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核芯互联发布CLA253 <span style='color:red'>电流</span>感应放大器

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核芯互联发布CLA253 电流感应放大器

　　在电机驱动、电磁阀控制与电源监测等应用中，电流检测的精度与实时性直接决定系统性能。核芯互联正式推出新一代电压输出型电流检测放大器——CLA253。该产品集成 2mΩ 精密分流电阻，以1MHz 带宽、0.08% 系统增益误差和-55℃~+125℃ 宽温工作等硬核指标，为工业与汽车电子提供高可靠、高精度的电流测量解决方案。　　一、产品定位：国产替代，性能跃升　　CLA253 是一款电压输出型双向电流检测放大器，共模电压范围宽达 -4V 至 +80V，且与电源电压无关。产品面向电机驱动、电磁阀控制、变速箱控制等关键应用场景，旨在为国内工业与汽车电子产业提供自主可控、性能卓越的电流检测解决方案。　　CLA253 与 TI INA253A1 实现功能级兼容，并在核心性能指标上实现全面超越，为高精度电流测量应用提供强劲"芯"动力。　　▲CLA253 功能框图 — 集成 2mΩ 分流电阻与增强型 PWM 抑制电路二、核心突破：1MHz 带宽，实时电流追踪　　在 PWM 电机驱动与电磁阀控制应用中，对电流检测的带宽提出了极为严苛的要求—— 需要精准捕获快速变化的电流信号，实现实时在线测量。　　核芯互联 CLA253 设计有增强型 PWM 抑制电路，用于抑制大 dv/dt 信号，带宽高达1MHz(-3dB)，是 INA253A1 的2.8 倍，充分满足电机驱动应用中的在线电流测量需求。　　三、性能实测：精度提升 5 倍，温漂降低 76%3.1 CLA253 vs INA253A1 关键参数对比　　以下为 TA=25℃、VS=5V、ISENSE=IS+=0A、VCM=12V、VREF=VS/2 条件下的核心参数横向对比：　　▲CLA253 vs INA253A1 关键参数对比表3.2 精度优势解读　　系统增益误差仅 0.08%，精度提升 5 倍。得益于零漂移斩波放大器与精密电阻集成，全温度范围内增益误差温漂低至 ±25ppm/℃，确保全生命周期高精度。　　失调电流温漂降低 76%，宽温区更稳定。失调电流仅 10mA，温漂仅 30μA/℃，远优于 INA253A1 的 125μA/℃，在 -55℃~+125℃ 极端环境下依然稳定可靠。　　120dB DC CMRR，共模噪声无忧。在 -4V~+80V 超宽共模电压范围内，DC CMRR 高达 120dB，有效抑制高压共模干扰与地线噪声。　　3.3 集成 2mΩ 分流电阻，简化设计　　CLA253 内部分流电阻容差仅 0.1%，电感低至 3nH，采用优化 Kelvin 布局，无需外置精密检流电阻，节省 BOM 成本与 PCB 面积。封装电阻 IS+ to IS- 仅 4mΩ，最大连续电流 ±15A，满足高功率应用需求。　　四、典型应用场景　　CLA253 凭借高带宽、高精度和增强型 PWM 抑制电路，广泛应用于以下领域：　　电机驱动与控制电磁阀 & 阀门控制变速箱控制电源管理与 BMS 工业自动化五、封装与订货信息　　六、总结　　CLA253 在带宽、精度、温漂、共模抑制和工作温度范围等关键指标上全面领先或持平于国际同类产品 INA253A1，同时采用更紧凑的 DFN-20 封装，集成高精度分流电阻，显著降低系统设计与校准成本。对于追求高性能、高可靠性的电流检测应用，CLA253 是国产替代的理想之选。

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核芯互联

发布时间：2026-06-18 09:21 阅读量：254 继续阅读>>

【新品介绍】Littelfuse NANO²® SMD 708 系列保险丝为大<span style='color:red'>电流</span> 48 VDC AI 数据中心提供保护

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【新品介绍】Littelfuse NANO²® SMD 708 系列保险丝为大电流 48 VDC AI 数据中心提供保护

