类比半导体荣膺“2024汽车芯片优秀供应商”大奖

发布时间：2024-05-13 14:09
作者：AMEYA360
来源：类比半导体
阅读量：785

　　在刚刚闭幕的2024北京国际汽车展览会上，类比半导体凭借其在汽车芯片领域的卓越贡献与创新成就，从众多竞争对手中脱颖而出，荣获由中国电子报权威颁发的“2024汽车芯片优秀供应商”大奖，成为仅两家获此殊荣的企业之一。

类比半导体荣膺“2024汽车芯片优秀供应商”大奖

　　这一荣誉不仅是对类比半导体技术创新力的高度认可，更是“中国芯”崛起于全球汽车半导体舞台的有力证明。

　　“汽车芯片编辑选择奖”作为中国电子报在北京车展期间设立的专业评选活动，旨在表彰在汽车芯片设计、技术创新、市场应用等方面表现突出的企业，为行业树立标杆。该奖项的评选过程严格，结合了企业自荐与编辑推荐，通过多维度综合评审，包括但不限于技术领先性、产品创新点、市场竞争力等关键指标，确保了获奖者的行业地位和实际贡献。

　　今年，该奖项尤为引人注目，因为汽车芯片已成为推动汽车产业转型升级的核心要素。在全球范围内，随着汽车电子化、智能化的加速发展，汽车芯片的需求量激增，对供应商的综合实力提出了前所未有的挑战。在此背景下，“汽车芯片优秀供应商”奖项的获得，不仅代表了获奖企业在技术创新、产品质量、市场占有率等方面的卓越表现，也意味着类比半导体自主研发的高性能、高可靠的汽车芯片在复杂多变的供应链环境中具备了强大的适应性和影响力。

　　自2018年成立以来，类比半导体迅速成长为模拟及数模混合芯片领域的佼佼者，其研发及技术支持中心遍布上海、苏州、深圳、西安、北京等地，汇聚了大批具有国际视野的本土精英，核心团队平均拥有17年以上行业经验。

　　近几年来，类比陆续推出高边驱动、马达驱动、模数转换器、电流检测运放、电子保险丝等多个品类的车规级产品，并与国内多家整车企业和一级供应商的深度合作，类比半导体的“中国芯”解决方案已被广泛应用于智能汽车项目中。

　　在本届北京车展上，类比半导体车规级产品在“优秀国产汽车芯片互动展墙”及“联盟2号”全尺寸透视冷光车模”上的展示引起了广泛关注。

类比半导体荣膺“2024汽车芯片优秀供应商”大奖

　　参展车规级芯片包括高效驱动器DR703Q、高性能多通道驱动器DR7808Q、集成MOSFET H桥驱动器DR8112Q、创新首发电子保险丝EF1048Q、高边驱动器HD70152Q与HD7008Q等，展现了类比半导体在汽车电子领域的强大实力和技术创新。

　　类比半导体坚持高标准的质量控制体系，通过ISO9001、ISO27001、ISO26262，ISO17025(CNAS)等国际认证，配以先进的测试实验室，确保产品品质卓越。

