上海雷卯丨PAD和手写板触控笔之雷卯静电保护方案

发布时间:2026-08-20 09:57
作者:AMEYA360
来源:上海雷卯
阅读量:380

上海雷卯丨PAD和手写板触控笔之雷卯静电保护方案

  用于PAD 和手写板有源触控笔笔尖长期与人手、屏幕摩擦,极易堆积静电。笔尖接触设备瞬间,静电脉冲会顺着信号线冲击触控主控 IC、升压及射频芯片,轻则触控失灵,重则器件永久损毁,因此 ESD 防护二极管是笔内电路必不可少的防护器件。

  硬件工程师、采购选型时普遍存在疑问:ESD 二极管耐压范围 5V 至上百伏,带升压电路的有源笔为何需选用 60V 高压型号?耐压偏低会正常工作时误导通、信号失真,耐压过高则损害高频触控信号质量。本文以 ULC6042C 为例,系统解析有源触控笔高压 ESD 防护设计思路与选型规范。

  一、PAD 和手写板有源触控笔为何需要专用ESD 防护二极管?

  PAD 和手写板有源触控笔笔尖长期与人体、屏幕摩擦,易产生数千伏人体静电。若无防护,瞬态高压会直击触控芯片与升压电路,芯片晶体管耐压薄弱,单次静电冲击便会永久损坏,引发断触、笔迹偏移、设备识别失效等问题。

  常规低压 ESD 易在工作时误导通,普通高压 TVS 结电容高,会衰减高频触控信号、降低书写精度。兼具适配升压电压、低电容、小型封装特性的专用高压 ESD 二极管,是有源触控笔电路设计的必需器件。

  二、PAD 和手写板有源触控笔笔尖电路为何

  需要60V耐压ESD器件 ULC6042C?

  PAD 和手写板有源触控笔采用 3~4.2V 锂电池供电,依靠内置升压电路将电压抬升至 20~50V 驱动笔尖天线,产生电磁信号供屏幕数字化仪定位,主流方案与高端有源笔均采用该高压驱动架构,笔尖信号线常态长期工作在数十伏电压区间。

  ESD 二极管的关键参数反向工作电压 VRWM,必须高于线路最高工作电压;若耐压不足,器件在正常书写无静电时也会误导通,分流触控信号,造成笔迹漂移、断触甚至触控完全失灵。

  ULC6042C 反向耐压达 60V,可完整覆盖 20~50V 笔尖工作电压:

  1、日常书写时二极管稳定反向截止,触控信号完整无损传输;

  2、当笔尖承受±8~±15kV 人体接触静电冲击,器件会在纳秒级快速雪崩导通,把瞬态高压钳位并泄放至地,可靠防护后端触控 IC 与升压电路不被击穿。

  三、ULC6042C在触控笔内部

  典型防护电路架构

上海雷卯丨PAD和手写板触控笔之雷卯静电保护方案

  说明:

  LUC6042C 并联在笔尖信号线与系统 GND 之间,安装位置为笔尖连接器后端、触控主控 IC 前端,是静电进入 PCB 的第一道防护关卡。

  正常工况:笔尖信号电压<60V,二极管截止,高频触控信号完整传输;

  ESD 冲击工况:笔尖引入数千伏静电脉冲,器件极速导通,将瞬态高压能量泄放到公共地平面,把后端芯片承受电压限制在安全钳位区间。

  四、ULC6042C主要参数与特点

上海雷卯丨PAD和手写板触控笔之雷卯静电保护方案

  产品核心优势总结:

  1、60V 高耐压:匹配有源触控笔升压高压节点,杜绝正常工作误触发导通;

  2、超低结电容 0.8pF:不衰减高频触控采样、蓝牙射频信号,保障书写精度与无线通信稳定性;

  3、DFN1006 微型封装(1.0×0.6mm):尺寸极小,适配触控笔内部狭窄 PCB 布线空间;

  4、纳秒级超快响应(<1ns):静电脉冲上升沿即可完成导通,及时钳位瞬态高压;

