类比半导体：全新第二代1.2mΩ高边开关芯片HD80012

发布时间：2025-06-27 09:47
作者：AMEYA360
来源：类比半导体
阅读量：1143

　　新品发布

　　致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出全新第二代高边开关芯片HD80012，单通道低内阻1.2mΩ产品。自类比第一代高边开关芯片HD7XXX系列2023年面世以来，该系列产品已经在国内外知名Tier1和车厂大批量出货，高边开关系列产品累计出货量已突破千万颗。为解决国产1-4mΩ低内阻大电流高边开关芯片空白带来的供应链风险，类比半导体联合上下游供应链历经两年解决工艺，设计和封装等关键技术难点，实现高边开关芯片产品国产化新的进步。

　　HD80012系列产品特性

　　内置电池反接保护和输入电源过压保护电路，无需外围增加TVS和防反二极管，减少系统电路复杂度和降低成本

类比半导体：全新第二代1.2mΩ高边开关芯片HD80012

　　工艺，设计，封装三方联合攻关，实现比肩国际厂商高边芯片产品的散热能力

类比半导体：全新第二代1.2mΩ高边开关芯片HD80012

　　多重保护功能和CS负载诊断，快速过流保护和动态过温保护专利技术

类比半导体：全新第二代1.2mΩ高边开关芯片HD80012

　　高精度的负载电流采样，高阶温度补偿专利技术，实现低温漂的负载电流采样

类比半导体：全新第二代1.2mΩ高边开关芯片HD80012

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　　类比半导体推出OPA825/6/8系列单通道、双通道及四通道轨到轨宽带低噪声运算放大器，主要用于优化精密信号采集、电流采样检测与传感器信号调理类电路设计。该系列集成轨对轨输入输出架构，典型静态电流仅720μA，兼具11MHz宽带宽与超低噪声特性，1kHz 噪声低至 8nV/√Hz，可高效平衡成本与综合性能。　　此外，OPA825/6/8拥有极低输入偏置电流，能够适配兆欧级高内阻信号源;内置RF/EMI抑制滤波器，支持300pF容性负载单位增益稳定：具备4kV HBM静电防护、过载无相位反转等稳健特性，大幅降低外围设计难度。电气规格上，器件支持宽压工作，常温区间最低1.8V供电，扩展温域可覆盖−40℃~+125℃，满足多工况低压应用需求。　　封装布局丰富齐全，单通道OPA825采用SOT23-5和SC70-5，双通道OPA826采用SOIC-8，MSOP-8和TSSOP-8，四通道OPA828采用SOIC-14和TSSOP-14，硬件适配性强。产品广泛适配多领域场景：　　● HEV/EV 逆变器与电机控制　　● 电池供电类仪器设备　　● 车载充电机(OBC)及无线充电器　　● 高级驾驶辅助系统 ADAS　　● 电机相电流检测　　● 各类传感器信号调理电路　　OPA825/6/8系列产品特性：　　● 单位增益带宽：11MHz Typ　　● 高压摆率：11V/µs Typ　　● 快速建立时间：0.26µs(0.1%)Typ　　● 低输入噪声：1kHz 条件下 8nV/√Hz typ　　● 轨对轨输入输出　　● 内置RF/EMI抑制滤波器　　● 单电源供电：1.8V~5.5V　　● 低静态功耗：单路运放5.5V供电下典型电流720µA　　● 宽温工作范围：−40℃~+125℃　　典型应用电路：　　典型应用：　　电池供电类仪器设备　　OBC与无线充电　　产品选型表
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