　　展望未来，类比半导体将不遗余力地推进汽车芯片技术革新，与产业链伙伴紧密合作，为推动中国汽车产业向绿色化、智能化转型贡献力量，实现“中国芯”在全球汽车产业链中的价值飞跃。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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       在当前新能源汽车产业迅猛发展的大潮中，中国汽车芯片的国产化进程显得尤为迫切和重要。随着国家对自主可控技术的高度重视和支持，电机预驱技术正经历着一场深刻的变革。从早期依赖分立元件和继电器的控制方式，到现在向高度集成化的IC解决方案转型，这一转变不仅响应了市场对更高性能、更低成本、更小尺寸、更高安全性和更多元化功能的需求，同时也符合国家推动产业链自主可控、提升关键核心技术的政策导向。　　上海类比半导体技术有限公司(以下简称“类比半导体”或“类比”)作为国内领先的模拟及数模混合芯片设计商，成功设计并生产了DR7808预驱芯片，不仅在技术层面实现了重大突破，更在实际应用中展现出卓越的性能和可靠性。DR7808预驱芯片以其优化的集成度和增强的功能性，能够轻松应对当前汽车电子系统设计面临的挑战，同时高效满足客户在多样化应用场景下的具体需求。一. 八半桥电机驱动DR7808,应对电机驱动的前沿挑战　　在新能源汽车领域，随着车辆电气化程度的加深，电机预驱技术面临着前所未有的挑战。传统电机控制方法，如分立元件与继电器的组合，逐渐显露出局限性，无法满足行业对高性能、成本效率、尺寸紧凑性、安全性和多功能性的新需求。在此背景下，类比半导体推出了DR7808八半桥电机驱动芯片，旨在解决行业痛点，推动技术进步。　　与国际竞品相比，DR7808不仅全面覆盖了基础功能，更在支持4路PWM信号输入、过流保护阈值的精细化调节、高低边驱动模式的智能切换、上下管握手逻辑的强化以及离线诊断与在线电流检测等多个方面进行了深度优化和增强。这些创新设计，不仅满足了客户对灵活设计应用的追求，同时也确保了系统运行的稳定性和安全性。　　表1 DR7808与国际主流竞品参数对照表　　表2 DR7808的产品参数与硬件框架二. DR7808性能特点与技术创新　　2.1 PWM4功能与应用：四路PWM驱动，覆盖更多应用场景　　对于座椅记忆功能及其他需要协调四个电机同步工作的应用，DR7808的EN_PWM4引脚展现出了其独特的优势。通过巧妙地设置CSA_OC_SH寄存器中的HB6_PWM4_EN位，EN_PWM4可以转换成为第四个PWM输入，专门用于驱动HB6桥臂。这一设计突破了行业界限，显著区别于最大仅支持三个PWM通道的竞品，为多电机同步控制开辟了新的可能性。　　如下示意图，我们简单概述了PWM正向控制与反向控制的配置流程及信号流向。通过将EN_PWM4引脚映射至HB6，HB6内的HS和LS可根据HB6_MODE寄存器的设定转换为有源MOSFET，进而实现PWM驱动下的正向与反向操作。当HB6由EN_PWM4信号驱动时，外部MOSFET的充电与放电过程受到精细化管理，而这一过程的静态电流则由ST_ICHG寄存器中的HB6ICHGST位精准调控。　　值得注意的是，EN_PWM4引脚在默认状态下担任芯片使能的角色。一旦HB6_PWM4_EN位被激活，即使EN_PWM4引脚被拉低，芯片也不会随即进入禁用状态。正常应用下，可通过SPI配置重新HB6_PWM4_EN为低来复位EN_PWM4引脚为芯片使能。同时VDD电源下电或是看门狗超时，HB6_PWM4_EN将被复位，EN_PWM4引脚将重新承担起使能职责。随后，当EN_PWM4引脚再次被断言为低电平时，芯片将执行重置操作。为了确保系统的稳定性和可靠性，一个推荐的软件实践是在喂狗前连续读取0x00寄存器三次，若读取数据三次完全一致，则视为喂狗成功;相反，若未能满足这一条件，则需将EN_PWM4引脚设置为高电平状态，以防后续看门狗超时引发的意外重置。　　图1 正向PWM操作示例　　图2 反向PWM操作示例       2.2 栅极驱动与过流保护：精细调节与成本优化　　DR7808芯片在栅极驱动电流调节与过流保护方面展现出卓越的性能。其过流保护门限覆盖了从0.075V至2V的宽泛范围，提供16档精细调节，这一设计显著优于竞品0.15V至2V的8档位调节范围，使DR7808得以在小电流应用领域展现出色的适应性和安全性。　　不仅如此，DR7808每个栅极驱动器能够通过32个档位精确控制1.0mA至约100mA的电流变化，这一特性直接挑战了传统做法中通过在门级驱动回路中串接不同阻值电阻来改变边沿斜率，以减小MOS开启瞬间电流尖峰的做法。DR7808的这一创新设计无需额外电阻，减少了外围组件数量，从而降低了成本，简化了设计流程，同时也使得调试工作变得更加便捷。　　DR7808芯片在栅极驱动器设计上实现了对有源MOSFET和续流MOSFET的充电与放电电流的精密控制，具体配置步骤如下：　　初始化配置：首先，通过设置GENCTRL1寄存器中的REG_BANK位，确定即将访问的控制寄存器组。　　