  5、强静电防护等级:IEC 61000-4-2 标准,空气放电 ±20kV、接触放电 ±15kV,满足消费电子严苛静电测试;

  6、低漏电流:60V 额定电压下漏电流仅 0.5μA,不损耗触控笔电池续航。

  五、PAD 和手写板有源触控笔ESD

  二极管选型判定标准

  60V 规格 ULC6042C 仅适用于内置升压电路、笔尖工作电压 30~50V的有源触控笔,并非所有触控笔通用,需根据笔尖线路最大工作电压分级选型:

  1、必须选用 60V ESD 二极管的场景

  内置升压有源触控笔,笔尖驱动电压 30~50V;若选用 24V/36V 低压 ESD,书写时会持续导通分流,直接造成触控失灵。

  2、选用 5~12V 低压 ESD 二极管场景

  无源 EMR 电磁笔(Wacom 方案):无内置电池升压,依靠屏幕无线耦合取电,笔尖常态电压极低,低压 ESD 即可满足防护;

  3、选用 24V/36V 中压 ESD 二极管场景

  低升压规格有源笔,笔尖驱动电压仅 10~20V,无需 60V 高压器件控制物料成本。

  选型核心判定公式:

  ESD 二极管 VRWM(反向工作电压)>笔尖信号线最大常态工作电压,预留电压裕量。

  笔尖工作电压≤5V:5~12V 系列 ESD

  笔尖工作电压 10~20V:24V/36V 系列 ESD

  笔尖工作电压 30~50V:60V 系列 ULC6042C

  触控笔用到的 5V-12V ESD,对于上海雷卯是常规料,有多种型号选择,可以联系上海雷卯EMC小哥。

  对于用到24V-70V 之间的 ESD 在这用表格列出常用型号:

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  六、ULC6042C主要应用场景

  1、核心应用:有源触控笔、平板触控笔笔尖信号线 ESD 静电防护;

  2、高速数字接口:各类设备高速差分信号线静电保护;

  3、RF 射频电路:蓝牙、无线天线前端端口 ESD 防护;

  4、车载电子:ADAS 车载传感器、车载通信接口静电、浪涌抑制;

  5、便携消费电子:手机、平板小型 GPIO、物理按键、微型传感器接口防护

  七、应用电路设计要点

  1、器件放置位置:ESD 二极管紧贴笔尖连接器,放置在静电进入 PCB 的第一级,位于触控 IC 前端;

  2、接地布线规范:器件接地焊盘采用短、粗走线直接连接主地平面,缩短泄放回路,降低线路电感,提升静电泄放效率;

  3、耐压匹配原则:严格保证器件 VRWM 高于线路常态最高电压,预留 5~10V 电压裕量;

  4、信号完整性管控:0.8pF 超低结电容特性,可避免高频触控信号出现衰减、相位偏移,保证书写顺滑无延迟。

  八、ULC6042C 规格书参数

  Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌,供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。

