电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

AMEYA360代理丨PANASON<span style='color:red'>IC</span>松下：重复精度0.1mm！HG-L1000系列激光距离传感器全新上市，重新定义稳定检测

行业新闻

AMEYA360代理丨PANASONIC松下：重复精度0.1mm！HG-L1000系列激光距离传感器全新上市，重新定义稳定检测

　　　　产品阵容　　产品优势　　（1）稳定检测　　高精度距离值显示+受光状态显示+受光位置判定，可实现稳定检测　　相较于传统机型，距离设定型 HG-L1000 系列检测稳定性更强，不易受工件表面状态、颜色干扰，可稳定检测黑色工件、金属、透明物体等;产品重复精度可达 0.1mm，能够精准识别微小工件的有无。　　CMOS受光元件+激光光源　　HG-L1000 系列采用三角反射式检测原理。设备搭载半导体激光二极管作为投光元件，激光经投光透镜会聚后射向被测物体;物体反射的部分光线再经由受光透镜，成像于 CMOS 图像传感器并形成光点。光点位置会随被测物体的位移同步变化，系统通过识别光点位置偏移，从而检测被测物体的位移量。　　（2）核心算法优化　　受光状态显示功能　　透明体识别检测　　杂散光屏蔽功能　　曲亮面金属稳定检测　　（3）简单易用　　• 中文OLED，便于理解，设定便捷。　　• 一键示教，简单操作，轻松上手。　　测量模式应用场景　　HG-L1000系列可适用于多个行业的多种应用　　HG-L1000 系列配备丰富的检测与示教模式，可广泛应用于 3C 电子、锂电池、半导体、汽车、液晶、木材等行业，适配小型工件、黑色物体、金属件、透明体以及透过检测等各类场景。　　

