纳芯微出席2026APEC汽车对话会议，分享汽车AK2超声雷达传感器IC技术趋势

发布时间：2026-08-24 13:05
作者：AMEYA360
来源：纳芯微
阅读量：141

　　2026年8月19日至21日，亚太经合组织(APEC)汽车对话第44次会议(AD44)于大连举行，来自多个成员经济体的政府部门、行业协会及企业代表围绕亚太汽车市场趋势、供应链韧性、氢能汽车产业及先进车辆技术等议题展开交流。

　　作为汽车芯片代表厂商，纳芯微受邀参与此次会议，公司信号链产品线技术市场负责人王良藩先生在会上分享了AK2超声波雷达芯片的技术趋势与实践方案，共探汽车智能化感知技术的挑战与机遇。


纳芯微出席2026APEC汽车对话会议，分享汽车AK2超声雷达传感器IC技术趋势

纳芯微出席2026APEC汽车对话会议，分享汽车AK2超声雷达传感器IC技术趋势

　　从AK1到AK2：超声波雷达进入数字架构阶段

　　超声波雷达正从模拟架构向数字架构演进。与传统AK1模拟架构相比，AK2采用数字编码调制与回波信号处理，在探测距离、测量精度及抗干扰能力上有所提升;接口从点对点升级为多传感器共享总线，支持多传感器协同工作。目前，AK2超声波雷达已应用于超声波泊车辅助(UPA)、自动泊车辅助(APA)、自主代客泊车(AVP)等场景。

　　从测距到多维感知：超声波传感的演进方向

　　功能更广泛：感知维度从1D/2D测距向3D/4D演进，同时向低速AEB触发、障碍物类型检测、路面分类、微碰撞检测等场景延伸，在与毫米波雷达、UWB、摄像头共存的格局下保持其短距优势;

　　刷新率更快：保险杠级传感周期压缩到100毫秒以内，支持更早的障碍物检测与更高效的AVP运行，对IC的多发多收协同与抗干扰能力提出更高要求;

　　性能提升：目标分类(车辆、行人、路沿)、路面识别(铺装路、碎石、草地)、传感器污染检测(水、泥、冰、雪)及近场盲区缩减，要求传感器IC具备原始数据上传能力，支持各级原始数据上传;

　　成本更优化：成本评估从单模块延伸向系统级，通过去MCU化、DSI3二线制(电源与通信同线)、直驱架构(省去外部变压器)等方案降低BOM与线束成本。

　　多发多收与灵活编码：压缩传感周期

　　针对刷新率提升需求，纳芯微通过任意频率模式发生器(AFG)支持固定频、线性/非线性频率编码、FSK+chirp组合编码等多种波形;支持多发多收提升抗干扰能力，保险杠扫描可在2个扫描周期内完成。

　　原始数据上传与全量程优化：扩展感知边界

　　在性能层面，纳芯微提供可配置的原始数据上传链路，支持1–16倍抽取、MCU侧压缩后经DSI3上传，可选择ADC原始数据(2ms窗口)、混频后I/Q数据、事件前后包络数据等节点;通过时变LNA(TVLNA)自动增益切换抑制近场饱和，探测范围覆盖约10cm至6.5m。

　　DSI3标准协议：实现跨品牌互操作

　　在系统集成层面，纳芯微采用基于标准DSI3协议的跨品牌互操作性设计，支持纳芯微芯与其他行业标准DSI3芯片组合，拓扑支持点对点、并行及菊花链。产品方面，NSUC1800支持厂商定义CRM命令，NSUC1802提供每通道2KB DSI3缓冲区，在功能扩展与数据访问灵活性上各有侧重。

　　关于亚太经合组织(APEC)汽车对话

　　亚太经合组织(APEC)汽车对话设计于1998年，旨在为各经济体政府主管部门与汽车产业界搭建常态化沟通平台，围绕发展战略、标准法规、技术创新等方面开展交流合作。本届AD44设置了亚太汽车市场趋势、供应链韧性、氢能汽车产业发展、先进车辆技术面临的机遇与挑战等议题。

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纳芯微丨支持15mm爬电距离，纳芯微推出超宽体封装、集成隔离电源的数字隔离器NSIP984x-DSWWR系列
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纳芯微丨支持15mm爬电距离，纳芯微推出超宽体封装、集成隔离电源的数字隔离器NSIP984x-DSWWR系列

