华润微电子SiC二极管量产!覆盖充电桩、通信、服务器电源等热门领域

Release time:2020-07-22
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source:电子发烧友
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近日,华润微电子正式发布1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管系列产品,并实现量产。其碳化硅二极管将主打充电桩、太阳能UPS、通信和服务器电源等应用。该产品的多项关键参数均可与国际一线品牌对标,并且依托华润微自有产线,供应自主可控。

聚焦功率半导体

华润微电子是中国本土规模最大、产品系列最为齐全的硅功率器件研发和生产企业。拥有1100余种分立器件产品。根据2018年销售收入排名,华润微电子目前在中国本土半导体企业排名第十,也是前十名当中唯一一家以IDM模式为主经营的企业。华润微电子2019年在中国MOSFET市场占有率仅次于英飞凌和安森美,排名第三,也是前六家企业中唯一一家中国企业。

近年来华润微电子战略聚焦于功率半导体和智能传感器的产品和方案。华润微电子有限公司功率器件事业群总经理李虹介绍,华润微电子的功率半导体聚焦于三电应用,即电源、电池和电机,面向消费电子、工业控制、绿色能源、汽车电子等多种应用领域。

华润微电子SiC二极管量产!覆盖充电桩、通信、服务器电源等热门领域

华润微电子有限公司常务副董事长陈南翔

从区域布局看,华润微电子在长江+珠海两江区域布局,在无锡、上海、重庆,以及未来在大湾区、海外实现全面布局。产业链从设计、晶圆制造、封装、掩膜制造和模块设计等实现全方位覆盖。华润微电子拥有3条6寸生产线,年产能超过247万片,2条8寸生产线,年产能超过133万片。年封装能力达62亿颗。
 
在发布会现场,华润微电子有限公司常务副董事长陈南翔表示,华润微电子在朝着做大做强的道路上,既是国内最大的功率器件企业,也要在细分领域开拓创新。此次碳化硅二极管的发布,就是做强产品,深入应用的有力行动。

华润微SiC二极管四大优势

SiC、GaN为代表的第三代化合物半导体正成为功率器件的未来发展方向,SiC应用于高压、高频、大功率领域优势明显,GaN是超高频器件的极佳选择,用于5G通信、微波射频等领域。预计2022年SiC市场规模将达到4.5亿美元。在新基建中,SiC是5G、充电桩和数据中心的核心器件,在特高压和轨道交通也有大量SiC的机会。
 
多年前华润微电子着手布局宽禁带半导体器件,在产品研发过程中利用产业链完整优势和在硅功率器件领域积累的丰富经验,同时与浙江大学深度合作,使其前期研究成果在公司成功实现产业化。


华润微电子功率器件事业群市场部经理邓旻熙表示,已经完成研发并实现量产的1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管系列产品性能卓越,主要关键器件参数,如导通电压(VF),反向恢复电荷 (Qrr) 和 抗浪涌能力(IFSM)均与国际一线品牌对标,在系统应用中拥有与竞争对手一致的性能,可以满足市场上用户的需求。

 华润微电子SiC二极管量产!覆盖充电桩、通信、服务器电源等热门领域

华润微电子SiC二极管量产!覆盖充电桩、通信、服务器电源等热门领域

华润微电子的SiC二极管具有四个独特价值。性能卓越、高可靠性、系列化产品和供应安全。
 
性能方面,产品规格对标国际一线品牌,系统性能与国际一线品牌同一水准。
 
高可靠性方面,抗浪涌能力强,属于工业级产品。
 
系列化产品方面,提供650伏系列4-50A,封装TO 220/TO252;1200V系列2-
40A,封装TO220/TO247/TO252。即将量产的封装形式还有TO263-2L,TO220F-2L,DFN8*8和TO247-4L。


供应安全方面,华润微电子拥有国内首条量产自有6寸SiC生产线,以及自有封装线。6寸线月产能超过1000片WAFER,并且拥有国内最大的6寸Si功率器件产线,可转成SiC产线。
 
1200V SiC二极管主要应用在充电桩、太阳能、UPS和车载充电器领域,650V SiC二极管主要应用于服务器电源和通信电源等领域,带来高可靠性、高耐压和高功率密度的卓越性能。

