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罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026

　　中国上海，2026年6月18日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将于7月1日～3日参加2026慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)。届时，罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位，集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案，以及丰富的应用案例。　　当前，AI算力基础设施、新能源汽车和工业智能化正在推动电子系统向更高功率密度、更高能效和更高可靠性方向演进。尤其是在AI服务器和数据中心领域，电源架构正面临大功率、高效率和系统级优化的多重挑战;在汽车电子领域，智能座舱、ADAS和车载高速通信对电源管理与信号传输提出了更高要求;在工业设备领域，小型化、高效率和稳定运行同样成为电源系统升级的重要方向。　　面对这些产业趋势，罗姆依托功率半导体和模拟半导体领域的技术积累，不仅提供丰富的硅功率元器件，还持续推进SiC、GaN等宽禁带半导体产品布局，为AI服务器、汽车电子和工业设备等应用提供高效率、高可靠性的产品支持。　　在本次electronica Shanghai 2026上，罗姆将设立AI服务器、车载、工业设备及应用案例四大展区，通过展示以下产品和解决方案，全方位呈现在半导体领域的综合技术实力。AI服务器：面向下一代数据中心电源架构提供高效支持　　下一代AI服务器的配置　　涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN及模块产品在高压直流(HVDC)与50V电源机架中的应用。　　适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET　　采用8mm×8mm小型封装，兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，可满足AI服务器电源热插拔电路对可　　靠性和低损耗的要求，并已被全球知名云平台企业认证为推荐器件。　　第5代SiC MOSFET　　采用优化的器件结构与制造工艺，在高温(Tj=175℃)下，导通电阻比第4代降低约30%，适用于xEV2 / 2　　牵引逆变器及AI服务器电源等大功率应用，计划2026年7月起提供样品。　　具备业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT　　实现业界超低开关损耗和10µsec超高短路耐受能力，助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等应用提升效率与可靠性。车载应用：助力智能座舱与ADAS系统发展　　面向SoC的PMIC　　罗姆与芯驰联合开发的车载SoC“X9SP”参考设计。该参考设计配备罗姆的PMIC，符合ISO 26262及　　ASIL-B功能安全等级，可为中高端智能座舱系统提供稳定、高效的电源管理支持。　　用于汽车多屏显示器的SerDes IC　　支持成对双向高速长距离通信，适用于车载信息娱乐系统和ADAS的高速通信需求。　　搭载SiC模块的三相逆变器参考设计　　覆盖5kW～100kW输出功率，提供完整设计数据，可大幅缩减实际设备评估周期。工业设备：以GaN与AC/DC转换器推动高效电源升级　　650V 耐压GaN HEMT　　罗姆的EcoGaN™系列产品——650V耐压GaN HEMT，已被应用于AI服务器电源等领域，推动工业设备更广泛领域的电源小型化和效率提升。　　AC/DC用PWM方式DC/DC转换器　　面向各类带AC输入接口的工业设备提供可靠的电源解决方案，支持绝缘/非绝缘设计，可帮助客户轻松实现低功耗、高效率、低EMI的电源设计。　　此外，罗姆还将设立应用案例展区，集中展示先进产品在实际场景中的应用成果，通过系统化的方案演示，让观众更直观地了解罗姆技术从器件到系统的落地价值。　　【展会信息】　　时间：2026年7月1日(周三)～3日(周五)09:00～17:00 (3日观众开放时间截止到16：00)　　会场：上海新国际博览中心N4馆　　展位号： N4馆500号　　地址：上海市浦东新区龙阳路2345号　　<关于electronica Shanghai 2026(慕尼黑上海电子展)>　　慕尼黑上海电子展是电子行业重要盛会。走过了20个年头，展会已成为带领未来电子科技的创新平台。慕尼黑上海电子展将呈现更为丰富的展示形式和多样化的行业主题，引入更多垂直领域的应用技术解决方案，聚焦新能源汽车、智能汽车、绿色能源、智能工厂、物联网+、智能可穿戴、工业互联网、无线通信、数据中心、智能家居等行业热点。同时也为观众与展商提供了技术交流的专业平台，共同见证全球电子产业发展趋势。

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罗姆

发布时间：2026-06-18 14:38 阅读量：335 继续阅读>>

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纳芯微推出通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC认证最高Class III等级、全国产化的CAN收发器

