邀请函 | 萨瑞微电子邀您共赴第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会

Release time：2026-04-14
author：AMEYA360
source：萨瑞微
reading：201

邀请函 | 萨瑞微电子邀您共赴第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会

　　尊敬的行业同仁、合作伙伴：

　　您好!

　　春风送暖，万物勃发。2026 第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会及展会将于4 月 15 日 - 16 日在珠海国际会展中心 A 座 4 号展厅盛大启幕。作为国内领先的功率半导体与保护器件 IDM 企业，江西萨瑞微电子将携智能电表全系列半导体解决方案重磅亮相，展位号T134。我们诚挚邀请您拨冗莅临，共探行业新趋势，共话合作新机遇!

　　展会信息

　　展会名称：2026第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会及展会

　　展会主题：中国电工仪器仪表产业发展技术研讨

　　展会时间：2026年4月15-16日

　　萨瑞微展位：T134【期待您的驻足!】

　　展会地址：珠海国际会展中心A座4号展厅

　　亮点抢先看

　　作为国内领先的功率半导体与保护器件 IDM 企业，本次展会我们将聚焦智能电表核心应用，全方位展示适配电表场景的高可靠性器件方案：

　　ESD 静电保护：SEU/SEH 系列 DFN/SOD 封装，低容值、高抗静电，适配以太网 / RS485/USB/ANT/ 键盘等多接口

　　TVS 浪涌保护：SMBJ/SMAJ 系列，6V–440V 全电压段，600W 高功率，强效抵御雷击浪涌

　　TSS 半导体放电管：P 系列高可靠性，满足 IEC 标准，通信口 / 电源口稳定防护

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　　全系列器件通过IEC61000-4-2/4/5等 EMC 测试，适配 1.2/50μs、8/20μs、10/700μs 标准波形，助力智能电表稳定可靠、合规入市。

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国产替代优选!江西萨瑞微SRIC2231/3331P4：精准钳位无尖峰，IC保护更可靠
行业新闻

国产替代优选!江西萨瑞微SRIC2231/3331P4：精准钳位无尖峰，IC保护更可靠

　　在工业控制、消费电子、车载设备等场景中，瞬态电压抑制器(TVS)的核心使命是保护后端精密IC免受浪涌、静电冲击。　　德州仪器(TI)TVS2200、TVS3300虽应用广泛，但江西萨瑞微SRIC2231P4凭借“VR与VC高度匹配、无峰值脉冲尖峰”的核心优势，成为IC保护场景的国产替代新标杆。以下通过核心参数对标，拆解其如何为IC筑牢安全屏障!　　核心优势提炼：实测性能全面超越　　DFN2020-6L 内部由芯片(集成有源电路，表面有焊盘)、键合线(金丝 / 铜线，连接芯片焊盘与引脚)、引脚框架(6 个引脚，传输信号并辅助散热)、塑封料(保护内部结构，绝缘防潮)和底部裸露焊盘(增强散热与 PCB 连接)组成，是 “芯片 - 键合线 - 引脚 - 塑封” 的紧凑集成结构。　　1. 更强大的抗浪涌能力(核心优势)　　实测数据：萨瑞SRIC2231P4的峰值脉冲电流 IPP 达到 80A，而竞品为 45A。　　客户价值：这意味着在遭遇极端浪涌事件(如雷击、电机启停)时，萨瑞产品能承受几乎翻倍的冲击电流，为后端电路提供更坚固的保护屏障，系统可靠性显著提升。　　2. 更优异的钳位性能(关键优势)　　实测数据：在28A的测试电流下，萨瑞产品的钳位电压 VC 为 26.4V - 26.8V，优于竞品的 26.9V - 27.2V。　　客户价值：更低的钳位电压意味着在泄放浪涌能量时，施加在被保护芯片(如PLC的IO口、USB控制器)上的电压应力更小，大大提高了系统生存率。　　3. 更大的芯片与更 robust 的内部工艺　　工艺细节：萨瑞采用 1.0mil合金线 * 10根 的键合引线方案，远超常规设计。　　客户价值：更大的芯片通常意味着更好的散热性能和更高的能量吸收能力。更多的键合引线大大降低了互联导线的寄生电感和电阻，确保了在大电流通过时的稳定性和可靠性，这是实现80A超高IPP能力的物理基础。　　4. 充裕的参数设计余量　　实测表现：在所有关键参数(如VBR, IR, VC)上，萨瑞产品的实测值不仅满足标准，且远离规格上限。　　客户价值：这代表了极高的一致性和良率，保证了批量生产的质量稳定，让客户用得放心。同时，充足的余量也意味着产品在高温、长时间工作等严苛条件下性能更加稳定。　　5. 完全兼容，直接替换　　封装：采用完全相同的 DFN2020-6L 封装。　　客户价值：客户在进行国产化替代时，无需修改任何PCB设计，真正实现了 “Drop-in Replacement” ，替换成本为零，切换风险极低。　　萨瑞微电子保护IC产品优势总结　　1. 性能对标国际大厂　　钳位电压、峰值脉冲电流、击穿电压等关键参数与TI产品高度一致。　　在高温、重复脉冲测试中表现出同等可靠性。　　2. 更优的性价比　　国产供应链优势，成本更具竞争力。　　供货稳定，交期短，支持定制化需求。　　3. 封装兼容　　采用DFN2020-6L封装，与TI的SON/WCSP封装引脚兼容，可直接替换。　　4. 全面认证　　符合IEC 61000-4-2/4-5等工业级EMC标准。　　通过RoHS认证，适用于绿色电子产品。
2026-03-20 14:44 reading：385
为智能健身注入高效动能|萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理
行业新闻