有源MOSFET电流控制：　　 充电电流：利用PWM_ICHG_ACT寄存器(当REG_BANK=0时)，精确设定有源MOSFET的充电电流。　　 放电电流：通过PWM_IDCHG_ACT寄存器(同样在REG_BANK=0时)，配置有源MOSFET的放电电流。　　续流MOSFET电流控制：借助PWM_ICHG_FW寄存器(在REG_BANK=1时)，同时配置续流MOSFET的充电和放电电流，确保其在PWM操作下的性能最优。　　图3 PWM操作时可配置的放电电流　　图4 PWM操作时可配置的充电电流　　2.3 高级检测与保护机制：确保H桥驱动的稳定与安全　　2.3.1 上下管死区控制与保护优化　　在H桥功率驱动应用中，上下管的死区控制是确保系统稳定性和安全性的关键环节。传统方法依赖于MCU算法计算死区时间，采用软件方式进行控制，然而在极端条件下，这种做法的可靠性备受质疑。例如，死区时间设置不当、Cgd对栅极电压的耦合效应、极限占空比等因素都可能导致上下管同时导通，引发系统故障。　　针对这一挑战，类比半导体在DR7808芯片中引入了一系列创新技术，包括动态死区监控、栅极Hardoff抗耦合、PWM占空比补偿和极限占空比补偿，以解决传统方法的不足。用户只需简单设置相关参数，芯片内置的握手检测机制便会通过电压逻辑判断，当上桥MOS开启时，自动对下桥MOS实施内部Hardoff电流强下拉，确保在任意死区配置下，上下桥MOS绝不会同时开启，从而实现系统运行的稳定与可靠。　　2.3.2 丰富诊断保护机制示例　　DR7808芯片配备了全面的诊断与保护机制，以应对各类潜在故障。以下以供电电压VM异常为例，展示芯片的响应流程：　　当供电电压VM从正常值12V骤降至4.5V时，芯片立即触发欠压保护机制。　　在数据格式中，0x08的Global status Byte(GEF)值表明SUPE位被置1，芯片检测到Power error，并自动上传故障标志。　　同时，General Status Register将提供更详尽的故障信息，确保故障状态的及时上报与处理。　　图5 VM过压欠压下的输出行为　　图6 VM欠压时的GEF数据捕获及上传　　2.4 Off-brake保护机制：守护电机与系统安全　　在特定工作场景下，如工厂装配线上的尾门自动调整或座椅折叠过程，若电池未能及时为控制板供电，电机在运动中产生的反向电动势(Back EMF)可能逆向流入电源端，对周边电路元件构成威胁，尤其是对敏感的TVS(瞬态电压抑制器)和MOSFET造成潜在伤害。为应对这一挑战，DR7808芯片集成了off-brake保护功能，有效地化解了这一风险。　　当DR7808芯片处于passive模式时，其内置传感器持续监测供电电压VS。一旦检测到VS电压超过安全阈值32.5V，芯片即刻响应，自动启动LS4至LS1的MOSFET，迫使电机迅速进入刹车状态。这一动作迅速削减了反向电动势，避免了电机的非计划旋转，同时保护了系统免受高电压冲击。　　随后，系统将自动监控VS电压的下降趋势，直至其稳定降至30V以下。此时，off-brake机制自动解除，LS4至LS1的MOSFET随之关闭，恢复正常操作状态。这一连贯的off-brake保护过程确保了VS电压始终保持在安全范围内，有效防止了TVS和MOSFET因过压而损坏，维护了整个系统的稳定性和安全性。　　图7 off-brake保护机制波形　　2.5 离线诊断机制：精密检测与故障排查　　DR7808芯片通过离线状态诊断功能，能够精准实现输出端对电源短路、对地短路以及负载开路的检测，这一机制在设计上独具匠心，为每个MOSFET的栅极驱动器提供了上拉电流(典型值为500µA)，并在驱动器激活状态(BD_PASS=0)时，于SHx引脚处提供下拉电流(典型值为1000µA)，确保了诊断过程的稳定与精确。　　2.5.1 诊断步骤与原理　　MOSFET对地短路检测：设置BD_PASS=0，HBx_MODE为00b或11b，并激活HBxIDIAG=0，同时开启内部上拉电流，将SHx电压拉至接近VDRAIN。待一定时间后，通过读取HBxVOUT寄存器，若其值为0b，则表明MOSFET存在对地短路现象。　　MOSFET对电池短路检测：同样将BD_PASS设为0，HBx_MODE配置为00b或11b，但此时HBxIDIAG应设为1，以启用内部下拉电流，将SHx电压拉至接近SL。随后，读取HBxVOUT寄存器，若读得值为1b，则说明MOSFET与电池相连，存在短路状况。　　空载检测：此步骤涉及HBx与HBy之间的电机连接检测。首先，将BD_PASS设为0，HBx_MODE与HBy_MODE均配置为00b或11b，HBxIDIAG设为0以激活HBx通道的上拉电流，同时HBy通道的HBxIDIAG设为1以启用下拉电流。等待一段时间后，读取HBxVOUT和HByVOUT寄存器。