　　纳芯微宣布推出全国产化供应链的汽车级CAN收发器芯片NCA1043D-Q1，新器件凭借业内领先的抗干扰特性，在欧洲权威测试机构IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证中，实现无特殊条件备注、全测试项通过最高Class III等级。　　NCA1043D-Q1同时满足大众集团VW80121-3，2023-12标准，纳芯微现可提供相关测试报告，支持汽车制造商简化系统认证流程，加速产品上市。　　CAN收发器是整车系统通信链路上的核心器件，通信过程中任何EMC问题带来的扰动都可能演变为整车系统的功能异常，因此车厂和Tier 1通常将CAN收发器视为EMC设计和验证的重点器件之一。尤其在800V高压平台、SiC功率器件和复合材料电池包逐渐普及后，CAN收发器的EMC性能已经成为影响整车开发周期和系统可靠性的重要因素。　　纳芯微NCA1043D-Q1全部通过四项测试　　全面通过最高Class III等级测试　　简化系统设计　　IBEE/FTZ-Zwickau认证根据IEC 62228-3标准进行，测试项包括：发射射频干扰(Emission RF Disturbances), 抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)，瞬变免疫力(Immunity Transients)和抗静电(Immunity ESD)，纳芯微NCA1043D-Q1在测试中表现优异，各种条件下均能通过器件最高Class III等级，以优异的EMC性能助力用户简化系统设计，加速产品开发和上市。　　NCA1043D-Q1的相关测试项全部通过最高Class III等级　　支持振铃抑制功能　　满足复杂拓扑和提速需求　　NCA1043D-Q1采用纳芯微自研的振铃抑制专利，允许工程师在多节点、复杂拓扑情况下有效减少总线中的信号反射，降低振铃现象发生的概率，同时维持系统级≤5Mbps的通信传输速率，使得用户可以在部分应用场景中采用性价比更高的CAN FD而非CAN SIC芯片，在保障车载通信质量的同时，降低物料成本。　　全国产供应链加持　　提升交付效率与供应韧性　　NCA1043D-Q1在芯片设计、晶圆制造、封装测试等关键环节均实现国产化布局，构建了自主可控的全国产供应链体系。在保障供应安全与稳定供货能力的同时，依托本土产业链协同优势，有效缩短交付周期、提升响应速度，并降低综合供应链成本，为客户提供更具确定性和竞争力的供应保障。　　封装和选型　　NCA1043D-Q1将于近期量产，提供SOP14和DFN14两种封装，支持低至1.8V的VIO和睡眠模式唤醒;NCA1043D-Q1满足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的宽工作温度范围。可通过纳芯微官网进行样片申请。　　平台化接口IP　　赋能全面产品布局　　纳芯微在通信接口领域布局已久，通过平台化IP和自研专利的协同，实现了快速的产品迭代，并且在CAN/LIN/RS485/I2C/I3C/SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面，纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破，达到业内领先的水平。　　以EMC为例，纳芯微全面通过IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证的器件还包括CAN FD收发器NCA1044-Q1，NCA1057-Q1，NCA1145B-Q1以及CAN SIC收发器NCA1462-Q1;其中NCA1044-Q1和NCA1462-Q1亦通过日本VeLIO认证，相关器件均已量产，欢迎垂询。

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纳芯微

发布时间：2026-06-10 10:19 阅读量：390 继续阅读>>

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罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~

　　中国上海，2026年6月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将参展2026年PCIM欧洲展览会暨研讨会(PCIM Expo & Conference 2026)。该展会是全球电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会，将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡举办。　　今年，罗姆诚邀各位来宾莅临9号展厅的318号展位——与去年位于同一展厅，但位置不同。今年的展台设计焕然一新，展现出罗姆作为先进功率半导体供应商持续精进的发展态势。　　在2026年的PCIM欧洲展览会上，罗姆将展示其前沿功率半导体技术如何助力汽车、工业及基础设施应用提高效率、实现系统小型化并降低能量损耗。　　展位概览●　汽车电气化解决方案　　展示内容涵盖牵引逆变器、车载充电器、电池断路装置、电动汽车热管理系统以及面向下一代汽车的嵌入式技术。　　●　面向工业应用的高效电源技术　　展示适用于可再生能源系统、AI服务器、数据中心及工业电源领域的SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)解决方案。　　●　面向广泛应用的功率模块和元器件组合　　展示通过全球合作开发出的功率模块、分立器件及功率转换拓扑结构。　　更多信息请访问：www.rohm.com/pcim

