中国大陆百家集成<span style='color:red'>电路设计</span>公司！
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中国大陆百家集成电路设计公司！

　　1.华为海思　　华为海思是华为旗下的核心芯片设计公司，成立于1991年(前身为华为集成电路设计中心)，2004年正式注册为独立实体。作为全球领先的无晶圆厂(Fabless)半导体设计企业，其产品覆盖移动通信、人工智能、数据中心、智能终端等多个领域。主流产品包括五大系列芯片：智能手机SoC芯片麒麟系列(如麒麟9000)、人工智能芯片昇腾系列(如昇腾910)、服务器处理器鲲鹏系列(如鲲鹏920)、5G通信芯片(基站芯片天罡和终端芯片巴龙)，以及物联网联接芯片凌霄系列。这些芯片广泛应用于华为手机、5G基站、云计算服务器、智能汽车、安防监控和智慧家庭等场景，是中国半导体产业自主化的重要力量。　　2.中兴微电子　　中兴微电子是中兴通讯的全资子公司，其前身可追溯至1996年成立的中兴通讯IC设计部，于2003年正式注册成立。作为国内领先的通信芯片设计企业，其主流产品专注于通信网络核心芯片，主要包括5G基站核心芯片(如7nm多模软基带芯片和“珠峰”系列CPU)、光传送芯片、宽带接入芯片以及路由交换芯片。这些产品已规模商用于中兴通讯的5G基站、光网络设备、云服务器等产品中，并应用于中国移动等运营商的网络，是实现通信设备自主可控的关键力量。　　3.寒武纪　　寒武纪成立于2016年，总部位于北京海淀区，是中国首家在科创板上市的纯AI芯片设计企业。公司采用Fabless模式，专注于云端、边缘端及终端全场景的智能芯片研发，技术实力在全球AI芯片领域位居前列。其主流产品包括云端AI芯片思元(MLU)系列，如旗舰产品思元590采用7nm工艺，算力达471TOPS(FP16)，支持千卡集群训练，能效比国际领先，广泛应用于AI服务器和智算中心;玄思智能加速器则通过多芯片互联实现单机柜128POPS算力，适配大模型训练需求。在边缘侧，MLU220-SOM模组以信用卡大小的尺寸、8W低功耗提供16TOPS算力，适用于智能摄像、工业检测等场景;终端产品如思元220/IP系列为低功耗嵌入式芯片，支持视觉/语音推理，服务于机器人、智能穿戴设备等领域。　　4.安路科技安路科技成立于2011年，总部位于上海，是中国FPGA(现场可编程门阵列)芯片领域的领军企业，于2021年在科创板上市。公司专注于FPGA芯片及配套EDA工具的研发，是国内少数具备硬件设计与编译软件全链路自主核心技术的企业。其产品线覆盖从高性价比CPLD、中密度FPGA到高端千万门级FPGA的全系列解决方案，并通过车规级ISO 26262认证，广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子及人工智能领域。主流产品包括：小规模CPLD芯片AL3系列，主打低功耗与高可靠性，适用于工业控制;中密度PHOENIX系列FPGA，采用55nm/40nm工艺并集成DSP硬核，面向视频处理与通信基站;高性能EAGLE系列支持PCIe 3.0与DDR4接口，用于数据中心加速与AI推理;2024年推出的凤凰三代(PHOENIX 3)采用12nm工艺，集成RISC-V硬核，算力提升200%，适配边缘AI设备。此外，公司还推出基于“软件定义芯片”架构的TF2 FPGA IP核，支持硬件功能动态重构，并配套提供Tang Dynasty EDA全流程开发工具链，显著降低用户设计门槛。　　5.澜起科技澜起科技成立于2004年，总部位于上海，是全球领先的数据处理及互连芯片设计公司，于2019年在科创板上市。公司专注于为云计算和人工智能领域提供高性能、低功耗的芯片解决方案，其主流产品包括互连类芯片、津逮®服务器平台及高速接口芯片等。在互连类芯片方面，澜起科技是全球唯一能够提供全品类DDR5内存接口芯片(包括RCD、DB、SPD)的供应商;同时，公司还推出支持CXL 3.1协议的MXC内存扩展控制器芯片，以满足AI数据中心内存池化需求。津逮®服务器平台整合了自研内存控制技术与第三方x86处理器，提供高性能CPU模组及具备硬件级实时安全监测功能的混合安全内存模组，为金融、电信等领域提供国产化安全解决方案。此外，公司的PCIe Retimer芯片支持PCIe 5.0，单通道速率达32GT/s，有效解决高速信号传输损耗问题，广泛应用于AI服务器和存储设备。在AI芯片领域，澜起科技于2025年推出AI推理加速芯片，支持千卡互联，实测算力密度达800TOPS/W，与国产GPU协同形成完整算力布局。　　6.兆易创新　　兆易创新(GigaDevice)成立于2005年，总部位于北京，是中国领先的存储芯片与微控制器(MCU)设计企业，采用Fabless模式运营。公司业务覆盖存储器、MCU及传感器三大核心领域，其中NOR Flash全球市占率稳居前三，国内32位MCU市占率排名第一，技术实力达到国际领先水平。在存储芯片方面，兆易创新的NOR Flash产品采用19nm先进工艺，广泛应用于消费电子和汽车网关(如特斯拉车载系统);同时，公司与合肥长鑫合作开发DRAM，首款产品GDQ2BFAA系列面向消费级市场，产能正逐步释放。在MCU领域，GD32系列基于ARM Cortex-M和RISC-V内核，涵盖63个产品系列、700余款型号，适配工业控制(如伺服电机)、汽车电子(通过AEC-Q100认证)及消费电子等场景;车规级MCU已于2025年送样测试，目标2026年量产并装车国产新能源车型。此外，通过收购思立微整合技术，公司还提供光学指纹传感器，应用于手机和智能门锁的身份认证系统。　　7.紫光国微　　紫光国微是国内领先的综合性半导体上市企业，总部位于河北省唐山市，专注于特种集成电路和智能安全芯片两大主业，并涵盖石英晶体频率器件、功率半导体等重要业务。其主流产品包括智能安全芯片(在金融IC卡、政务、物联网领域全球出货量第一)、特种集成电路(用于军事、航空航天等高可靠场景，产品已嵌入北斗卫星、歼-20战机)以及FPGA芯片(通过子公司国微电子布局特种FPGA，联营企业紫光同创主攻通用FPGA，在5G通信和工业控制中不可或缺)。公司技术自主可控，市场地位显著，是国内FPGA国产替代主力和安全芯片龙头。　　8.紫光展锐　　紫光展锐(UNISOC)是全球领先的平台型芯片设计企业，总部位于上海，是全球少数全面掌握2G/3G/4G/5G、Wi-Fi、蓝牙、卫星通信等全场景通信技术的企业之一。其主流产品包括面向智能手机的5G芯片平台(如唐古拉系列T7520/T7510 SoC，采用6nm EUV工艺)以及面向物联网设备的春藤系列芯片(如NB-IoT、Cat.1芯片)，产品广泛应用于三星Galaxy A系列手机、小天才手表及智能家居、工业物联网等领域，全球出货量超百亿颗，是公开市场重要的5G芯片供应商。　　9.龙芯中科　　龙芯中科(龙芯中科技术股份有限公司)成立于2001年，总部位于北京，是中国自主CPU设计的领军企业，专注于采用自研LoongArch指令集的高性能处理器研发，坚持全产业链自主可控。其主流产品包括龙芯1号、2号、3号系列CPU，其中龙芯3A6000芯片性能已比肩英特尔第十代酷睿i5，广泛应用于政务、金融、能源、电信等关键领域，在党政信创市场占有率超过60%，是国产替代战略的核心供应商。　　10.北京君正　　北京君正集成电路股份有限公司成立于2005年，总部位于北京。公司基于创始团队创新的CPU设计技术，专注于处理器技术、视频编解码、AI技术等计算技术领域的研发。其核心产品包括智能视频处理器、微处理器芯片和车载存储芯片等，广泛应用于智能视频监控、AIoT、工业控制、汽车电子(如车载DMS系统)、生物识别及教育电子等领域。北京君正通过收购北京矽成(ISSI)显著增强了在汽车电子和工业控制市场的实力，尤其在车载存储芯片领域已成为全球重要供应商。公司自主研发了多核异构处理器X2000、普惠AI视频处理器T41，以及端侧AI全栈式开发平台Magik，旨在为边缘设备提供高效的深度学习推理能力。　　11.比特大陆　　比特大陆(BITMAIN)是北京比特大陆科技有限公司旗下的品牌，成立于2013年，总部位于北京海淀区，并在香港、新加坡和美国等地设有研发中心。公司拥有独特的算力能效比技术，其主流产品主要包括算力芯片、算力服务器和算力云。具体而言，其BM系列TPU(张量计算单元)芯片拥有高度定制的BMDNN Chip Link子系统，集成了海量NPU单元，以低功耗和超强算力为特点。这些产品主要应用于区块链、高性能计算(HPC)、大算力机房、人工智能(特别是深度学习加速)以及图像/视频处理等领域，业务遍及全球上百个国家和地区。公司正积极从矿机业务向AI芯片领域拓展，致力于发挥其固有的技术潜力。　　12.壁仞智能　　壁仞科技成立于2019年，总部位于上海，是一家专注于高端通用智能计算芯片的创新型公司。其核心团队由来自国内外芯片和云计算领域的资深专家组成，在GPU、DSA(专用加速器)和计算机体系结构方面拥有深厚技术积累。