美光与英特尔将于2019年分手:再见亦是朋友-Ameya360 electronic components purchasing network

美光与英特尔将于2019年分手:再见亦是朋友

Release time：2018-01-10

author：

source：网络整理

reading：2269

英特尔和美光宣布双方未来将独立开发3D NAND技术。日前，Intel宣布和美光的闪存合作即将发生关键性变化，双方的合作会一直持续到2019年初，这个项目完成之后Intel和美光将会正式分道扬镳。

英特尔日前在官网宣布，与美光的闪存合作即将发生关键性变化，具体内容则是双方将会在2018年继续研究第三代3D NAND的研发与生产，并且将持续到2019年年初，在此之后双方将不再合作。

目前，英特尔和美光正在进行第二代64层3D闪存的增产工作，所以近期内不会出现太多的合作变动。

两家公司已经同意在这一技术节点之后，双方将独立开发3D NAND，以便更好地为各自的业务需求优化技术和产品。

Intel强调，这次“分手”是双方同意的，独立之后二者将能抽出更多精力优化自身产品并提供更好的服务给客户，分开之后不会对路线图和技术节点造成影响。

“英特尔和美光科技建立了成功的长期合作关系，令双方受益匪浅。现在，NAND开发合作关系已经发展到了适当阶段，是时候让两家公司致力于各自专注的市场。”英特尔非易失性存储解决方案部门高级副总裁兼总经理Rob Crooke说，“我们的3D NAND和Optane技术路线图为客户应对当下的众多计算和存储需求提供了强大的解决方案。”

“美光与英特尔的合作由来已久，我们期待在未来各自进行NAND开发的同时继续就其他项目与英特尔合作。”美光科技技术开发执行副总裁Scott DeBoer说，“我们3D NAND技术的开发路线图非常稳固，计划在我们业界领先的3D NAND技术基础上，将极具竞争力的产品推向市场。”

Intel和镁光的合作可以追溯到2005年。当时双方成立了合资企业IM Flash Technologies（IMFT），孕育的首批产品是72nm NAND。2012年，Intel把多数IMFT工厂的股份卖给了美光，只保留Lehi这一个据点。

此后，双方就开始各自兴建自己的生产线，开始生产一些自家品牌的存储产品。美光独自建立Fab工厂生产NAND Flash，并提供NAND Flash给英特尔，研发工作仍然是两家聚集在Lehi工厂共同进行。

另外，英特尔和美光两家公司将继续共同运营犹他州的Lehi工厂，该工厂主要是负责3D XPoint的研发与生产，所以即使双方停止了3D NAND的合作，也不会影响3D XPoint技术的发展和制造。

据AnandTech分析，Intel和美光的市场属性不同，Intel只愿意将美光提供的闪存给自己的SSD用，而美光则急于参与全球竞争，想把闪存卖给更多客户，尤其是手机厂商，这或许是“分手”的主要原因。

AnandTech猜测，也可能是NAND堆叠层数破百之后，需要调整String Stacking的堆叠方式，两家公司对此看法不同，因而分手。

另一个可能是，目前3D NAND的生产主流是电荷储存式（Charge trap），三星电子等都采用此一方式，英特尔／美光是唯一采用浮闸（floating gate）架构的业者。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构，但是此举等于坦承失败，代表从2D NAND转换成3D NAND后，续用浮闸是错误决定，因而闹翻。