若电机正常连接，SHx与Shy均会被下拉至SL，此时HBxVOUT与HByVOUT读数均为0b;若电机断开，SHx将被上拉至VDRAIN，而Shy则下拉至SL，HBxVOUT读数为1b，HByVOUT读数为0b。　　值得注意的是，上述离线检测功能的有效发挥，需满足桥驱动程序处于活动状态(即BD_PASS=0)，并且相应半桥处于断开模式(HBxMODE=00b或11b)的前提条件。每个栅极的下拉电流驱动器由HBIDIAG寄存器中的控制位HBxIDIAG激活，这一精细控制确保了诊断过程的准确执行。在微控制器执行离线状态诊断时，为确保检测的准确性，相关半桥的VDSOV阈值桥接器需通过软件配置，设置为2V的标称值。这一配置步骤是实现离线诊断功能的关键，确保了检测过程中的信号稳定与结果的可靠性。　　通过以上精心设计的配置步骤，微控制器能够准确获取HBxVOUT的状态，从而高效、可靠地完成离线诊断任务，为设计者提供了强大而实用的故障排查工具，增强了DR7808芯片在复杂应用场景下的适应能力和系统维护的便利性。　　2.6 精准电流检测：实时监测与优化　　DR7808芯片内部集成了两个高精度CSA电流检测运放，其在offset精度上展现出色表现，误差仅约1mV，这一特性显著优于国际大厂竞品。芯片设计的灵活性体现在其支持多种电流检测方式，既可在电源端串联检流电阻，亦可在接地端使用分流电阻，甚至在电机内部串联分流电阻进行检测，其中电机端检测的独特优势在于能够实时监测双向电流，确保了电机运行状态的全面掌握。　　为避免PWM信号引起电流检测运放输入端的高共模电压摆动，建议将PWM信号应用于未连接分流电阻的半桥端。这一布局方式可有效减少信号干扰，确保电流检测的准确性与稳定性。如图8所示，展示了PWM与分流电阻在电机中的典型应用布局，直观地呈现了这一优化连接策略。　　图8 PWM和分流电阻应用在电机示意图　　在某些应用场景下，PWM信号不可避免地需要应用于分流电阻所在的半桥。此时，为消除高共模电压跳变导致的CSA输出电压毛刺，应通过设置CSAx_SH_EN寄存器(x=1,2)启用CSA PWM抑制功能。同时，CSAx_SEL寄存器的配置需指向需采样的半桥，确保在PWM切换期间，CSA输出保持采样状态，有效避免电压毛刺的产生。采样与保持时间由tcp与tblank决定，这一机制进一步提升了电流检测的精度与可靠性。　　三. DR7808：拓展应用的无限可能　　DR7808芯片凭借其8个独立可控的半桥设计，展现出了卓越的灵活性与拓展性。每个半桥的上下管均可独立控制，意味着单颗芯片即可支持高达4个H桥配置，或灵活配置为8路高边驱动或低边驱动。这一设计突破了传统方案的局限，为设计人员提供了前所未有的自由度，尤其是在功能域场景中，能够满足大量高边或低边驱动的需求。　　传统应用中，大量高边驱动通常依赖于分立器件，如达林顿管和继电器的组合。然而，这些方案存在明显的缺点，包括器件面积大、机械开关寿命短、噪声问题以及高压触点粘连风险，加之需要额外电路实现保护功能，增加了设计的复杂性和成本。相比之下，DR7808的高度集成化设计展现出显著优势，不仅提供了单芯片8路高边或低边驱动的能力，还内建了丰富的保护机制，涵盖过流、过压、欠压和过温等多重防护，配合SPI通信故障诊断上传机制，为系统级功能安全奠定了坚实的基础。　　在高低边应用中，DR7808的设计团队特别针对不同场景进行了优化，当用于高边应用时，可以省略低边MOS的使用，反之亦然。这一设计上的考量不仅简化了电路布局，还大幅降低了物料成本，提升了系统的整体性价比。在拥有大量高低边设计需求的场景下，DR7808相比国际竞品展现出更加明显的优势，无论是成本控制还是性能表现，均能脱颖而出。　　图9 DR7808设计及应用场景　　四. 总结　　类比半导体的电驱产品系列，以其与市面上通用产品BOM的无缝兼容性，不仅简化了软件设计流程，还确保了硬件设计的简洁高效，为行业树立了全新的设计标准。在性能层面，我们超越了市场上的竞争对手，不仅在关键指标上领跑，更深入挖掘客户需求，引入了一系列创新功能，直击行业痛点，重塑电机驱动领域的技术格局。　　作为类比半导体电驱产品线的杰出代表，DR7808八半桥预驱芯片凭借其卓越的电流精度、强化的握手逻辑、出色的稳定性和可靠性，完美贴合了市场对多电机控制日益增长的需求。在汽车工业迈向智能化与中央集成化的大趋势下，DR7808以其独特的优势，不仅为客户提供了一站式解决方案，包括GUI软件和C语言底层驱动在内的完整技术服务，更助力客户产品在全球竞争中脱颖而出，为智能出行时代注入强劲动力。　　我们诚挚邀请行业伙伴共同探索电驱技术的无限可能，类比半导体承诺以专业、创新的态度，与您一同迎接挑战，把握机遇，共创智能出行的美好未来。热烈欢迎来电洽谈合作，让我们携手书写电驱领域的崭新篇章，引领行业迈向更高成就。
2024-07-26 14:54 阅读量：208
类比半导体：汽车电子中的精准电流检测
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类比半导体：汽车电子中的精准电流检测