公司的核心产品是BR100系列通用GPU芯片，该芯片基于台积电7纳米工艺制造，具备惊人的算力，其16位浮点算力超过1000T，宣称达到英伟达A100芯片的3倍。壁仞科技致力于构建原创性的通用计算体系和高性能计算平台，其产品主要应用于AI算力中心、GPU集群、人工智能训练与推理等需要大规模算力的场景，旨在实现国产高端通用智能计算芯片的突破。　　13.地平线　　地平线成立于2015年，总部位于北京，是中国领先的专注于智能驾驶的AI芯片独角兽企业。公司自主研发了创新的智能计算架构——BPU(Brain Processing Unit)，并以此为基础推出征程(Journey)系列车规级AI芯片。其明星产品征程二代于2019年发布，是中国首款车规级AI芯片，可提供4 TOPS的算力;更先进的征程5芯片已搭载于理想、比亚迪等品牌车型。地平线已形成覆盖L2至L4级别的“智能驾驶+智能座舱”芯片方案，在车载计算芯片领域处于国内领先地位，目标是到2025年实现30%的市场占有率。　　14.博通集成(上海)　　博通集成成立于2004年，总部位于上海张江高科技园区，是国内领先的无线连接芯片设计企业，于2019年在上海证券交易所主板上市。公司专注于物联网、智慧交通等领域，其核心产品为无线通信芯片，具体形成了无线数传和无线音频两大产品系列。公司的产品线覆盖Wi-Fi、蓝牙、ETC、通用无线、5.8G产品等多种无线通信协议。其中，ETC芯片是其标志性产品，市场占有率超过30%，位居国内首位。此外，公司的蓝牙音频芯片(应用于TWS耳机等)和Wi-Fi芯片也在市场中占据重要地位。　　15.复旦微电子　　复旦微电子成立于1998年7月，是国内成立最早、首家上市的股份制集成电路设计企业，现已形成“A+H”(上海科创板+香港主板)的资本格局。公司致力于超大规模集成电路的设计、开发和系统解决方案提供，技术实力雄厚。其主流产品线齐全，主要涵盖五大领域：安全与识别芯片(广泛应用于金融、社保、交通支付等领域)、非挥发存储器(如EEPROM、NOR Flash)、智能电表芯片、FPGA芯片(高可靠可编程逻辑芯片)以及高可靠MCU(微控制器，包括车规级产品，已实现千万级出货)。公司产品广泛应用于金融、汽车电子、工业控制、智能计算等众多领域，是国内集成电路设计领域产品线齐全的综合性企业之一。　　16.飞腾信息　　飞腾信息成立于2014年，总部位于天津，是由中国电子信息产业集团等联合支持成立的国产CPU设计领域的“国家队”和核心企业。公司致力于高性能、高能效的自主核心芯片研发，主打基于ARM架构的服务器、桌面和嵌入式处理器。其主流产品线清晰，主要分为四大系列：高性能服务器CPU、高效能桌面CPU、高端嵌入式CPU以及飞腾XPU系列加速器。这些产品广泛应用于各类终端、服务器、存储和网络设备，在党政办公系统及关键行业的信创(信息技术应用创新)市场中占据重要地位，生态建设完善，是实现国产化替代的关键力量。　　17.富瀚微　　富瀚微成立于2004年，总部位于上海，是一家专注于以视频为核心的集成电路设计企业。作为安防ISP(图像信号处理器)芯片领域的龙头，其主流产品包括高性能视频编解码SOC芯片、图像信号处理器ISP芯片以及智能视觉处理解决方案，广泛应用于智慧视频监控、智能家居、汽车电子(如智能座舱)等场景，在视频监控市场市占率领先，并是海康威视等企业的核心供应商。　　18.国科微　　国科微成立于2008年，总部位于湖南长沙，是国家重点集成电路设计企业和国家知识产权示范企业。公司专注于大规模集成电路及解决方案的研发，拥有从芯片设计到量产的全流程能力，并自主研发了神经网络处理器(NPU)技术。　　其主流产品线覆盖多个关键领域：固态硬盘(SSD)控制芯片(是全国产化固态硬盘控制芯片的唯一上市公司)、智能视觉处理芯片(用于高清视频监控和机器视觉)、卫星导航定位芯片(支持北斗系统)以及AIoT芯片。产品广泛应用于超高清视频、智慧视觉、人工智能、车载电子和公共安全等领域，在存储控制和智能视觉芯片市场具有重要地位。　　19.海光信息　　海光信息成立于2014年，是国内领先的高端处理器设计企业。公司专注于服务器级高端通用处理器(CPU)和协处理器(DCU)的研发与销售，其核心竞争力在于构建了“CPU+DCU”的双算力产品体系。海光CPU采用x86架构指令集，具有良好的软硬件兼容性和成熟的生态系统，产品性能已达到国际主流水平，划分为7000、5000、3000三大系列，广泛应用于数据中心、云计算、大数据分析等领域。海光DCU则以GPGPU架构为基础，兼容CUDA生态，专注于人工智能训练、高性能计算等场景。公司的产品是推动国产算力替代的核心力量，在金融、电信、互联网等关键行业得到广泛应用。　　20.盛科网络　　盛科网络(Centec Networks)是一家专注于以太网交换芯片设计的公司，得到中国电子信息产业集团有限公司(CEC)和国家集成电路产业基金的投资，已成功商业化推出六代交换芯片产品。其主流产品是以太网交换核心芯片和系统方案，提供从1G到100G的全系列以太网交换产品，广泛应用于数据中心、网络虚拟化解决方案及多个研究机构，在中国商用以太网交换芯片市场中销售额排名境内厂商第一。　　21.芯动科技　　芯动科技(Innosilicon)是一家专注于高性能SoC(系统级芯片)定制开发、IP授权服务的集成电路设计公司。其主流产品包括国产智能渲染GPU图形处理器，以及为比特币矿机和各种AIoT应用提供的核心芯片解决方案，是国内高性能计算芯片领域的重要供应商。　　22.奥比中光　　奥比中光创立于2013年，是一家专注于3D视觉感知技术的公司，属于行业内的独角兽企业。公司的主营业务是3D传感器芯片及整套技术方案的研发与提供，是全球少数几家能够量产消费级3D传感器的公司之一。其主流产品和技术方案主要应用于生物识别、AIoT、工业测量、智能家居等多个领域。　　23.灿芯科技　　灿芯科技(灿芯股份/灿芯半导体)成立于2008年，是一家专注于提供专业芯片定制服务及半导体IP授权的一站式解决方案供应商。公司主流业务涵盖从芯片设计、后端制造到封装测试的全流程服务，在模拟及混合信号芯片设计、数模混合SoC芯片设计等领域具有较强技术实力，能支持从55nm到28nm等多种工艺节点的芯片设计。作为重要的IP供应商，其IP产品在业内也具有影响力。　　24.格兰康希通信　　格兰康希通信科技(上海)股份有限公司成立于2015年，总部位于上海张江科学城，是一家国家级高新技术企业和专精特新“小巨人”企业，于2023年在科创板上市。公司专注于Wi-Fi射频前端芯片及模组的研发、设计和销售，其主流产品是射频前端芯片(FEM)，作为无线通信设备的“核心信号放大器”，广泛应用于无线路由器、智能家居、汽车电子等领域。公司产品线覆盖从Wi-Fi 5到Wi-Fi 7标准，并已启动Wi-Fi 8的预研，其产品以高性能、低功耗和全系列覆盖为特点，已通过高通、联发科、博通等国际主流芯片平台认证，客户包括中兴通讯、TP-Link等知名品牌，是国内Wi-Fi射频前端芯片领域的龙头企业。　　25. 聚辰半导体　　聚辰半导体(Giantec Semiconductor)是一家在科创板上市的集成电路设计企业。公司是智能手机摄像头和液晶模组存储器的主要供应商，拥有EEPROM存储器、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条产品线。其核心产品EEPROM(带电可擦可编程只读存储器)广泛应用于智能手机摄像头模组、汽车电子、工业控制等领域，在全球智能手机摄像头EEPROM市场占有率位居前列，是国内该细分领域的领军企业。公司正积极向汽车电子、DDR5内存模组等高端应用领域拓展。　　26.东芯半导体　　东芯半导体股份有限公司是一家总部位于上海的集成电路设计企业，专注于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，并于2021年在科创板上市。公司是国内少有的可同时提供NAND、NOR、DRAM设计方案的存储芯片公司，其主流产品包括SPI NAND Flash、NOR Flash、DRAM等，广泛应用于工业控制、网络通信、消费电子、智能穿戴和安防监控等领域。凭借在48纳米NOR Flash等先进工艺上的技术领先性，东芯半导体已成为国内存储芯片设计领域的重要力量。　　27.乐鑫科技　　乐鑫信息科技(上海)股份有限公司成立于2008年，是一家在全球物联网Wi-Fi MCU通信芯片领域处于领导地位的集成电路设计企业，并于2019年在科创板上市。公司以其强大的开源生态和活跃的全球开发者社区而闻名，主流产品是以“连接+处理”为方向的物联网Wi-Fi/蓝牙双模MCU(微控制器单元)，最具代表性的是ESP32系列芯片。这些产品集成了射频、处理器、存储与外设接口，广泛应用于智能家居、消费电子、工业控制等AIoT设备领域。乐鑫科技在全球Wi-Fi MCU市场份额保持领先，连续多年位居中国第一，其推出的具备端侧AI功能的ESP32-S3等芯片已成为市场主流产品。　　