ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

Release time:2026-04-02
author:AMEYA360
source:ROHM
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  2026年4月2日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,推出兼具业界超低动态电阻(Rdyn)*1和超低电容特性的ESD(静电放电)保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。

ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

  近年来,在工业设备和车载市场,高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地,系统(电路板、模块)层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面,随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展,IC对电气过载(EOS)和静电放电(ESD)的耐受能力呈下降趋势。因此,对于兼具“低电容(抑制高速通信时的信号劣化)”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中,微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而,降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系,因此如何兼顾通信质量和IC保护,成为亟待解决的课题。

  对此,ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品,新产品不仅实现更低电容,还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口,需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容*3仅为0.24pF(双向)和0.48pF(单向)的超低电容特性。同时,与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比,其钳位电压*4降低了约40%,确保了优异的IC保护性能。

ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

  这些优势有助于提高各种高速数据通信设备(例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备,笔记本电脑和游戏机等消费电子产品)的可靠性。另外,DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求,还适用于采用SerDes*5通信的ADAS(高级驾驶辅助系统)、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。

  新产品已于2026年3月开始量产(样品价格70日元/个,不含税),并已经开始网售,可通过AMEYA360商城购买,如有需要请联系AMEYA客服。

  ROHM今后将继续扩充低电容ESD保护二极管和TVS二极管的产品阵容,助力AI服务器、通信基础设施、自动驾驶系统等电子技术的发展,为实现安全、安心且舒适的数字社会贡献力量。

  <产品阵容>

ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

  <应用示例>

  适用于支持USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、DisplayPort、PCI Express、LVDS、MIPI D-PHY/C-PHY、车载SerDes以及车载以太网(10/100/1000Mbps)等各种接口的设备。

  ◆工业设备:AI服务器、数据中心、路由器、光模块、5G/6G通信基站、FA设备用摄像头等

  ◆消费电子:PC、服务器、USB加密狗、智能手机、平板电脑、游戏机、影音设备、通信天线等

  ◆车载设备:ADAS(高级驾驶辅助系统)/AD(自动驾驶)/全景影像系统/倒车影像系统用的摄像头、车载信息娱乐系统、车身控制ECU、中控台(影音系统、显示屏)等。

  <网售信息>

  开始销售时间:2026年3月起

  新产品在AMEYA360商城将逐步发售。

  <术语解说>

  *1) 动态电阻(Dynamic Resistance)

  表示ESD保护二极管在保护IC时,其电压随电流变化的增量程度的指标,又称“交流电阻”。该值越小,表示即使流过相同的放电电流时,也能将引脚电压的上升幅度控制得越低,从而减轻IC承受的电气应力,提高保护性能。

  *2) ESD保护二极管

  用来保护电路免受过电压、浪涌和ESD(Electro-Static Discharge:静电放电)影响的半导体器件。通过吸收突发的电压和电流尖峰(浪涌),来防止电路损坏和误动作。在车载环境中,对于电气方面发生严重波动时的保护至关重要。

  *3) 引脚间电容(Capacitance Between Terminals)

  电子元器件中产生的不必要的电容分量。如果引脚间电容较大,高速通信时信号就会劣化,因此在车载通信应用中降低引脚间电容非常重要。

  *4) 钳位电压

  ESD保护二极管抑制浪涌等引起的过电压时电路内维持的电压。该电压越低,越可以有效地保护电路和设备,从而提高车载设备的可靠性。

  *5) SerDes

  成对使用IC实现大容量数据高速传输的通信方式。信息发送端的串行器(Serializer)将多个数字信号数据转换为一个高速串行信号发出,信息接收端的解串器(Deserializer)则将其还原为原始数据。因其能以数Gbps至数十Gbps的速度高速传输大量数据,而被广泛应用于PC、服务器及车载摄像头系统等的高速接口。

ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管


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ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案丨通过PMIC与DrMOS的组合,实现更适合SoC的电源设计,并满足未来高性能化的需求~
  中国上海,2026年5月19日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出PMIC*1“BD968xx-C系列”和DrMOS*2“BD96340MFF-C”相结合的新电源解决方案,该方案非常适用于ADAS(高级驾驶辅助系统)、DMS(驾驶员监控系统)和感测摄像头等车载应用的SoC*3。  该解决方案可根据SoC的应用场景和性能要求,灵活组合Main Configurable PMIC*4、Sub PMIC和DrMOS,从而能够支持从低端到高端的各类SoC,并可根据其处理性能和功能实现具备扩展性的电源配置,有助于减少机型扩展时的工时,并提升电源效率。另外,构成该解决方案的产品均符合车规级可靠性标准AEC-Q100,可确保高可靠性。Main PMIC具备车载SoC应用所需的输出电压范围和灵活的电源时序控制功能,能够灵活应对不同SoC制造商、乃至同一SoC的不同代次和不同等级对电源的差异化要求。同时,还内置了电压、电流和温度监控及保护功能,确保车载应用所需的高可靠性和安全性。Main PMIC“BD96803Qxx-C”和“BD96811Fxx-C”是适用于低端SoC的、预期以单体形式使用的产 品 。 另 一 方 面 , Main PMIC“BD96805Qxx-C” 和 Sub PMIC“BD96806Qxx-C” 通 过 与DrMOS“BD96340MFF-C”进行组合,能够应对SoC中更低电压和更大电流的需求,具备出色的扩展性。新产品已经开始量产。详细信息请联系ROHM销售代表或通过ROHM官网的“联系我们”垂询。  <开发背景>近年来,随着ADAS的日益成熟、车载摄像头的功能提升以及ECU整合程度的不断提高,车载SoC正朝着高性能化的方向快速发展。与此同时,在ECU整合的背景下,汽车电子电气架构向域控架构*5的转型,正在推动以域控制器为核心的系统不断扩大应用。伴随着这一趋势,业界对以低电压、大电流驱动SoC的电源设计、精准的电源时序控制以及优异的可靠性提出了比以往更高的要求。另一方面,以往的电源设计需要针对每个SoC制造商、每一代产品的差异化要求进行个别应对,且在机型扩展时还需要重新设计电路,导致设计工时和验证负担增加,这是其一大课题。针对这些课题,ROHM基于“可配置(Configurable)”的设计理念,开发出了通过组合PMIC和DrMOS来灵活优化配置的电源解决方案,该方案不仅可以根据SoC的性能和应用进行高效的电源设计,还能够满足未来的性能提升需求。  <应用示例>高功率SoC:ADAS、DMS、座舱集成系统等  中等功率SoC:全景环视系统、泊车辅助系统等  低功率SoC:感测摄像头、车身控制、各种传感器控制等  <术语解说>*1) PMIC(电源管理IC)  一种内含多个电源系统、并在一枚芯片上集成了电源管理和时序控制等功能的IC。与单独使用DC-DC转换器IC、LDO及分立元器件等构成的电路结构相比,可以显著节省空间并缩短开发周期,因此近年来,无论在车载设备还是消费电子设备领域,均已成为具有多个电源系统的应用中的常用器件。  *2)DrMOS  集成了MOSFET和栅极驱动器IC的模块。其结构很简单,不仅有助于缩短设计周期,还可减少安装面积并实现高效率的功率转换。另外,其内部配有栅极驱动器,MOSFET的驱动也稳定,可确保高可靠性。  *3)SoC(System-on-a-Chip)  将CPU(Central Processing Unit,中央处理单元)、存储器、接口等集成于一枚电路板上的集成电路。因其可以实现出色的处理能力和功率转换效率并能节省空间,而被广泛应用于车载设备、消费电子和工业设备领域。  *4) Configurable PMIC  输出电压和电源时序可根据应用进行设置,并且能够根据不同的SoC和系统规格灵活应对电源配置的电源管理IC。  *5) 域架构(Domain Architecture)  将安装在车辆上的多个ECU(Electronic Control Unit)按功能域进行集中管理的结构。  在各个功能域中,统管多个ECU的上层控制单元称为“域控制器”。
2026-05-20 10:08 reading:207
ROHM PLECS Simulator上线!实现电力电子电路的快速验证
  中国上海,2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS® *开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”,该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况,非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。  “ROHM PLECS Simulator”可以通过从官网的列表中选择电力电子电路的拓扑以及ROHM提供的各种功率器件,在数秒到数分钟内即可完成损耗和温升等参数的仿真。在电路设计的初期阶段,该工具可大幅减少理想器件选型所需的工时。ROHM官网上目前已发布20种拓扑,并且计划未来将进一步扩充SiC器件、IGBT和功率模块等产品的器件模型及拓扑。  本仿真工具只需在ROHM官网上完成用户注册,即可免费使用。另外,在专题页面上,除了该仿真工具的访问入口外,还发布了用户使用时所需的资料(用户操作手册、电路工作说明应用指南)。  在电路设计时,尤其是在电力电子电路中,通常会采用仿真来代替成本高又耗时长的硬件试制。ROHM于2020年发布了可一次性验证功率器件产品和IC产品的“ROHM Solution Simulator”,并致力于不断扩充拓扑和器件模型。通过ROHM提供的高精度SPICE模型,用户能够以高度的复现性确认接近实际设备的波形,这一点获得了广泛好评。另一方面,用户还希望在开发初期阶段,能够基于损耗和发热验证,在短时间内选出理想的功率器件。  针对这一需求,ROHM推出了“ROHM PLECS Simulator”,专门用于损耗和热计算。用户可以利用PLECS®进行快速的初期探讨,运用“ROHM Solution Simulator”的优势进行详细且高精度的验证,并根据不同的开发阶段进行区分使用,进而实现从设计的损耗和发热验证到波形检查的一体化仿真。  <术语解说>  *) PLECS®  为了在虚拟空间中对含有控制的复杂电气与电力系统进行建模和仿真而开发的电力电子电路及系统的仿真工具。擅长进行损耗等参数的高速计算,能够在开发的上游阶段快速验证整个系统的响应性能。  PLECS® 是 Plexim,Inc.的注册商标。
2026-04-23 16:21 reading:538