为智能健身注入高效动能|萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理

　　在现代智能健身器材中，高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET，凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性，成为跑步机、动感单车、划船机、力量器械等设备中电机控制与电源系统的理想半导体解决方案。　　一、产品核心特点　　1、先进沟槽单元设计　　采用高效Trench结构，实现低导通电阻与高开关速度的平衡。　　2、低热阻设计　　结到壳热阻(Rjc)仅为 1.3℃/W，散热性能优异，支持高功率持续输出。　　3、低栅极电荷与快速开关　　栅极电荷(Qg)低至 33.6nC(N沟道) 与 30nC(P沟道)，配合 ns 级开关时间，提升系统响应效率。　　4、全面可靠性保障　　100% EAS(雪崩能量)测试、100% Rg(栅极电阻)测试，确保每颗器件都符合严苛标准。　　5、环保工艺　　符合无卤、无铅环保要求，适用于绿色电子产品设计。　　二、关键性能参数　　作为一款兼顾高电流承载与低损耗的 MOSFET，SR45C03PS 的关键参数堪称 “实力派”：　　N沟道 MOSFET　　VDSS：30V　　RDS(on)：6.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A　　连续漏极电流：82A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：1.0V ~ 2.5V　　P沟道 MOSFET　　VDSS：-30V　　RDS(on)：7.0mΩ @ VGS=-10V, ID=-30A　　连续漏极电流：-75A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：-1.2V ~ -2.5V　　三、在健身器材中的核心应用　　跑步机　　高连续电流与峰值电流能力，满足电机驱动的动力需求，应对启动瞬间的冲击电流;低导通损耗减少长时间运行的能耗，配合宽温范围适配不同使用环境;　　筋膜枪　　N+P 沟道集成设计适配无刷电机驱动，快速开关响应支持精准 PWM 调速，实现多档位力度调节;紧凑封装与低功耗特性，助力产品小型化与长续航;　　动感单车　　稳定的功率控制性能适配电动磁控系统，实现 32 档以上精准调阻，让阻力变化均匀丝滑;低损耗设计延长设备使用寿命，适配智能阻力自动调节场景;　　椭圆机　　高效 DC-DC 转换能力助力能量回收系统，将运动产生的可变电压稳定转换，实现绿色能源再利用;　　健身功率计　　低栅极电荷与快速开关特性，提升功率检测的响应速度与精度，为运动数据监测提供可靠支持。
2026-01-20 11:49 reading：585
解决效率；电压尖峰问题！萨瑞微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案
行业新闻