关键词：

PANASONIC,松下

发布时间：2026-11-06 14:27 阅读量：252 继续阅读>>

PANASON<span style='color:red'>IC</span>松下进博剧透：展出三大核心领域成果，用科技回应时代命题

行业新闻

PANASONIC松下进博剧透：展出三大核心领域成果，用科技回应时代命题

　　第九届中国国际进口博览会(以下简称“进博会”) 将于2026年11月5日至10日在上海举办。作为连续九年参展的“全勤生”，松下将以“理解时代课题用技术给出答案”为主题，在5.1馆消费品展区B3-01展台亮相。围绕“十五五”发展课题，松下集结元器件、解决方案、智能生活三大领域的核心产品与技术，携手在华各事业板块协同参展，让支撑“美好生活”的松下品牌价值清晰可见。　　松下展台分为AI基础设施元器件展区、先进制造与解决方案展区、健康智能住空间展区三大区域，通过场景化展示与技术体验，呈现松下跨事业板块的业务布局和技术落地能力。2026年进博会松下展台效果图　　先进制造与解决方案展区:数智赋能产业:助力先进制造与城市低碳运行伴随 AI 技术持续迭代升级，算力规模扩张的同时也带动能源消耗持续走高，松下锚定算力、电力两大主线推进战略布局。　　针对生成式 AI 催生的大规模数据处理、高速运算场景，松下依托丰富多元的元器件技术能力提供配套支撑。　　高分子电容器以低ESR(等效串联电阻)与大容量特性平抑大电流下的电压波动　　MEGTRON系列多层基板材料凭借优异介电性能降低信号损耗，赋能复杂电路设计　　AI 服务器功耗密度持续走高，传统风冷逐渐触达性能上限，液冷方案已然成为高密度智算场景的主流散热路径。松下正式布局 AIDC 人工智能数据中心液冷赛道，重磅推出 “液冷三剑客”——　　适配狭小空间的In-Rack CDU用液冷泵　　专为行级CDU液冷系统打造的In-Row屏蔽泵　　面向大功率工况的EC永磁无刷轴流风机　　压缩机展区集中展示松下各类压缩机产品及技术——　　小型涡旋压缩机面向家用空调、除湿机等产品，噪音振动较同级降低超四分之一，体积较上一代缩小56%　　大型涡旋压缩机面向商用空调、热泵等产品，同排量尺寸缩减8%，全新8极电机兼顾低噪与高效　　电池展区呈现松下超40年电池开发经验及多场景应用实力——　　单体电池、高性能锂离子电池模组，以及搭载松下高能效电池的电助力自行车　　大连泰星能源有限公司本次展出面向HEV(混合动力电动汽车)、PHEV(插电式混合动力电动汽车)以及BEV(纯电动汽车)的三大类车载电池　　先进制造与解决方案展区:数智赋能产业，助力先进制造与城市低碳运行　　依托已在全球多场景落地验证的成熟设备基底，松下打通设备互联、数据挖掘能力，并延伸配套服务与工程技术支持，面向客户经营痛点及各类社会挑战交付一体化方案。　　在制造业加速变革的浪潮下，松下整合高端生产装备、成套解决方案与长期沉淀的工艺经验，联动传感、人工智能等前沿技术，打造可快速适配客户需求、具备持续迭代能力的 “自主工厂”——　　松下全新大板重型贴片机 NPM-GW 系列，是适配 AI 服务器产线的核心制造装备。机型可承接高端服务器大尺寸基板与车载功率板的贴片加工，助力制造企业突破高端 PCB 组装的工艺瓶颈。　　焊接解决方案方面，松下展出面向工业产线的焊接机器人。设备依托 IoT 互联互通能力，实现高精度焊接作业，助力产线走向少人化、自动化生产，持续保障焊接品质稳定可控。　　商用制冷领域，松下空调新风冷链旗下的Hussmann(哈斯曼)带来绿色、智能的零售制冷解决方案——　　中国首发的冷柜兼顾美观、商品展示效果与有竞争力的运营成本，支持零售可持续发展　　CO₂冷凝机组采用天然制冷剂并结合绝热冷却技术，实现节能降耗及稳定运行　　零售制冷解决方案结合物联网远程监控，可以及早联动门店沟通、现场检修及维护服务　　机上解决方案领域，首次亮相进博会的松下航空电子带来明星产品Astrova模拟机，该机载娱乐系统集4K OLED HDR10+显示屏、高保真音频、蓝牙音频传输、乘客设备互联及充电功能于一体，目前已被45家航空公司选用于150个不同的航空服务项目。　　健康智能住空间展区:深耕智感健康，全景勾勒全龄友好品质生活　　依托百年人居研究积淀，松下以智感健康为核心，在中国推出 “1+N+X” 智感健康空间全套方案。本次展区同步呈现健康安全厨房、专注向书房、助眠卧室与适老化浴室，借助无感感知、智能传感技术打通全屋家电，交付一站式健康人居服务。　　计划于 2027 年 4 月上市的松下 Reboot Space，带来全新的生活体验范式。它不属于单品设备，而是以空气环境作为核心载体，融合光、气流、香氛、声音多重维度，调动人体五感，构建可舒缓情绪、恢复身心状态的定制沉浸式 IAQ 人居空间。　　厨房空间亮相“松下大溪地怡居生态”家电套系，囊括冰箱、洗衣机、微蒸烤炸一体机等产品。依托松下精工制造能力与纳诺怡™X 核心技术加持，展区同步展出首次对外亮相的烟感传感器、水驱发电前置过滤器。　　卧室场景整合环境传感、睡眠检测、跌倒探测雷达、新款效能音箱、驭氧空调、智能电动床、电动轮椅、薄型净化器，构建兼顾睡眠调养与居家安全的解决方案。　　适老化卫浴场景带来国内首发水浸传感器、紧急呼叫报警器，配套固定扶手、坐式淋浴等适老配件;人体工学洗手池、进博会全球首发爱乐诺智能马桶 L170、电热毛巾架、晶泽浴室柜、隐藏式一体浴霸同步登场，筑牢浴室安全防线，升级使用质感。　　技术展区集中上新二代新风除湿机、6 恒气候站智选系列、智能家居中控系统、双向嵌入式掌静脉人脸猫眼智能锁。现场搭配纳诺怡™演示道具，可视化展示技术原理与除菌除味性能。　　家电单品区集结多款洗护旗舰：阿尔法 G5 四筒全热泵洗烘护一体机、喜马拉雅复式套装、白月光搭搭分区洗套装;另有纳诺怡™吹风机、直发器、剃须刀等美健好物。　　影音板块看点十足：诞生 25 周年的 Lumix 展出 S9、L10、ZS300、S1 二代等全画幅相机;Technics 携 55 周年限定 SL-1200M7G 黑胶唱盘、A1000 头戴真无线耳机、SL-40C 唱盘、AZ100 真无线耳机登场，传递高保真原声魅力。