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罗姆

发布时间：2026-06-03 10:41 阅读量：600 继续阅读>>

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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因

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罗姆

发布时间：2026-05-28 09:23 阅读量：500 继续阅读>>

ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案丨通过PM<span style='color:red'>IC</span>与DrMOS的组合，实现更适合SoC的电源设计，并满足未来高性能化的需求~

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ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案丨通过PMIC与DrMOS的组合，实现更适合SoC的电源设计，并满足未来高性能化的需求~

　　中国上海，2026年5月19日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出PMIC*1“BD968xx-C系列”和DrMOS*2“BD96340MFF-C”相结合的新电源解决方案，该方案非常适用于ADAS(高级驾驶辅助系统)、DMS(驾驶员监控系统)和感测摄像头等车载应用的SoC*3。　　该解决方案可根据SoC的应用场景和性能要求，灵活组合Main Configurable PMIC*4、Sub PMIC和DrMOS，从而能够支持从低端到高端的各类SoC，并可根据其处理性能和功能实现具备扩展性的电源配置，有助于减少机型扩展时的工时，并提升电源效率。另外，构成该解决方案的产品均符合车规级可靠性标准AEC-Q100，可确保高可靠性。Main PMIC具备车载SoC应用所需的输出电压范围和灵活的电源时序控制功能，能够灵活应对不同SoC制造商、乃至同一SoC的不同代次和不同等级对电源的差异化要求。同时，还内置了电压、电流和温度监控及保护功能，确保车载应用所需的高可靠性和安全性。Main PMIC“BD96803Qxx-C”和“BD96811Fxx-C”是适用于低端SoC的、预期以单体形式使用的产品。另一方面， Main PMIC“BD96805Qxx-C” 和 Sub PMIC“BD96806Qxx-C” 通过与DrMOS“BD96340MFF-C”进行组合，能够应对SoC中更低电压和更大电流的需求，具备出色的扩展性。新产品已经开始量产。详细信息请联系ROHM销售代表或通过ROHM官网的“联系我们”垂询。　　<开发背景>近年来，随着ADAS的日益成熟、车载摄像头的功能提升以及ECU整合程度的不断提高，车载SoC正朝着高性能化的方向快速发展。与此同时，在ECU整合的背景下，汽车电子电气架构向域控架构*5的转型，正在推动以域控制器为核心的系统不断扩大应用。伴随着这一趋势，业界对以低电压、大电流驱动SoC的电源设计、精准的电源时序控制以及优异的可靠性提出了比以往更高的要求。另一方面，以往的电源设计需要针对每个SoC制造商、每一代产品的差异化要求进行个别应对，且在机型扩展时还需要重新设计电路，导致设计工时和验证负担增加，这是其一大课题。针对这些课题，ROHM基于“可配置(Configurable)”的设计理念，开发出了通过组合PMIC和DrMOS来灵活优化配置的电源解决方案，该方案不仅可以根据SoC的性能和应用进行高效的电源设计，还能够满足未来的性能提升需求。　　<应用示例>高功率SoC：ADAS、DMS、座舱集成系统等　　中等功率SoC：全景环视系统、泊车辅助系统等　　低功率SoC：感测摄像头、车身控制、各种传感器控制等　　<术语解说>*1) PMIC(电源管理IC)　　一种内含多个电源系统、并在一枚芯片上集成了电源管理和时序控制等功能的IC。与单独使用DC-DC转换器IC、LDO及分立元器件等构成的电路结构相比，可以显著节省空间并缩短开发周期，因此近年来，无论在车载设备还是消费电子设备领域，均已成为具有多个电源系统的应用中的常用器件。　　*2)DrMOS　　集成了MOSFET和栅极驱动器IC的模块。其结构很简单，不仅有助于缩短设计周期，还可减少安装面积并实现高效率的功率转换。另外，其内部配有栅极驱动器，MOSFET的驱动也稳定，可确保高可靠性。　　*3)SoC(System-on-a-Chip)　　将CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)、存储器、接口等集成于一枚电路板上的集成电路。因其可以实现出色的处理能力和功率转换效率并能节省空间，而被广泛应用于车载设备、消费电子和工业设备领域。　　*4) Configurable PMIC　　输出电压和电源时序可根据应用进行设置，并且能够根据不同的SoC和系统规格灵活应对电源配置的电源管理IC。　　*5) 域架构(Domain Architecture)　　将安装在车辆上的多个ECU(Electronic Control Unit)按功能域进行集中管理的结构。　　在各个功能域中，统管多个ECU的上层控制单元称为“域控制器”。

