捷捷微电丨亮点必看！大通流、低残压、超高性价比：SMTJ系列TVS产品

发布时间：2026-05-28 09:44
作者：AMEYA360
来源：捷捷微电
阅读量：801

　　导言

　　在电子电路设计过程中，TVS(瞬态电压抑制二极管)的选型始终是工程师关注的重点。尤其是当系统面临雷击浪涌、电源暂过压等恶劣环境时，TVS管的通流能力直接决定了整机的可靠性与安全裕度。

　　今天，我们为大家推荐SMT系列这一高性能TVS系列——它们可以完美替换市场上广泛使用的5.0SMDJ系列，并且在通流能力、封装兼容性、可靠性以及性价比方面拥有显著优势。

捷捷微电丨亮点必看！大通流、低残压、超高性价比：SMTJ系列TVS产品

　　TVS管最核心的指标之一是峰值脉冲电流(IPP)，它直接反映了器件在浪涌事件中的吸收能力。

　　5.0SMDJ系列：

　　峰值脉冲功率为5000W(10/1000us)，在8/20μs波形下，典型峰值脉冲电流约为1kA级别;

　　SMTJ系列：

　　同样是8/20μs波形，峰值脉冲电流高达3.5kA，通流能力约为5.0SMDJ系列的近3-4倍。

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　　TVS 器件的钳位残压直接决定被保护电路所承受的瞬态过电压幅值。需依据系统额定工作区间、耐压安全裕量，并结合整机浪涌防护等级与后端芯片最大耐压阈值进行选型匹配;钳位残压越低，后端敏感器件过压应力越小、防护可靠性越高。

　　SMTJ 系列采用 Snap-Back 回扫结构设计，可有效压低瞬态峰值钳位残压、均衡分散瞬时功耗，同时具备优异的浪涌重复耐受能力，提升系统长期防护稳定性。

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　　SMTJ系列采用SMT封装同样为表面贴装型，在PCB焊盘设计上具备良好的兼容性，无需大幅改动PCB布局。同时，SMTJ系列支持260°C/40秒回流焊工艺，符合IPC/JEDEC J-STD-020标准，符合现代SMT产线工艺要求。

捷捷微电丨亮点必看！大通流、低残压、超高性价比：SMTJ系列TVS产品

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捷捷微电丨亮点必看！大通流、低残压、超高性价比：SMTJ系列TVS产品

　　在满足甚至超越性能需求的前提下，成本控制是每一位工程师和采购人员必须考虑的重要因素。SMTJ系列TVS在大幅提升通流能力的同时，还具备低钳位电压，实现了极具竞争力的性价比。

　　用SMTJ系列产品：一颗TVS搞定3.5kA浪涌等级 → 依托一级大通流、低钳位电压的防护能力，省去传统方案多级保护器件的搭配设计→ 浪涌裕量大适用多种场景，BOM简化 → 总成本下降。

捷捷微电丨亮点必看！大通流、低残压、超高性价比：SMTJ系列TVS产品

　　SMTJ系列TVS管凭借大通流、低钳位电压，SMT贴片封装、高性价比的综合优势，广泛应用于以下场景：

　　5G基站户外通信设备(基站、CPE、天线馈电)：雷击风险高，3.5kA给你底气;

　　POE供电设备(交换机、PD受电端)：电源口+网口双重浪涌，通流小了扛不住;

　　工业控制 & 安防摄像头：现场环境恶劣，动不动就烧电源口;

　　电池管理系统(BMS)：MOSFET管的短路电流保护，一颗SMTJ系列TVS可取代多颗5.0SMDJ系列TVS，降低多个TVS并联均流一致性差的风险，提高可靠性。

　　结论：在电路保护设计中，“多一分余量，多十分可靠” 。SMTJ系列TVS管，以3.5kA超大通流、低钳位电压、SMT贴片封装兼容、超高性价比三大核心优势，为工程师提供了一款满足高浪涌防护等级需求的特色产品。

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捷捷微电连续九年入选“中国半导体行业功率器件十强名单”
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捷捷微电连续九年入选“中国半导体行业功率器件十强名单”