关键词：

PANASONIC,松下

发布时间：2026-11-05 09:58 阅读量：291 继续阅读>>

行业新闻

广和通打造MagiCore AI文旅整机解决方案，提供一站式定制交付服务

关键词：

广和通

发布时间：2026-11-04 13:39 阅读量：266 继续阅读>>

行业新闻

邀请函｜AMEYA360 亮相 electronica 2026 慕尼黑电子展，诚邀莅临 B5-540！

　　2026年11月10–13日，全球电子行业盛会 electronica 2026慕尼黑电子展重磅开启!AMEYA360 如约参展，展位 B5-540，期待与您相见。　　electronica始于1964年，两年一届，是电子元器件领域顶级盛会。本届以“Empowering the All Electric Society(赋能全电社会)”为主题，聚焦 AI、汽车电子、半导体、能效、物联网等热门方向，是全球采购、工程师对接供应链的核心平台。　　展会信息　　时间：11.10–12 09:00–18:00|11.13 09:00–15:00　　地点：德国慕尼黑新国际博览中心　　AMEYA360 展位：B5-540　　AMEYA360 拥有80+原厂授权，涵盖 ROHM、Panasonic、Taiyo Yuden、纳芯微、润石、思瑞浦等，同步分销 TI、ADI、ST 等品牌;平台汇聚3500+供应商，八百多万可订型号、五百万 + 现货，提供 BOM 配单、紧缺物料寻源、FAE 技术支持、全球供应链配套服务。　　展会期间，AMEYA360 商务与技术团队将在 B5-540 现场，和您面对面沟通：　　资源与物料保供：紧缺料号寻源、器件替代方案、库存与交期同步对接　　BOM 配单与批量采购：覆盖样品验证到量产交付的一站式配单服务　　原厂授权与方案支持：代理产品线选型咨询、FAE 技术配套支持　　全球供应链协同：AMEYA360 服务网络布局上海、深圳、香港、中国台湾、马来西亚、印度、墨西哥、美国等 50 多个节点，适配全球化采购与生产节奏。　　欢迎新老伙伴莅临展位B5-540，共探供应链解决方案，把握产业新机遇。

关键词：

AMEYA360

发布时间：2026-11-03 15:30 阅读量：384 继续阅读>>

ROHM开发出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器<span style='color:red'>IC</span>