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发布时间：2026-05-20 10:08 阅读量：597 继续阅读>>

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喜报丨瑞萨两款产品RA8P1 MCU、RH850/U2C荣获21ic“年度MCU产品奖”

　　近日，在由21ic电子网主办的“2026年度MCU产品奖”评选活动中，瑞萨电子RA8P1荣获年度高性能计算MCU/MPU产品奖、RH850/U2C荣获年度汽车级MCU产品奖。　　高性能计算MCU/MPU奖　　高性能计算MCU/MPU奖聚焦于端侧算力效能与本地推理能力。参评产品需具备高主频、卓越的CoreMark/DMIPS跑分以及多核协同架构，能够实现存算资源的优化调度与低时延响应。本次获奖的RA8P1 MCU作为瑞萨电子首款搭载高性能Arm® Cortex®-M85及Cortex-M33内核，并集成Ethos™ -U55 NPU的32位AI加速微控制器，单芯片可实现256 GOPS的AI性能、超过7300 CoreMarks的突破性CPU性能和先进的AI功能，可支持语音、视觉和实时分析AI场景。RA8P1 MCU采用台积电22ULL工艺制造，在实现超高性能的同时保持极低的功耗。该工艺还支持在新款MCU中集成嵌入式磁性随机存取存储器(MRAM)。与闪存相比，MRAM具备更快的写入速度、更高的耐久性和更强的数据保持能力。　　汽车级MCU奖　　汽车级MCU奖则强调在严苛环境下的高可靠运行与功能安全。获奖产品须严格遵循AEC-Q100可靠性标准或通过ISO 26262(ASIL-B/D)认证，依托零缺陷品质管理与硬件安全监测机制，为动力总成、底盘安全系统及辅助驾驶节点提供全生命周期保障。此次获奖的瑞萨RH850/U2C基于成熟的28纳米制造工艺，在工作模式与待机模式下均实现了显著的功耗优化。性能方面，该MCU集成4核320MHz CPU(含锁步核)、8MB片上闪存，并支持TSN、CAN-XL、I3C及后量子加密。它可广泛应用于乘用车及摩托车的底盘与安全系统、电池管理系统(BMS)、照明及电机控制等车身控制领域，以及其他需要最高汽车功能安全等级(ASIL D)的应用场景。　　瑞萨电子深耕MCU领域多年，已构建起覆盖工业、汽车、消费电子等领域的完整产品矩阵。依托强大的技术创新能力，公司不断突破MCU的性能边界，拓展其应用场景。未来，瑞萨电子将继续为全球开发者提供高算力、低功耗、高安全性的MCU解决方案，助力智能汽车、工业自动化与边缘AI的加速落地。

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发布时间：2026-05-15 10:19 阅读量：861 继续阅读>>

帝奥微丨【WiFi 7 PM<span style='color:red'>IC</span>】DIO8021：超小多轨输出，极致空间性能拉满

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帝奥微丨【WiFi 7 PMIC】DIO8021：超小多轨输出，极致空间性能拉满