　　日前，第二十届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2026年先进封装技术创新与产业链协同发展论坛在江苏扬州举行。大会期间发布了“2025年中国半导体行业功率器件十强企业”名单，作为国内领先的功率半导体器件IDM企业，江苏捷捷微电子股份有限公司(股票代码：300623，以下简称“捷捷微电”)凭借在功率半导体领域持续的研发创新、完善的产品布局和突出的市场表现，已连续九年荣获该项行业权威荣誉。　　捷捷微电自1995年创立以来，始终专注于功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产与销售。公司是国内晶闸管龙头企业、全球市场份额稳居行业前二。作为集功率半导体器件、分立器件、新型元件的研发制造、封测及销售服务为一体的高新技术企业，公司充分发挥IDM全产业链优势，与多家知名高校院所建立了长期产学研合作关系，持续加大对可控硅、防护器件、MOS、IGBT、光耦、模块、第三代半导体等技术与产能的投入，不断优化交付与配套体系。截至2025年底，公司已累计获得授权专利 332 件，构筑起坚实的技术护城河。　　在产业布局方面，公司总部位于江苏省南通启东市。目前，捷捷微电拥有3座制造基地，含4座晶圆厂、6座封测厂及多个省级研发中心。产品品类全面，主导产品包括单、双向可控硅、光电耦合器(光继电器、高速、门极驱动、可控硅、晶体管)、MOSFET(SGT、沟槽、平面、超结等工艺)、低结电容ESD、TVS、低结电容放电管等各类保护器件、高压整流二极管、功率型开关晶体管、IGBT。广泛应用于消费电子、智能家居物联、工业控制、通讯领域、清洁能源、安防与楼宇自动化电源管理系统、汽车领域(车规级产品已布局)、新兴领域等，具备跨行业、多场景的配套能力。　　未来，捷捷微电将锚定“成为国际一流功率半导体器件制造商与品牌运营商”的战略愿景，坚持以“诚信、务实、创新、共赢”引领发展，深耕功率半导体核心赛道，以技术创新为引擎，持续迭代产品与方案，筑牢核心竞争力，在为客户创造卓越价值的同时，为中国功率半导体产业的国产化与高质量发展注入更强动能!
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　　导言　　随着工业4.0与智能制造的深度推进，变频器和伺服驱动器作为自动化系统的“心脏”，正朝着高效、紧凑、高可靠方向持续演进。这对核心功率器件提出了越来越严苛的要求。　　作为一家专注于功率半导体封装与应用多年的IGBT模块及整流二极管模块制造商，我们紧贴变频伺服应用场景，构建了涵盖PIM、六单元、半桥、制动单元、整流桥以及整流+制动一体化模块的全矩阵产品体系，以高性能、高可靠的功率解决方案，助力客户实现精准传动与能效升级。　　变频器应用通常工作在长时间、高负荷乃至恶劣电网环境下，对功率模块的要求集中在：　　低通态损耗与高结温能力　　低VCE(sat)和低VF可有效降低运行能耗，175℃结温耐受则为长期满载和高温环境提供裕量。　　强鲁棒性与长寿命　　需要出色的短路耐受能力(10μs以上)和卓越的功率/温度循环寿命，以应对数年不间断运行。　　稳定的制动管理　　制动单元需频繁投切，要求IGBT开关损耗低、续流二极管反向恢复软，且具备高制动占空比承受力。　　伺服驱动应用则更强调高精度与快速响应，对模块提出差异化要求：　　高频开关能力　　载波频率常达到10~20kHz，IGBT及续流二极管的开关损耗必须足够低，二极管反向恢复电荷小、软度好，才能控制温升并避免死区补偿压力过大。　　低寄生参数与优良EMI特性　　模块内部低电感设计可抑制关断尖峰，软开关特性有助于降低dv/dt，减轻电磁干扰，确保位置和速度控制的高信噪比。　　紧凑集成化　　小型化伺服驱动器要求功率模块在一个封装内尽可能集成更多功能，缩短母线回路，提高功率密度。　　我们深刻理解不同功率等级、不同成本结构的变频伺服系统对拓扑的多样化需求，产品品类覆盖以下主流架构：　　PIM模块(功率集成模块)　　内部集成三相整流桥、制动斩波器及六单元逆变桥，大幅减少连线与寄生电感，简化驱动电路设计。