行业新闻

ROHM开发出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC

　　2026年10月29日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，开发出有助于实现小型高效率AC-DC电源的Totem Pole PFC*1(图腾柱PFC，以下简称“TP-PFC”)控制器IC“BM85060FV”，其特点是可在支持GaN HEMT*2高频开关的MHz频段工作。　　近年来，随着AC适配器、消费电子和小型工业设备的功能日益强大，设备所需电力也不断增加，与此同时，对设备小型化和节能化的要求也越来越高。而且，在能效法规日趋严格的大背景下，不仅要提高产品工作时转换效率，还要降低无负载(空载)时的功耗。在这种情况下，与传统的Si(硅)功率半导体相比，可支持高频开关的GaN HEMT得到了越来越广泛的应用。此外，将GaN HEMT与TP-PFC电路相结合的电源，因其能显著降低功率损耗而被寄望成为追求高效率和小型化设备的有力电源解决方案。另一方面，传统的TP-PFC控制技术广泛使用MCU，但对于小型电源设备而言，除了功耗、电路规模和成本方面的挑战外，如何实现针对GaN HEMT高频开关的控制也成为亟需解决的难题。　　针对这些课题，ROHM开发出能够以低功耗控制采用了GaN HEMT的TP-PFC电路、并支持MHz频段高频开关的专用控制器IC“BM85060FV”。新产品可在AC适配器、投影仪等消费电子设备及小型工业设备所用的300~500W级AC-DC电源中，在系统层面实现高达99%的转换效率。这不仅可抑制功率损耗和发热量，还能通过提高开关频率实现外围元器件的小型化，从而有助于电源电路更加节省空间。　　另外，还实现了仅150μA的空载电流，与普通品相比降低了70%*。因此，使用该产品更容易降低系统的待机功耗，有助于构建满足DoE Level7*3和CoC Tier2*4节能要求的电源系统。　　不仅如此，新产品还内置防雷击浪涌电路等AC-DC电源所需的各种保护功能，有助于减轻设计负担并提高系统可靠性。　　新产品已于2026年10月开始销售(样品价格670日元/个，不含税)，并已开始网售(330W预设配置产品)，客户可通过AMEYA360购买。另外，ROHM还准备了搭载“BM85060FV”的330W输出TP-PFC评估板，为采用GaN HEMT的高效率AC-DC电源开发提供支持。　　未来，ROHM将继续通过提供以GaN HEMT为首的功率半导体，以及与模拟IC相结合、能够更大程度地激发其性能的功率电子解决方案，为电子设备进一步降低功耗和小型化贡献力量。　　*截至2026年10月27日ROHM调查数据　　<应用示例>　　非常适用于AC适配器、投影仪等消费电子设备，以及小型工业设备等以300～500W级功率为主的小型高效率AC-DC电源。　　<术语解说>　　*1)Totem Pole PFC(TP-PFC)　　在AC-DC电源中，为了高效利用输入电源提供的电力所采用的一种PFC(Power Factor Correction：功率因数校正)电路方式。通过用开关器件替换传统PFC电路中使用的二极管整流桥，可降低导通损耗。　　*2) GaN HEMT　　GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。　　与普通的半导体材料Si(硅)相比，其物性更优异，开关速度更快，支持高频率工作。　　HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。　　*3)DoE Level7　　美国DoE(Department of Energy，美国能源部)针对电子设备外部电源实施的能效要求。对工作时的功率转换效率及无负载时的功耗制定了严格的标准，要求相应产品具备高节能性能。　　*4)CoC Tier2　　针对电子设备外部电源实施的欧盟CoC(Code of Conduct：行为准则)能率要求。对工作时的功率转换效率及无负载时的功耗制定了严格的标准，要求相应产品具备高节能性能。

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-11-02 13:05 阅读量：398 继续阅读>>

行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：低边 SiC 开关开通 / 关断时，栅源电压如何优化？