解决效率；电压尖峰问题！萨瑞微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案

　　MOS 管 DS 尖峰的产生是多重因素共同作用的结果，涉及电路寄生参数、开关速度、负载特性及驱动电路设计等关键环节。针对这一行业痛点，萨瑞微创新性推出 “低导通内阻(Rds (on))+ 低反向传输电容(Crss)+ 低输出电容(Coss)” 同步优化方案，实现效率提升与尖峰抑制的双重突破。　　核心参数优势　　器件本身及 MOS 管周边元件会随电压变化率(dv/dt)产生寄生电感。若电感值较大，MOS 管关断时会在电感两端产生高额压降，叠加于漏极电压形成峰值电压;其中寄生源极电感(Ls)在关断时还会产生反向峰值电压，进一步放大尖峰幅度。　　萨瑞微通过精准调控 Crss 与 Coss 参数，有效降低振荡反馈，从源头抑制尖峰产生。实测数据显示，方案可显著削减漏极电压尖峰，提升电路工作稳定性(相关波形测试结果见原文附图)。　　效率与散热性能提升　　(输入条件：Vin=90Vac/60Hz，输出规格：20V/3.25A)　　更低的 Rds (on) 带来显著性能优势：相同功耗下器件温升更低，不仅能降低热应力对器件寿命的影响，减少高温导致的参数漂移与失效风险，还可简化散热设计，大幅降低散热片的体积与成本投入。(实测效率如图)　　稳定的EMI性能　　传统MOS　　低Rds(on)+低Crss;Coss　　产品核心优势　　低导通内阻设计：提升电路转换效率，降低器件工作温度，延长使用寿命，有效提升效率0.2%。　　低寄生电容组合：有效减少 LC 振荡，从根源抑制电压尖峰，提升系统稳定性。　　无额外 EMI 干扰：参数协同优化避免电磁兼容风险，无需额外增加滤波成本。　　萨瑞微 “低 Rds (on)+ 低 Crss + 低 Coss” 方案，打破单一参数调控的行业局限，通过三者精准协同实现深度系统级优化，助力客户在电路效率与电压尖峰抑制之间达成更优工程平衡，为电源、逆变器等各类电力电子应用提供高可靠性解决方案。
2026-01-15 10:07 reading：568
专为安防网通设计：萨瑞微电子P0080TB-MC TSS保护器件，大通流低残压，为设备安全保驾护航
行业新闻

专为安防网通设计：萨瑞微电子P0080TB-MC TSS保护器件，大通流低残压，为设备安全保驾护航

　　在安防监控、网络通信等设备中，各类接口(如RJ45网口、BNC视频端口等)常因静电放电(ESD)、雷击浪涌等瞬态过电压而损坏，严重影响系统稳定性和使用寿命。　　针对这一痛点，江西萨瑞微电子推出了一款性能优异的TSS系列浪涌保护器件——P0080TB-MC，以其大通流、低残压的卓越特性，成为安防、网通设备端口防护的可靠选择。　　› 01 产品核心优势：大通流、低残压　　大通流能力　　800A 峰值脉冲电流(10/700μs波形)，可抵御强浪涌冲击，满足国内外安规要求。　　多次浪涌冲击后性能不衰减，可靠性高，适用于恶劣电磁环境。　　低容低残压　　残压(Vs)仅为4V(@10mA)，有效钳位过电压，避免后级电路受损。　　导通电压低，响应速度快，能为敏感电路提供更平顺的保护。　　低电容(≤30pF)，不影响高速信号完整性。　　短路失效模式，过载后仍可提供一定保护，避免开路风险。　　符合无铅环保标准(E3级)，适合出口与绿色制造。　　› 02 关键电气参数速览　　该器件构建了由“预警-击穿-钳位”组成的层层递进的三重动态防护体系，其核心电气参数如下表所示：　　工作温度范围：-40℃ ~ +125℃，适用于户外及工业环境。　　› 03 实测性能解析　　根据萨瑞微实验室的测试报告，P0080TB-MC在浪涌冲击测试中表现优异：　　测试结果：　　可通过 4.2KV 浪涌测试(对应峰值电流约 112A)　　极限测试在 4.8KV 时产品击穿，仍表现出较高的浪涌耐受能力　　残压表现：在 4.2KV 浪涌下，钳位电压仅约 25–26V，展现优异的低残压特性。　　结论：该产品可满足绝大多数安防、通信设备的雷击浪涌防护需求，具备高可靠性。　　› 04 典型应用方案推荐　　RJ45网口静电浪涌防护方案　　用于交换机、路由器、网络摄像机等设备的以太网端口。　　P0080TB-MC并联在信号线与地之间，可有效吸收雷击感应、ESD等瞬态干扰，保护PHY芯片不受损。　　BNC视频端口静电浪涌防护方案　　适用于模拟摄像机、视频采集卡、监控矩阵等视频传输线路。　　在BNC接口的信号线与屏蔽层之间接入TSS，可抑制浪涌及静电脉冲，提升视频信号稳定性与设备寿命。　　选择萨瑞微，选择可靠　　在安防与通信设备日益追求高可靠性与长寿命的今天，端口防护已成为设计中的关键一环。　　萨瑞微电子P0080TB-MC TSS器件，凭借其大通流、低残压、高可靠的综合性能，为各类接口提供了一道坚固的“电压防火墙”，是工程师在安防、网通、工控等场景中实现稳健防护的优选器件。
2025-12-12 16:00 reading：689
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