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2026-09-30 16:46 阅读量:223
上海雷卯丨PMT测试标准由IEC 61298改为IEC 62828,EMC合规与防护器件选型
  2026年,IEC/TC 65将PMT的性能测试依据由IEC 61298系列调整为IEC 62828系列,相关产品的EMC认证路径随之变化。本文基于标准文本与主流认证机构公开信息,对测试技术要求、防护设计方案及认证合规影响作系统性解读。  核心结论先行给出:PMT产品的ESD/EFT/Surge等EMC测试技术要求未作变更,变化集中在标准引用关系与合规文件编写。对制造商而言,厘清“变与不变”的边界,既能避免防护方案的无效返工,也能提前规划认证与合规文件的切换节奏。上海雷卯电子长期跟踪工业变送器EMC合规动态,本文基于其一线工程积累作系统梳理。  一、标准调整:PMT独立为专用体系  工业PMT(过程测量变送器)用于压力、温度、流量等过程变量的现场测量与信号转换,广泛部署于电力、石化、冶金、水务等工业现场,运行环境中普遍存在静电、快速瞬变、浪涌等电磁干扰。其电磁兼容(EMC)性能直接决定测量稳定性与系统安全。  原工业PMT变送器的性能测试依据散落在IEC 61298通用测量设备标准中,EMC测试则单独引用IEC 61326,产品性能标准与EMC标准呈“复合引用”状态,不同产品类型的测试依据存在差异,实验室结果溯源性不足。  2026版IEC/TC 65将PMT从通用测量设备中独立出来,建立专用测试体系:IEC 62828-1规定所有类型变送器(无论模拟/数字输出、被测变量差异)的通用测试程序与参考条件;IEC 62828-2规定压力类专用程序,并明确覆盖带远传密封装置的压力变送器——若密封装置与主体不可分离,须作为单一设备整体评估。  本次调整的核心要点是:IEC 62828本身不定义任何EMC技术要求。其在5.3.7条款明确,EMC测试全部转向IEC 61326系列。由此,PMT的EMC合规依据由“61298 + 61326”的复合引用,简化为“62828指向61326”的单层逻辑。  需特别关注的边界变化:IEC 61298-1/-3:2026 ED3已将PMT排除在适用范围之外,旧版61298对PMT的覆盖将在过渡期后退出。新发起的认证测试报告,依据应指向62828系列;此前基于旧版61298签发的CB报告,其有效性由各国NCB自行决定,且不适用于需更新测试结果的变更项目。  需要澄清的是,此次重构属于产品化标准分类的优化,而非对EMC技术要求的升级或降级。  二、EMC测试限值等级/方法未变,只是测试前期布置要求细化  PMT适用IEC 61326-1:2020“工业环境”类设备的限值(抗扰度Table 2、发射Class A),具体测试方法沿用到IEC 61000-4基础标准。其引用架构为两级级联:一级由IEC 62828-1指向IEC 61326-1,二级由IEC 61326-1指向IEC 61000-4/CISPR系列。严格度等级与判定准则Criterion B均保持不变,具体对应如下:在发射要求上,工业PMT适用Class A限值,抗扰度严于家用Class B而发射裕度相对宽松;IEC 61000-4各分册虽持续修订,但IEC 61326-1:2020引用的等级与试验方法保持稳定,本次换版未引入新的基础标准版本跳变。  本次调整新增的并非技术内容,而是测试过程要求:测试环境须锁定在标准参考条件±10%范围内并实时记录温湿度与气压;样品安装须完整复刻现场,包括电缆类型、长度、屏蔽层接地方式、支撑结构材质等;报告须记录软件版本、硬件编号、测试设备溯源证书编号、耦合/去耦网络(CDN)型号与校准参数。上述要求提高的是实验室的执行与溯源门槛,并不改变产品自身的防护技术要求。  三、防护设计:硬件不动,合规更新  由于EMC技术要求来自IEC 61326且等级未变,防护设计的基准随之不变。