　　本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况和LS关断时的动作情况。　　SiC MOSFET低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作　　当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会变化(下述波形示意图T1)。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动，受下述等效电路图中所示的事件(I)影响，在图中所示的极性产生公式(1)的电动势。公式(1)与上一篇文章中使用的公式相同。该电动势引起的电流将源极侧作为正极对CGS进行充电，因此在LS会将VGS向下推，在HS会将VGS向负极侧拉，使之产生负浪涌(波形示意图VGS的T1)。　　当ID的变化结束时，LS的VDS的电位降低(波形示意图T2)。所以，公式(2)中的电流就像等效电路图中的(II)-1、(II)-2那样流动，并且VGS会分别引发下列公式(3)、(4)中的电压上升。　　VDS刚刚开始变化后，公式(3)的VGS上升为主，随着时间的推移，公式(4)的VGS也开始上升。也就是说，MOSFET的CGD/CGS比、驱动电路的RG_EXT、栅极驱动信号图形布线的电感值LTRACE具有很大影响。　　如等效电路图所示，HS中的(II)-2的电流ICGD2处于VGS提升方向。因此，本来应该处于OFF状态的HS因VGS的提升而开始了导通工作。这种现象称为“误启动”。当HS发生误启动时，就会与LS的导通工作重叠，致使HS和LS的MOSFET同时导通，从而引发直通电流。　　ICGD2会持续流动到LS的导通工作结束，并被积蓄在LTRACE中，但会在VSW变化结束的时间点消失，LTRACE产生电动势。这就是事件(III)。受RG_EXT等开关条件影响，ICGD2可能会达到几安培，并且该电动势可能会增加。　　受上述事件(I)、(II)、(III)的影响，LS导通后的Gate-Source电压呈现出波形示意图中所示的动作。波形示意图和等效电路图的相同编号表示同一事件。另外，图中VGS的虚线波形表示理想的波形。　　外置栅极电阻的影响　　下面是SiC MOSFET桥式结构的LS导通时的双脉冲测试结果。(a)波形图的外置栅极电阻RG_EXT为0Ω，(b)为10Ω。图中的(I)、(II)、(III)同前面相应编号的事件。　　VDS刚刚开始变化后，公式(3)的VGS上升为主，随着时间的推移，公式(4)的VGS也开始上升。也就是说，MOSFET的CGD/CGS比、驱动电路的RG_EXT、栅极驱动信号图形布线的电感值LTRACE具有很大影响。　　如等效电路图所示，HS中的(II)-2的电流ICGD2处于VGS提升方向。因此，本来应该处于OFF状态的HS因VGS的提升而开始了导通工作。这种现象称为“误启动”。当HS发生误启动时，就会与LS的导通工作重叠，致使HS和LS的MOSFET同时导通，从而引发直通电流。　　ICGD2会持续流动到LS的导通工作结束，并被积蓄在LTRACE中，但会在VSW变化结束的时间点消失，LTRACE产生电动势。这就是事件(III)。受RG_EXT等开关条件影响，ICGD2可能会达到几安培，并且该电动势可能会增加。　　受上述事件(I)、(II)、(III)的影响，LS导通后的Gate-Source电压呈现出波形示意图中所示的动作。波形示意图和等效电路图的相同编号表示同一事件。另外，图中VGS的虚线波形表示理想的波形。　　外置栅极电阻的影响　　下面是SiC MOSFET桥式结构的LS导通时的双脉冲测试结果。(a)波形图的外置栅极电阻RG_EXT为0Ω，(b)为10Ω。图中的(I)、(II)、(III)同前面相应编号的事件。　　dVDS/dt带来的LS的VGS上升和HS的VGS负浪涌(波形示意图T4)是事件(IV)。　　波形示意图的T4周期结束时，公式(1)所示的ICGD1消失时发生的浪涌是事件(V)。公式(1)与之前使用的公式相同。　　然后，漏极电流发生变化(波形示意图T6)，并发生公式(2)所示的LSOURCE引起的电动势，电流如等效电路的事件(VI)中所示流动。公式(2)也与之前使用的公式相同。　　可以看出的动作是，由于该电流以源极侧为负极向MOSFET的CGS充电，因此在HS侧将VGS推高，在LS侧将VGS向正极侧拉升，以防止VGS下降。结果就产生了波形示意图所示的VGS动作。波形示意图中VGS的虚线表示理想的电压波形。　　外置栅极电阻的影响　　下面是SiC MOSFET桥式结构的LS关断时的双脉冲测试结果。(a)波形图的外置栅极电阻RG_EXT为0Ω时，(b)为10Ω。图中的(IV)、(V)、(VI)即前面提到的事件。　　如波形图所示，可以看到事件(V)的浪涌非常明显。　　尽管由VDS的变化引起的事件(IV)的影响很小，但由于HS中事件(IV)引起的负浪涌常常会超过额定值，在这种情况下，就需要对电路采取相应的措施。要想减少这种关断时的HS负浪涌，需要减小HS栅极电阻RG_EXT。然而，需要注意的是，在前文介绍过的常用栅极电阻调节电路中，事件(IV)在电阻值高的RG_ON侧较为突出。　　关于由事件(VI)引起的VGS抬升，由于该时刻正好在关断(Turn-off)结束之前，所以即使HS进入导通(Turn-on)动作，SiC MOSFET桥式结构的LS也已经被关断，几乎不会造成什么问题。