　　业界首款在 80 VDC 条件下额定分断电流为 14 kA，采用紧凑型表面贴装封装　　美国伊利诺伊州罗斯蒙特、中国上海 — 2026 年 6 月 16 日 — 为安全高效的电能传输提供多元化先进解决方案的领导企业 Littelfuse 公司 (NASDAQ：LFUS)，今天宣布推出 NANO²® 表面贴装型 708 系列保险丝，这是 Littelfuse 首款表面贴装式保险丝，在 80 VDC 电压下额定分断电流为 14,000 A。　　708 系列专为下一代 48 VDC 电力架构而设计，可满足 AI 服务器、超大规模数据中心和高密度配电系统不断增长的保护需求。随着功率水平的提高和电路板空间的缩小，设计人员不得不使用超大尺寸的手动安装插件式或螺栓固定式保险丝。708 系列在不影响性能的情况下提供了紧凑、自动化友好的替代方案。　　NANO²® 708 系列在紧凑的表面贴装封装中结合了高额定电流(60 A 至 200 A)和行业领先的分断额定值。这使设计人员能够保护暴露在高故障电流下的电路，同时优化布局效率并实现全自动组装过程。　　“我们的首款 Littelfuse 表面贴装保险丝在 80 VDC 下具有 14,000 A 的分断额定值，凭借这款新型保险丝，我们为使用传统插件式或螺栓固定式解决方案的设计人员提供了向表面贴装技术过渡的途径。”Littelfuse 过流无源器件产品管理高级总监 Daniel Wang 表示。“这种转变使自动化制造成为可能，提高了生产率，并降低了整体系统成本。”　　主要功能与优势包括：　　业界领先的额定分断电流：80 VDC 时为 14 kA，支持高故障电流环境　　高电流能力：60 A 至 200 A 范围，适用于要求苛刻的电源应用　　紧凑的表面贴装尺寸：节省空间并支持高密度设计　　自动化就绪型装配：无需手动安装与传统保险丝格式相关的操作　　性能可靠：高浪涌冲击的耐受力，符合全球安全标准　　708 系列旨在为预计会出现高故障电流的电路提供补充过流保护，包括配电单元(PDU)、电源架、电池备份单元(BBU)和电源单元(PSU)。它特别适用于 AI 服务器集群、网络设备和超大规模数据中心基础设施。　　其他应用包括可再生能源系统和电池管理系统(BMS)，在这些应用中，紧凑型大功率保护解决方案至关重要。　　708 系列是 Littelfuse 面向数据中心基础设施的 48 V 保护解决方案广泛产品组合的一部分，是对包括 456、871 和 881 系列在内的现有保险丝系列的补充。　　图 1.NANO²® SMD 708 系列保险丝　　NANO²® SMD 708 系列保险丝常见问答　　1.708 系列与现有 SMD 保险丝有何不同?　　它采用表面安装式封装，在 80 VDC 条件下提供业界领先的 14 kA 分断额定值。这种级别的保护以前只适用于较大的插件式保险丝或螺栓固定式保险丝。　　2.为什么高分断额定值在人工智能数据中心很重要?　　AI 服务器和高密度电力系统面临巨大的故障电流潜力。高分断额定值可确保保障电流安全中断，而不会损坏周围电路。　　3.708 系列能否取代现有的管状或螺栓固定式保险丝?　　是的。它是许多传统保险丝解决方案的替代产品，可实现更小的尺寸、更高的可制造性和自动化装配。　　4.表面贴装设计如何为制造商带来好处?　　表面贴装可实现自动化拾放组装，从而降低人工成本、提高一致性并提高产量。　　5.708 系列适用于哪些系统和电源架构?　　708 系列针对 AI 服务器、超大规模数据中心和高密度配电系统中常用的 48 VDC 电源架构进行了优化。它特别适用于 PDU、PSU、备用电池单元以及其他对高电流和紧凑设计至关重要的应用。　　6.设计师应该在什么情况下选择 708 系列而不是其他保险丝?　　当应用要求在紧凑的结构中同时具有高电流处理能力和极高的分断额定值时，708 系列是理想选择。在更换空间受限设计中的超大插件式或螺栓固定式保险丝时，或过渡到自动化表面贴装组装时，尤其有益。　　供货情况　　NANO²® 表面贴装型 708 系列保险丝提供 500 只装的卷带包装。通过全球任何一家 Littelfuse 授权经销商索取样品。如需了解 Littelfuse 授权经销商名单，请访问 Littelfuse.com。