行业成熟的三级防护架构——接口分级防护、PCB布局隔离、低频信号回流路径分层隔离对IEC 62828-1:2026完全适用,无需任何硬件调整。  需要更新的仅为合规文件:在设计文档中补充“IEC 62828-1:2026 → IEC 61326-1:2020”的标准映射,将每一级防护元件与对应测试项目及等级建立一一对应;在防护BOM中标注核心器件对应的测试波形与等级,并将器件规格书、原厂测试报告纳入合规归档;在测试报告中写明防护架构、接地方式与现场布置。硬件不动,文档补齐。  四、认证抽检:依据换编号,本质不变  IECEE CB体系已将IEC 62828-1:2026纳入PMT合规标准目录,制造商可直接依据该标准申请CB测试报告与证书;由于62828-2依附于62828-1的通用框架,压力类PMT随之自动进入CB覆盖,测试按“62828-1通用要求 + 62828-2专用程序”组合执行,报告中须体现“62828→61326”的引用映射。  国内方面,CQC已接纳IEC 62828-1:2026作为自愿性认证可用依据,但EMC测试仍对口国内转化后的GB/T 18268系列(等同采用IEC 61326)。目前CCC未将普通工业PMT纳入强制目录,市场监管抽检依据也仍为GB/T 18268,暂无新标准抽检要求。  截至2026年8月,各认证机构尚未发布强制切换截止日期,但新发起的认证项目须以62828系列为测试依据。结论:认证依据更新编号,测试本质不变。  五、行动建议:合规切换路线  新开发产品:将“62828→61326”作为强制设计输入,复用成熟三级防护架构,核心防护元件参数无需调整;在设计输出阶段即把IEC 62828-1:2026要求嵌入测试计划、测试报告与符合性声明,确保标准引用一致。  已量产产品:组织技术团队对照IEC 62828-1:2026通用框架,对现有测试报告、符合性声明与技术规格书作差异评估,确认既有ESD/EFT/Surge数据满足IEC 61326-1:2020;如满足,可向认证机构申请证书变更,将依据由旧版61298替换为IEC 62828-1:2026,此过程无需重测,仅需补充标准映射文件。由于无需重测,证书变更的工程量与费用显著低于全新认证,是已量产产品最经济的合规路径。  持续跟进:关注国家标准化管理委员会对IEC 62828系列的国内转化进度,在正式转化为GB/T之前,无需调整防护硬件方案;选择具备IECEE CBTL资质且已获IEC 61326系列测试资质的实验室,提前与认证机构确认报告须包含的映射关系、防护架构描述与现场布置图,避免因合规表述偏差延误进度。
2026-09-28 11:36 阅读量:227
上海雷卯丨神玑 NX9031C 智能驾驶域控平台 EMC 接口防护
  图1 神玑 NX9031C 域控平台 EMC 全接口防护  引言:当 5nm 车规智驾芯片遇上物流车域控  2026 年世界人工智能大会(WAIC)上,安徽神玑技术有限公司展出了一款面向物流车的无人车智能驾驶控制器。其核心搭载蔚来自研 5nm 车规智驾芯片 NX9031C:超 500 亿晶体管、32 核大小核 CPU、NPU 算力约 1000 TOPS、LPDDR5x 8533Mbps 内存带宽、6.5G Pixel/s 高性能 ISP,并达到 ASIL-D 功能安全等级。截至 2026 年中,神玑 NX9031 已量产上车超 55 万颗,并支持双芯片毫秒级热备。  对EMC 工程师而言,这颗芯片意味着:16 路RAW 相机、3D 相机、激光雷达、毫米波雷达、高精度 GNSS、车载以太网环形骨干网、CAN FD/LIN车身网络全部汇于一块域控板。高速、高密度、高可靠三者叠加,接口静电与浪涌防护不再是‘打一颗TVS就行’的简单问题,而是必须从接口拓扑、信号完整性、车规认证、可量产性四个维度做系统设计。  雷卯EMC小哥基于16年EMC器件与方案经验,把 NX9031C域控平台的关键接口防护逐一拆解,给出可直接落地的车规级器件方案。  