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-28 13:22 阅读量：378 继续阅读>>

士兰微发布符合ISO 26262 ASIL-D功能安全等级的车规级PM<span style='color:red'>IC</span>产品SZ4981

行业新闻

士兰微发布符合ISO 26262 ASIL-D功能安全等级的车规级PMIC产品SZ4981

　　“安全可靠”是汽车永恒的主题。士兰微推出车规级PMIC产品SZ4981，实现最高功能安全等级ASIL-D、最高可靠性温度等级AEC-Q100 Grade0，助力新能源汽车芯片国产化发展战略。　　近日，国际独立第三方检测、检验和认证机构德国莱茵TÜV集团向士兰微车规级多通道电源管理芯片SZ4981颁发ISO 26262 ASIL-D产品认证证书。　　01　　产品概述　　不论汽车工业技术如何飞速成长迭代，安全可靠永远是汽车零部件设计的核心诉求。PMIC + MCU组成的最小系统，承担了实现汽车零部件高功能安全等级、高可靠性的重要任务。然而，高端国产化车规级电源管理(PMIC)芯片仍然长期存在供给缺口，亟需技术实现与量产认证的双重突破。基于此，士兰微电子正式推出车规级多通道PMIC芯片：SZ4981。它将多项指标做到了业内领先水准：　　最高功能安全等级：ISO 26262 ASIL D　　最高温度等级的车规认证：AEC-Q100 Grade0 (TA=-40℃~150℃)　　宽输入电压范围：3V~40V　　Typ.≤50μA极低的休眠静态电流　　目前，SZ4981已广泛应用于汽车各类功能安全需求场景，在电动助力转向(EPS)、主驱逆变器、变速箱控制单元(TCU)、电池管理系统(BMS)、区域控制器(ZCU)、高级驾驶辅助系统(ADAS)等领域中实现应用落地。已在数十家客户项目中实现量产或系统验证。　　02　　主要参数　　AEC-Q100认证，Grade0：TA=-40°C~150°C　　功能安全符合ISO 26262-2018标准ASIL-D等级　　输入电压范围：3V~40V　　可承受3V冷启动(Cold crank)及42V抛负载脉冲(Load Dump)　　1路Pre_boost及1路Pre_buck　　支持展频功能提升EMI特性　　4路LDO，2路Tracker输出　　两个故障安全信号SS1/2　　多种看门狗：问答式、窗口式　　超长待机时间　　Standby / Sleep多种低功耗模式　　QFN48-7x7封装，可湿性侧翼设计　　03　　应用场景　　电动助力转向系统(EPS)　　主驱逆变器　　电池管理系统(BMS)　　区域控制器(ZCU)　　变速箱控制单元(TCU)　　高级驾驶辅助系统(ADAS)　　04　　典型应用框图　　05　　产品亮点　　ASIL-D功能安全设计　　SZ4981内置独立故障安全状态机，集成 ABIST 模拟自测试、时钟校验与带 CRC/ECC 校验的 SPI 安全通道，可有效检出隐性故障。芯片搭载双看门狗方案，搭配独立 Bandgap 基准的电压监测单元，实现过压、欠压、过热、过流等多类故障分级保护。芯片支持 MCU 错误实时监测，可输出中断、复位信号，同时提供两路具备物理电气独立性、延时可配置的安全状态输出。故障发生时能够快速触发预定义安全状态，构建完整的故障检测 - 上报 - 安全响应闭环，满足 ASIL-D 最高等级功能安全要求。　　休眠模式下的低功耗设计　　SZ4981在休眠模式(Standby)下可实现极低的静态电流，常温下静态电流可控制在typ. 50μA级别。可满足休眠模式低功耗应用场景需求。　　可配置展频功能，提高EMI特性　　SZ4981的开关电源具备可配置的展频功能，通过开关频率的扩展和抖动，提升产品EMI特性。展频的范围可通过SPI配置调整，方便客户根据应用情况自行选择。