　　纳芯微近日宣布推出采用超宽体封装、集成隔离电源的四通道数字隔离器NSIP984x-DSWWR系列，进一步补足了NSIP984x系列组合。NSIP984x系列作为NSIP88xx系列的迭代升级款，采用纳芯微第三代数字隔离技术，可提供更好的隔离耐压等级和性价比。本次推出的新品NSIP984x-DSWWR相较于已推出的NSIP984x‑DSWR产品(SOW16封装)，采用超宽体SOWW16封装，在保持优异EMC性能的基础上，将爬电距离从8.15mm提升至15mm，可满足1500V高压系统对增强绝缘的严苛安规要求，为光伏、储能、充电桩等高压应用提供了高可靠性的隔离解决方案。　　超宽体封装　　筑牢高压隔离屏障　　随着光伏、储能、新能源汽车等应用持续追求更高功率密度，系统内部母线电压已从传统的600V-900V提升至1500V甚至更高。以光伏系统为例，根据IEC 62109等安规标准，1500V高压系统在增强绝缘条件下，隔离器件的爬电距离需达到14mm以上。纳芯微NSIP984x-DSWWR系列采用超宽体SOWW16封装，将爬电距离延长至15mm，并支持7.5kVrms隔离耐压(安规证书申请中)，通过更长的爬电距离与更高的隔离耐压，满足高压系统的安规要求，帮助客户简化系统认证难度。　　此外，当系统选用超宽体隔离接口器件时，选用相同封装的NSIP984x-DSWWR系列为其供电，无需再单独配置隔离电源模块或变压器，既是满足安规要求的更简洁方案，也是降低BOM成本和设计复杂度的更优选择。　　例如，当用户想在系统中实现具有超宽体爬电距离的隔离CAN通信电路时，有以下几种IC方案与隔离电源方案：　　IC方案1：超宽体隔离器+接口　　供电特点：需要提供超宽体变压器/模块，面临额外超宽体认证和大尺寸的挑战　　IC方案2：宽体隔离器+隔离接口　　供电特点：需要提供两级外置宽体供电串行，整体尺寸大且比较复杂　　IC方案3：宽体隔离电源(集成变压器和数字隔离器)+隔离接口　　供电特点：需要提供一级外置宽体供电　　IC方案4：超宽体隔离电源(集成变压器和数字隔离器)+非隔离接口　　供电特点：不需要额外提供隔离电源，集成度最高，认证最简单　　RE性能大幅优化　　轻松通过CISPR32 Class B测试　　纳芯微NSIP984x全系列针对EMI的RE性能进行了大幅优化，在两层PCB板、外围电路无磁珠、无拼接电容、输入5V、带载100mA的测试条件下，NSIP984x-Q1系列均可轻松通过CISPR32 Class B 测试，并保有裕量。外围电路的简化和业内卓越的EMI性能可大大降低系统BOM成本和设计调试难度，缩短终端产品的上市时间。　　通过内置变压器缩小系统尺寸　　提升可靠性　　传统方案中，数字隔离器需单独配置电源进行供电，无论是采用电源模块还是外置变压器，分立方案对系统尺寸和可靠性均会带来挑战。NSIP984x系列内部集成变压器和四通道数字隔离器，属于二合一产品，外围电路无需单独配置电源，相比分立方案可显著降低系统尺寸，尤其在外置电源模块和变压器的方案中，可能因额外的器件和多次焊接带来系统可靠性的问题，而NSIP984x系列采用全半导体生产工艺，可显著降低相关风险，提升系统可靠性。　　封装和选型　　NSIP984x全系工作温度为-40℃~125℃，通道传输速率高达150Mbps，支持100kV/μs的高共模瞬变抗扰度(CMTI);采用SOW16封装的器件已通过UL、CQC、CSA和VDE认证，满足增强隔离要求，目前已全面量产，采用超宽体SOWW16封装的器件安规证书正在申请中，将于近期量产。　　丰富的“隔离+”产品　　引领隔离芯片标杆　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品，以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。
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纳芯微丨高密度AI服务器电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制