　　随着WiFi7终端、高速光模块、AI边缘计算节点、智能手机、IP摄像头、可穿戴设备等产品持续向超薄化、高集成、长续航升级，其供电电源解决方案正面临“空间极致、多路负载、低噪纯净”的三重挑战。如何在极限PCB面积内，同时满足多路大电流供电、低噪声输出与快速响应，成为设计关键。　　帝奥微推出的多通道电源管理芯片——DIO8021，单芯片集成2路高性能Buck+1路低噪声LDO，凭借高集成、小体积、大功率、低噪声及外围精简等特性，完美适配如高通WiFi7、50G PON等高密度、小型化设备全场景及多电源稳定的供电需求。　　DIO8021是一款高集成度PMIC，采用WLCSP-15超微型封装，将2路大电流Buck与1路低噪声LDO融为一体，支持宽电压输入、固定电压输出、软启动与多重保护，为摄像头模组、智能手机、便携设备提供省空间、高效率、高可靠的一站式电源解决方案，是工程师打造高性能电源系统的理想之选。　　图1：DIO8021应用框图　　1. 单芯片替代多器件：集成2路Buck+1路LDO，省去多颗分立电源芯片，大幅简化BOM与布线，特别适配光模块、WiFi7、AI边缘计算等高密布局场景。　　2. 超小封装：WLCSP-15仅1.81mm×1.11mm，比指甲盖更小，可轻松集成于高密度超薄设备中。　　3. 高频小型化外围：2MHz高开关频率，支持搭配小尺寸电感电容，进一步压缩整体方案面积。　　图2：DIO8021实际封装　　针对光模块高速驱动、WiFi7射频前端、AI边缘计算芯片、高像素传感器、核心处理器等高负载场景，DIO8021提供强悍供电支撑：　　Buck1/2分别支持2.3A/3.5A大电流输出，重载下电压平稳、瞬态跌落极小，可从容驱动核心单元并兼顾效率与发热控制;　　快速瞬态响应，负载突变时电压波动极小，避免光模块误码、WiFi7速率波动、AI 推理时中断。　　测试条件：VIN1=3.3V, VOUTB1=1.9V, IOUTB1=0.05A to 1A　　图3： Load transient (Buck 1)　　测试条件：VIN1=3.3V, VOUTB2=0.95V, IOUTB2=0.05A to 1A　　图4：Load transient (Buck 2)　　测试条件：VIN1=3.3V VIN2=1.9V, COUT=2.2uF, 1mA<-> 300mA　　图5：Load transient (LDO)　　DIO8021的Buck通道具备优秀的线性调整率(Line regulation)，在宽输入电压范围内，输出电压能保持高度稳定，几乎不受输入电压变化影响，能够进一步提升系统在复杂供电环境下的可靠性与一致性。　　图6：Line regulation(Buck1/2)　　专为光模块时钟/驱动电路、WiFi7高灵敏度射频链路、AI边缘计算采样接口、传感器、ISP等噪声敏感模块进行优化：　　专用LDO提供低噪声输出，纹波抑制出色，避免出现画面杂点、系统掉帧等异常，让通信及系统运行更稳定;　　宽输入兼容，灵活适配系统架构，从源头减少干扰，提升整机信噪比，保障光模块、WiFi7与AI边缘计算的信号完整性。　　测试条件：VIN1=3.3V, VIN2=2.35V+0.2VPP, COUT=2.2μF，IOUT=150mA　　图7：PSRR vs Frequency解析(LDO)　　总结：DIO8021 —— 高速通信与AI边缘计算设备的“黄金供电方案”　　从超小封装节省空间，到双路大电流Buck支撑性能，再到低噪声LDO守护信号质量，DIO8021一站式解决小型设备、光模块、WiFi7终端、AI边缘计算单元“空间不足、负载不够、噪声偏大、方案复杂”四大痛点。

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发布时间：2026-05-15 09:22 阅读量：624 继续阅读>>

萨瑞光伏黑科技｜SR<span style='color:red'>IC</span>3040 理想二极管：重构旁路保护，轻松扩展系统输入电压！

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萨瑞光伏黑科技｜SRIC3040 理想二极管：重构旁路保护，轻松扩展系统输入电压！