28.全志科技　　全志科技(Allwinner Technology)成立于2007年，总部位于广东珠海，是一家专注于智能应用处理器SoC、高性能模拟器件和无线互联芯片设计的集成电路设计企业，于2015年在深交所创业板上市。公司主流产品为智能终端应用处理器SoC芯片，在超高清视频编解码、高性能CPU/GPU/AI多核整合及超低功耗方面具有业界领先水平，其T系列、V系列、A系列等产品广泛应用于智能硬件、平板电脑、汽车电子(智能座舱)、智能家电、机器人、智慧安防等多个领域。全志科技是国内音视频SoC主控芯片领域的领导者，智能物联网SoC芯片营收规模在A股市场位居前列，是消费电子和物联网芯片市场的主流供应商之一。　　29.思特威　　思特威(上海)电子科技股份有限公司(SmartSens Technology)是一家专注于CMOS图像传感器(CIS)芯片研发、设计和销售的高新技术企业。公司以安防监控领域为切入点并连续多年在该领域CIS出货量位居全球前列，是其传统优势市场。主流产品为面向安防监控、汽车电子(尤其是车载ADAS)、新兴机器视觉和智能手机领域的高性能CIS芯片，其产品以优异的低照度成像技术和全局快门技术为特点。近年来，思特威成功将业务拓展至消费电子和车载高端CIS市场，其车规级产品已进入比亚迪、上汽等主流车企供应链，并于2022年在科创板上市。　　30.晶晨股份　　晶晨股份是一家在科创板上市的全球无晶圆半导体系统设计领导者，专注于智能终端应用处理器SoC芯片的研发与设计。公司主流产品为多媒体SoC芯片，包括智能机顶盒SoC、智能电视SoC、智能家居SoC以及平板主控和OTT主控等，在音视频编解码领域技术领先，其智能电视和机顶盒SoC市占率位居A股第一和全球前列。近年来，晶晨股份积极布局AIoT、智能影像、无线连接及汽车电子等新市场，已成功将自研的端侧AI算力单元集成至超过15款商用芯片中，广泛应用于小米、索尼、TCL等知名终端厂商的产品中。　　31.恒玄科技　　恒玄科技成立于2015年，是一家专注于智能音频SoC芯片研发与设计的集成电路设计企业，并于2020年在科创板上市。公司主流产品为智能蓝牙音频SoC芯片和AIoT主控芯片，其产品广泛应用于TWS蓝牙耳机、Type-C音频耳机、智能音箱等低功耗智能音频终端。恒玄科技是国内TWS耳机蓝牙芯片市场的领导厂商，全球市场份额位居前列，其自主研发的IBRT技术可保证TWS耳机更强的抗干扰和稳定连接能力，并已进入华为、小米、三星、阿里、百度、字节跳动等主流品牌供应链。公司推出的BES2700系列、BES2800系列等芯片已成为智能音频和AIoT领域的主流解决方案。　　32.燧原科技　　燧原科技成立于2018年，总部位于上海，是一家专注于人工智能领域、提供云端AI训练和推理算力平台的高科技企业。公司主流产品为自主研发的高性能通用AI芯片，包括“邃思”系列云端训练芯片、以及面向数据中心的“云燧T10/T11”训练加速卡和“云燧i10/i20”推理加速卡，并配套提供“驭算”软件平台。燧原科技是国产AI芯片领域的领军企业之一，累计融资规模超32亿元，其产品以高性能和高能效比为特点，广泛应用于互联网、智算中心、智慧城市、智慧金融、科学计算及自动驾驶等多个行业场景。　　33.摩尔线程　　摩尔线程智能科技(北京)有限责任公司成立于2020年，是一家专注于研发设计全功能GPU芯片及相关产品的高科技企业。公司主流产品为基于自研MUSA架构的全栈GPU产品，包括曦思®N系列(计算)、曦云®C系列(云渲染)和曦彩®G系列(图形)等，其芯片集成AI计算加速、3D图形渲染、超高清视频编解码及物理仿真等多种功能。摩尔线程致力于为人工智能训练与推理、科学计算、数字孪生、AIGC和元宇宙等应用提供基础算力支撑，其产品已得到广泛应用，并且公司营收增长迅速，是国产GPU领域的重要企业。　　34.平头哥　　平头哥半导体有限公司成立于2018年，是阿里巴巴集团的全资半导体芯片业务主体，总部位于杭州。公司拥有端云一体全栈产品系列，主流产品包括四大核心芯片：基于自研RISC-V架构的玄铁系列处理器(IP核)、含光800 AI推理芯片、倚天710服务器CPU以及羽阵系列RFID芯片。其玄铁CPU累计出货量已超400亿颗，而含光800在ResNet-50基准测试中推理性能达78563 IPS，能效比为500 IPS/W，性能达当时业界最好水平的4倍。平头哥的产品广泛应用于数据中心、物联网、人工智能、云计算及汽车电子等领域，致力于为云原生、高性能计算和边缘计算等场景提供算力支持。　　35.芯原股份　　芯原股份成立于2001年，总部位于中国上海，是一家领先的芯片设计服务和半导体知识产权(IP)授权服务提供商，并于2020年在科创板上市。公司基于独有的芯片设计平台即服务(Silicon Platform as a Service, SiPaaS)经营模式，核心业务包括一站式芯片定制服务和半导体IP授权。其主流产品为六大类自主可控的处理器IP(包括GPU、NPU、VPU、DSP、ISP和显示处理器IP)以及超过1,600个数模混合IP和射频IP，并基于此为客户提供从芯片定义到量产的全程定制服务。芯原股份的IP授权业务全球市占率达1.6%，其技术和解决方案广泛应用于消费电子、汽车电子、计算机及周边、工业、数据处理、物联网等众多领域，客户涵盖全球知名的芯片设计公司、系统厂商和大型互联网公司。　　36. 景嘉微　　长沙景嘉微电子股份有限公司成立于2006年，总部位于湖南长沙，是一家专业从事高可靠电子产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业，于2016年在深交所创业板上市。公司是国内GPU领域的领军企业和龙头企业，拥有自主知识产权和成熟的图形处理芯片。其主流产品包括自主研发的JM5400、JM7200、JM7201以及JM9系列等高性能GPU芯片和显卡，以及图形显控模块、小型化雷达、无线通信系统等。产品广泛应用于军用飞机、航天航空等国防装备的图形显控领域，以及桌面办公、工业控制等高可靠性要求的场景，在军用图形显控市场占有率领先，是国内唯一实现通用GPU量产的芯片设计公司之一。　　37.黑芝麻智能　　黑芝麻智能科技(上海)有限公司成立于2016年，总部位于上海，并在武汉、硅谷等地设有研发中心，是国内领先的车规级智能汽车计算芯片供应商，专注于自动驾驶领域，是国内首家集齐功能安全认证的自动驾驶芯片公司。其主流产品包括华山系列高算力自动驾驶芯片(如华山一号A500算力5-10TOPS、华山二号算力40TOPS且能效比大于6TOPS/W)和武当系列跨域计算芯片，以及多芯片互联FAD板卡(算力高达160TOPS)，提供基于自研IP核和SoC的全栈式解决方案，应用于L3/L4级别自动驾驶场景，如泊车、城市道路和高速驾驶，已出货给多家整车厂商。　　38.爱芯元智　　爱芯元智半导体股份有限公司成立于2019年5月，总部位于上海，是一家专注于人工智能视觉芯片研发的高新技术企业。公司核心技术为自研的爱芯智眸AI-ISP和爱芯通元混合精度NPU两大IP，致力于提升芯片在复杂场景下的图像画质和AI推理能效。其主流产品是AX系列边缘侧和端侧AI视觉推理芯片，已成功量产并迭代四代，广泛应用于智慧城市、智能驾驶、机器人以及AR/VR等领域的边缘和端侧设备市场。　　39.嘉楠科技　　嘉楠科技是一家在纳斯达克上市的领先ASIC芯片设计公司，最初以区块链矿机芯片闻名，并确立了“区块链+AI”的多元化发展战略。其主流产品主要包括两大方向：一是面向区块链领域的阿瓦隆(Avalon)系列矿机芯片;二是基于RISC-V架构的勘智(Kendryte)系列边缘AI芯片(如K210、K230)，该系列芯片以强悍的算力在人体骨骼识别、动态手势处理等方面具有优势，广泛应用于智能家居、智能园区、智能能耗和智能农业等场景。　　40.奕斯伟计算　　奕斯伟计算是一家成立于2016年的高估值集成电路设计企业，公司采用独特的“芯片+材料+封测”一体化布局。主流产品与服务涵盖三大业务板块：芯片及解决方案(包括显示与视频、智慧连接、智慧物联和智能计算加速四类芯片)、硅材料(12英寸先进制程硅单晶抛光片和外延片)以及先进封测(芯片后端封测、COF卷带、板级集成封测)。其技术广泛应用于显示驱动、物联网及智能计算等领域，是国产芯片产业中的重要参与者。　　41.圣邦股份　　圣邦微电子(北京)股份有限公司成立于2007年，是国内高性能模拟集成电路设计的龙头企业，也是A股首家专注模拟芯片设计的上市公司。公司采用Fabless模式，专注于信号链和电源管理两大领域的模拟芯片研发与销售。其主流产品线全面，信号链芯片包括运算放大器、比较器、数据转换器(ADC/DAC)、模拟开关等;电源管理芯片包括线性稳压器(LDO)、DC/DC转换器、电池管理芯片、LED驱动器等。公司产品型号丰富，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、通信设备和人工智能等众多领域。　　