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Littelfuse

发布时间：2026-06-17 09:15 阅读量：288 继续阅读>>

搞定车载激光雷达VCSEL驱动！思瑞浦发布高压大<span style='color:red'>电流</span>高速驱动技术白皮书

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搞定车载激光雷达VCSEL驱动！思瑞浦发布高压大电流高速驱动技术白皮书

　　激光雷达需在纳秒量级内向VCSEL注入数十安培的精准电流，既要保证探测距离，又不能在任何情况下灼伤人眼——难点大多集中在发射端这颗驱动芯片上。本文从电压预算、驱动架构、人眼安全到选型，拆解它为何需要60V–80V耐压、20A–50A峰值、ns级边沿。　　图1 车载LiDAR扫描架构分类与演进——机械式/半固态/纯固态，趋势向纯固态电子扫描收敛　　车载LiDAR正转向纯固态2-D可寻址VCSEL阵列，对发射端多通道集成要求更高。dToF测回波飞行时间，发射驱动须在精确时刻注入高峰值、窄脉宽、快边沿脉冲。　　图2 LiDAR系统框图——涵盖发射Tx、接收Rx、电源转换、系统监控与接口，其中蓝色为3PEAK产品覆盖范围　　一、为什么发射驱动需要60V–80V?　　图3　dToF测距信号链——TX发射、目标回波、RX接收到信号处理　　核心约束可用一个公式概括：电流变化越快，回路寄生电感产生的感性压降越大——每nH电感都按V=L·di/dt占去一截电压裕量，同时拖慢脉冲边沿。而边沿每增加1ns，测距误差约增大15cm，约一本书的宽度。　　驱动电压预算：六结、20A、1ns上升时间基线　　各项压降逐一叠加(见上表)，六结即达四十余伏;随多结VCSEL向八结、十结演进、电流加大，电压预算很快逼近80V。约束由此明确：高电压、低电感、快开关。　　二、几十安培，怎么一瞬间放出来?　　图4 2-D Flash LiDAR TX 驱动系统架构——Boost升压、TPM8909Q高边充电、TPM8918Q低边脉冲与VCSEL阵列　　采用“高边充电加低边脉冲”架构，其原理类似相机闪光灯：由高边电路预先将能量储入本地电容，再由低边开关在发射瞬间释放，从而把慢速充电与快速脉冲解耦，停止充电即切断能量源。整条链路含四个模块：Boost升压、高边充电IC、储能电容阵列、低边脉冲IC(见上图)。　　充电拓扑与封装　　充电拓扑有恒流与谐振两种方式：恒流方案电路成熟、时序确定、EMC表现好;谐振方案借LC谐振转移能量、效率更高，适合大电容、高帧率，代价是电路更复杂。封装则在物理上决定回路寄生电感——集成度越高、键合线越少，寄生越小，而在大电流、快边沿下寄生会直接抬高关断过冲，故低寄生封装对高压快脉冲尤为关键。　　2-D 阵列驱动　　阵列驱动是2-D固态路线的核心。传统1-D线阵加机械扫描存在三处短板：任意时刻只有一列发光、光子利用率低，热耗集中在同一组发射器、限制峰值功率，外加扫描光学的损耗与可靠性风险。2-D可寻址 VCSEL面阵改以电子方式逐区点亮，把光能集中到目标区域，单个发射器每帧只承担一小部分脉冲、热负载下降，并省去运动光学。　　由此带来的一项关键能力是高反膨胀抑制：车牌、路牌等强反射目标的回波会使接收端饱和、向邻近像素溢出，模糊甚至淹没周边目标，而 2-D逐区可寻址可对这些已知高反区域单独调低驱动电流或发射器数量，从发射端做区域级功率控制、从源头抑制，又不牺牲其它区域的探测能力。　　