一、为什么 NX9031C域控的EMC设计更难做?  1. 工艺越先进,I/O 越脆弱。5nm 工艺的栅氧厚度和击穿电压远低于成熟节点,瞬态静电更易造成栅氧击穿或闩锁。  2. 高速接口对寄生电容极度敏感。100/1000BASE-T1、SerDes/FPD-Link 等高速差分线要求 ESD 器件结电容 <3pF,否则眼图、回波损耗和误码率直接恶化。  3. 多路大功率外设并存。激光雷达、毫米波雷达、摄像头加热、域控本身边缘 AI 运算,使 12V/24V 电源轨必须直面 ISO 7637-2 脉冲 5a/5b 抛负载、ISO 10605-2 等级 4 ESD 等严苛测试。  4. ASIL-D 功能安全要求冗余与失效保护。任何单点失效都不能导致智驾功能丧失,接口保护器件的钳位电压、响应速度和短路特性必须提前纳入 FMEA。  5. 物流车场景更恶劣。宽温、强振动、长距离线缆、电磁环境复杂,防护器件必须是真正的车规级,而不是工业级‘凑合用’。  二、NX9031C 域控关键接口防护总览  下表汇总了 NX9031C 域控平台常见外设接口的 EMC 风险与雷卯推荐器件,后续章节将逐项展开电路拓扑与选型要点。  三、车载以太网 100/1000BASE-T1数据骨干的静电与共模防护  NX9031C 支持整车高速以太环形网络,智驾域控与激光雷达、摄像头、网关之间往往通过 100BASE-T1 或 1000BASE-T1 连接。这类单对双绞线差分信号速率快、幅值低,对 ESD 器件的结电容和钳位一致性要求极高。  雷卯推荐在连接器入口端放置专用车载以太网ESD 器件 PESD2ETH100-T:24V双向、结电容仅3pF、接触/空气放电 ±30kV、SOT-23 封装,硅基工艺相比传统聚合物器件具有更高可靠性和更低温度漂移。同时,在 PHY 前端串入共模电感 LDW43T-513T(2800Ω@ 100MHz,51μH),抑制共模噪声并提升辐射发射裕量。  布局建议:ESD 器件紧贴连接器,共模电感靠近 PHY;差分对走线等长等距,避免在保护器件下方走其他高速线。  图2 车载以太网 100/1000BASE-T1 保护方案(PESD2ETH100-T + LDW43T-513T)  四、CAN FD 总线:既要速度,又要过车规  CAN FD 数据速率可达 2Mbps 甚至 5Mbps,是传统 CAN 的数倍。速率越高,总线对ESD 器件的电容越敏感;而车身网络又必须满足 ISO 10605 等级 4 ESD 和 ISO 7637 脉冲 3 类瞬态。  雷卯SMC24Q 是成熟车规器件,已通过 AEC-Q101 认证,24V 双向、25pF、±30kV,适合常规 CAN 节点。对于 CAN FD 高速节点,推荐低电容版本 SMC24LVQ / SMC27LVQ:24V/27V 双向、结电容 <5pF、±30kV,2 通道集成 SOT-23 封装节省空间;再配合共模电感 LDW43T-513T 滤除共模干扰。  图3 CAN FD 接口静电滤波保护方案(SMC24LVQ/SMC27LVQ + LDW43T-513T)  五、LIN 总线:低成本车身的可靠保护  LIN 总线用于车门、座椅、灯光、雨刷等低速车身控制,速率 20kbps,单主多从。虽然速率不高,但节点数量多、布线长、地电位差大,静电击穿收发器的事件并不少见。  雷卯推荐PESD1LIN:24V/15V 双向、15pF、±23kV,SOD-323 封装,单线对地保护,成本低、布板简单。对 NX9031C 域控而言,LIN 网络虽不直接参与智驾运算,但作为整车电子架构的一部分,其 EMC 稳定性同样影响功能安全评估。  图4 LIN 总线静电保护方案(PESD1LIN)  六、12V/24V 汽车电源:抛负载是必修课  无人车物流平台通常采用12V 或 24V 电气系统。ISO 7637-2 脉冲 5a/5b 抛负载可在电源线上产生 87V/174V 量级的瞬态,持续时间数百毫秒,普通 TVS 极易过功率失效。  