关键词：

士兰微

发布时间：2026-10-26 09:32 阅读量：275 继续阅读>>

行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：桥式电路的开关产生的电流和电压

　　在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET这一系列开关动作中，SiC MOSFET的VDS和ID的变化会产生什么样的电流和电压。　　下面的电路图是SiC MOSFET桥式结构的同步式boost电路，LS开关导通时的示例。电路图中包括SiC MOSFET的寄生电容、电感、电阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的变化带来的各处的栅极电流(绿色线)。　　ID的变化dID/dt所产生的电压　　ID的变化将会产生下述公式(1)所示的电压。　　这是由于存在于SiC MOSFET源极的寄生电感中流过ID而产生的电压，是由电路图中的(I)引起的。该电压会使电流(I’)流过。　　VDS的变化dVDS/dt所产生的电流　　以HS为例，当SiC MOSFET关断、VDS变化时，Gate-Drain寄生电容CGD中会流过电流ICGD。如电路图所示，该电流分为Gate-Source寄生电容CGS侧流过的电流ICGD1：(II)-1和栅极电路侧流过的电流ICGD2：(II)-2。当VDS开始变化时，栅极电路侧的阻抗较大，因此大部分ICGD都在CGS侧，此时的ICGD1如公式(2)所示。　　从公式可以看出，当CGD较大时或CGD/CGS的比值变小时，ICGD1会增加。　　dVDS/dt和dID/dt既可以为正也可以为负，所以因它们而产生的电流和电压的极性在导通(Turn-on)和关断(Turn-off)时是不同的。在下一篇文章中将会进一步详细解说。　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-22 10:05 阅读量：456 继续阅读>>

行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：SiC-MOSFET的桥式结构栅源电压动作解析

　　从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作”。　　前言　　MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外，所使用的电路方式也多种多样，除单独使用外，还有串联连接、并联连接等多种使用方法。　　其中，在将开关元件上下串联连接的桥式结构中，通常交替地导通与关断各个元器件。下面是常规的桥式结构同步方式boost电路，波形图是根据栅极信号交替地导通/关断的低边(LS)MOSFET和高边(HS)MOSFET的漏极-源极间电压(VDS)和漏极电流(ID)示例。　　通过开关工作，流过各元件的电流和变化的电压以复杂的方式相互影响。尤其是在处理高电压高电流的电路中，受安装电路板和结线引起的寄生分量等影响，产生电压和电流的动作，并因此导致工作不稳定、效率下降，从而可能导致损耗增加、产生异常发热等问题。　　近年来，SiC MOSFET等高性能功率元器件的应用，使得通过高速开关转换大功率成为可能，但在操作过程中，需要对开关工作有深入的了解。　　在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。　　SiC MOSFET的桥式结构　　下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的SiC MOSFET的高边(HS)和低边(LS)是交替导通的，为了防止HS和LS同时导通，设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号(VG)时序。　　该电路中HS和LS MOSFET的Drain-Source电压(VDS)和漏极电流(ID)的波形示意图如下。这是电感L的电流处于连续动作状态，即所谓的硬开关状态的波形。　　横轴表示时间，时间范围Tk(k=1～8)的定义如下：　　T1： LS为ON时、MOSFET电流变化的时间段　　T2： LS为ON时、MOSFET电压变化的时间段　　T3： LS为ON时的时间段　　T4： LS为OFF时、MOSFET电压变化的时间段　　T5： LS为OFF时、MOSFET电流变化的时间段　　T4～T6： HS变为ON之前的死区时间　　T7： HS为ON的时间段(同步整流时间段)　　T8： HS为OFF时、LS变为ON之前的死区时间　　本文将针对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。　　SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路　　LS(低边)侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压(VGS)带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的栅极驱动电路的寄生分量在内的等效电路基础上进行考量。　　右图是最基本的栅极驱动电路和SiC MOSFET的等效电路。栅极驱动电路中包括栅极信号(VG)、SiC MOSFET内部的栅极线路内阻(RG_INT)、以及SiC MOSFET的封装的源极电感量(LSOURCE)、栅极电路局部产生的电感量(LTRACE)和外加栅极电阻(RG_INT)。　　关于各电压和电流的极性，需要在等效电路图中，以栅极电流(IG)和漏极电流(ID)所示的方向为正，以源极引脚为基准来定义VGS和VDS。　　SiC MOSFET内部的栅极线路中也存在电感量，但由于它比LTRACE小，因此在此忽略不计。　　导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作　　为了理解桥式电路的Turn-on / Turn-off动作，下面对上一篇文章中提到的桥式电路中各SiC MOSFET的电压和电流波形进行详细说明。下面的波形图与上次的波形图是相同的。我们和前面的等效电路图结合起来进行说明。　　当正的VG被施加给LS侧栅极信号以使LS侧ON时，Gate-Source间电容(CGS)开始充电，VGS上升，当达到SiC MOSFET的栅极阈值电压(VGS(th))以上时， LS的ID开始流动，同时从源极流向漏极方向的HS侧ID开始减少。这个时间范围就是前一篇文章中定义的T1(见波形图最下方)。　　接下来，当HS侧的ID变为零、寄生二极管 Turn-off时，与中间点的电压(VSW)开始下降的同时，将对HS侧的Drain-Source间电容(CDS)及Drain-Gate间电容(CGD)进行充电(波形图T2)。对该HS侧的CDS+CGD充电(LS侧放电)完成后，当LS侧的VGS达到指定的电压值，LS侧的 Turn-on动作完成。　　而Turn-off动作则在LS侧VG OFF时开始，LS侧的CGS蓄积的电荷开始放电，当达到SiC MOSFET的平台电压(进入米勒效应区)时，LS侧的VDS开始上升，同时VSW上升。　　在这个时间点，大部分负载电流仍在LS侧流动(波形图T4)，HS侧的寄生二极管还没有转流电流。LS侧的CDS+CGD充电(HS侧为放电)完成时，VSW超过输入电压(E)，HS侧的寄生二极管Turn-on，LS侧的ID开始转向HS侧流动(波形图T5)。　　LS侧的ID最终变为零，进入死区时间(波形图T6)，当正的VG被印加给HS侧MOSFET的栅极信号时Turn-on，进入同步工作时间(波形图T7)。　　在这一系列的开关工作中，HS侧和LS侧MOSFET的VDS和ID变化导致的各种栅极电流流动，造成了与施加信号VG不同的VGS变化。具体内容将在下一篇文章进行详细说明。　　AMEYA360优势料号　　SCT4018KRC15：　　1200V, 18mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　SCT4026DLLTRDC：　　750V, 61A, 9引脚SMD，沟槽结构，碳化硅(SiC) MOSFET　　SCT4036DLLTRDC：　　750V, 46A, 9引脚SMD, 沟槽结构, SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4045DLLTRDC：　　750V, 37A, 9引脚SMD，沟槽结构，SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4036KRC15：　　1200V, 36mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-20 13:02 阅读量：496 继续阅读>>