实现上有两处关键设计：行列寻址让阵列按“行+列”寻址、控制线数大幅减少，多颗芯片级联即可覆盖整片阵列;双寄存器组的乒乓机制在当前行发光期间预写下一行参数、切换即时生效，几乎不占用时序。系统再以大小波交替兼顾远近——远距用大波保证回波信噪比，近距用小波避免接收端饱和。　　关得太快，会出什么问题?　　图5 TPM8915Q实测光脉冲——脉宽约 6.1ns、上升 / 下降约 1.8ns，关断后可见振铃引起的二次发光　　关断越快脉宽越窄，但回路电感对负向di/dt同样按V=L·di/dt，带来两类风险。一是二次发光：振铃让VCSEL再次正偏，主脉冲后冒出小光脉冲、形成虚假回波，即上图衰减振铃。　　图6 TPM8915Q关断电压振铃实测——约56.5A、回路寄生约3nH下节点对地过冲约110V　　二是过电压：回路电感像急刹车时的惯性一样抗拒电流骤变——电流被快速切断时，它为维持电流而在两端激起反向电压尖峰，实测可达约110V，既冲击器件耐压、又反偏VCSEL。对策是降低回路寄生、将过冲控制在80V以内，并辅以可编程斜率与续流钳位。　　三、芯片坏了，会闪伤眼睛吗?　　图7 正常脉冲模式与低边短路故障模式的对比——后者脉冲退化为连续发光　　VCSEL的单脉冲能量本就超出IEC 60825-1 Class1的MPE一到两个数量级，正常工作全靠不到0.1%的占空比，把平均功率压在安全线内。风险在于故障：一旦低边开关短路，激光便从脉冲退化为连续发光(CW)，占空比跳至100%、平均功率约等于峰值功率，相对安全平均限值可超标上千倍。因此标准要求：任何单一故障下都不得超过 MPE，并达到车规功能安全ASIL B以上。　　人眼安全先从识别链路失效模式及其危害入手：　　双芯片架构在此提供了一道独立兜底：即便低边IC彻底失效，高边仍能停止充电并主动放电，待储能电容能量耗尽后激光自然熄灭——这是将全部功能集成于单颗芯片的纯低边方案难以具备的。　　四、按场景怎么选?　　图8 TPM8915Q 集成功率级驱动系统——WLCSP封装内集成 80V/50A功率级，封装寄生小于0.1nH　　Flash固态多通道：高边加低边　　高边充电IC TPM8909Q与TPM8909AQ给16通道80V储能与 CVD/RVD诊断，低边脉冲IC TPM8918Q与TPM8918BQ给8通道 20A脉冲，级联覆盖2-D阵列。　　扫描式/MEMS：GaN驱动　　外挂第三方GaN FET配GaN驱动IC：车规TPM1025Q、TPM2025Q，工规TPM1020、TPM1025、TPM2025，用于单或少通道EEL、1-D VCSEL。　　单通道高性能：集成功率级　　TPM8915Q在WLCSP 3.35×1.65mm内集成80V/50A功率级，封装寄生<0.1nH，脉宽可窄至1ns。　　全系列覆盖高边充电、低边脉冲、GaN驱动到集成功率级，均有车规与工规版。低成本是规模标配门槛：集成方案把BOM从50+压到20–30颗，下一代充电IC向24通道以上、更高电流、SPI取代并行接口。

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思瑞浦

发布时间：2026-06-12 09:26 阅读量：469 继续阅读>>

村田| 20nA<span style='color:red'>电流</span>、1.2V驱动电压的开关用AMR磁性传感器

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村田| 20nA电流、1.2V驱动电压的开关用AMR磁性传感器