雷卯12V 汽车电源方案采用 SM8S24A/SM8S24CA(DO-218AB,170A,87V 0.5Ω 200ms)作为一级浪涌钳位;串联 PPTC 自恢复保险丝 HL30-300(30V/3A)实现过流保护;再用低损耗肖特基二极管 S-SK54C(40V/5A,VF 0.55V)实现防反接。24V 系统则对应 SM8S36A/SM8S36CA、5.0SMDJ36CA 及 HL60-300 PPTC。  对48V轻混平台,雷卯亦有 SM8S58CA、LM1K58CLV、LM5D55P10 PMOS 防反接等完整方案,可直接沿用同一设计思路。  图5 12V 汽车电源浪涌保护方案(SM8S24CA + HL30-300 + S-SK54C)  七、BMS 菊花链:高压电池包的通信生命线  新能源物流车的电池管理系统(BMS)通过菊花链(Daisy Chain)在电芯采样单元(BMU)与主控单元(CMU)之间建立高速差分隔离通信。通信变压器虽提供隔离,但并不能消除静电与浪涌从连接器端口注入的风险。  雷卯推荐在IC 供电引脚使用 ESDA05CP(低回扫,Ipp 8A,VC 7.2V),在差分信号线使用 LM-PESD5V0F1BLD-Q(0.3pF,±30kV,DFN1006 车规),若需双通道可改用 ULC0502P3Q(0.6pF,2 通道,DFN1006-3)。整套方案满足 IEC 61000-4-2 等级 4 以及 IEC 61000-4-5 6A(8/20μs)。  图6 汽车 BMS 菊花链通讯保护方案(ESDA05CP + LM-PESD5V0F1BLD-Q + ULC0502P3Q)  八、为什么汽车电子工程师选择雷卯?  车规级认证:SMC24、LM-PESD5V0F1BLD-Q、ULC0502P3Q 等关键器件面向汽车前装,满足 AEC-Q101 及 ISO 7637/ISO 10605 测试要求。  全接口覆盖:从 ESD、TVS、TSS、PPTC 到共模电感、肖特基,雷卯可提供域控平台所需的全套保护器件。  方案可验证:雷卯自建电磁兼容实验室,可为客户提供静电、浪涌、EFT、汽车抛负载ISO7637 5a/5b等测试支持,缩短认证周期。  本地化支持:上海总部 + FAE 团队,可针对具体 PCB 布局、线束长度、目标测试等级做器件选型与优化。  上海雷卯电子把车载以太网、CAN FD、LIN、汽车电源、BMS 菊花链、GNSS/RF、雷达/摄像头等关键接口的 EMC 风险,转化为一目了然的电路拓扑和经过验证的车规级料号。
2026-09-24 11:39 阅读量:262
上海雷卯丨DSK26H 高温低漏电肖特基二极管深度解析——175°C结温下的电源整流优选方案
  在工业控制与电源整流领域,高温下的漏电问题一直是工程师头疼的难题。以音箱产品为例,某客户原采用 B5819W 肖特基二极管进行电源整流,但在测试中发现漏电流偏大,长期运行存在热失控风险。更换为上海雷卯电子DSK26H 超势垒整流器后,125°C 下漏电流仅60μA,测试顺利通过,整机可靠性显著提升。类似场景在密闭式电池应用的项目中、变频器、电源模块中同样常见——散热空间受限且内部环境温度常年维持在100°C以上,传统肖特基二极管常因高温下反向漏电流急剧增加而引发热失控。DSK26H 凭借高达+175°C 的工作结温和极低的高温漏电特性,为上述场景提供了高可靠性的解决方案。  一、产品概述  DSK26H 是一款专为高效电源转换设计的高性能超势垒整流器(肖特基二极管)。该器件采用紧凑的SOD-123FL 表面贴装封装。作为新一代整流器件,DSK26H 融合了低功耗损耗与高可靠性的双重优势,不仅具备优越的反向雪崩能力,还能在极端温度下保持稳定的电气性能。  二、核心参数深度解析  DSK26H 在25°C 环境下的最大额定参数,为各类电源拓扑应用提供了充足的安全裕量。其最大重复峰值反向电压(VRRM)与最大直流阻断电压(VDC)均为60V,最大均方根电压(VRMS)为42V,可轻松覆盖48V 及24V 系统的整流需求。