报名开启丨ROHM AI服务器解决方案解读，参会赢好礼！

Release time：2026-04-01
author：AMEYA360
source：ROHM
reading：661

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。

　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!

报名开启丨ROHM AI服务器解决方案解读，参会赢好礼！

　　一、研讨会概要

　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用

　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺

　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容

　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍

　　二、研讨会主题

　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍

　　三、研讨会时间

　　2026年4月22日上午10点

　　四、研讨会讲师

报名开启丨ROHM AI服务器解决方案解读，参会赢好礼！

洪梓昕

(工程师)

　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。

　　五、官方技术论坛

报名开启丨ROHM AI服务器解决方案解读，参会赢好礼！

　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!

　　点击下方链接查看：

https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858

　　相关产品页面

　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html

　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：

https://ameya360.com/hangye/113215.html

　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：

https://ameya360.com/hangye/112418.html

　　相关产品资料

　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　 

　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf

　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：

　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf

　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：

　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf

　　好礼来袭

　　互动礼

　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。

　　宣传礼

　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。

　　专业微信群

　　拓展坞(30份)

　　微信朋友圈

　　桌面风扇(20份)

　　邀约礼

　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。

　　注意事项

　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。

　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。

　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。

报名开启丨ROHM AI服务器解决方案解读，参会赢好礼！


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ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案丨通过PMIC与DrMOS的组合，实现更适合SoC的电源设计，并满足未来高性能化的需求~
行业新闻

ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案丨通过PMIC与DrMOS的组合，实现更适合SoC的电源设计，并满足未来高性能化的需求~

　　中国上海，2026年5月19日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出PMIC*1“BD968xx-C系列”和DrMOS*2“BD96340MFF-C”相结合的新电源解决方案，该方案非常适用于ADAS(高级驾驶辅助系统)、DMS(驾驶员监控系统)和感测摄像头等车载应用的SoC*3。　　该解决方案可根据SoC的应用场景和性能要求，灵活组合Main Configurable PMIC*4、Sub PMIC和DrMOS，从而能够支持从低端到高端的各类SoC，并可根据其处理性能和功能实现具备扩展性的电源配置，有助于减少机型扩展时的工时，并提升电源效率。另外，构成该解决方案的产品均符合车规级可靠性标准AEC-Q100，可确保高可靠性。Main PMIC具备车载SoC应用所需的输出电压范围和灵活的电源时序控制功能，能够灵活应对不同SoC制造商、乃至同一SoC的不同代次和不同等级对电源的差异化要求。同时，还内置了电压、电流和温度监控及保护功能，确保车载应用所需的高可靠性和安全性。Main PMIC“BD96803Qxx-C”和“BD96811Fxx-C”是适用于低端SoC的、预期以单体形式使用的产 品 。 另 一 方 面 ， Main PMIC“BD96805Qxx-C” 和 Sub PMIC“BD96806Qxx-C” 通 过 与DrMOS“BD96340MFF-C”进行组合，能够应对SoC中更低电压和更大电流的需求，具备出色的扩展性。新产品已经开始量产。详细信息请联系ROHM销售代表或通过ROHM官网的“联系我们”垂询。　　<开发背景>近年来，随着ADAS的日益成熟、车载摄像头的功能提升以及ECU整合程度的不断提高，车载SoC正朝着高性能化的方向快速发展。与此同时，在ECU整合的背景下，汽车电子电气架构向域控架构*5的转型，正在推动以域控制器为核心的系统不断扩大应用。伴随着这一趋势，业界对以低电压、大电流驱动SoC的电源设计、精准的电源时序控制以及优异的可靠性提出了比以往更高的要求。另一方面，以往的电源设计需要针对每个SoC制造商、每一代产品的差异化要求进行个别应对，且在机型扩展时还需要重新设计电路，导致设计工时和验证负担增加，这是其一大课题。针对这些课题，ROHM基于“可配置(Configurable)”的设计理念，开发出了通过组合PMIC和DrMOS来灵活优化配置的电源解决方案，该方案不仅可以根据SoC的性能和应用进行高效的电源设计，还能够满足未来的性能提升需求。　　<应用示例>高功率SoC：ADAS、DMS、座舱集成系统等　　中等功率SoC：全景环视系统、泊车辅助系统等　　低功率SoC：感测摄像头、车身控制、各种传感器控制等　　<术语解说>*1) PMIC(电源管理IC)　　一种内含多个电源系统、并在一枚芯片上集成了电源管理和时序控制等功能的IC。与单独使用DC-DC转换器IC、LDO及分立元器件等构成的电路结构相比，可以显著节省空间并缩短开发周期，因此近年来，无论在车载设备还是消费电子设备领域，均已成为具有多个电源系统的应用中的常用器件。　　*2)DrMOS　　集成了MOSFET和栅极驱动器IC的模块。其结构很简单，不仅有助于缩短设计周期，还可减少安装面积并实现高效率的功率转换。另外，其内部配有栅极驱动器，MOSFET的驱动也稳定，可确保高可靠性。　　*3)SoC(System-on-a-Chip)　　将CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)、存储器、接口等集成于一枚电路板上的集成电路。因其可以实现出色的处理能力和功率转换效率并能节省空间，而被广泛应用于车载设备、消费电子和工业设备领域。　　*4) Configurable PMIC　　输出电压和电源时序可根据应用进行设置，并且能够根据不同的SoC和系统规格灵活应对电源配置的电源管理IC。　　*5) 域架构(Domain Architecture)　　将安装在车辆上的多个ECU(Electronic Control Unit)按功能域进行集中管理的结构。　　在各个功能域中，统管多个ECU的上层控制单元称为“域控制器”。
2026-05-20 10:08 reading：207
ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证
行业新闻

ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证

　　中国上海，2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS® *开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”，该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况，非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。　　“ROHM PLECS Simulator”可以通过从官网的列表中选择电力电子电路的拓扑以及ROHM提供的各种功率器件，在数秒到数分钟内即可完成损耗和温升等参数的仿真。在电路设计的初期阶段，该工具可大幅减少理想器件选型所需的工时。ROHM官网上目前已发布20种拓扑，并且计划未来将进一步扩充SiC器件、IGBT和功率模块等产品的器件模型及拓扑。　　本仿真工具只需在ROHM官网上完成用户注册，即可免费使用。另外，在专题页面上，除了该仿真工具的访问入口外，还发布了用户使用时所需的资料(用户操作手册、电路工作说明应用指南)。　　在电路设计时，尤其是在电力电子电路中，通常会采用仿真来代替成本高又耗时长的硬件试制。ROHM于2020年发布了可一次性验证功率器件产品和IC产品的“ROHM Solution Simulator”，并致力于不断扩充拓扑和器件模型。通过ROHM提供的高精度SPICE模型，用户能够以高度的复现性确认接近实际设备的波形，这一点获得了广泛好评。另一方面，用户还希望在开发初期阶段，能够基于损耗和发热验证，在短时间内选出理想的功率器件。　　针对这一需求，ROHM推出了“ROHM PLECS Simulator”，专门用于损耗和热计算。用户可以利用PLECS®进行快速的初期探讨，运用“ROHM Solution Simulator”的优势进行详细且高精度的验证，并根据不同的开发阶段进行区分使用，进而实现从设计的损耗和发热验证到波形检查的一体化仿真。　　<术语解说>　　*) PLECS®　　为了在虚拟空间中对含有控制的复杂电气与电力系统进行建模和仿真而开发的电力电子电路及系统的仿真工具。擅长进行损耗等参数的高速计算，能够在开发的上游阶段快速验证整个系统的响应性能。　　PLECS® 是 Plexim,Inc.的注册商标。
2026-04-23 16:21 reading：538
ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
行业新闻

ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
2026-04-22 09:07 reading：467
ROHM课堂 | 欧姆定律：电压、电流及电阻之间的关系
行业新闻

ROHM课堂 | 欧姆定律：电压、电流及电阻之间的关系

　　欧姆定律是电路的基本原理，用“电流=电压÷电阻”的公式来表述电流、电压与电阻三者之间的关系。电压越高电流越大，而电阻越大则电流越小。例如，在将干电池与灯泡串联连接的电路中，电池的电压和灯泡的电阻共同决定了流过灯泡的电流量。本文将从基础内容出发，利用计算工具和公式等，介绍欧姆定律在简单电路设计中的实际应用方法。　　欧姆定律的基本原理(直流)　　欧姆定律在现代物理学和电子工程学领域发挥着核心作用，被广泛应用于电路分析和设计等众多场景。其主要涉及电压V、电流I和电阻R三个变量。本节会先介绍在实际测量电流或分析电路时实用的“计算工具”，然后探讨电压、电流、电阻各要素之间的相互作用机制，其后介绍相关方程式及单位的定义。最后会提到“VRI三角形”和“VRIP轮盘”等可视化工具，通过这些直观的图表清晰地展示电阻电路的基本关系。　　串联电路和并联电路中的欧姆定律　　串联电路是指电子元器件以串联方式连接的电路，电流流经同一路径。而并联电路则是电子元器件并联连接、电流分流通过各并联支路的电路。串联电路的特性之一是电阻相加后的总电阻较高。并联电路通过计算各电阻的倒数之和即可求出总电阻。　　串联电路　　在串联电路中，电阻等元器件按顺序连接，共享同一通路。其特点如下：　　・电流：串联电路中所有元器件流过的电流相同。　　・分压：电压被分配给各元器件。根据欧姆定律，在串联电路中，由于所有元器件流过相同电流，因此各元器件的电压降遵循=关系式，与电阻值成正比。高电阻元器件需要分配较高电压。　　・总电阻计算：串联电路中各元器件的电阻值相加即为总电阻。也就是说，合成电阻只是各元器件电阻值相加得到的总和。　　欧姆定律在电路中的作用　　欧姆定律绝非单纯的理论，通过将电路分解为线性和稳态区间，便可借助欧姆定律对电压降和损耗等参数进行概算。通过明确电压、电流及电阻之间的相互关系，能够正确操作电路元器件，准确地掌握流过的电流和电压降等情况。本节将通过由电阻器和导线构成的电路实例，讲解如何求解相关参数。　　电阻器和导体实例　　电子设备中存在各种元器件，其中仅含电阻分量的电阻器可以说是最简单易懂的实例。电阻器上标有10Ω、1kΩ、100kΩ等色环标示值或印刷的标称值，这些电阻器在直流电路等应用场景中能通过多少电流，可通过公式“V=IR”立即计算得出。　　在电源电压恒定且电阻保持定值R的理想条件下，电流I也将保持恒定。然而，由于导线及其他元器件本身也存在非常微小的电阻，在高精度应用和大功率应用场景，需要考虑到这些“残余电阻”。例如，在驱动远端设备的长距离布线电路中，导线自身的电阻往往会成为不可忽视的电流损耗源。
2026-04-16 09:52 reading：575
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