　　株式会社村田制作所面向医疗健康设备及可穿戴设备，新开发了低功耗、低电压驱动型AMR传感器‘MRMS166R’‘MRMS168R’，并已开始量产。根据村田截至2026年4月26日的数据，‘MRMS166R’将AMR传感器的消耗电流控制在低微水平，并实现了低电压驱动，是村田首款同时实现了平均消耗电流20nA与1.2V低电压驱动的AMR传感器。　　AMR传感器是一种与磁体组合使用、以非接触方式检测目标物位置或动作的磁性传感器。村田的AMR传感器可作为磁性开关使用，在小型医疗健康设备和可穿戴设备中，常用于将设备从待机状态切换至运行状态的“睡眠/唤醒功能”等应用场景。　　通过AMR传感器检测磁体的接近或离开，可实现设备在睡眠状态与运行状态之间的切换。睡眠/唤醒功能示意如下图：　　例如，当电子设备内置的AMR传感器与磁体接近时，设备处于睡眠状态;当检测到磁体离开时，则切换为运行状态。　　近年来，医疗健康设备与可穿戴设备的小型化进程不断推进，在这些设备中使用纽扣电池已成为主流。由于纽扣电池容量有限且多为一次性电池，因此要实现设备长时间运行，降低电子元器件的消耗电流至关重要。此外，在医疗健康设备中大量使用的氧化银纽扣电池电压为较低的1.55V，因此需要能够在低电压下运行的电子元器件。基于上述需求，用作磁性开关的AMR传感器也需要同时满足低消耗电流与低电压驱动需求。　　为此，村田通过对AMR传感器内部整体电路进行改进，开始量产可在最低1.2V下运行且平均消耗电流为20nA(Vcc 1.5V)的‘MRMS166R’。由此可降低设备待机状态下的电池消耗，即使使用小型纽扣电池，也可实现2年以上的运行时间。此外，该产品采用外形尺寸1.0×1.0mm的小型封装，非常适合搭载于安装空间有限的小型设备。　　凭借上述特点，村田‘MRMS166R’可支持医疗健康设备与可穿戴设备在小型化与长时间运行方面的需求。此外，村田还新增了专为3V驱动用途设计的‘MRMS168R(平均消耗电流80nA)’，用户可根据不同用途进行选择。　　主要特点　　消耗电流大幅降低　　AMR传感器‘MRMS166R’在电源电压Vcc(即驱动AMR传感器运行所需电压)为1.5V时平均消耗电流为20nA，可在很低的静态电流下运行，即使在使用容量受限的纽扣电池的设备中，也能够实现长时间运行。　　支持低电压驱动　　MRMS166R’可从1.2V开始工作，因此在电源条件受限的设备中也能够稳定运行。　　小型封装　　采用外形尺寸1.0×1.0mm的小型封装，可减少基板面积，便于搭载于小型设备。　　新产品主要用于医疗健康设备(胶囊内窥镜、医疗贴片、CGM)、可穿戴设备(AR眼镜、无线耳机)、安防相关设备(门开闭检测、智能门锁)等领域。　　今后，村田将继续推进AMR传感器低功耗化及产品线扩充，通过支持IoT设备的长时间运行与高功能化，为实现可持续社会作出贡献。

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村田

发布时间：2026-05-28 10:44 阅读量：531 继续阅读>>

润石科技｜高压集成<span style='color:red'>电流</span>检测芯片RSA190系列

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润石科技｜高压集成电流检测芯片RSA190系列

　　RSA190系列是一款支持宽共模输入电压范围的集成电流检测芯片，工作电压支持2.3V至5.5V，共模输入电压范围支持-6V至42V;适用于24V以下母线电压系统以及多节电池串联系统的电流采集应用。　　RSA190系列提供25、50、100三种固定增益，增益误差常温下最大低至0.1%，以使其能满足更多的应用场景和电流采集精度要求。其他主要参数特性如下：　　Ø 增益带宽(GBP)：83kHz @ G=50;　　Ø 低输入失调电压(Vos)：30 μV (Max);　　Ø 增益误差温漂15ppm/°C (Max);　　Ø 输入偏置电流(IB)：1nA;　　Ø 低功耗(Iq)：0.09mA (Max);　　Ø 高电源纹波抑制比(PSRR)：116dB (Typ)　　Ø 高共模抑制比(CMRR)：140dB (Typ) / 120dB (Min)　　Ø 高容性负载能力;1nF　　Ø 扩展工业级温度范围：-40°C ~ 125°C。　　RSA190是在市场主流应用产品参数的基础上，进一步优化共模输入电压范围等参数，以使其更能应对检测母线上的高压浪涌冲击、提升共模干扰抑制能力，提高电流采集精度。　　RSA190典型应用电路　　RSA190封装和管脚定义　　RSA190提供SC70-6标准封装，兼容INA190\INA186的功能和应用，欢迎各界工程师朋友到官网索样评测。