42.思瑞浦　　思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司(股票代码：688536)成立于2012年，总部位于江苏苏州，是一家专注于高性能模拟及数模混合芯片设计的集成电路企业，于2020年在科创板上市，作为国内信号链模拟芯片领域的龙头企业，公司持续拓展产品线。其主流产品主要包括信号链模拟芯片和电源管理模拟芯片两大类：信号链芯片涵盖线性产品(如运算放大器、比较器)、转换器产品(如高精度ADC/DAC)和接口产品;电源管理芯片则包括线性稳压器(LDO)、DC/DC转换器、电源监控电路和电池管理芯片等。这些产品以高精度、高可靠性著称，广泛应用于信息通讯、工业控制、汽车电子、医疗健康和仪器仪表等领域。　　43.韦尔股份 (豪威科技)　　韦尔股份，全称豪威集团-上海韦尔半导体，是一家总部位于上海的中国领先半导体设计公司，通过成功并购全球CMOS图像传感器(CIS)厂商豪威科技(OmniVision)实现了跨越式发展。公司主流产品以CMOS图像传感器为核心，在全球CIS市场排名第三，覆盖手机、汽车和安防三大应用领域，同时提供模拟芯片、显示驱动芯片(如TDDI)、触控与显示驱动器集成以及电源管理IC等，广泛应用于消费电子、汽车智能化、工业控制等领域。　　44.卓胜微　　卓胜微成立于2012年，总部位于江苏无锡，是一家专注于射频集成电路领域的高新技术企业，于2019年在深圳证券交易所创业板上市。作为国内射频前端芯片设计的龙头企业，公司主流产品包括射频开关、射频低噪声放大器(LNA)、射频滤波器以及射频前端模组(如L-PAMiD)等。这些产品构成了无线设备的“智能交通指挥系统”，具有高集成度、低功耗的特点，广泛应用于智能手机、智能穿戴、通信基站和汽车电子等领域，客户覆盖全球主要安卓手机厂商，如三星、小米、OPPO、vivo等。　　45.格科微　　格科微有限公司成立于2003年，总部位于上海浦东新区张江高科技园区，是中国领先的半导体设计企业，专注于CMOS图像传感器(CIS)和显示驱动芯片的研发、设计与销售。公司主流产品包括手机CIS传感器(覆盖从低端到高端的全系列，如5000万像素单芯片图像传感器)、非手机CIS产品以及显示驱动芯片，这些产品如同电子设备的“精密视觉系统”，广泛应用于智能手机、平板电脑、汽车电子和安防监控等领域。格科微在全球手机CIS芯片市场份额位居前列，客户包括三星、小米、OPPO、vivo等主流品牌，并通过自建12英寸晶圆产线实现Fab-Lite模式转型。　　46.汇顶科技　　汇顶科技成立于2002年，总部位于深圳，是一家基于芯片设计和软件开发的整体应用解决方案提供商，于2016年在上交所上市。公司是全球领先的生物识别传感器供应商，其主流产品以指纹识别芯片和触控芯片为核心，包括光学屏下指纹识别方案、电容触控芯片，并已拓展至ToF传感器、健康监测传感器、蓝牙SoC以及车规级MCU等物联网和汽车电子领域。这些产品如同智能终端的“生物识别安全密钥”，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及汽车电子等领域，客户覆盖华为、小米、三星、谷歌等全球知名品牌。　　47.纳芯微　　纳芯微成立于2013年，总部位于苏州，是一家专注于高性能、高可靠性模拟及混合信号集成电路研发和销售的芯片设计企业。公司以信号链技术为基础，产品线聚焦于信号感知、系统互联与功率驱动三大方向，主流产品包括传感器信号调理ASIC芯片、隔离与接口芯片(如数字隔离器)、驱动与采样芯片以及电源管理芯片等。其产品具有高可靠性的特点，广泛应用于汽车电子(如新能源汽车的主驱逆变器、BMS、OBC)、工业控制、信息通讯及消费电子领域。凭借过硬的车规级芯片开发能力，公司已成功进入比亚迪、东风汽车、上汽大众等主流汽车供应链，并成为国内汽车模拟芯片领域的领军企业之一。　　48.艾为电子　　艾为电子成立于2008年，总部位于上海，是一家专注于高性能数模混合信号、电源管理、信号链及射频等集成电路设计的高新技术企业，于2021年在上海证券交易所科创板上市。公司主流产品线覆盖“声、光、电、射、手”五大领域，具体包括音频功放芯片(如智能音频放大器)、电源管理芯片(如LED驱动、过压保护OVP、快充芯片)、射频前端芯片(如低噪声放大器LNA)、马达驱动芯片以及触控传感芯片。这些产品广泛应用于智能手机、人工智能、物联网、汽车电子、可穿戴设备等智能终端领域，客户涵盖华为、小米、OPPO、vivo、三星等国内外主流手机品牌。　　49.上海贝岭　　上海贝岭股份有限公司成立于1988年，总部位于上海，于1998年在上海证券交易所主板上市，是国内集成电路行业的首家中外合资企业和首家上市公司。公司专注于模拟及数模混合集成电路设计，采用Fabless模式，主流产品包括电源管理芯片(如BL系列)、智能计量芯片(如电能计量SoC)、功率器件(如MOSFET和IGBT)以及高速高精度ADC/DAC等数据转换器。这些产品广泛应用于工业控制、汽车电子、智能电网和消费电子等领域，凭借高压BCD工艺、车规级认证等技术优势，在国产模拟芯片市场占据约6%的份额，并在智能电表计量芯片细分市场以15%的占有率保持领先地位。　　50.矽力杰半导体　　矽力杰半导体技术(杭州)有限公司(简称矽力杰)成立于2008年，总部位于杭州，是一家专业从事高性能模拟集成电路设计的Fabless公司，于2013年在台湾证券交易所上市，是亚洲最大的独立模拟芯片设计企业之一。公司主流产品以电源管理芯片为核心，包括DC/DC转换器、AC/DC控制器、LED驱动芯片、电池管理芯片、电源管理单元(PMU)以及信号链芯片等，以高效率、高可靠性和小封装著称。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备、汽车电子和新能源等领域，客户涵盖华为、中兴、小米、联想等知名企业，并积极拓展车规级市场。
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发布时间：2026-01-05 16:08 阅读量：312 继续阅读>>
模拟<span style='color:red'>电路设计</span>中噪声分析的误区及注意事项
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模拟电路设计中噪声分析的误区及注意事项

　　在模拟电路设计中，噪声是一个不可忽视的因素，它会对电路性能和稳定性产生重要影响。噪声源于各种随机因素，包括器件本身、温度、电磁干扰等，因此，在进行模拟设计时需要进行噪声分析以确保电路性能符合要求。然而，噪声分析过程中存在一些常见误区，同时也有一些关键的注意事项需要特别注意。本文将模拟设计中噪声分析的误区及注意事项。　　1. 误区：忽略器件噪声参数　　1.1 问题描述　　在模拟设计中，很多工程师容易忽略器件的噪声参数，只关注传统的电压增益、带宽等指标，而忽视了噪声参数对整体电路性能的重要影响。　　1.2 解决方法　　正确评估器件的噪声参数，包括输入噪声、输出噪声、噪声系数等，选择低噪声的器件并合理设计电路结构，以降低整体电路的噪声水平。　　2. 误区：简化分析过程　　2.1 问题描述　　有些工程师倾向于简化噪声分析过程，忽略复杂的噪声源与信号源之间的相互作用，从而导致对真实噪声水平的误判。　　2.2 解决方法　　细致分析电路中各个噪声源的贡献，考虑交叉耦合、共模噪声等因素，采用合适的噪声模型和仿真工具进行全面准确的噪声分析。　　3. 误区：忽略温度效应　　3.1 问题描述　　温度变化会影响器件参数和性能，但有时工程师在噪声分析中容易忽略温度效应对噪声的影响，导致设计的不稳定性和不准确性。　　3.2 解决方法　　考虑温度对器件参数如噪声指数、漏电流等的影响，进行温度分析并结合恰当的校准措施，确保电路在不同温度下的性能稳定性。　　4. 注意事项：频谱分析　　4.1 频谱分析的重要性　　频谱分析是噪声分析的重要手段，通过频谱分析可以清晰地了解电路中各个频率点的噪声功率密度，有助于准确定位和优化噪声源。　　4.2 正确使用频谱分析工具　　选用适当的频谱分析仪器，掌握其操作技巧，合理设置测量参数，并对频谱数据进行准确分析和解读，确保获得可靠的噪声信息。　　5. 注意事项：布线和接地　　5.1 布线和接地对噪声的影响　　不良的布线和接地会增加电路中的串扰和共模噪声，导致噪声水平升高。良好的布线和接地设计可以有效减少干扰，提高电路的抗噪能力。　　5.2 布线和接地注意事项　　合理规划信号线和电源线的走向，减少交叉干扰。　　使用足够宽度和厚度的接地线，确保良好的接地连接。　　避免在信号传输路径上放置大功率设备或高噪声源，以减少对信号线的影响。　　6. 注意事项：敏感元件的选择　　6.1 选择低噪声元件　　在进行模拟设计时，应优先选择具有低噪声指标的器件，如低噪声运放、低噪声二极管等，以降低整体电路噪声水平。　　6.2 抑制敏感元件周围的噪声源　　将敏感元件远离可能产生干扰的元件、电源线路或其他噪声源，采取屏蔽措施或隔离设计，减少外部干扰对其影响。