行业新闻

AMEYA360代理丨ROHM SiC核心器件篇：SiC-MOSFET－体二极管的特性

　　上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。　　如图所示，MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲，体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说，体二极管的性能是重要的参数之一，在应用中使用时，其性能发挥着至关重要的作用。　　SiC-MOSFET体二极管的正向特性　　下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源极为基准向漏极施加负电压，体二极管为正向偏置状态。该图中Vgs=0V的绿色曲线基本上表示出体二极管的Vf特性，。Vgs为0V即MOSFET在关断状态下，没有通道电流，因此该条件下的Vd-Id特性可以说是体二极管的Vf-If特性。如“ROHM SiC基础篇：为何SiC能成为新能源主力器件?”中“何谓碳化硅”中提到的，SiC的带隙更宽，Vf比Si-MOSFET大得多。　　而在给栅极-源极间施加18V电压、SiC-MOSFET导通的条件下，电阻更小的通道部分(而非体二极管部分)流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态，下面还给出了MOSFET的截面图。　　SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性　　MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间(trr)。trr是二极管开关特性相关的重要参数这一点在SiC肖特基势垒二极管一文中也已说明过。不言而喻，MOSFET的体二极管是具有pn结的二极管，因而存在反向恢复现象，其特性表现为反向恢复时间(trr)。下面是1000V耐压的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比较。　　如图所示，示例的Si-MOSFET的trr较慢，流过较大的Irr。而SiC-MOSFET SCT2080KE的体二极管速度则非常快。trr、Irr均为几乎可忽略的水平，恢复损耗Err已经大幅降低。　　AMEYA36优势料号　　SCT4018KRC15：　　1200V, 18mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　SCT4026DLLTRDC：　　750V, 61A, 9引脚SMD，沟槽结构，碳化硅(SiC) MOSFET　　SCT4036DLLTRDC：　　750V, 46A, 9引脚SMD, 沟槽结构, SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4045DLLTRDC：　　750V, 37A, 9引脚SMD，沟槽结构，SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4036KRC15：　　1200V, 36mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。

关键词：

ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-16 14:31 阅读量：535 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址