　　汽车电磁阀作为汽车系统中的关键执行器，负责精细调控油、水、气等流体的流动。在车身稳定控制系统(ESC)及自动变速箱等关键应用中，电磁阀的精准操作对于保障系统性能至关重要。特别是比例电磁阀和线性电磁阀，它们的控制精度直接影响系统响应的准确性和可靠性，因此对电流检测的精度要求极高。　　上海类比半导体技术有限公司(以下简称“类比半导体”或“类比”)作为国内领先的模拟及数模混合芯片设计商，凭借在线性产品研发领域的深厚技术积累，成功攻克了行业内的技术挑战，推出了性能卓越的电流检测放大器系列产品。这些产品不仅完善了运放产品线，而且在关键技术指标上展现出色的表现，为汽车电磁阀的精准控制提供了强有力的技术支撑。　　关键词：　　汽车电磁阀 | 电流检测放大器 | ESC | 换挡器 | 精准控制 | 线性产品 | 技术革新　　1、电流检测放大器在电磁阀中的应用挑战　　在电磁阀的电流检测中，存在两种典型的电路配置，其中一种如图一所示。　　绿色路径代表电磁阀正常工作时的电流流动，而红色路径则代表续流时的电流路径。在续流过程中，由于二极管与线束或PCB走线的寄生电感效应，可能引起节点A的电压下降至-1V以下。在这种情况下，电流检测放大器的输入端IN+和IN-会面临低于-1V的共模电压挑战。鉴于市场上多数电流检测放大器的共模电压范围上限为-0.3V，超出此范围可能导致电流检测放大器输出VOUT异常升高至接近电源电压VCC。只有当共模电压恢复至-0.3V以上，输出才能恢复正常。甚至有些电流检测放大器，即便共模电压恢复，输出也无法自动回正，需要重启系统。MCU在检测到VOUT接近VCC时，可能会错误地将此现象判断为过流故障。　　图二列举了另一种电磁阀在开关闭合与断开状态下的电流行为。　　开关闭合时，电磁阀正常工作，节点A电压为12V，共模电压为12V。　　开关断开时，由于低边MOSFET的驱动，寄生电容放电导致电感电流将节点A电压拉低，形成负电压。同样，MCU可能会错误地将此读数判断为过流。　　通过这两种应用场景，我们认识到电磁阀在操作过程中可能产生低于-1V的共模电压。因此，电流检测放大器必须能够承受较高的负共模电压，同时确保输出信号不会发生钳位现象，避免错误的过流故障诊断。　　2、类比半导体CSA601Q电流检测放大器在负共模电压下的性能验证　　类比半导体的CSA601Q电流检测放大器，以其高精度特性，能够在-6V至40V的共模电压范围内稳定运行，同时具备出色的共模抑制比(CMRR)、高精度、宽带宽和低温度漂移性能。针对电磁阀控制中的挑战，我们对CSA601Q进行了在-1V共模电压条件下的小信号和大信号输入测试，以验证其在极端条件下的输出稳定性，并确保电流检测放大器输出不会发生钳位到供电电压的现象。实验电路如图3所示。　　2.1实验一：小信号测试　　(共模电压-1V，输入信号0.1V)　　在该实验中，信号发生器产生具有1V偏置(Offset)、0.1V峰-峰值(Vpp)、10Hz频率(Freq)的两路信号，相位差为180°。两路信号的负端接入地线(GND)，正端分别接入电流检测放大器的IN+和IN-(在-1V的共模电压上叠加0.1V正弦波，模拟两个反向电流)。　　实验现象表明，电流检测放大器输出C1呈现预期的2V峰值半正弦波形，与理论计算的4V峰-峰值(0.2Vpp x Gain20)相符，且负半周期被地线GND正确钳位。　　2.2实验二：大信号测试　　(共模电压-1V，输入信号1V)　　在第二个实验中，信号发生器设置与实验一相同，但输入信号的Vpp提高至1V。输出C1的波形接近方波，峰值(Vpeak)为3.3V，理论值40Vpp(2Vpp x Gain20)，由于供电为3.3V，所以正半周期被钳位到3.3V，而负半周期被GND钳位，符合设计预期。　　2.3实验结论　　实验结果明确显示，在-1V的共模电压下，CSA601Q电流检测放大器能够正常工作，其输出未出现钳位至供电电压的现象。CSA601Q的宽共模电压支持范围(-6V至40V)证实了其能够妥善处理绝大多数负共模电压的应用场景，为电磁阀的精准控制提供了强有力的技术保障。　　3、总结　　类比半导体凭借其在模拟及数模混合芯片设计领域的专业优势，为汽车电子行业带来了创新的电流检测解决方案。CSA601Q电流检测放大器的推出，彰显了类比在高精度、高稳定性能方面的技术实力，以及对市场需求的敏锐洞察。　　CSA601Q电流检测放大器的宽共模电压范围(-6V至40V)、高CMRR(150dB典型值)、精准的增益误差(最大0.3%)和低静态电流(1.4mA典型值)等特性，使其在汽车电子系统中电磁阀的电流检测中表现出色。此外，CSA601Q提供的多种可供选择的增益(20V/V、50V/V、100V/V)，使其能够灵活适应不同应用场景的需求。这些特性，结合多样化的增益选项，确保了产品能够满足汽车电子应用的严苛要求，提升系统性能和可靠性。同时，该系列产品还包括CSA601Q、CSA245Q和CSA240Q等不同型号，覆盖了从单向电流检测到双向电流检测的不同需求，共模电压范围从-6V扩展至80V，为客户提供了全面的技术选择和解决方案。　　在国家推动自主可控芯片发展的大背景下，类比半导体专注于汽车智能驱动、线性产品、数据转换器等领域的芯片设计，致力于为客户提供高品质芯片，为世界科技化和智能化发展提供最底层的芯片支持。未来，类比半导体将持续引领汽车电子技术的创新浪潮，研发更为先进的芯片解决方案，为构建更安全、更高效的汽车系统贡献力量。
2024-07-17 13:44 阅读量：304
类比半导体三款车规级新品介绍
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类比半导体三款车规级新品介绍

