Littelfuse新一代超低功耗全极TMR开关扩充磁性传感器产品组合

发布时间：2026-01-27 09:53
作者：AMEYA360
来源：Littelfuse
阅读量：1887

　　Littelfuse宣布推出两款新一代全极磁性开关：LF21173TMR和LF21177TMR。这两款器件在紧凑的LGA4封装中结合了隧道磁阻(TMR)和CMOS技术，可为紧凑的电池供电系统提供超低功耗、卓越的磁灵敏度和快速响应。

Littelfuse新一代超低功耗全极TMR开关扩充磁性传感器产品组合

　　LF21173TMR和LF21177TMR设计用于在较宽泛的电压范围(1.8V-5.5V)内运行，支持多个磁阈值，可灵活集成到空间有限的应用中，如智能电表、电子锁、医疗设备和便携式消费电子产品。与传统的霍尔效应开关相比，这些TMR器件具有显著提高的灵敏度和更低的功耗，可帮助工程师打造出体积更小、能效更高、使用寿命更长的产品。

　　“随着LF21173TMR和LF21177TMR开关的推出，我们把磁感应的精度和效率提升到了一个新的水平。”Littelfuse传感器全球产品经理Julius Venckus表示，“这款开关集成了先进的TMR技术，具有超低功耗和高灵敏度，可解决紧凑型电池供电设计中的关键挑战。对于在工业、医疗和消费应用中构建更智能、更可靠设备的工程师而言，这将是一次具有颠覆性意义的变革。”

　　TMR优势

　　与依靠磁通量产生霍尔电压的传统霍尔效应技术不同，TMR传感器可测量磁隧道结的电阻变化，从而在更低的电流水平下产生更强的信号输出。该开关在保持卓越精度和热稳定性的同时实现了更低功耗，特别适用于对能量要求严格的应用场景，在这些场景中，每微安的电流都至关重要。

　　主要特性和优势

　　· 超低功耗可延长便携式设备的电池寿命;

　　· 高磁灵敏度(9-30高斯)确保使用较小磁体时仍能实现可靠检测;

　　· 1.8V-5.5V宽泛工作范围支持灵活的系统集成;

　　· 快速响应时间可实现精确、实时的感应;

　　· 紧凑型LGA4封装适合空间有限的设计;

　　· 全极操作可同时检测北极和南极，从而简化布局。

　　市场与应用

　　· 医疗保健：连续血糖监测仪和给药笔;

　　· 楼宇自动化：智能燃气表和水表;

　　· 消费电子产品：机器人设备和便携设备;

　　· 工业自动化：工业控制和电子锁;· 交通：电动自行车、两轮/三轮车和非公路用车辆。

　　LF21173TMR和LF21177TMR扩展了Littelfuse磁性传感器产品组合，使工程师能够设计下一代紧凑、节能的智能设备，实现无缝感知、响应和精确执行。

　　常见问答：LF21173TMR和LF21177TMR TMR开关

　　1. 什么是TMR技术，它与霍尔效应传感有何不同?

　　隧道磁阻(TMR)利用电阻的变化来检测磁场，与霍尔效应传感器相比，具有更高的灵敏度和更低的功耗。TMR可在紧凑型设备中延长电池寿命并提高精度。

　　2. 磁性开关中的“全极”是什么意思?

　　全极开关对北极和南极磁场都有反应。此功能省去了组装过程中对磁体方向或极性的控制需求，从而简化了系统设计。

　　3. 紧凑型LGA4封装有哪些优势?

　　LGA4封装尺寸小巧，易于表面贴装，支持超紧凑的电路板布局。其尺寸非常适合对占用空间和高度要求极高的小型化或电池供电设计。

　　4. LF21173TMR和LF21177TMR如何提高设计效率?

　　其高敏感度允许使用更小或更弱的磁体，紧凑的LGA4封装则节省了宝贵的电路板空间。这种组合减少了组件数量，简化了集成，并提高了整体系统效率。

　　5. 这些开关是否与标准CMOS电路兼容?

　　是的。集成的CMOS输出接口确保了与低功耗逻辑电路的轻松连接，使这些TMR开关可以直接用于各种电子设计。


（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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　　随着系统工作电压持续升高，瞬态保护器件必须提供更低的钳位电压，以防止敏感电子元件过应力。传统雪崩 TVS 二极管可以有效抑制浪涌事件;然而，其钳位电压随浪涌电流增加而升高，在高能瞬变期间降低了保护余量。　　Littelfuse FlatSuppressX™ TVS 二极管采用专有的瞬态抑制架构，将钳位电压的回扫深度进行了有效的设计及控制。　　触发后，器件转入稳定的低阻抗状态，并在宽浪涌电流范围内保持近乎恒定并且更低的钳位电压。与传统雪崩 TVS 技术相比，这种受控工作模式可实现显著更低的钳位电压和更小的瞬态应力。　　与传统雪崩 TVS 保护器件不同，FlatSuppressX™ TVS 兼具低钳位电压、稳定瞬态响应和无闩锁风险操作，提高了系统稳健性，并使得在严苛电气环境中使用更低额定电压的元件成为可能。　　特性　　FlatSuppressX™ TVS 采用专有的浅回扫设计。与传统雪崩 TVS 器件(其钳位电压随浪涌电流显著增加)不同，FlatSuppressX™ TVS 二极管在宽电流范围内保持稳定的、近乎平坦的钳位特性。这种行为最大限度地减少了电压过冲并降低了对被保护电路的瞬态应力。　　该架构专为实现低钳位性能而设计，且无 DC 闩锁风险。　　PPPM 峰值脉冲功率耗散 (IPP x VC) —— 最大功率耗散　　VR 关断电压 —— 可施加到 TVS 上而不使其工作的最大电压　　VBR 击穿电压 —— 在指定测试电流 (IT) 下流过 TVS 的最大电压　　VC 钳位电压 —— 在指定 IPPM(峰值脉冲电流)下，TVS 两端测得的峰值电压　　IR 反向漏电流 —— 在 VR 下测得的电流　　VCMIN 双向的 Snap 电压　　低钳位性能　　FlatSuppressX™ TVS 通过在以受控回弹导通模式下工作，实现了比传统雪崩 TVS 器件显著更低的钳位电压。　　图 3 比较了 TP5.0SMD60CA-FL FlatSuppressX™ TVS 和传统 5 kW 汽车 TVS xxxxx60CA 在等效浪涌条件下的瞬态性能。TP5.0SMD60CA-FL 在整个浪涌事件期间保持显著更低的钳位电压，降低了下游电路的电压应力并增加了系统保护余量。　　系统级优势　　FlatSuppressX™ TVS 提供的更低钳位电压降低了对敏感电子元件的瞬态过应力，并提高了整体系统可靠性。　　通过限制瞬态电压暴露，FlatSuppressX™ TVS 使得使用更低额定电压的元件成为可能，包括电容器、功率 MOSFET、反向极性保护器件、负载开关 IC、电压调节器和 PMIC。这一能力支持改善功率密度、优化元件利用率和降低系统成本。　　结论　　FlatSuppressX™ TVS 二极管结合专有浅回扫设计，实现了稳定的、近乎平坦的钳位特性。与传统雪崩 TVS 器件相比，它提供显著更低的钳位电压、更大的保护余量和更高的浪涌电流能力且无直流闩锁风险。它为汽车、工业和其他高可靠性电子系统提供了稳健的保护解决方案。
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