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发布时间：2026-01-04 16:52 阅读量：290 继续阅读>>
电子<span style='color:red'>电路设计</span>必知：5大核心原则、5种关键方法与6个实施步骤
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电子电路设计必知：5大核心原则、5种关键方法与6个实施步骤

　　电子电路设计原则　　01整体性原则　　在进行电子电路设计时，最需要重视的原则就是整体性原则，因为在设计电子电路时，必须要从整体的角度出发，从整体到局部的进行电子电路的设计，也就是说在进行设计时，要考虑电子电路各个部件之间的关系，通过对部件的分析，从而判断其整体性质。　　02功能性原则　　虽然电子电路的设计是十分复杂的，但是无论是多么复杂的大型电子电路，都可以通过划分部件的方式将电子电路分成不同层次的小电路。所以在进行电子电路设计时，要按照各个部件的功能进行明确的划分，再通过实际电路情况，将各个部分部件进行融合。　　03最优化原则　　最优化原则其实指的就是对一个设计标准达标的电子电路而言，都会是由多个不同的小组件组成的。也就是说，在一个电子电路中，无论是哪一个小部件的质量没有达标，都会导致整体电子电路质量不达标。所以在进行电子电路设计时，一定要保证每一个部件都能够达标。　　04稳定性原则　　其实影响电子电路稳定性的因素有很多，并且有一些问题并不是人为可以控制的。也就是说，在进行设计电子电路时，一定不定因素很多，并且发生的时间也是完全不受控制的。所以在设计电子电路时，最重要的一点原则就是要保证其稳定性。　　05性价比原则　　在现如今电子产业竞争如此激烈的当下，无论是任何产品，都必须要将生产周期和成本进行有效的控制，因为只有通过出色的使用性能和性价比，才能够提升产品的竞争力。所以在进行电子电路设计时，还要注重性价比的原则。　　电子电路设计方法　　01层次化设计　　层次化设计的方法其实就是在设计时，要将设计思路进行分层次化处理，将各个部分的电路进行分别分析和描述，只有这样才能够最大程度上保证电子电路的整体使用性能和稳定性。在设计过程中，要将整体的电子电路分成一个个不同的部分和组件，通过分别分析，最后进行整理。　　02渐进式组合设计　　在进行电子电路设计时，要利用渐进式组合设计的方法进行设计，这样能够有效的避免在设计过程中，出现失误的几率，从而最大程度上提升电子电路的稳定性。　　03硬件语言描述设计　　利用硬件语言描述的方法进行设计，能够最大程度上保证电子电路设计的准确性，因为硬件语言描述设计方法是利用计算机进行数字化设计和整理的，所以这种方法比人工设计准确性要更高。　　04最佳化设计　　电子电路不仅仅是在设计过程中很繁琐，电子电路设计完成之后在进行调整也是非常麻烦的一件事情。所以在设计过程中， 一定要保证电子电路的精准度，也就是需要最佳化设计方法。　　05电路方程设计　　在进行一个比较复杂的电子电路设计时，可以利用电路方程的设计方法进行设计，这种方法都是由一个数字模型进行模拟设计，最大程度上简化了设计过程，提升了精准度。　　电子电路设计步骤　　01明确功能要求　　在设计电子电路时，第一个步骤就是要明确功能的具体要求，通过设计要求和目标进行分析和整理，判断出设计要求中需要哪些功能，控制关系是怎样的，最后画出功能框架设计图，再根据用户的设计要求，进行相应的整改。02确定整体设计方案　　用户要求和功能框架设计图全部完成之后，就要根据设计要求和目的进行整理和分析，通过对成本的计算和器件的采购难易度进行分析，再根据各个功能画出系统功能框架最终设计图纸，必要时也可以设计多个方案，再从中挑选。03优选设计方案　　在确定了设计目标和要求之后，通过已经完成的功能框架设计最终图进行最后的分析和整理，根据用户的需求和实际情况，进行优选整理，比如有多个操作方案，必须要选择最佳操作方案，以成本、操作难易度、使用性能为首要考虑条件。04初步形成设计方案　　在各个部分组件都完成的之后，然后就需要将各个部分的组件进行连接和整理。这个过程必须要准确的设计图才能够完成，所以设计者必须要画出整体电子电路设计图，再根据设计图进行连接。这样能够最大程度上减少失误，提升电子电路的整体质量。05电路调试　　在制出成品之后，设计人员要对其进行相应的电路调试，包括系统故障的问题的排查，还有一点就是系统使用性能的测试以及功能测试。在调试过程中，必须要将以上三种情况进行分别测试，以保证整体电子电路的使用性能和整体质量。06电路定型　　电子电路设计最终也是最重要的一部就是电子电路的定型，做出最终的样品之后就要对所有的电路和分电路进行测试，最终将调试合格的样品进行定性，再由专业的专家进行鉴定，电子电路才能够算是真正的定型。
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发布时间：2025-08-28 15:22 阅读量：600 继续阅读>>
集成<span style='color:red'>电路设计</span>：地电平面反弹噪声和回流噪声是什么？
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集成电路设计：地电平面反弹噪声和回流噪声是什么？

　　在集成电路(IC)及电路板(PCB)设计中，地电平面反弹噪声与回流噪声是影响电路性能稳定性的重要因素。尤其在电流变化剧烈或地电平面分割的情况下，这两种噪声问题尤为突出。　　1.地电平面反弹噪声　　定义：地电平面反弹噪声(简称地弹)是指在电路中存在大电流涌动时，由于芯片封装与电源平面间的电感、电阻效应，导致真正的地平面(0V)上产生电压波动和变化的现象。　　产生原因：大量芯片输出同时开启，形成瞬态大电流，通过芯片与电源平面间的路径时，由于电感、电阻的存在，产生压降，使地平面电位偏离0V。　　影响因素：负载电容增大、负载电阻减小、地电感增大、同时开关器件数目增加，均会加剧地弹现象。　　2.回流噪声　　定义：回流噪声是由于地电平面(包括电源和地)被分割为多个区域(如数字地、模拟地、屏蔽地等)，当信号跨越不同地平面区域时，产生的电流回流路径上的噪声。　　产生原因：地平面分割导致信号路径上的电流不得不通过其他路径回流，如数字信号进入模拟地线区域时，产生的回流电流会干扰模拟电路。　　影响因素：电源层分割为不同电压等级(如2.5V、3.3V、5V等)，地电平面的分割程度，以及信号跨区域的频率和幅度。
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发布时间：2025-08-18 15:06 阅读量：579 继续阅读>>
工信部：上半年我国集成<span style='color:red'>电路设计</span>收入2022亿元，同比增长18.8%
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工信部：上半年我国集成电路设计收入2022亿元，同比增长18.8%

　　据工信微报官微消息，8月1日，工信部发布了2025年上半年软件业运行情况。　　2025年上半年，我国软件和信息技术服务业(以下简称“软件业”)运行态势良好。软件业务收入70585亿元，同比增长11.9%;软件业利润总额8581亿元，同比增长12.0%;软件业务出口283亿美元，同比增长5.3%。　　上半年，软件产品收入15441亿元，同比增长10.6%，占全行业收入比重为21.9%。其中，基础软件产品收入903亿元，同比增长13.8%;工业软件产品收入1445亿元，同比增长8.8%。　　上半年，信息技术服务收入48362亿元，同比增长12.9%，占全行业收入的68.5%。其中，云计算、大数据服务共实现收入7434亿元，同比增长12.1%，占信息技术服务收入的15.4%;集成电路设计收入2022亿元，同比增长18.8%;电子商务平台技术服务收入5882亿元，同比增长10.2%。
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发布时间：2025-08-06 11:02 阅读量：821 继续阅读>>
江西萨瑞微S8050H三极管，您的<span style='color:red'>电路设计</span>好帮手
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江西萨瑞微S8050H三极管，您的电路设计好帮手

