纳芯微多通道LED驱动正式通过ASIL B功能安全认证，助力提升汽车照明系统可靠性与开发效率

发布时间：2026-01-29 09:39
作者：AMEYA360
来源：纳芯微
阅读量：964

　　近日，纳芯微汽车级 NSL21912/16/24FS 系列线性 LED 驱动产品正式通过第三方检测认证机构DEKRA的功能安全评估，获得ISO 26262:2018 ASIL B功能安全认证。该评估结果表明，NSL21912/16/24FS系列产品在设计、验证及测试等关键环节满足 ISO 26262 功能安全标准中 ASIL B 等级的相关要求，能够适配对功能安全与可靠性要求较高的汽车照明应用。

纳芯微多通道LED驱动正式通过ASIL B功能安全认证，助力提升汽车照明系统可靠性与开发效率

　　权威认证，助力提升汽车照明系统：可靠性与开发效率

　　当下，车灯已成为汽车品牌设计的重要载体，其应用场景众多，且部分车灯应用会直接与驾驶安全挂钩，例如制动灯、转向灯的控制。以往，车灯应用的功能安全等级往往集中于QM(Quality Management)到ASIL B之间，而由于车灯厂商的平台化设计需求，以及全球日益严苛的汽车安全法规与供应链准入要求，ASIL B已成为LED驱动芯片功能安全设计的重要目标等级。

　　纳芯微此次通过认证的NSL21912/16/24FS系列产品可驱动多达12/16/24串LED，搭配高速通信接口，广泛应用于贯穿式流水尾灯，转向灯，制动灯，格栅灯以及ISD交互等场景。获得功能安全产品认证标志着该系列芯片在系统性失效以及随机硬件失效的应对能力上达到了汽车功能安全ASIL B等级要求，可有效保障车灯安全功能。

　　同时，NSL21912/16/24FS系列芯片集成了多项安全措施，可以有效检测芯片自身以及外部组件的异常情况，并通过额外的Fail Safe控制功能，确保系统在检测到异常时能够进入预期的安全状态，从而提升行车安全性，保障驾乘人员及其他道路使用者的安全。

　　在此基础上，纳芯微还将为汽车主机厂和Tier 1零部件供应商提供完善的功能安全文档以及技术支持，帮助客户以更低的验证成本、更快的开发速度，打造满足更高功能安全等级的汽车照明系统。

　　从体系建设到产品落地：持续输出功能安全成果

　　作为汽车模拟芯片行业的头部企业，纳芯微始终重视功能安全体系和产品开发能力建设。NSL21912/16/24FS系列芯片通过 ASIL B 功能安全认证，体现了纳芯微功能安全产品的落地能力。纳芯微的功能安全产品开发流程遵循 ISO 26262 V-Model，专职的功能安全团队在项目初期就深度参与芯片 SEooC(Safety Element out of Context) 制定，在主导芯片安全架构定义的同时，持续运用多种安全分析方法优化设计合理性。

纳芯微多通道LED驱动正式通过ASIL B功能安全认证，助力提升汽车照明系统可靠性与开发效率

ISO 26262 V-Model开发流程

　　目前，纳芯微具备功能安全特性的产品已覆盖多个关键领域，包括ABS 轮速传感器 NSM41xx、超声雷达探头芯片 NSUC1800、隔离式栅极驱动 NSI6911 以及磁编码器 MT6511/6521 等。此外，纳芯微还与包括欧摩威(原大陆集团汽车子集团)在内的行业头部客户合作，联合开发功能安全的压力传感器产品。在功能安全团队及内部协同能力支撑下，纳芯微不断深化功能安全项目在多个领域的布局，为全球汽车客户提供涵盖传感器、信号链、电源管理等领域的更高功能安全等级的芯片选择。


