设计,因思维而大不同  电源的不稳定性是从根本上动摇整个系统可靠性的重大课题。  是依靠“堆叠电容器”来实现稳定,还是通过“控制”来创造稳定,拥有更多的选择,理应成为设计人员的优势。  不妨在您的下一次设计中,尝试加入“NanoCap™”这个新选项吧?
2026-08-12 13:54 阅读量:539
报名有礼!8月27日罗姆邀您线上逛展
  全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布将于8月26日~28日参展深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(简称PCIM Asia Shenzhen)。作为电力电子领域技术创新与发展的专业平台,该展会聚焦工业、智能运动及电动汽车等核心应用场景,集中展示前沿解决方案。  展会期间,罗姆将同步举办展位直播,为未能到场的朋友们带来方便的看展通道。资深工程师将为您详细讲解参展产品,更有精美礼品等您领取。扫描下方二维码报名直播,干货礼品享不停!  直播时间:2026年8月27日 10:00  展位概览  AI服务器展区  针对市场快速增长的AI服务器和数据中心领域,将展出以搭载EcoGaN™电源解决方案为首、适合新一代HVDC电源架构的功率器件。此外,还将介绍面向热插拔控制器的Wide-SOA MOSFET以及MPC/SPS解决方案等各类产品。  车载展区  除用于xEV驱动逆变器和OBC等的SiC器件、IGBT及功率MOSFET外,还将演示搭载罗姆PMIC的车载SoC。同时,还将介绍面向ADAS和驾驶舱等车载应用的产品,助力整车系统实现小型化和高效化。  工业设备展区  将展出采用DOT-247-7L封装的小型SiC模块、采用TOLL封装及顶面散热封装的SiC MOSFET,以及搭载EcoGaN™ Power Stage IC的电源解决方案。此外,还将展出隔离式开关驱动器和分流电阻器等产品,助力太阳能光伏逆变器、ESS(能源存储系统)等工业设备的创新,并推动能源设备的节能。  应用案例展区  将通过客户应用案例和合作项目,展示功率模块、分立器件及电源解决方案的应用实例。同时,将介绍罗姆产品在电动空调压缩机、主动悬架、主驱动逆变器、工业用振动传感器、商用空调、650V GaN电源等广泛领域的应用。  EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  更多信息请访问 www.rohm.com.cn/pcim  注意事项  1. 请注意,想获得以上好礼都需要关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号:rohmsemi)。  2. 每位用户仅可领取一种奖品,报名信息须真实有效。  3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
2026-08-12 13:32 阅读量:461
罗姆即将亮相2026深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会
  中国上海,2026年8月6日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,将于8月26日~28日参展深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(简称PCIM Asia Shenzhen)。作为电力电子领域技术创新与发展的专业平台,该展会聚焦工业、智能运动及电动汽车等核心应用场景,集中展示前沿解决方案。  在本次展会上,罗姆将围绕“AI服务器”、“车载”、“工业设备”和“应用案例”四大主题设置展区,集中展示其在功率半导体领域的最新技术和系统级解决方案。与此同时,展位内另设技术演讲区,围绕“AI服务器”、“汽车电子”等热点主题举办现场演讲。诚邀莅临现场,近距离体验罗姆先进的功率半导体技术!  此外,罗姆工程师还将在大会同期举办的“AI电源应用”和“碳化硅应用”两场主题论坛上发表演讲,分享罗姆在功率半导体领域的最新成果,进一步展现其在电力电子技术创新与产业化应用方面的实力。  【展位概览】● AI服务器展区  针对市场快速增长的AI服务器和数据中心领域,将展出以搭载EcoGaN™电源解决方案为首、适合新一代HVDC电源架构的功率器件。此外,还将介绍面向热插拔控制器的Wide-SOA MOSFET以及MPC/SPS解决方案等各类产品。  ● 车载展区  除用于xEV驱动逆变器和OBC等的SiC器件、IGBT及功率MOSFET外,还将演示搭载罗姆PMIC的车载SoC。同时,还将介绍面向ADAS和驾驶舱等车载应用的产品,助力整车系统实现小型化和高效化。  ● 工业设备展区  将展出采用DOT-247-7L封装的小型SiC模块、采用TOLL封装及顶面散热封装的SiC MOSFET,以及搭载EcoGaN™ Power Stage IC的电源解决方案。此外,还将展出隔离式开关驱动器和分流电阻器等产品,助力太阳能光伏逆变器、ESS(能源存储系统)等工业设备的创新,并推动能源设备的节能。  ● 应用案例展区  将通过客户应用案例和合作项目,展示功率模块、分立器件及电源解决方案的应用实例。同时,将介绍罗姆产品在电动空调压缩机、主动悬架、主驱动逆变器、工业用振动传感器、商用空调、650V GaN电源等广泛领域的应用。  EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  【展会信息】时间:2026年8月26日(周三)~28日(周五)09:30-17:00 (28日下午16:00结束)  会场:深圳国际会展中心(宝安新馆)  展位号:16号馆D12  地址:深圳市宝安区福海街道展城路1号  更多信息请访问:www.rohm.com.cn/pcim