电流承载方面,平均正向整流电流IF(AV) 达2A,峰值正向浪涌电流(IFSM)高达50A(8.3ms 单半正弦波,叠加额定负载),足以应对电源启动瞬间的浪涌冲击。电气特性方面,DSK26H 导通性能优异:IF=1A、TJ=25°C 条件下,瞬时正向电压(VF)典型值仅 0.65V,IF=2A 时最大值控制在0.74V。低VF 值意味着更低的导通损耗,对提升开关电源整体转换效率至关重要。  在反向漏电特性方面,DSK26H 同样表现出卓越的低温漏能力。根据规格书数据,在TJ=25°C、VR=VDC(60V 全耐压)条件下,其反向漏电流 IR 最大仅为0.7µA,远低于SBR2M60S1F 的0.8µA(为后者的1/8)和RB168MM-40 的0.55µA(且后者仅在40V 条件下测试)。即便在 TJ=125°C 的高温满载反向偏置状态下,DSK26H 的反向电流也被严格限制在60μA,有效阻断了"漏电增加→ 结温升高→ 漏电进一步增加"的热失控恶性循环。这一超低漏电特性使得 DSK26H 在电池供电设备、电源接口保护等对静态功耗极为敏感的应用中,能够显著降低待机损耗,延长系统续航时间。  三、与竞品参数对比分析  本报告对比分析上海雷卯电子 DSK26H 与三款行业竞品——Nexperia -PMEG6010ELR、Diodes Inc- SBR2M60S1F、ROHM- RB168MM-40 的核心电气参数,并从热阻、浪涌耐受、漏电流、封装兼容性等多个维度阐述 DSK26H 的竞争优势。所有参数均来源于各品牌官方数据手册。  核心参数对比表  注:① 各器件IR测试条件不同,DSK26H在VR=60V全耐压条件下测试,更具工程参考价值;② RθJA均为FR4 PCB测试条件,实际值受PCB铜皮面积和散热设计影响;③ DSK26H与RB168MM-40同采用SOD-123FL封装,可Pin-to-Pin直接替换。  四、DSK26H 核心优势分析  1. 最高浪涌电流 IFSM = 50A,系统耐冲击能力最强:DSK26H的IFSM高达50A(8.3ms半波),与PMEG6010ELR一样,高于其他两款。这意味着在开关电源上电瞬间、感性负载切换、电网浪涌等产生大电流冲击的工况下,DSK26H具有更强的耐受能力,可有效降低器件因浪涌损坏的风险,提升系统整体可靠性。在音箱功放、变频器、车载电源等存在大电流冲击的应用中,50A的浪涌余量尤为宝贵。  2. 最低热阻 RθJA = 50°C/W,散热性能最优:DSK26H的结到环境热阻仅50°C/W(FR4 PCB条件下),分别为SBR2M60S1F(100°C/W)的一半、PMEG6010ELR(220°C/W)的1/4.4。更低的热阻意味着在相同功耗下结温升幅更小,器件可在更高环境温度下稳定工作,有效降低系统散热设计难度和成本。在密闭式音箱功放、变频器等散热条件较差的场合,低热阻优势尤为突出。  3. 2A大电流 + 60V高压,同封装参数组合最强:DSK26H同时具备2A平均正向电流和60V反向耐压,在SOD-123FL同封装器件中参数组合最强。相比RB168MM-40(1A/40V)和PMEG6010ELR(1A/60V),DSK26H在电流和电压两个维度均无短板,可覆盖更广泛的工业电源、通信电源、新能源通信、消费电子等应用场景。对于需要2A以上整流电流的设计,DSK26H是唯一能在SOD-123FL封装中同时满足60V/2A需求的器件。  4. 超低反向漏电流 IR = 0.1µA,低功耗设计首选:在VR=60V(全耐压)、Tj=25°C的严苛条件下,DSK26H的反向漏电流仅0.1(典型值),低于SBR2M60S1F(0.8µA,为DSK26H的8倍)和RB168MM-40(0.55µA,但仅测试于40V)。值得注意的是,PMEG6010ELR的IR在60V全耐压条件下其漏电流0.09-0.3µA。