　　今天我们来深入了解江西萨瑞微电子的爆款产品——S8050H三极管。　　一、什么是S8050H?　　S8050H是一款NPN型硅双极型晶体管(BJT)，属于小信号晶体管类别。它是江西萨瑞微电子精心打造的高性能三极管，广泛应用于各类电子电路中。　　结构特点*S8050H 三极管结构图　　S8050H 是一款NPN 外延硅晶体管，具有低电压和高电流能力，是推挽放大和通用开关应用的亮点。　　S8050H三极管包含三层，其中一个 P 掺杂半导体层封装在另外两个 N 掺杂层之间。P掺杂层代表基极端，而其他两层分别代表发射极和集电极。　　S8050H三极管具有两个 PN 结：正向偏置的发射极-基极结和反向偏置的集电极-基极结。　　需要注意的是，S8050H 三极管必须在正向偏置模式下运行才能获得更好的性能。如果晶体管没有正向偏置，则无论在基极端子上施加多少电压，都不会有集电极电流。　　当在基极端施加电压时，放大是一种简单的方式，晶体管吸收小电流，然后用于控制其他端子的大电流。　　二、S8050H三极管参数　　S8050H三极管主要包含三个端子，即发射极、基极和集电极，用于与电子电路的外部连接，三个端子在掺杂浓度方面是不同的。　　其中发射极是高度掺杂的，基极是轻掺杂的，而集电极是中掺杂的。前者控制电子数量，后者从基极收集电子数量。一个端子的小电流用于控制其它端子的大电流。　　三、S8050H 的CAD 模型　　S8050H三极管的封装尺寸图　　四、S8050H 三极管特点　　低电压、大电流 NPN 晶体管　　小信号晶体管　　最大功率：0.3 W　　最大直流电流增益 (hFE) 为 400　　连续集电极电流 (IC) 为 800mA　　基极-发射极电压(VBE) 为 5V　　集电极-发射极电压 (VCE) 为 20V　　集电极-基极电压 (VCB) 为 30V　　高 用于推挽配置 B 类放大器　　SOT-23 封装　　五、S8050H工作原理讲解　　在 S8050H NPN 晶体管中，当基极接地时，发射极和集电极等两个端子都将反向偏置，当向基极引脚提供信号时，它们将关闭(正向偏置)。　　S8050H 三极管的最大增益值为 300，此值将决定放大能力，如果放大率很高，则将其用于放大。　　但是，集电极电流的增益值将是 110，并且整个集电极端子的最大电流供应是 800mA，因此我们无法通过该晶体管通过 800mA 以上的电流来控制不同的负载。一旦向必须限制在 5mA 的基极引脚提供电流供应，晶体管就可以被偏置。　　一旦该晶体管完全偏置，则它允许高达 800mA 的电流通过发射极和集电极端子提供，因此该阶段称为饱和区。VCE 或 VCB 上使用的典型电压相应为 20V 和 30V。　　一旦在晶体管的基极端移除电流源，它将被关闭，因此这个阶段称为截止区域。　　在S8050H NPN 晶体管中，电子是主要的电荷载流子，与空穴是主要电荷载流子的 PNP 晶体管不同　　基极相对于发射极更正，集电极上的电压也必须比基极更正。　　两个电流增益因素：共发射极电流增益和共基极电流增益对决定晶体管的特性起着至关重要的作用。　　共发射极电流增益是集电极电流和基极电流之间的比率，这称为贝塔，用 β表示，通常在 20 到 1000 之间，但标准值取为 200。　　同样，共基极电流增益是集电极电流和发射极电流之间的比率，它被称为阿尔法，用α表示，其值主要在0.95到0.99之间，但大多数时候它的值被取为1。　　六、S8050H 可以用什么型号替换?　　1、S8050H 替代品　　MMBT4401、MMBT2222A、SS8050、MMBT5551、M8050　　2、S8050H对管型号　　S8550H、SS8550　　注意：替换时请仔细比对参数，确保符合电路要求。　　七、S8050H三极管如何工作的?　　1、S8050H 三极管构成推挽放大器(B类放大器)　　推挽放大器是一种多级放大器，常用于扬声器内的音频放大，该电路的设计非常简单，需要两个相等的互补晶体管才能工作。　　互补意味着我们需要一个 NPN 晶体管及其等效的 PNP 晶体管。像这里的 NPN 晶体管将是S8050H ，其等效的 PNP 晶体管将是S8550H。使用 S8050H 的 B 类放大器的简单电路图如下所示。　　2、S8050H 三极管作为开关　　当 S8050H 三极管用作开关时，它工作在饱和区和截止区。　　当我们向晶体管的基极提供电流时，它为集电极电流从基极流向发射极开辟了一条路径。在正向偏置期间，晶体管将充当打开开关，在反向偏置期间，它将充当闭合开关。　　3、S8050H 三极管作为放大器　　当处于活动区域时，S8050H 三极管作为放大器工作。S8050H 三极管具有放大功率、电压和电流的能力。　　最流行和最常用的配置是共发射极类型， 输入总是施加在放大晶体管电路的正向偏置结上，类似地，可以通过晶体管的反向偏置结收集输出。　　江西萨瑞微的S8050H三极管，以其卓越性能和多样化应用，成为电子工程师的得力助手。无论您是在设计放大器、开关电路还是LED驱动，S8050H都将是您的理想之选。
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发布时间：2025-08-01 14:06 阅读量：810 继续阅读>>
上海雷卯电子：光电传感器的静电浪涌防护<span style='color:red'>电路设计</span>
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上海雷卯电子：光电传感器的静电浪涌防护电路设计

　　光电传感器简介和作用　　光电传感器通过光信号的发射、反射或遮挡，实现物体检测、距离测量等功能，广泛应用于工业自动化(产线计数)、智能物流(AGV 导航)、安防监控(红外报警)等场景。　　光电传感器原理　　典型的对射型/ 漫反射型光电传感器，核心是 “光→电信号转换电路”，配合 LED 状态指示和晶体管驱动负载(如继电器)，利用光电效应实现物理量检测的器件：　　1. 发射端：产生光信号(如红外 LED、激光二极管);　　2. 接收端：光敏元件(如光敏二极管、光敏电阻)将光信号转换为电信号;　　3. 信号处理电路：放大、整形电信号，输出至 MCU 或控制系统。(光电传感器典型系统框图)　　静电浪涌防护方案设计　　上海雷卯电子采用 “分类防护” 策略，从电源端到信号接口构建防护体系：　　01 电源端(棕线 + 蓝线)防护　　风险：10~30V 电源易受浪涌冲击(如雷击感应的上百伏脉冲)，直接损坏主电路。　　雷卯方案：在棕线与蓝线之间并联小体积、高功率的 TVS 管SMBJ33CA：覆盖 10~30V 工作范围，留有余量;峰值脉冲功率(Pₚ)400W(IEC 61000-4-5 标准浪涌);响应时间≤1ns(快速钳位)。　　02 信号输出端(黑、橙)线防护　　风险：负载端的静电(如继电器触点打火)反向侵入，击穿晶体管集电极。　　雷卯方案：在黑线、橙线与蓝线之间各并联小体积的ESD二极管SD36C，SOD323超小封装，进行静电浪涌二极防护，覆盖10-30V电源电压，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电30kV，空气放电30kV。　　03 控制输入端(粉线)防护　　雷卯方案：在粉线控制端与蓝线之间并联小体积的 ESD二极管ESDA05CP30，有效保护主控MCU，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电30kV，空气放电30kV。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-06-27 11:55 阅读量：643 继续阅读>>
纳芯微：使用高可靠性隔离放大器NSI1400x进行电流采样<span style='color:red'>电路设计</span>
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纳芯微：使用高可靠性隔离放大器NSI1400x进行电流采样电路设计

