在便携储能、变频家电、小型工业驱动等场景持续爆发的当下,中小功率 1200V IGBT 的市场需求迎来高速增长。如何在有限的体积内,实现更低损耗、更高可靠性、更优性价比,成为行业客户的核心诉求。
龙腾半导体推出的新款LKB25N120UM1 IGBT(1200V/25A)采用新型场截止型IGBT技术,实现了开关损耗与通态损耗的最佳折中。作为公司重点布局的中小功率档位主推型号,精准定位于中小功率电力电子应用场景,可充分满足该领域的性能需求。

核心亮点
1 低导通压降,提升系统效率
典型VCE(sat)仅为1.5V(@Tvj=25℃,Ic=25A),高温下仍保持低导通压降(175℃时为1.9V),有效降低导通损耗。
2 高结温能力,适应严苛工况
最大工作结温Tvj=175℃,为高功率密度设计提供更大热余量。
3 开关特性优化,降低电磁干扰
优化的栅极驱动特性,显著抑制开通时的 Vge振荡,提升系统稳定性。
4 内置快恢复二极管
集成快速恢复反并联二极管,反向恢复时间trr典型值 371ns,反向恢复电荷Qrr为1471nC,适配高频硬开关应用。
5 短路耐受能力
产品拥有业界领先的短路耐受时间,具备很好的短路鲁棒性。
典型应用
不间断电源
电焊机
变流器

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