　　传统光伏旁路依赖肖特基二极管，高压降、高发热、电压等级固定，不仅损耗发电收益，更限制系统电压拓展。江西萨瑞微电子推出SRIC3040 光伏专用理想二极管，以超低导通压降 + 高耐压大电流 + 高 ESD特性，完美替代传统旁路方案，同时实现输入电压范围灵活扩展，为光伏组件、接线盒、功率优化器带来革命性升级。　　行业痛点：传统旁路二极管的三大瓶颈　　Part.1　　• 压降高、发热大：常规肖特基正向压降约0.7V，大电流下功耗剧增，易引发接线盒热失效。　　• 电压不可扩展：器件耐压固定，难以适配多组件串联、高压光伏系统升级。　　• 损耗高、效率低：反向漏电大，长期拉低组件发电量，运维成本高。　　萨瑞 SRIC3040：光伏旁路理想二极管　　Part.2　　• 耐压 / 电流：30V / 40A　　• 正向导通压降：　　• 40A@25℃：典型 120mV　　• 40A@125℃：典型 150mV　　• 封装：TO263-3L，高散热、易贴装　　•特性：低损耗、高抗浪涌、高 ESD、无铅　　三大核心优势　　Part.3　　1. 超低损耗，温升大幅下降　　正向压降仅传统肖特基的1/5~1/6，导通损耗下降超80%，接线盒温升显著降低，长期可靠性大幅提升。　　2. 40A 大电流 + 高抗浪涌　　满足大功率组件大电流需求，抗浪涌能力强，遮挡 / 热斑工况下稳定旁路，保护组件安全。　　3. 高 ESD + 宽温可靠　　HBM 高等级 ESD 防护，工作结温 \\-55℃~125℃\\，户外严酷环境稳定运行。　　理想二极管实现旁路 + 扩展输入电压　　Part.4　　1. 标准光伏旁路保护电路(单路 / 多路)　　功能：遮挡时快速导通，避免热斑，保障组件安全　　*带旁路二极管的组串等效电路　　• 正常发电：器件截止，不影响主回路　　• 遮挡 / 异常：瞬间导通，电流低阻旁路，压降 < 150mV，几乎无发热　　2. 级联扩展电压：轻松适配高压系统　　核心方案：多颗 SRIC3040串联均压，配合理想二极管控制逻辑，实现输入电压成倍扩展，满足多组件串联、集中式 / 组串式高压场景。　　• 电压灵活扩展：N 颗串联，系统耐压≈N×30V　　• 均压稳定：理想二极管特性保证每颗压降均衡，无局部过压　　• 损耗极低：总压降≈N×150mV，远低于传统二极管方案　　3. 搭配理想二极管控制器，性能拉满　　• 快速响应：毫秒级导通 / 关断，热斑防护更及时　　• 低功耗控制：驱动损耗小，系统整体效率更高　　• 智能保护：集成过温、过流、反接保护，适配光伏优化器、快速关断、智能接线盒　　为什么选萨瑞 SRIC3040?　　应用场景全覆盖　　Part.6　　• 光伏组件接线盒旁路保护　　• 光伏功率优化器、快速关断器　　• 组串式 / 集中式逆变器输入旁路　　• 工业光伏、户用光伏、车载光伏系统　　需扩展输入电压的高压光伏电源　　以芯片技术赋能光伏高效可靠　　Part.7　　江西萨瑞微电子专注功率半导体与保护器件，SRIC3040 理想二极管为光伏旁路与电压扩展提供低损耗、高可靠、可扩展的一站式解决方案，助力光伏系统更高效率、更高电压、更长寿命。

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发布时间：2026-05-07 09:42 阅读量：627 继续阅读>>

航顺芯片凭借高性能超低价HK32F403斩获2026 21<span style='color:red'>IC</span>评选通用MCU第一名！

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航顺芯片凭借高性能超低价HK32F403斩获2026 21IC评选通用MCU第一名！

　　2026年4月17日，国内权威电子技术平台21ic电子网正式揭晓“21ic 2026年度MCU产品奖”评选结果。航顺芯片凭借HK32F403的硬核性能、极致性价比与全场景适配实力，从国内外众多优秀产品中脱颖而出，荣登通用MCU赛道第一名，彰显国产通用MCU标杆地位。　　本次评选聚焦MCU技术突破与产业价值，从参数性能、创新能力、行业落地、国产化贡献等维度严苛评审，覆盖实时控制、高性能计算、车规、无线、通用等全赛道，为工程师提供权威选型参考。　　HK32F403搭载Cortex-M4高性能内核，主频108MHz，集成DSP指令集与CAN FD高速接口，算力达2.83 CoreMark/MHz，具备工业级温宽、高ESD防护与硬件P2P兼容能力，兼顾高性能、高可靠与成本优势，广泛适配工控、汽车电子、智能控制等多元场景，以“高性能+高性价比”重塑通用MCU市场格局。　　作为国家级专精特新重点“小巨人”企业，航顺芯片深耕32位MCU领域，持续打造全谱系、高适配、易替代的国产MCU方案。此次登顶21ic权威榜单，是行业与市场对航顺技术实力、产品品质与生态服务的高度认可。　　未来，航顺芯片将以技术创新为核、产业需求为向，持续迭代升级通用MCU与高端车规、工业级产品，携手生态伙伴加速国产化替代进程，为科技自立自强注入更强芯动能。

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发布时间：2026-04-22 09:25 阅读量：591 继续阅读>>

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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。

关键词：

ROHM

发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：682 继续阅读>>

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