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润石科技

发布时间：2026-05-28 09:58 阅读量：487 继续阅读>>

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润石科技｜高压集成电流检测芯片RSA193

　　RSA193系列是一款支持宽共模输入电压范围的集成电流检测芯片，工作电压支持4V至18V，共模输入电压范围支持-16V至105V;可以很好应对24V、48V母线电压系统以及多节电池串联系统的电流采集应用。　　RSA193系列提供20、50、100三种固定增益，增益误差常温下最大低至1%，以使其能满足更多的应用场景和电流采集精度要求。　　其他主要参数特性如下：　　Ø 增益带宽(GBP)：550 kHz;　　Ø 低输入失调电压(Vos)：2.2 mV (Max);　　Ø 增益误差全温度最大2%;　　Ø 低输入偏置电流(IB)：15 μA;　　Ø 低功耗(Iq)：0.96 mA (Typ);　　Ø 高电源纹波抑制比(PSRR)：106 dB (Typ)　　Ø 高共模抑制比(CMRR)：125 dB (Typ)　　Ø 高容性负载能力;10 nF　　Ø 扩展级工业温度范围：-40°C ~ 125°C。　　RSA193是在市场主流应用产品参数的基础上，进一步优化共模输入电压范围等参数，以使其更能应对检测母线上的高压浪涌冲击、提升共模干扰抑制能力，提高电流采集精度。　　RSA193典型应用电路　　RSA193封装和管脚定义　　RSA193提供SOT23-5标准封装，完全覆盖INA193\INA194\INA195的功能和应用，欢迎各界工程师朋友到官网申请样品测评。

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润石科技

发布时间：2026-05-22 10:20 阅读量：670 继续阅读>>

低失调、高增益、宽共模：维安WA3199<span style='color:red'>电流</span>传感放大器，让分流电阻两端微弱信号“一览无余”

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低失调、高增益、宽共模：维安WA3199电流传感放大器，让分流电阻两端微弱信号“一览无余”

　　电流传感放大器(也称电流检测放大器)，是一种专门用于精准测量电路中电流的芯片。它就像一个嵌入电路里的“高精度电流表”，相比普通电流表，体积更小、抗干扰能力更强，并能直接与MCU(微控制器)联动，轻松适应工业、汽车等复杂应用场景。　　简单来说，它的核心作用是：将“分流电阻”两端产生的微小电压信号(通常只有几毫伏甚至微伏)，放大成MCU可以识别的标准电压信号，再通过计算反推出电流大小。　　维安 WA3199 电流传感放大器，可以精准捕捉电流变化，让电源管理更安心!　　产品特点　　维安 WA3199系列采用零漂移架构设计，内部集成了精确匹配的反馈电阻，可精准感应分流电阻器上的压降。支持高边或低边配置下的双向电流检测，且不受电源电压限制。　　高精度　　零漂移架构设计，最大增益误差仅±1.5%，偏移电压低至±100µV，温漂低至0.5µV/℃，微弱电流也能精准捕捉;　　增益可选　　提供50V/V、100V/V固定增益版本，适配不同分流电阻方案;　　低功耗　　静态电流典型值仅65µA;　　双向检测　　支持正向/反向电流测量，无需额外电路，简化电池充放电监测设计;　　高可靠性　　ESD防护能力高于HBM 4kV;　　工作原理　　维安 WA3199 系列用于测量分流电阻上的微小电压信号，通过内部反馈电阻设定的增益对其进行精确放大，便于后级电路进行信号处理。通过REF引脚可配置器件的输出电压，从而实现单向或双向的电流检测。　　封装形式　　　产品应用　　维安WA3199典型应用电路　　电池管理系统(BMS)应用　　蓝牙耳机充电舱应用　　手机电池应用　　维安电流传感放大器—WA3199，凭借零漂移技术突破精度与功耗的平衡难题，成为工业与消费电子领域的优选方案!