ROHM开发出第5代SiC MOSFET,高温下导通电阻可降低约30%!
  中国上海,2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”,该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。  ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中,通过改进器件结构并优化制造工艺,与以往的第4代产品相比,成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中,该产品有助于缩小单元体积,提高输出功率。  第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品,并于2026年3月完成开发。  另外,ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来,ROHM将进一步扩大产品阵容,同时完善设计工具,并强化针对应用产品设计的支持体系。  <开发背景>  近年来,在工业设备领域,随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及,用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高,引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策,将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注,但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中,除了延长续航里程和提升充电速度之外,还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此,在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中,能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。  ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET,并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群,通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中,助力降低能源损耗。此外,第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品,并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容,目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗,将进一步扩大SiC的应用领域。  未来,ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容,同时,通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用,为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。  <应用示例>  车载设备:xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机  工业设备:AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)  eVTOL、AC伺服  <关于“EcoSiC™”品牌>  EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。  EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  <术语解说>  *) 牵引逆变器  电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
2026-04-22 09:07 reading:467
ROHM课堂 | 欧姆定律:电压、电流及电阻之间的关系
  欧姆定律是电路的基本原理,用“电流=电压÷电阻”的公式来表述电流、电压与电阻三者之间的关系。电压越高电流越大,而电阻越大则电流越小。例如,在将干电池与灯泡串联连接的电路中,电池的电压和灯泡的电阻共同决定了流过灯泡的电流量。本文将从基础内容出发,利用计算工具和公式等,介绍欧姆定律在简单电路设计中的实际应用方法。  欧姆定律的基本原理(直流)  欧姆定律在现代物理学和电子工程学领域发挥着核心作用,被广泛应用于电路分析和设计等众多场景。其主要涉及电压V、电流I和电阻R三个变量。本节会先介绍在实际测量电流或分析电路时实用的“计算工具”,然后探讨电压、电流、电阻各要素之间的相互作用机制,其后介绍相关方程式及单位的定义。最后会提到“VRI三角形”和“VRIP轮盘”等可视化工具,通过这些直观的图表清晰地展示电阻电路的基本关系。  串联电路和并联电路中的欧姆定律  串联电路是指电子元器件以串联方式连接的电路,电流流经同一路径。而并联电路则是电子元器件并联连接、电流分流通过各并联支路的电路。串联电路的特性之一是电阻相加后的总电阻较高。并联电路通过计算各电阻的倒数之和即可求出总电阻。  串联电路  在串联电路中,电阻等元器件按顺序连接,共享同一通路。其特点如下:  ・电流:串联电路中所有元器件流过的电流相同。  ・分压:电压被分配给各元器件。根据欧姆定律,在串联电路中,由于所有元器件流过相同电流,因此各元器件的电压降遵循=关系式,与电阻值成正比。高电阻元器件需要分配较高电压。  ・总电阻计算:串联电路中各元器件的电阻值相加即为总电阻。也就是说,合成电阻只是各元器件电阻值相加得到的总和。  欧姆定律在电路中的作用  欧姆定律绝非单纯的理论,通过将电路分解为线性和稳态区间,便可借助欧姆定律对电压降和损耗等参数进行概算。通过明确电压、电流及电阻之间的相互关系,能够正确操作电路元器件,准确地掌握流过的电流和电压降等情况。本节将通过由电阻器和导线构成的电路实例,讲解如何求解相关参数。  电阻器和导体实例  电子设备中存在各种元器件,其中仅含电阻分量的电阻器可以说是最简单易懂的实例。电阻器上标有10Ω、1kΩ、100kΩ等色环标示值或印刷的标称值,这些电阻器在直流电路等应用场景中能通过多少电流,可通过公式“V=IR”立即计算得出。  在电源电压恒定且电阻保持定值R的理想条件下,电流I也将保持恒定。然而,由于导线及其他元器件本身也存在非常微小的电阻,在高精度应用和大功率应用场景,需要考虑到这些“残余电阻”。例如,在驱动远端设备的长距离布线电路中,导线自身的电阻往往会成为不可忽视的电流损耗源。
2026-04-16 09:52 reading:575
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