　　文章导读　　高密度服务器电源设计：高压、高频、高功率密度和多相控制，带来哪些新的芯片设计要求;　　隔离+：800V高压架构下的耐压、CMTI、传输延时与集成设计;　　驱动：SiC/GaN高频开关对驱动电流、抗扰能力和延时匹配的要求;　　采样：高密度电源中的带宽、量程、精度与小型化设计;　　实时控制：多相电源对MCU运算性能、PWM和ADC资源的要求。　　五大落地路径　　电源设计应对高密度设计需求　　AI服务器功率和功率密度不断提升，对电源的通流能力、转换效率和散热带来更大挑战，设计主要从以下五个方向进行优化：　　大功率回路硬件扩容　　一方面选用大规格功率半导体器件，或采用多器件并联提升回路通流能力;另一方面采用多相交错电源架构，通过多个功率子模块协同工作，针对重载、轻载等不同工况优化电源转换效率，是当前大功率PSU的主流设计思路。　　系统架构高压化(HVDC高压直流)　　800V高压母线方案大范围普及，通过提升系统额定电压降低回路传输电流，减少线缆、铜排的传导损耗，同时缩减母线铜材占用空间，从系统层面提升整机功率密度。　　开关电源高频化　　利用SiC、GaN等宽禁带功率器件的高频特性，提高电源开关频率，缩小变压器、电感、电容等无源器件体积，是提升电源功率密度的重要技术路径。　　软开关拓扑+开关速率优化　　通过提高开关速度或采用软开关技术降低功率器件的开通和关断损耗，并通过降低损耗减小散热器尺寸，进一步节省PCB板卡空间。　　液冷散热+高密度PCB布局　　采用浸没式、冷板式液冷等方案提升散热能力;同时结合元器件小型化和高密度PCB布局，提高机箱内部空间利用率。　　以上五项优化主要集中在功率主回路，高压、高频和高密度设计也会影响控制回路，对隔离、驱动、采样和实时控制芯片的性能与集成度提出更高要求。　　四类芯片设计挑战　　高压、高密度带来更高性能要求　　隔离类IC　　高压安规、抗扰能力与集成化设计要求　　高压化是AI电源的重要趋势，隔离芯片作为高低压电气隔离的关键界面，承担系统安规防护作用，在800V及更高电压系统中，主要面临四方面技术要求：　　满足安规隔离耐压要求，保障系统用电安全;　　高频开关带来节点电位快速跳变，芯片需要较高的CMTI共模瞬态抗扰度，降低高压瞬态干扰造成通信失效、系统误动作的风险;　　随着开关频率提升，控制环路响应加快，隔离芯片需要更低的信号传输延时，保障主控与功率侧信号同步;　　800V系统对器件爬电距离和封装提出更高要求，分立器件方案会占用更多PCB面积，多功能集成化隔离芯片有助于降低板级空间占用。　　针对上述需求，纳芯微采用第三代电容隔离架构，并结合Adaptive OOK自主调制技术。相关产品可支持1500Vrms、2121VDC工作条件，设计使用寿命超30年;典型CMTI共模瞬态抗扰度>150kV/μs，实验室测试可达200kV/μs以上;最高通信速率150Mbps，信号传输延时可控制在15ns以内，满足高速控制链路需求。　　基于自研隔离技术，纳芯微形成了丰富的隔离产品矩阵，覆盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离栅极驱动等产品，并推出二合一、三合一等集成化产品，如隔离电源+隔离接口二合一芯片、隔离电源+隔离驱动+隔离采样三合一芯片，可通过单颗器件集成多项功能，减少外围器件数量和电路复杂度。　　纳芯微隔离产品覆盖不同隔离等级和爬电距离需求，基于在光储1500V高压应用中的技术积累，相关产品可适配800V HVDC数据中心高压母线，并面向更高电压等级的应用需求进行产品布局。爬电距离规格覆盖2mm、8mm、15mm等，其中2mm器件适用于低压小型电源的功能绝缘需求，8mm、15mm器件可满足高压系统的加强绝缘需求，适配不同功率等级PSU的选型。　　驱动类IC　　大电流、高抗扰、集成负压，适配新一代功率器件　　随着SiC、GaN等宽禁带功率器件的应用，隔离驱动芯片面临三方面更高要求：　　大功率器件通常具有更大的结电容，同时电源开关速度不断提升，驱动芯片需要在更短时间内完成功率器件结电容的充放电，因此需要更强的拉灌电流能力;　　驱动异常可能导致功率器件失效，因此对驱动IC的CMTI共模瞬态抗扰能力提出更高要求;　　高开关频率下死区时间缩短，对驱动通道的延时一致性提出更高要求，同时也推动驱动芯片向更高集成度发展。　　