　　在高压工业应用场景中，隔离采样技术能够保护低压电路免受高压电源电路故障的影响，同时确保不同电压域之间维持通信，从而显著提高系统可靠性。　　NSI1400是一款基于纳芯微电容隔离技术的高性能隔离放大器，其输出与输入相互隔离。该产品已广泛应用于分流电流监测、电机驱动、不间断电源、光伏逆变器等多个领域。为了帮助客户简化设计流程，本应用指南介绍了如何根据客户的电流采样需求使用NSI1400。　　1. 典型应用电路　　NSI1400隔离放大器非常适合用于高压应用场景中的分流电阻式电流采样，比如电机驱动。典型的应用电路如图1所示。　　分流电阻Rsense两端的电压通过RC滤波器(RFLT和CFLT)施加到NSI1400的差分输入端。为了实现输入开关电容电路的电荷缓冲(参见2.1节“采用开关电容电路的模拟输入”了解更多详细信息)，必须增加大于330pF的滤波电容，并确保其位置尽可能靠近NSI1400，以提升在高噪声应用场景中的性能。　　隔离放大器的差分输出通过基于运算放大器的电路转换为单端模拟输出。建议在OUTP和OUTN引脚上添加大于1kΩ的电阻，以防止输出过流。模数转换器(ADC)通常在后端接收这个单端模拟输出信号，并将其转换为数字信号，以便控制器进行处理。　　2. 输入调理电路　　在NSI1400的应用中，如果输出误差(比如，增益误差或输入失调电压)异常地超出数据表规定的规格，这可能归咎于输入调理电路设计不当。本节将根据NSI1400的开关电容模拟输入电路和抗混叠原理，介绍NSI1400应用的推荐输入调理电路。　　2.1 采用开关电容电路的模拟输入　　作为NSI1200/NSI1300的迭代升级产品，NSI1400在输入架构方面进行了优化，旨在减少由输入偏置电流引起的采样误差。然而，这种架构变化对输入滤波电容的选择提出了新的要求(建议大于330pF)。如果设计不当，可能会导致采样误差增加。为了更好地帮助客户理解，下面将详细解释NSI1400的输入架构。　　NSI1400的模拟输入是基于二阶Σ-Δ调制器的开关电容电路。模拟输入的等效电路如图2所示。内部电容CIND通过周期性开关动作以12MHz的内部时钟频率fCLK连续充放电，实现输入信号数字化。在充电阶段，S1闭合，S2断开，CIND充电至输入差分电压。在放电阶段，S1断开，S2闭合，CIND放电至GND1+0.9V的电压水平。根据等效电路，可以按下面的公式计算输入电阻RIND：　　当电容性负载切换到输入端时，由于电荷重新分配，输入信号幅度会暂时下降。输入源尝试纠正这种情形，同时由于较长输入线路表现出类似电感的特性，这个过程中可能会出现过度振铃现象。为了解决这个问题，每个输入端增加外部电容器可以帮助提供采样过程中产生的电流尖峰。选用容量大于330pF的外部电容器(图1所示CFLT，也作为滤波电容)是提高瞬态电荷供应能力的一种方法。输入电容器应尽可能靠近NSI1400放置，以抑制振荡并确保采样精度。　　2.2 抗混叠原理　　采样系统能够以高精度处理的最高频率信号称为其奈奎斯特极限。采样率必须大于或等于输入信号最高频率的两倍。如果输入信号频率超过奈奎斯特频率，通带中会产生冗余或有害信号，这种现象称为混叠。图3阐明了信号混叠机制。例如，采样率fs为1MHz，采样信号带宽为fs的一半，即500kHz(奈奎斯特频率)。在采样过程中，频率为fin(fin>fs/2)的输入信号会镜像至通带中，成为频率为fs-fin的错误混叠信号。在实际应用场景中，通常设置更高的采样率，以提供一定的裕量并减少滤波需求。　　除了满足输入信号频率低于奈奎斯特极限的要求，采样系统的输入信号通常包含频率超过奈奎斯特频率的高频噪声。这些噪声会混叠到通带成为干扰信号。因此，需要在采样系统输入端设置抗混叠滤波器，从而在采样前滤除高频噪声，避免噪声混叠。选择的滤波器应考虑截止频率可以消除采样输入的高频噪声或至少将其衰减至不会对采样信号产生明显影响的程度。　　NSI1400是一个采样频率为12MHz的采样系统。为了防止混叠到通带内的高频噪声，抗混叠滤波器的截止频率不超过6MHz。　　2.3 输入滤波器设计　　NSI1400的输入调理滤波器设计考虑了电荷缓冲需求、抗混叠、输入信号频率和系统带宽等因素，如图1所示。　　为了满足输入开关电容电路的电荷缓冲需求，滤波电容器的容量需大于330pF。表1列出了在不同输入滤波电容条件下，NSI1400的增益误差测量结果。根据规格书指标，增益误差在±0.3%以内。因此，需要选择容量大于330pF的滤波电容器，而容量大于1nF的滤波电容器更佳。　　针对存在高频干扰应用的抗混叠需求，抗混叠滤波器的截止频率不超过6MHz，如第2.2节所示。　　位于INN和INP引脚之间的电容器用于滤除差分噪声，称为差分电容器Cdiff。位于INN/INP引脚与GND1之间的电容器用于滤除共模噪声，称为共模电容器Ccm。为了减少不同输入引脚的共模电容误差影响，建议Cdiff值至少是Ccm值的10倍。这可以防止由于元件容差导致共模噪声被转换为差分噪声。如果系统的共模噪声在可接受范围内，则无需设置Ccm。客户可以根据自身需求调整滤波器的设计。共模噪声滤波器和差分噪声滤波器的截止频率如下所示：
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发布时间：2025-04-07 15:07 阅读量：1400 继续阅读>>
一文了解电子<span style='color:red'>电路设计</span>方法与步骤
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一文了解电子电路设计方法与步骤

　　一、电子电路　　电子电路可以将复杂的电子产品内部的连接控制关系以最简洁、直观的形式展现出来，使电子产品安装、调试、检修人员能够在很短的时间内明了整个电子产品的内部结构和工作原理，进而在电子电路图的指示下完成相应的工作。在实际的生产、维修工作中，电子电路的连接关系、装配关系以及工作过程会通过不同的电子电路图来体现。　　通常，我们将表达电子电路连接关系的电路图称为电子电路连接关系图(接线图)，将表达电子电路装配关系的电路图称为电子电路装调图，而将表达电子电路结构和工作原理的电路图称为电子电路原理图。不同类型的电子电路图有不同的特点和用途。　　按照所处理信号形式的不同，通常可将电子电路分为模拟电路和数字电路两大类。用于传递和处理模拟信号的电子电路称为模拟电路;对数字信号进行传递、处理的电子电路称为数字电路。　　模拟电路通常注重的是信号的放大、信噪比、工作频率等问题。常见的有放大器电路、滤波电路、变压电路等。如收音机、电视机、电话机、变压器等电路。　　数字电路被广泛地应用于数字电子计算机、数字通信系统、数字式仪表、数字控制装置及工业逻辑系统等领域，能够实现对数字信号的传输、逻辑运算、计数、寄存、显示及脉冲信号的产生和转换等功能。　　模拟电路和数字电路的结合越来越广泛，在技术上正趋向于把模拟信号数字化，以获取更好的效果，如数码相机、数码电视机等。　　二、电子电路设计方法　　01.层次化设计　　层次化设计的方法其实就是在设计时，要将设计思路进行分层次化处理，将各个部分的电路进行分别分析和描述，只有这样才能够最大程度上保证电子电路的整体使用性能和稳定性。也就是会所，在设计过程中，要将整体的电子电路分成一个个不同的部分和组件，通过分别分析，最后进行整理。　　02.渐进式组合设计　　在进行电子电路设计时，要利用渐进式组合设计的方法进行设计，这样能够有效的避免在设计过程中，出现失误的几率，从而最大程度上提升电子电路的稳定性。　　03.硬件语言描述设计　　利用硬件语言描述的方法进行设计，能够最大程度上保证电子电路设计的准确性，因为硬件语言描述设计方法是利用计算机进行数字化设计和整理的，所以这种方法比人工设计准确性要更高。　　04.最佳化设计　　电子电路不仅仅是在设计过程中很繁琐，电子电路设计完成之后在进行调整也是非常麻烦的一件事情，所以在设计过程中， 一定要保证电子电路的精准度，也就是需要最佳化设计方法。　　05.电路方程设计在进行一个比较复杂的电子电路设计时，可以利用电路方程的设计方法进行设计，这种方法都是由一个数字模型进行模拟设计，最大程度上简化了设计过程，提升了精准度。　　三、电子电路设计步骤　　01.明确功能要求　　在设计电子电路时，第一个步骤就是要明确功能的具体要求，通过设计要求和目标进行分析和整理，判断出设计要求中需要哪些功能，控制关系是怎样的，最后画出功能框架设计图，在根据用户的设计要求，进行相应的整改。　　02.确定整体设计方案　　用户要求和功能框架设计图全部完成之后，就要根据设计要求和目的进行整理和分析，通过对成本的计算和器件的采购难易度进行分析，再根据各个功能画出系统功能框架最终设计图纸，必要时也可以设计多个方案，在从中挑选。　　03.优选设计方案　　在确定了设计目标和要求之后，通过已经完成的功能框架设计最终图进行最后的分析和整理，根据用户的需求和实际情况，进行优选整理，比如有多个操作方案，必须要选择最佳操作方案，以成本、操作难易度、使用性能为首要考虑条件。　　04.初步形成设计方案　　在各个部分组件都完成的之后，然后就需要将各个部分的组件进行连接和整理，这个过程必须要准确的设计图才能够完成，所以设计者必须要画出整体电子电路设计图，再根据设计图进行连接，这样能够最大程度上减少失误，提升电子电路的整体质量。　　05.电路调试　　在制出成品之后，设计人员要对其进行相应的电路调试，包括系统故障的问题的排查，还有一点就是系统使用性能的测试以及功能测试，在调试过程中，必须要将以上三种情况进行分别测试，以保证整体电子电路的使用性能和整体质量。　　06.电路定型　　电子电路设计最终也是最重要的一部就是电子电路的定型，做出最终的样品之后就要对所有的电路和分电路进行测试，最终将调试合格的样品进行定性，再由专业的专家进行鉴定，电子电路在能够算是真正的定型。　　四、电子电路设计需要考虑的内容　　01确定电路功能和性能参数　　在设计电子电路之前，需要明确电路的功能和性能参数。这将有助于确定电路的整体结构和所需的元器件。同时，还需要考虑电路的可靠性、功率消耗和成本等因素。　　02.选择适当的元器件　　在选择元器件时，需要考虑元器件的参数和性能，以确保它们能够满足电路的要求。此外，还需要考虑元器件的封装类型、价格和可靠性等因素。　　03.绘制电路原理图　　在确定电路的功能和元器件后，需要将它们组合成电路原理图。这将有助于工程师理解电路的工作原理和实现方式。在绘制电路原理图时，需要注意元器件的布局和连线，以确保电路能够正常工作。　　04.进行电路仿真　　在绘制电路原理图之后，需要进行电路仿真，以验证电路的性能和可靠性。电路仿真可以使用电路仿真软件进行，可以更加方便地进行分析和调试。　　05.制作电路原型　　在电路仿真验证后，需要制作电路原型进行测试。在制作电路原型时，需要注意布线的规范和元器件的焊接质量，以确保电路能够正常工作。　　06.进行电路测试和调试　　在制作电路原型后，需要进行电路测试和调试。在测试和调试时，需要注意测试仪器的使用和测量方法，以确保电路能够达到预期的性能和要求。