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维安

发布时间：2026-05-21 09:51 阅读量：625 继续阅读>>

村田新款开关用途AMR磁性传感器开始量产，支持20nA低消耗<span style='color:red'>电流</span>与1.2V低电压驱动～有助于实现医疗健康设备与可穿戴设备的小型化及长时间运行～

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村田新款开关用途AMR磁性传感器开始量产，支持20nA低消耗电流与1.2V低电压驱动～有助于实现医疗健康设备与可穿戴设备的小型化及长时间运行～

　　主要特点　　消耗电流大幅降低　　AMR传感器‘MRMS166R’在Vcc(1)为1.5V时平均消耗电流为20nA，可在很低的静态电流下运行，即使在使用容量受限的纽扣电池的设备中，也能够实现长时间运行。　　支持低电压驱动　　‘MRMS166R’可从1.2V开始工作，因此在电源条件受限的设备中也能够稳定运行。　　小型封装　　采用外形尺寸1.0×1.0mm的小型封装，可减少基板面积，便于搭载于小型设备。　　(1)Vcc：指电源电压，是驱动AMR传感器运行所需的电压。　　主要用途　　医疗健康设备(胶囊内窥镜、医疗贴片、CGM)、可穿戴设备(AR眼镜、无线耳机)、安防相关设备(门开闭检测、智能门锁)等。　　株式会社村田制作所(以下简称‘村田’)面向医疗健康设备及可穿戴设备，新开发了低功耗、低电压驱动型AMR传感器‘MRMS166R’‘MRMS168R’，并已开始量产。　　‘MRMS166R’将AMR传感器的消耗电流控制在低微水平(1)，并实现了低电压驱动。是村田首款(2)同时实现了平均消耗电流20nA与1.2V低电压驱动的AMR传感器。　　(1)(2)由村田调查得出，截至2026年4月26日。　　AMR传感器是一种与磁体组合使用、以非接触方式检测目标物位置或动作的磁性传感器。村田的AMR传感器可作为磁性开关使用，在小型医疗健康设备和可穿戴设备中，常用于将设备从待机状态切换至运行状态的“睡眠/唤醒功能”等应用场景。　　[将AMR传感器作为磁性开关使用的睡眠/唤醒功能示意]　　通过AMR传感器检测磁体的接近或离开，可实现设备在睡眠状态与运行状态之间的切换。　　例如，当电子设备内置的AMR传感器与磁体接近时，设备处于睡眠状态;当检测到磁体离开时，则切换为运行状态。　　近年来，医疗健康设备与可穿戴设备的小型化进程不断推进，在这些设备中使用纽扣电池已成为主流。由于纽扣电池容量有限且多为一次性电池，因此要实现设备长时间运行，降低电子元器件的消耗电流至关重要。此外，在医疗健康设备中大量使用的氧化银纽扣电池电压为较低的1.55V，因此需要能够在低电压下运行的电子元器件。基于上述需求，用作磁性开关的AMR传感器也需要同时满足低消耗电流与低电压驱动需求。　　为此，村田通过对AMR传感器内部整体电路进行改进，开始量产可在最低1.2V下运行且平均消耗电流为20nA(Vcc 1.5V)的‘MRMS166R’。由此可降低设备待机状态下的电池消耗，即使使用小型纽扣电池，也可实现2年以上的运行时间。此外，该产品采用外形尺寸1.0×1.0mm的小型封装，非常适合搭载于安装空间有限的小型设备。　　凭借上述特点，村田‘MRMS166R’可支持医疗健康设备与可穿戴设备在小型化与长时间运行方面的需求。此外，村田还新增了专为3V驱动用途设计的‘MRMS168R(平均消耗电流80nA)’，用户可根据不同用途进行选择。　　今后，村田将继续推进AMR传感器低功耗化及产品线扩充，通过支持IoT设备的长时间运行与高功能化，为实现可持续社会作出贡献。