不断丰富的产品线

据介绍,华润微电子已经开始设计第二代SiC二极管产品,不断优化性能。另外SiC MOSFET 1200V和650V的产品也将在明年量产。在SiC产品的研发和量产取得进展的同时,氮化镓研发也在进行。据透露,华润微的氮化镓生产线已经建成,650V功率器件接近量产。
 
作为功率器件IDM龙头厂商,华润微电子在第三代半导体的产品研发上厚积薄发,随着其SiC二极管的入市将形成新的增长动力。


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二极管和三极管的工作原理是什么
  二极管通过PN结的单向导电特性实现电流控制,主要用于整流和保护电路;三极管通过基极电流控制集电极电流,实现信号放大和开关功能。在现代电子技术中起着至关重要的作用,下面就简单了解一下它们的工作原理吧!  二极管的工作原理  1. 二极管的结构  二极管通常由一块P型半导体和一块N型半导体通过接合形成PN结。P型半导体中多数载流子为空穴,N型半导体中多数载流子为电子。PN结在其接触面形成一个耗尽层,耗尽层两边带有固定的电荷(负离子和正离子)产生电场。  2. 二极管的基本工作原理  正向偏置时,当外加电压使得P区连接正极,N区连接负极时,外加电压会减少PN结的势垒电压,电子和空穴可以跨越耗尽层,在PN结处形成电流,二极管导通。  反向偏置时,当P区连接负极,N区连接正极时,外加电压加大了PN结的势垒电压,使得耗尽层加宽,几乎没有载流子能通过,电流极小,二极管基本不导通。  因此,二极管是典型的单向导电元件,能实现电流的整流和单向控制。  三极管的工作原理  1. 三极管的结构  三极管(晶体管)是由两个PN结组成的半导体器件,主要有两种类型:NPN型和PNP型。三极管有三个电极,分别是发射极(E)、基极(B)和集电极(C)。发射极区域掺杂浓度高,基极掺杂浓度低而且非常薄。  2. 三极管的基本工作原理  三极管的工作原理基于对基极-发射极结和集电极-基极结的不同偏置状态:  基极-发射极结正向偏置,允许电子(或空穴)从发射极进入基区。  集电极-基极结反向偏置,在外加电压作用下,电子(对NPN型)被强力抽取到集电极形成电流。  发射极注入到基极的载流子大部分不会与基极中的载流子复合,因为基极非常薄且掺杂浓度低,绝大多数载流子直接到达集电极,因此小的基极电流可以控制较大的集电极电流,实现电流放大。  3. 三极管的应用  三极管可以作为开关使用,也可以作为放大器用来放大信号,是构成各种模拟电路和数字电路的核心元件。
2026-07-17 09:40 reading:228
二极管的导通方向与电流方向分析
  二极管作为半导体电子器件中的重要基础元件,广泛应用于整流、电压稳压、信号调制等电路中。它主要是由一个PN结构成,PN结形成一个内建电场,使得电子和空穴在结区形成势垒,阻止自由载流子通过。二极管具有单向导电性,允许电流在一个方向流动而阻止反方向电流的流动。  PN结:P区富含空穴,N区富含电子。  势垒区域:PN结形成的电势势垒,防止载流子自由通过。  二极管的导通条件与方向  1. 正向偏置  当P区接正极,N区接负极时,称为正向偏置:  外加电压克服PN结势垒电压(约0.7V为硅二极管,约0.3V为锗二极管)。  势垒电压降低,载流子能越过结区,形成电流。  二极管导通  2. 反向偏置  当P区接负极,N区接正极时,称为反向偏置:  外加电压加大结区势垒。  载流子难以跨越PN结,电流极小(漏电流)。  二极管截止。  二极管的导通方向  二极管的导通方向即它的正向方向,通常由二极管的结构和标记表示:  正极(阳极,Anode):接P区一侧。  负极(阴极,Cathode):接N区一侧,通常二极管管体上有一条标线表示阴极端。  二极管允许电流从阳极流向阴极,故导通方向为阳极→阴极。  电流方向分析  在电子学中,电流定义为正电荷的流动方向(即正电流方向),在二极管中:  正向导通时,正电流从二极管的阳极流入,经过二极管,流出阴极。  电子流方向与电流方向相反,电子由阴极流向阳极。  简言之,二极管的电流方向与导通方向相同,均为阳极到阴极。  具体电路中的应用示意  以直流电源和二极管串联电路为例:  连接正确(阳极接电源正极、阴极接负极),二极管导通,电流从正极流向负极。  连接反向(阴极接电源正极、阳极接负极),二极管截止,电流几乎不流动。