　　类比半导体三款全新车规级智能驱动芯片——HD70504与HD70804四通道高边驱动、HD7004低导通电阻高边驱动以及DR8112直驱马达驱动芯片介绍，进一步扩展了其汽车智能驱动产品的深度与广度。　　新品首发，诠释“芯”动未来　　HD70504 & HD70804四通道高边驱动芯片　　多通道：提供四个独立通道，适合复杂的多负载控制需求。　　高集成度：集中控制，减少外部组件和布线，降低系统复杂性。　　具有50毫欧和80毫欧的导通电阻选项，适用于多通道电机控制，特别适合汽车尾灯、内饰灯驱动以及小电流配电应用。　　HD7004低导通电阻高边驱动芯片　　超低导通电阻：4毫欧的导通电阻，显著提高电流承载能力。　　高功率应用：适合电动汽车等需要大电流驱动的应用。　　得益于其超低导通电阻和高功率承载能力，能够在短时间内将系统温度提升到设定值，提高汽车加热系统工作效率，适用于汽车座椅加热、方向盘加热等热管理应用场景。　　DR8112直驱马达驱动芯片　　直驱设计：集成功率驱动，简化系统设计，降低系统复杂性和成本。　　小电流精密控制：适用于小功率驱动的场合，如电动门把手、后视镜折叠、电门锁扣等应用场景。　　全面布局，打造系统级解决方案　　除了以上三款驱动新品，类比半导体还展示了其在车规级产品线上的全面布局，包括电流检测放大器、模数转换器、参考源等丰富产品，为客户提供从单一元件到整套系统级方案的一站式服务，满足汽车电子行业日益增长的多样化需求。
2024-07-11 09:54 阅读量：241
类比半导体推出36V超低输入偏置电流高性能通用运算放大器
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类比半导体推出36V超低输入偏置电流高性能通用运算放大器