特别适合37kW以下紧凑型变频器及伺服驱动器，帮助客户以最短开发周期实现高可靠性整机方案。　　六单元(三相全桥)模块　　标准三相逆变全桥，搭配外部整流桥，灵活适配中低功率变频/伺服。支持多模块并联，便于功率扩展与维护，是市场最广泛采用的经典拓扑。　　半桥模块　　单桥臂IGBT+续流二极管封装，可通过灵活组合构建两电平、三电平(NPC)等中高压大功率变频器，也常用于制动单元独立控制。其独立的散热路径和低寄生电感，为并联均流提供优秀条件。　　制动单元模块　　内置制动IGBT与续流二极管，配合外接制动电阻实现能耗制动。我司提供单管制动及集成化制动单元模块，可在高频次制动工况下保持低热累积和高可靠性，防止母线过压。　　整流桥模块　　采用高性能二极管芯片的三相整流桥，具有低VF、高浪涌能力、宽工作温度范围。独立绝缘封装设计，便于散热器接地，满足变频器输入级对安全与电磁兼容的要求。　　整流+制动一体化模块　　将三相整流桥与制动斩波器集成于单个封装，进一步节省空间、简化母线布局，消除整流与制动回路之间的多余连线寄生电感。对于追求极致体积和成本控制的伺服驱动器、微型变频器，该模块是非常理的一体化前端方案。　　在上述全品类布局的基础上，我们围绕变频伺服的真实痛点，从芯片到封装逐项打磨产品力，形成以下差异化优势：　　1.先进的芯片与折中优化设计　　采用沟槽场截止型IGBT，配合软恢复快速续流二极管，在低VCE(sat)与低开关损耗之间取得极佳平衡。针对伺服高频应用优化的开关软度，可有效抑制电压过冲和振荡，从源头上降低EMI设计难度，并减小死区时间对电流波形畸变的影响。　　本司的芯片技术完全对标国际大厂，处于G1/G2平台水平，对应更精细化沟槽产品的G3/G4平台产品正在开发中，能够满足绝大部分客户对芯片的性能和尺寸需求。　　上图是芯片微观解剖结构图，是本司拥有自主知识产权的Mirco Pattern Trench + Field Stop IGBT技术。　　上图是本司IGBT产品对标竞品进行的损耗差距对比，在均衡了Vcesat和Eoff的前提下，整体损耗水平也要明显优于一线同行产品的性能指标，达到国际先进水平。　　2.高可靠性封装与长寿命基因　　模块采用氮化铝、氧化铝等高性能绝缘基板，搭配低热膨胀系数铜底板与超声键合工艺，热阻小、结构牢固。经过严酷的温度循环(-40℃~+150℃)和功率循环试验验证，可轻松应对变频伺服频繁起停、负载波动带来的热应力冲击，全生命周期可靠性有坚实保障。　　3.低寄生电感结构与高短路耐受　　内部低电感布局有效降低关断电压尖峰，让逆变器设计留有更大安全裕量。同时芯片级优化使短路耐受时间达到10μs量级，即使发生意外短路，也能为保护电路争取充足动作时间，显著提升整机安全性。　　4.定制化服务与全流程支持　　从电流10A到400A、电压650V/1200V均有成熟产品，并可根据客户需求定制引脚形状、调整内部拓扑等。我们提供快速选型、热仿真参考、EMC整改建议等本地化技术支持，帮助客户缩短开发周期、降低试错成本。　　5.完善的一站式供应　　无论是单独的IGBT模块、整流桥，还是高度集成的PIM、整流+制动模块，均可从同一家供应商批量获得。统一的品质管控和物料追溯体系，为客户的供应链稳定性和整机一致性提供了额外价值。　　我司已成功将上述产品导入众多变频器及伺服驱动器品牌，覆盖机床、纺织、机器人、塑料机械、暖通空调等多个工业领域。每一次功率密度的提升、每一次死区时间的缩减、每一次可靠性的突破，背后都是我们与客户深度协作、持续迭代的成果。　　当您需要为下一代变频伺服产品选取核心功率器件时，我们提供的不仅是高性能IGBT模块和整流二极管模块，更是匹配您独特架构的完整拓扑方案和长期可信赖的伙伴关系。欢迎随时与我们联系，共同探讨最适合您的功率集成之道，用可靠的“芯”，驱动高效精准的工业未来。
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