2026-07-08 09:41 reading:290
一文详解如何根据电路需求选择合适的齐纳二极管
  齐纳二极管(Zener Diode)是一种特殊设计的二极管,其击穿电压固定,逆向工作时能够稳定维持该电压。本文将探讨如何根据电路需求选择合适的齐纳二极管,包括击穿电压、功率处理能力和稳定性等方面。  1. 齐纳二极管概述  1.1 定义  齐纳二极管是一种专用于稳压应用的二极管。在达到特定击穿电压后,它会维持一个几乎恒定的反向电压。  1.2 特性  稳定性:提供恒定的反向击穿电压。  电阻特性:在击穿电压下,可提供较低的内部电阻。  2. 如何选择合适的齐纳二极管  2.1 确定击穿电压  根据电路需求:首先需要确定所需的稳定反向电压值,以选择具有相应参数的齐纳二极管。  2.2 功率处理能力  功率评估:考虑电路中可能发生的功率波动,选择具有足够功率处理能力的齐纳二极管以保证正常运行。  2.3 稳定性和温度特性  稳定性要求:根据电路环境和应用需求,选取具有良好稳定性和温度特性的齐纳二极管。  3. 齐纳二极管的应用领域  3.1 稳压电路  电源稳压:用于提供恒定的输出电压。  模拟信号处理:在模拟电路中用于提供参考电压。  3.2 过压保护  电路保护:在过压情况下提供短路路径以保护其他元件。  4. 不同类型的齐纳二极管  4.1 常见型号  5%公差齐纳二极管:精度较低,通常用于一般的稳压应用。  1%公差齐纳二极管:精度较高,适用于对稳定性要求较高的应用。  选择合适的齐纳二极管至关重要,它直接影响到电路的稳定性和性能。通过了解击穿电压、功率处理能力和稳定性等关键参数,并结合实际电路需求进行选择,可以确保电路正常运行并提供所需的功能。
2026-02-26 16:05 reading:928
肖特基二极管和齐纳二极管的区别
  二极管作为电子电路中常见的元器件,有多种类型,常见的包括肖特基二极管和齐纳二极管。它们虽然同属二极管,但结构、工作原理及应用有显著差异。  一、基本定义与结构差异  肖特基二极管  肖特基二极管是一种金属-半导体结二极管,由金属(如铂、铬等)与N型半导体直接接触形成。因为没有PN结,肖特基二极管具有较低的正向压降和快速开关速度。  齐纳二极管  齐纳二极管是通过掺杂形成特殊的PN结二极管,设计用于反向击穿电压精确稳定的工作状态。其主要功能是利用齐纳击穿效应或者雪崩击穿效应实现稳压。  二、工作原理差异  肖特基二极管  肖特基二极管的导电是基于金属和半导体交界处的势垒高度变化,正向导通时压降小(一般约0.2~0.3V),反向截止性能好,响应速度极快。  齐纳二极管  齐纳二极管在正常正向工作时与普通二极管类似,但工作重点在于反向击穿区。当反向电压达到齐纳击穿电压(通常5~200V)时,二极管开始导通,保持稳定电压,用于稳压、电压参考等。  三、应用领域  肖特基二极管应用  开关电源与整流电路,减少损耗,提高效率。  高频电路中的快速整流。  低压降二极管保护电路。  齐纳二极管应用  稳压电路,提供稳定基准电压。  过压保护,防止电路损坏。  电压钳制和浪涌抑制。  总结来说,肖特基二极管以低正向压降和快速响应为特点,适合高频和低电压场合。齐纳二极管则专注于稳压和保护功能,通过精准的击穿电压维持电路稳定。肖特基二极管和齐纳二极管虽同为二极管,但针对不同的电路需求和工作环境设计。
2025-10-22 16:16 reading:1143
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