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　　摘要　　车载SerDes系统在整车环境中面临严峻的ESD挑战，直接影响行车安全与系统可靠性。　　纳芯微通过三重防护架构——器件级ESD防护、RS-FEC前向纠错、物理层重传机制——为NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器提供了系统级解决方案。基于ISO 10605-2023标准的完整测试验证表明，产品在上电ESD(接触放电±8KV、空气放电±25KV)和下电ESD(Pin放电±8KV)测试中均满足等级A要求。与对标同类器件相比，纳芯微SerDes在CE/RE测试中裕量普遍高2-6dB，为整车厂商提供了更高的设计余量和可靠性保障。　　1. 车载SerDes系统的ESD挑战：从客户痛点出发　　现代智能汽车中，摄像头到域控制器的高速数据传输链路已成为ADAS和自动驾驶系统的关键组成部分。NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器构成的SerDes系统通常部署在车外摄像头模组与车内域控制器之间，暴露于复杂的整车电磁环境中。车外摄像头镜头、外壳及线束接口等位置直接面临静电放电的风险，这些位置在车辆使用、维护过程中极易与人体或工具接触，产生高达数千伏的静电放电事件。　　在实际工程应用中，客户在ESD测试中常遇到两类典型问题：　　带电ESD测试异常：系统正常工作时施加ESD干扰，导致画面黑屏、闪屏、卡顿，直接影响ADAS、智能座舱功能的实时性与可靠性　　不带电ESD测试损坏：系统未上电状态下的ESD冲击，造成芯片永久性损坏、器件失效，增加物料成本与维修复杂度　　这些问题不仅延长了研发验证周期，更对行车安全构成潜在威胁。一次ESD测试失败可能意味着数周的设计迭代与重新验证，直接拖慢项目进度并增加开发成本。　　2. ESD问题根因深度剖析：带电与不带电场景的差异　　ESD失效机理因系统工作状态不同而存在本质差异，理解这些差异是设计有效防护方案的前提。　　带电ESD失效机制　　系统正常运行时，ESD瞬态干扰通过以下路径影响系统功能：　　信号链路瞬时扰动：ESD电流耦合至高速差分信号线，导致信号波形畸变，产生纳秒级误码突发　　FEC纠错能力超限：传统SerDes的前向纠错(FEC)机制在密集误码冲击下无法完全恢复数据，错误累积超过阈值　　缺乏动态重传机制：链路层协议未设计针对瞬态干扰的快速重传机制，导致画面中断时间延长　　这种失效模式表现为功能暂时性异常，在ESD事件结束后系统可能恢复正常，但期间的功能中断已对安全关键应用构成风险。　　不带电ESD失效机制　　系统未上电时，ESD能量直接作用于器件物理结构：　　引脚耐压击穿：高压静电直接击穿I/O引脚的ESD保护结构，造成永久性硬件损伤　　内部结构过载：芯片内部ESD防护电路在超出设计规格的电压下烧毁，失去保护功能　　器件参数漂移：ESD应力导致晶体管阈值电压、漏电流等关键参数发生不可逆变化　　此类损伤是硬件永久性的，通常需要更换芯片或模块才能修复，直接增加物料与维修成本。　　3. 纳芯微系统级ESD解决方案：三重防护架构　　针对上述失效机理，纳芯微为NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器设计了系统级的三重防护架构，从器件到链路再到系统层面提供全方位保护。　　3.1 器件级ESD防护设计　　在芯片设计阶段，纳芯微采用了多层级的ESD防护策略：　　高等级HBM/CDM防护：芯片内部集成经过车规验证的ESD保护结构，提供8KV HBM和±2KV CDM的防护能力　　接口浪涌抑制：高速差分接口采用对称的TVS阵列设计，对共模和差模ESD干扰均有良好的抑制效果　　电源域隔离：数字与模拟电源域之间设计隔离缓冲，防止ESD噪声通过电源网络传播　　这些设计确保在不带电ESD场景下，芯片具备足够的鲁棒性避免永久性损伤。　　3.2 隔离电源设计参数　　为应对带电ESD导致的瞬时误码，纳芯微SerDes集成了增强型RS-FEC(里德-所罗门前向纠错)机制：　　高纠错能力：采用RS(528,514)编码方案，可纠正单个符号中的7字节错误，纠错能力较传统方案提升40%　　低延迟处理：专用硬件编解码器实现纳秒级处理延迟，确保实时视频流不受影响　　自适应纠错：根据链路误码率动态调整纠错策略，在ESD事件期间最大化数据完整性　　在实际测试中，该FEC机制能在ESD干扰下确保画面质量不受影响。　　3.3 物理层重传机制　　针对FEC无法纠正的严重误码情况，纳芯微设计了物理层自动重传协议：　　快速错误检测：在物理层实时监测链路质量　　选择性重传：仅重传出错数据包，避免整帧重传带来的带宽浪费　　链路自愈：重传成功后自动恢复至正常传输模式，无需上层协议干预　　这套机制确保在允许有错误包，但要重传成功的测试标准下，系统能够快速恢复，避免画面黑屏或卡顿。　　4. 严苛测试验证：基于ISO 10605-2023标准的完整闭环　　为验证三重防护架构的实际效果，纳芯微使用软龙格工装和度信工装，在实验室暗室中完成了基于ISO 10605-2023标准的完整ESD测试。　　4.1 测试照片　　4.2 上电ESD测试验证　　测试系统配置2米和8米两种线长，模拟实际车载部署中的不同布线场景。测试严格按照ISO 10605-2023标准执行，具体条件如下：　　测试结果：在所有测试等级下，NLS9116/NLS9246系统均满足等级A要求。测试过程中画面保持稳定，无黑屏、闪屏或卡顿现象。特别值得注意的是，在标准允许的“错误包重传成功”机制下，系统能够快速恢复，展现了物理层重传机制的实际效果。　　4.2 下电ESD测试验证　　在不带电状态下，对芯片引脚进行±8KV的接触放电测试，每个等级重复10次。测试后对芯片进行完整功能验证，并测量关键引脚的LCR参数。　　测试结果：所有被测芯片功能正常，无任何异常。LCR参数变化率均小于5%，远低于标准要求的10%上限。这验证了器件级ESD防护设计的有效性，确保芯片在运输、装配等未上电场景下的可靠性。　　5. 竞品EMC性能对比：裕量优势彰显技术领先性　　除了ESD性能，纳芯微SerDes在整体EMC性能上也展现出显著优势。与对标同类器件的对比测试显示，纳芯微产品在多个关键指标上具有明显裕量优势。　　竞品对比EMC优势　　CE/RE多频段裕量高2-6dB：在150K-245MHz传导骚扰和150K-6GHz辐射骚扰测试中，裕量普遍优于竞品　　满足GNSS加严格要求：1G-5GHz频段满足CISPR 25-2021 Class 5的加严限值，部分频段裕量达8-14dB　　更宽松的设计余量：更大的EMC裕量意味着PCB设计约束更少，系统成本更低，量产一致性更高　　具体数据表明，在150K-175MHz频段的CE测试中，纳芯微产品在50mm位置的PK裕量达到7dB，比竞品高1dB;在171M-245MHz频段(1MHz带宽)的AVG裕量达到9dB，优势明显。RE测试中，1G-5GHz GNSS加严频段的垂直极化裕量达到3-4dB，而竞品在该频段的部分极化方向接近限值边缘。　　6. 客户价值：从测试通过到整车可靠性的跨越　　对于整车厂商和Tier1供应商，纳芯微SerDes解决方案带来三重核心价值：　　降低研发风险与成本：一次性通过ESD测试，避免重复验证的设计迭代，缩短项目周期3-4周　　提升系统可靠性：在整车寿命周期内，抵御实际使用环境中的ESD事件，降低现场故障率　　增强供应链安全性：本土化研发与技术支持，快速响应客户需求，保障项目进度　　纳芯微SerDes通过系统级ESD设计，帮助客户一次性通过严苛的车规测试，显著降低研发验证风险，加速产品上市进程，最终提升整车系统的长期可靠性。三重防护架构的协同作用，确保了从芯片级鲁棒性到系统级功能完整的全方位保障。
2026-07-22 09:18 阅读量：310
助力高压系统实现高精度电流检测，纳芯微推出NSM2051集成式霍尔电流传感器
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助力高压系统实现高精度电流检测，纳芯微推出NSM2051集成式霍尔电流传感器