　　在精密信号处理领域，每一次技术创新都意味着性能的飞跃与应用的拓展。上海类比半导体技术有限公司(以下简称“类比半导体”)凭借其在模拟及数模混合芯片设计领域的深厚积累，今日正式宣布推出其全新OPJ301x系列超低输入偏置电流高性能通用运算放大器。该系列产品以其超低偏置电流、卓越的直流精度和宽泛的工作电压范围，在医疗设备、手持精密测试设备以及自动化量产测试设备等高精度信号处理场景中展现出色性能，适用于多种高精度应用需求。　　产品介绍　　OPJ301x系列在常温下的典型输入偏置电流为1.5fA，全温范围内的最大偏置电流不超过100pA，表现出其在电流控制上的精确度。　　OPJ301x系列支持轨到轨输入输出，常温下的输入失调电压极低，仅为100μV，同时具备146dB的高CMRR。作为差分放大器配置时，该系列提供出色的初始精度和轨到轨输出，适用于单电源供电的便携式设备等应用。　　OPJ301具有2.5MHz的带宽，结合其卓越的直流性能，非常适合用于有源滤波器电路。在增益为1的条件下，OPJ301能够稳定驱动高达600pF的容性负载。该型号适用于多种电路设计，提供小尺寸封装以减少PCB使用面积，降低设计成本。　　OPJ301的封装类型包括DIP-8、SOIC-8、MSOP-8和SOT23-5;OPJ3012为2通道版本，提供DIP-8、SOIC-8和MSOP-8封装。所有版本的工作温度范围为-40°C至+125°C。　　产品特征　　供电电压范围：2.7V-36V　　低静态电流：550uA typ　　支持轨到轨输入输出　　输入偏置电流：1.5fA typ, 100pA max at -40C-125C　　输入偏移电压：±5uV typ，±100uV max　　输入偏移电压温漂：±0.6uV/C　　电源抑制比：136dB typ　　共模抑制比：146dB typ　　带宽：2.5MHz　　低噪声：17nV/√Hz　　工作温度范围：-40-125C　　封装：SOT23-5/DIP-8/SOIC-8/MSOP-8　　典型应用框图　　样片申请与咨询　　OPJ301x系列现正开放免费样片申请。如有意向了解详情或获取样片，请通过以下联系方式与我们取得联系：　　邮箱：amall@ameya360.com　　座机：021-34792258
2024-07-02 13:05 阅读量：332
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