DSK26H在全耐压条件下仍保持0.1µA-0.7µA超低漏电,在电源接口保护、电池供电等场景中可有效降低静态功耗,减少热失控风险,延长电池续航。  5. 宽温区 -65°C ~ +175°C,满足严苛环境需求:DSK26H的结温范围覆盖-65°C至+175°C,宽于RB168MM-40(-55°C ~ +150°C),满足工业级等宽温域应用需求。配合260°C/10s高温焊接保证,可适应无铅回流焊等严苛工艺条件,适用于所有用到电池的项目、工业控制、汽车电子等场景。  6. SOD-123FL同封装Pin-to-Pin替代RB168MM-40:DSK26H采用与RB168MM-40完全相同的SOD-123FL封装,引脚排列一致,可实现Pin-to-Pin直接替换。在保持PCB布局不变的前提下,将耐压从40V提升至60V(+50%)、电流从1A提升至2A(+100%)、结温从150°C提升至175°C(+25°C),性能全面提升。对于正在使用RB168MM-40但需要更高耐压或更大电流的设计,DSK26H是理想的升级替代方案。  7. Super Barrier Rectifier技术,低压降高效率:DSK26H采用超势垒整流(SBR)技术,在IF=2A条件下正向电压仅0.74V(max),与SBR2M60S1F(0.70V)相当,远低于传统整流二极管。低压降特性可有效降低导通损耗,提升电源转换效率,尤其适用于低压大电流整流场景,如DC-DC转换器、AC-DC整流、反向极性保护等。  五、DSK26H与普通肖特基DSK26参数对比  DSK26是常规的肖特基二极管,DSK26与DSK26H参数对比如下:  来源:LEIDITECH (雷卯半导体) Datasheet | DSK26: SOD-123FL_DSK22-DSK220.pdf | DSK26H: DSK26H.pdf  从表格可以看到DSK26H 的漏电比DSK26低很几个数量级,并且结温范围更高,适合用在高温低漏电场合。  六、应用场景  凭借 60V 耐压、2A 电流、175°C 结温及低漏电的综合优势,DSK26H 广泛适用于以下领域:  1. 工业电源与控制:如变频器内部辅助电源、PLC 隔离整流电路、工业传感器供电模块。  2. 新能源与通信:光伏逆变器辅助电源、5G 基站电源模块、LED 驱动电源。  3. 消费电子:高密度快充适配器、服务器电源等对效率和体积要求苛刻的场景。  4. 电池供电设备:所有用到电池的项目,如便携式仪器、电池管理系统(BMS)、电动工具、无人机等,DSK26H 的低漏电特性可有效降低电池自放电,延长续航时间。  七、选型建议与总结  在为您的电源系统选型时,若应用环境存在高温挑战或要求极高的转换效率,DSK26H 是理想的替代或升级方案。在选型过程中,建议工程师重点关注 高温下漏电流指标,并结合实际散热条件利用 50.0°C/W 的 RθJA 进行温升核算。  综合以上参数对比分析,DSK26H 在六个关键维度上表现突出:浪涌电流 IFSM(60A 最高)、热阻 RθJA(50°C/W 最低)、电流耐压组合(2A/60V 同封装最强)、反向漏电流(0.1µA 全耐压条件下最低)、温区范围(-65°C~+175°C 宽温域)、封装兼容性(SOD-123FL 与RB168MM-40 Pin-to-Pin 兼容)。在音箱功放、变频器、电源、工业电源、通信电源、所有用到电池的项目等应用场景中,DSK26H 均可作为高性能、高可靠性的肖特基整流二极管优选方案。  上海雷卯电子 DSK26H 超势垒整流器以175°C 的宽工作结温、极低的高温反向漏电流以及紧凑可靠的SOD-123FL 封装,重新定义了高温电源整流的标准。它不仅解决了传统肖特基二极管在高温下的热失控隐患,更为现代电子设备向高功率密度、高可靠性方向发展提供了坚实的底层器件支撑。
2026-09-23 10:32 阅读量:270
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