纳芯微针对数据中心高密度电源的驱动产品主要包括高性能隔离驱动和GaN专用驱动两类，可适配不同功率器件的驱动需求：　　高性能隔离驱动：产品按输入类型分为光耦兼容电流输入、TTL/CMOS电压输入两大系列;功能覆盖UVLO欠压保护、米勒钳位、DESAT退饱和保护、软关断、故障报警等，部分型号进一步集成隔离ADC及功能安全相关电路。相关产品输出拉灌电流可达±10A，可适配800V架构下大功率SiC器件的驱动需求。　　GaN专用隔离驱动芯片：GaN器件导通阈值较低、开关速度快，对误导通抑制提出更高要求。传统方案通常通过外部分立电路实现负压关断，占用一定板级空间。纳芯微GaN驱动芯片集成负压生成电路，可直接实现负压关断，减少外围辅助供电器件和PCB面积占用;产品覆盖高压GaN、低压GaN及不同输出电流规格，为不同应用提供相应选型。　　纳芯微驱动方案覆盖AI服务器电源前级SST、整流模块、BBU/CBU储能单元、二次/三次侧DCX变换器、板载千瓦级IBC电源及多相交错Buck电源等环节，并支持单向高压GaN、单向低压GaN、双向GaN及不同规格SiC器件。　　采样与信号处理IC　　多方案分层落地适配AI服务器电源采样需求　　AI服务器电源控制环路速度提高、电磁环境更加复杂，对采样器件的带宽、CMTI共模瞬态抗扰能力和量程提出了更高要求。电流采样常见方案包括集成霍尔、采样电阻+隔离运放、开环电流传感器和CT电流互感器等，不同方案在体积、精度、带宽及磁滞等方面各有特点，需要根据具体应用选择。　　功率密度优先的设计中，集成霍尔电流传感器通过集成基准、OCP过流保护等功能，减少外围调理电路;对采样精度要求更高的场景，则采用采样电阻+隔离运放架构。纳芯微产品覆盖这两类技术路线。　　以霍尔电流传感器为例，纳芯微针对不同电压、电流等级布局了多款产品：　　800V高压AIDC应用：耐压1550V、50A量程、8mm爬电距离、2MHz带宽;　　54V/12V低压电源：4×4mm小型封装、100A量程;　　大功率SST等高电流应用：200A以上大量程线性霍尔产品　　实时控制专用MCU　　高主频、多通道，满足电源实时控制需求　　电源实时控制MCU是数字控制与功率硬件之间的重要桥梁。多相交错拓扑带来多路PWM同步输出需求，叠加开关频率提升，对MCU的实时运算能力、采样通道数量及控制精度提出了更高要求。　　纳芯微电力电子专用MCU覆盖200MHz～400MHz Cortex-M7单核/多核架构，针对电源应用优化运算性能、片上存储、PWM及工业通信接口等资源配置，适配不同功率等级的服务器电源：　　7系列实时控制MCU：双400MHz Cortex-M7内核，搭载32路HRPWM、40路模拟采样通道，可用于大功率SST、HVDC AC-DC PSU等实时控制场景;　　5系列实时控制MCU：240MHz单核Cortex-M7，配置16路PWM输出，可用于PSU、DC-DC电源等应用;　　1系列实时控制MCU：200MHz单核Cortex-M7，适用于板载IBC、Buck等电源控制场景。　　面向AI数据中心电源高压、高频、高功率密度的发展趋势，纳芯微已形成隔离、驱动、信号采样和实时控制MCU等核心产品组合。　　以整机PSU为例，除上述四类产品外，还包括NTC温度传感器、高精度电压基准源、反激控制芯片、低压LDO、热插拔保护控制器等器件，满足温度监测、电压基准、辅助供电及系统保护等功能需求。　　同时，纳芯微可结合客户具体的系统设计需求提供芯片选型与应用支持，根据整机尺寸、额定功率、母线电压、散热架构等参数，协助进行器件选型和方案优化，为AI服务器电源不同架构和功率等级提供相应的产品与技术支持。
2026-08-13 09:49 阅读量：238
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