2026-08-06 14:13 阅读量:542
交期拉长、涨价在即,熊本地震再添变数!AMEYA360开启罗姆“预购锁定产能”专项通道
  据新华社消息,当地时间7月28日16时27分(北京时间15时27分)许,日本熊本县发生7.1级地震,辖区内观测到最大震度7(日本震度分级最高等级)。日本气象厅对震中附近海域沿岸发布海啸预警,预计最大浪高可达1米。随后余震不断,日本气象厅警告未来2至3天内仍可能发生同等规模强震。  这场地震,直接震在了全球半导体供应链的关键节点上。  01熊本——“硅岛”心脏,半导体企业密集  熊本县所在的九州地区素有日本“硅岛”之称,半导体产值占日本全国比重超过五成。从2021年到2024年6月,九州共有100个半导体相关投资项目,熊本一县独占52个。熊本已构建起覆盖晶圆制造、设备、材料及零部件的完整产业链。  核心企业包括:台积电熊本合资厂(JASM,月产5.5万片12英寸晶圆,主打28至12纳米车规芯片)、索尼半导体制造SCK(全球图像传感器主要基地)、瑞萨电子(车规MCU)、三菱电机(车规IGBT及8英寸SiC功率器件)以及东京电子(全球第二大前道设备商)等。  02强震突袭,核心工厂紧急停工  地震发生后,多家半导体巨头紧急启动应急机制:  台积电:熊本工厂因震度达“5强”触发疏散标准,员工疏散至室外,产线停工、复产时间未知;在建第二工厂部分暂停施工。  瑞萨电子:熊本市川尻工厂和锦町锦工厂两处工厂已暂停生产,确认天花板面板掉落、漏水等损害。  三菱电机:功率半导体基地——车规IGBT和8英寸SiC产线——正在评估重启生产所需校准时长。  东京电子:熊本县内两家工厂7月29日全天停工,开展系统性安全与设备检测。  索尼:CMOS传感器工厂紧急疏散,暂未爆出结构性损坏。  此外,堀场制作所阿苏工厂停止运转,凸版控股暂停封装工厂运营,物流方面九州新干线停运、熊本机场航班暂停——区域物流的短暂中断可能对半导体材料运输产生连锁反应。  03交期本已拉长,地震雪上加霜  实际上,在地震发生之前,全球半导体供应就已经持续趋紧。  投资机构Susquehanna数据显示,6月全球半导体行业交货时间创下本轮周期以来最大单月增幅,环比增加5天至19.4周;行业定价6月出现“最大单月涨幅”,环比扩大5%。功率分立器件领域依然紧张,功率集成电路和MOSFET交期上涨超过10天。罗姆半导体(ROHM)、瑞萨电子等企业交期大幅增加。  功率器件方面,罗姆半导体、英飞凌、安森美等自2026年3至4月已启动首轮调价,幅度在10%上下。薄膜电阻交期已拉长至26至32周。  地震的突发,无疑是在本就紧绷的供需关系上又加了一把力。即便按行业测算检修周期为3至7天,但半导体设备对震动极度敏感,光刻机、涂胶显影设备等精密仪器在强震下极易触发自动安全联锁,即便设备未受物理损坏,纳米级的重新校准和洁净室复检也需要漫长周期。2016年熊本地震的经验是,供给缺口2到4周就会传导到整车端。  04LED、IGBT、MOSFET——供应风险正在积聚  综合来看,以下品类的供应风险正在快速上升:  LED:熊本产业链中断叠加整体交期拉长,后续缺货风险显著;  IGBT:三菱电机功率半导体基地停工评估,车规IGBT供给首当其冲;  MOSFET:功率集成电路和MOSFET交期本已上涨超10天,地震冲击将进一步加剧供需矛盾。  05罗姆半导体——功率器件领域的可靠之选  在全球功率半导体供应持续趋紧的背景下,罗姆半导体(ROHM) 作为行业领军企业,值得客户重点关注和提前布局:  产品布局全面,覆盖关键赛道。 罗姆不仅提供以Si、SiC为材料的功率元件,还将GaN元件投入量产。其“Power Eco Family”品牌概念涵盖EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™四大产品群,全面覆盖IGBT、MOSFET、SiC功率器件等当前最紧缺的品类。罗姆是业内首家量产SiC功率元器件的公司,在SiC功率器件和模块开发方面处于领先地位。此外,罗姆在电阻业务方面绑定SiC/GaN功率器件协同配套,车规级AECQ200金属板合金电阻主攻BMS、主驱电控、ADAS等关键应用。  产能持续扩张,保障长期供应。 罗姆在九州福冈县筑后工厂扩大SiC生产,计划引入8寸晶圆产线,并投资2892亿日元在宫崎市建设第二工厂,预计2029年产能将大幅超越现有基地。同时,罗姆加强GaN功率器件供应能力,融合台积电工艺技术在集团内部建立一体化生产体系。在熊本地区(大津町),罗姆还拥有车规封装产线。这些扩产举措为客户的长期供应提供了坚实保障。  交期压力之下,早下单就是早锁定。 当前罗姆等功率半导体大厂的高压MOSFET、IGBT、SiC与GaN等高阶功率元件,正迎来新一轮结构性供需失衡,部分产品交期已拉长至半年甚至一年以上。罗姆已启动首轮调价。在此背景下,提前下单罗姆产品,就是提前锁定产能、锁定价格、锁定交付。
2026-07-30 13:02 阅读量:932
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
型号 品牌 抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码