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发布时间：2025-03-17 17:08 阅读量：879 继续阅读>>
安森美：汽车区域控制器架构趋势下，这三类的典型<span style='color:red'>电路设计</span>正在改变
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安森美：汽车区域控制器架构趋势下，这三类的典型电路设计正在改变

　　汽车市场正在转向区域控制器架构的趋势方向，而汽车区域控制器架构正朝着分布式、集成化、智能化的方向发展，以实现更高效的数据处理、功能整合与自动驾驶支持。基于区域控制器架构带来很多设计的机会与挑战，例如SmartFET正越来越多替代传统的MOSFET器件。　　SmartFET是一种集成了智能控制和保护功能的功率MOSFET器件，今天已经在电动汽车上得到广泛应用。在传统功率开关元件的基础上，SmartFET增加了诸如过流、过热、过压保护以及实时监测和诊断等功能。通过集成电流检测、温度补偿以及自适应开关控制技术，SmartFET能够根据实际工作条件自动调整其行为，防止出现潜在故障，并且简化了电路设计，减少了外部组件需求。　　例如，在汽车电子领域，安森美(onsemi)提供的高边SmartFET不仅能够高效地切换负载，如LED照明、启动器、车门模块、暖通空调和其他执行器，还具有主动浪涌电流管理、过温关断与自动重启以及主动过压钳位等特性，从而极大地提升了整个系统的稳定性和使用寿命。　　从高边驱动到低边驱动，SmartFET的多效“收益”　　通常在使用MOSFET的时候，首先要有合适的驱动，例如一个合适的门极电阻。同时为了防止场效应管的损坏，我们还要有各种保护措施，例如过流过温和过压的保护电路，来保证其长期可靠运行不致损坏。通常这些保护电路都是由分立器件达成，既增加系统成本，同时也占据了较大的PCB空间。　　而SmartFET产品把这些驱动和监测保护电路都集成到标准MOSFET的封装里面，因此一个SmartFET有两个主要部件组成：首先它有一个基于标准MOSFET的功率级负责向负载提供电流;第二个就是控制级，这里面主要是指MOSFET的驱动和监测保护电路，有了这个控制级就能够正确的开关MOSFET，同时能够防止其损坏。这样既可以增加MOSFET使用的可靠性，同时也能节省系统成本，以及减少PCB占用的空间。这些优点使得SmartFET在汽车电子里面得到了广泛的使用。　　高低边驱动是用于控制电路中负载通断的两种基本方法，它们在电源管理、电机控制和汽车电子等领域广泛应用。具体来说：　　低边驱动(Low Side Driver, LSD)：在一个直流电源供电的电路中，低边驱动是指通过控制连接到负载地线(或接地端)的开关元件来实现对负载电流的接通和关断。当这个“开关”(通常是MOSFET或晶体管)导通时，负载可以形成回路并从电源汲取电流;当开关关断时，负载与地之间的路径被切断，从而停止电流流动。　　高边驱动(High Side Driver, HSD)：高边驱动则是指通过控制连接到负载电源正极一侧的开关元件来控制负载电流。高边驱动相对复杂一些，因为它需要处理的问题包括确保栅极驱动电压高于电源电压以保证MOSFET有效开启，并且必须考虑电荷泵或者自举电路来提供足够的栅极驱动电压。当高边开关导通时，负载与电源之间形成通路开始工作;而开关关断时，负载失去上端电源供应，电流不再流过负载。　　总结起来，在一个电源和负载之间，如果通过控制下侧(靠近地线)的开关来控制负载，就是低边驱动;如果通过控制上侧(靠近电源正极)的开关来控制负载，则是高边驱动。这两种方式都有各自的优缺点和适用场景，设计时根据系统需求、效率、安全性等因素选择合适的方式。　　高边SmartFET的三大类典型应用　　由于集成了各种检测和保护电路，高边SmartFET事实上能够处理各种各样的负载。常见的我们可以分为三大类应用。　　第一大类就是灯泡和电容负载。这类负载的特点是他们在刚开始导通的时候，会有一个浪涌电压。例如灯泡在冷态的时候，它的电阻比较小。刚开始导通的时候的电流会远远大于它的额定电流。电容更是如此，在刚开始导通的时候它有一个充电电流。这个时候就要求高边的SmartFET能处理这个浪涌电流。这些典型的负载如车内外的照明，或者像在ECU里常见的各类DCDC电源模块，等等。　　第二种负载就是感应负载。像各种电机和继电器这类负载他们有一个共同的特点，里面有能量的线圈在断开的时候是要有一个续流的回路，同时在原边线圈里面可能会产生一个感应电压(也叫做反激电压)。这些反激电压会在功率器件上产生过压，必须要把这个过压钳制到合理的范围，确保不会引起MOSFET功率开关的损坏。这类负载例如雨刷器、启动器、车门模块、暖通空调(HVAC)、燃油喷射器、电动助力转向、油门控制等的电机和继电器等。　　第三类就是电阻式负载。电阻式负载本身既没有浪涌电流也没有过压的情况出现，但是为了及时知道负载的变化，需要精确的电流检测能力。例如在LED应用中，当一串LED灯珠如果其中有一颗LED发生了损坏，这一串LED的灯串的电流就会发生变化。这个变化可能不大，但是需要及时准确的把它检测出来。这类应用除了LED照明以外，还包括加热单元、变速器和发动机管理系统等。　　区域控制器架构趋势下的SmartFET应用　　当前汽车市场的一个重要趋势是汽车电子电气架构已经开始转向区域控制器架构。区域控制器架构用来替代已经广泛使用的域控制器架构。所谓区域控制器架构，就是电子控制单元是按照特定区域的物理位置，而不是按照功能来组织和划分的。例如左车身、右车身和前车身等等，就近相应所需要的功能按照物理位置把它组织起来，组成一个区域控制器。这些区域控制器是通过高速的以太网来连接起来。这些以太网不仅传递和处理数据，同时也传递和分配电源，从而大大减少线束的复杂度和重量(值得一提的是，目前线束是电动汽车上第三重和第三贵的部件)。　　可以简单的归结为在区域控制器架构正在以网络取代线束，即以前域控制器里面的线束现在变成了网络。这个网络不仅是数据网络，同时也是电源网络。区域控制器架构由于它是由以太网组成的一个环形网，因此它很容易扩展，可以根据低、中、高不同档位的配置来加减相应的区域控制。这样的话，就很容易实现快速的产品市场投放。　　基于区域控制器架构不仅数据是通过网络进行传递和处理，同时电源也是通过网络进行按级分配。因此其中SmartFET会有很大的用处：用作整个区域控制器的efuse保险丝来保护电路，不至于因为浪涌电流或高压造成损坏;同时它也可以控制整个区域控制器架构的电源的通断;还可以通过SmartFET来决定什么时候把负载接到电源上面，什么时候把负载从电源上断开。　　安森美SmartFET的这些特点让应用更容易　　SmartFET是一种先进的半导体开关解决方案，旨在为汽车和工业应用提供高效、可靠的电源管理。其结构融合了垂直功率MOSFET和智能控制逻辑，实现了紧凑的封装和优化的性能。设计理念着重于提供高度集成的保护特性，如过温保护、过载保护和短路保护，以确保系统在各种故障情况下的安全运行。SmartFET还具备模拟电流检测输出，支持精确的负载监控。　　作为SmartFET产品技术的主要供应用，安森美在产品设计中考虑了与控制器的兼容性，使得在不同尺寸和不同RDS(ON)的SmartFET之间切换变得更容易，为应用提供更大的灵活性。安森美整个系列从1毫欧到60毫欧，从1安培到20安培，都具有相同的封装，以及相同的丝印，也有相同的指令结构和相同的高可靠性。因此，在设计制作区域控制器架构PCB板的时候，具有相当的通用性和灵活性，不会因为外部负载变化而要重新制作PCB板，这是一个非常大的优势。
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发布时间：2024-03-19 09:05 阅读量：1689 继续阅读>>

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