　　近日，纳芯微宣布推出NSM2051集成式霍尔电流传感器，旨在为2000V高压平台提供兼顾绝缘安全、检测精度与系统可靠性的电流检测方案。　　光伏与储能行业正加速向高功率密度、高效率方向发展，系统电压正逐步迈向2000V，对电流传感器的绝缘隔离能力提出了更高要求，而能源转换效率、功率控制精度等指标的不断提升，也推动电流检测向更高精度、更高可靠性发展。　　纳芯微NSM2051系列产品采用15mm超宽爬电距离封装设计，支持2000V系统电压，并提供优异的高精度电流检测与优异的绝缘性能，可广泛应用于光伏、储能、工业电源、电机控制、充电枪、OBC/DC-DC等高压场景。　　面向2000V系统，提供更高等级绝缘隔离　　NSM2051采用15mm超宽爬电距离封装，可提供2800VDC/2000Vrms基础绝缘耐压，满足2000V高压母线系统的绝缘设计需求，为高压系统提供更高安全隔离等级。　　同时，产品提供7500V耐受隔离电压、12kV最大浪涌隔离耐压及13kA最大浪涌电流能力，可有效增强系统在雷击、电网浪涌等复杂工况下的安全性，降低绝缘失效风险，并满足更严格的国际安规要求，帮助客户拓展全球市场。　　提供更精准的电流检测，提升系统控制效率　　NSM2051采用优化标定方案，在全温度范围内实现灵敏度误差小于1%、零点误差小于1mV、总输出误差小于1%，全寿命误差漂移低于1.5%，为系统提供更加精准、稳定的电流检测。　　更高检测精度有助于提升光伏系统MPPT跟踪效率，提高发电量;同时提升工业电源、电机控制等应用中的电流环控制精度，优化系统动态响应，实现更高运行效率。　　提升抗干扰性能，支持灵活系统集成　　NSM2051基于差分霍尔检测架构，可有效增强抗共模干扰能力，保障复杂电磁环境下电流采样稳定可靠。　　产品支持5V和3.3V供电，并提供比例输出和固定输出两种输出方式，可灵活适配不同系统架构，有助于优化系统设计。　　完善的集成式电流传感器布局，　　为客户提供更丰富选择　　NSM2051的推出进一步完善了纳芯微集成式电流传感器产品布局，是纳芯微在高压电流检测领域的又一重要产品。　　目前，纳芯微已形成较为完善的集成式电流传感器产品组合，可提供覆盖100VDC功能绝缘至2800VDC基础绝缘工作电压、30A至200A持续电流等不同规格产品，为光伏、储能、工业电源、电机控制、充电设施等应用提供更加丰富的产品选择和更灵活的电流检测方案。　　纳芯微集成式电流传感器产品矩阵
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