对普通消费者来说，这次“分手”具有很多积极的意义。内存市场今后产品更拓宽，新的技术也应该会更快推出，多头竞争应使内存的价格更趋于合理。

（"Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal."）

行业新闻

美光丨重新定义大规模数据中心存储

　　数据中心正处于一个转折点。AI 管道、分析平台和对象存储环境的增长速度已经超出了电力、散热和物理空间预算所能承受的范围。对于许多运营商而言，制约因素已不再是原始算力，而是在艾字节 (EB) 规模下，高效存储、移动及访问海量数据集的能力。　　正因如此，美光现已正式出货 245TB Micron® 6600 ION NVMe™ 企业级 SSD，这是目前业界容量最大的企业级数据中心 SSD1，单块硬盘即可提供近四分之一拍字节 (PB) 的可用存储空间。　　更重要的是，6600 ION 245TB 不仅仅提升了容量。美光的工作负载工程团队已在真实的 AI 和对象存储工作负载中验证了其作用，展示了超大容量 SSD 与基于 HDD 的架构相比，如何从根本上改变数据中心的经济效益。　　为什么 245TB 会改变存储格局　　传统的横向扩展存储一直依赖于增加硬盘、服务器和机架的数量。然而，仅靠原始容量是不够的;架构必须跟上需求。在 AI 驱动的数据增长压力下，这种模式正走向崩溃。随着数据中心向 AI 领域扩张，运营商必须从总拥有成本 (TCO) 的视角，在机架级及艾字节级的部署规模中，综合考量空间、电力、基础设施、性能及容量的经济性。　　凭借 245.76TB 的可用容量，美光 6600 ION 245TB SSD 能够：　　大幅提升机架密度，在 E3.L 配置下，每机架容量可达 176.9PB，而使用大容量 HDD 的方案仅为 31.7PB2　　以更少的驱动器和更精简的基础设施，即可达成艾字节级的部署目标　　简化运维流程，大幅减少了部署、监控及后续更换所需的器件数量　　在 1EB 级部署中，基于 HDD 的架构所需的机架数量可能达到 245TB SSD 方案的近六倍2，这意味着在还没考虑性能差异之前，HDD 方案就已经大幅推高了机房空间、配电及散热成本。　　仅靠大容量是不够的。AI 和分析工作负载需要快速摄取数据、低延迟响应，以及高效访问海量数据集。　　美光 6600 ION 245TB 基于美光 G9 QLC NAND 打造，提供一套专为企业级应用设计的 QLC NVMe SSD 架构，从控制器、NAND、DRAM、固件，到生产制造与供应链物流，全链路均由美光掌控并进行深度优化。　　与 HDD 相比，其主要架构优势包括：　　PCIe® 5.0 NVMe 性能，支持大规模快速顺序和随机访问　　六平面 QLC NAND 架构，增强内部并行处理能力，带来更高吞吐量　　然而，单凭架构本身不足以说明全部，这正是美光工作负载测试的价值所在。　　工作负载测试揭示的结果　　美光的工作负载工程团队在美光实验室中使用与生产环境相关的真实工作负载，将 245TB 美光 6600 ION SSD 与容量相当的 HDD 配置进行了对比测试。　　针对 AI 数据管道工作负载(包括数据摄取、预处理以及存储与计算单元之间的数据移动)，我们的测试显示，单块 245TB 6600 ION SSD 实现了：　　AI 处理能效提升高达 84 倍(存储层级)　　AI 预处理吞吐量 (MB/s) 提升 8.6 倍　　数据摄取吞吐量提升 3.4 倍　　延迟仅为对比配置的 1/293　　这些性能增益可直接转化为更快的洞察获取速度。特别是在 AI 数据湖以及数据提取、转换与加载 (ETL) 任务密集的环境中，存储系统往往是制约效率的瓶颈，而这款 SSD 可有效解决此问题。　　对于支持 AI、分析及大规模数据服务的对象存储平台而言，延迟与吞吐量的一致性至关重要。　　在采用 MinIO 对象存储工作负载时，我们的测试表明，美光 6600 ION 245TB 实现了：　　能效提升高达 435 倍　　首字节时间缩减至 1/96　　每瓦吞吐量提升 56 倍4　　这些结果凸显了一个关键转变：对象存储的性能不再仅仅受限于网络或软件栈——底层存储介质的架构正从根本上塑造着用户体验与基础设施效率。　　艾字节级规模下的电力、散热与可持续性　　在现代数据中心中，能效已不再是可有可无的选择。在扩展存储规模时，电力供应和散热能力往往是运营商首先面临的限制因素。　　美光 6600 ION 245TB SSD 的最大功耗约 30W，同时实现每瓦 8.2TB 的存储量，而大容量 HDD 每瓦仅约 4.4TB，这充分说明了该 PCIe® 5.0 SSD 架构在规模化应用中的能效优势。5　　在艾字节级规模下，美光的工作负载工程分析表明，在提供相同可用容量的情况下，基于 HDD 的部署产生的总能耗几乎是基于 SSD 架构的两倍。这不仅可以降低驱动器能耗，还能：　　减少散热需求　　提升电源使用效率 (PUE)　　在整个部署周期内降低运营成本和减少碳足迹　　在现代 AI 与云环境中，决定可扩展性的不再是单盘成本，而是机架级效率。通过大幅提升单机架容量并降低功耗与架构复杂度，美光 6600 ION 245TB 助力运营商在既有的物理空间与电力限制下，实现数据规模的高效扩展。　　美光 6600 ION 245TB SSD 现已正式上市，提供 E3.L 和 U.2 NVMe 两种外形规格，专为超大规模、云端及企业级部署而设计，无需扩大数据中心占地面积即可实现高效扩展。　　随着 AI 数据集的持续增长，存储架构也必须随之演进。凭借 245TB 的美光 6600 ION SSD，美光正助力数据中心从渐进式扩展迈向更高效的未来，以应对艾字节级的存储挑战。　　容量更大，架构更简，在规模化应用中实现更优的每瓦性能。　　1 SSD 和 NAND 的对比基于截至 2026 年 2 月按收入排名前五的 OEM 数据中心 SSD 厂商的数据，数据来源于 Forward Insights 分析报告《2026 年第一季度 SSD 供应商状况》(SSD Supplier Status Q1/26)。　　2 机架空间占用量减少的计算方式如下：对于单个 36U 机架，部署 SSD 时的总容量为 720 × 245.76TB = 176.9PB;部署 HDD 时的总容量为 720 × 44TB = 31.7PB，均为理论上的最大值。两者相比，HDD 所需的机架空间是 SSD 的 5.6 倍。　　3 美光实验室测试表明，在处理 AI 数据的提取、转换与加载 (ETL) 任务时，6600 ION NVMe SSD 的吞吐量始终高于 HDD，同时展现出更低的延迟、更优的能效以及更出色的可扩展并发能力。此次测试使用单块 6600 ION 245TB SSD 对比由同一 HDD 制造商提供的 16 块 16TB 数据中心级 HDD 组成的阵列。　　4 基于美光实验室的测试，该测试使用 Warp S3 基准测试工具对 MinIO 对象存储工作负载进行测试，数据对象大小为 4MB，并将单块美光 6600 ION 245TB SSD 与由同一 HDD 制造商提供的 16 块 16TB 数据中心级 HDD 组成的 RAID-0/JBOD 阵列进行结果对比。　　5 美光 6600 ION 245TB SSD 的峰值功耗为 30W，每块 44TB HDD 的峰值功耗为 10W。能耗节省量的计算方式为：两种驱动器均以最大功率持续运行一年所产生的能耗差值。44TB HDD 的功耗数据暂不可用，比较结果基于 36TB/32TB HDD 的峰值功耗。来源：希捷 HDD 硬盘。

2026-06-12 09:14 reading：470

model	brand	Quote
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

model

brand

Quote

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

Texas Instruments

ROHM Semiconductor

onsemi

model	brand	To snap up
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

model

brand

To snap up

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

STMicroelectronics

ROHM Semiconductor