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村田

发布时间：2026-05-11 14:11 阅读量：598 继续阅读>>

应能微电子丨AU1091P1 大<span style='color:red'>电流</span>，超小封装浪涌保护 TVS for Type-C & Pogo-Pin VBUS

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应能微电子丨AU1091P1 大电流，超小封装浪涌保护 TVS for Type-C & Pogo-Pin VBUS

　　应能微电子(APM)推出 AU1091P1，一款大电流 90A(8/20μs, Pin 1toPin 2),50A (8/20μs, Pin 2 to Pin 1);超小封装 DFN1006-2 (1.0x0.6x0.5mm)TVS。该器件特别适合空间受限的便携设备，如TWS无线耳机、智能穿戴手表手环、AI眼镜、便携式音箱、电子烟等设备的Type-C或Pogo-Pin VBUS电源接口的EOS浪涌保护。

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应能微电子

发布时间：2026-05-11 09:59 阅读量：481 继续阅读>>

【国内首款】帝奥微DIO61390 10A大<span style='color:red'>电流</span>系列重新定义智能终端的能效边界

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【国内首款】帝奥微DIO61390 10A大电流系列重新定义智能终端的能效边界

　　在当今智能终端及便携式电子产品的设计蓝图中，工程师们正面临着前所未有的挑战：AI、5G模块、高性能传感器和高功率音频组件等对带载能力、转换效率和瞬态响应的要求不断攀升，而结构空间和电池续航却被压缩到了极致。　　帝奥微推出的超高功率密度 Bypass 同步升压转换器—DIO61390，集成旁路模式，专为硅负极电池手机、平板及光模块等场景设计。在3.3V转3.4V典型应用条件下，最高效率可达97.7%。同等芯片面积条件下，输出电流比同类产品提高了一倍，最高可达10A。DIO61390以其超大电流、极高能效、超快响应、超小封装等核心优势，填补了国内空白，为新一代智能终端提供更优电源管理解决方案。　　DIO61390系列是高性能、高功率密度、高频同步升压转换器，支持自动旁路、强制旁路、升压模式智能切换，可作为高功率预稳压器使用，能够有效突破系统输入电压与电流限制，充分挖掘电池容量，显著提升设备续航时间。　　其核心参数如下　　超小封装：WLCSP-16,1.77mm × 1.77mm　　DIO61390应用框图　　一、宽压输入稳压输出，电压波动下依旧稳定可靠　　DIO61390支持1.9V ~ 5.5V宽范围输入，即便输入电压出现太幅跌落的情况，仍能确保输出电压精准稳定，不低于设定值。　　二、方寸之间，爆发澎湃动力　　配合5MHz高频架构，电感可选用100nH小尺寸，满足手机超薄结构与高密度布局要求。　　三、全场景高效率，续航显著提升　　芯片支持旁路 / 升压无缝切换;　　电池电量充足时，进入旁路模式，上管和旁路处于并联导通，损耗极低;　　电池电压跌落时，无缝切入升压模式，充分利用电池容量;　　峰值效率高达97.7%，搭配μA级静态电流，轻载更省电，整机续航大幅延长　　效率曲线图解析　　四、优异动态响应，系统运行更稳定　　采用优化控制架构，具备出色的瞬态响应，负载快速跳变时，输出电压波动小、恢复快。配合低纹波 PFM 轻载模式，系统运行更稳定，音频、射频等敏感模块干扰更小，使用体验更流畅。　　Line Transient测试条件及图：　　Load Transient测试条件及图：　　纹波测试条件及图：　　四、实时遥测，构建全息系统感知　　总结：DIO61390 —— 硅负极手机电源优选方案　　DIO61390具备大电流、高效率、快响应、小体积及高集成等核心优势，精准解决智能终端电源设计痛点，在续航、性能与稳定性上实现全面升级。

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帝奥微

发布时间：2026-04-27 10:13 阅读量：781 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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