在AI算力爆发的当下,数据中心正经历着前所未有的升级压力。作为AI服务器的“动力心脏”,AC-DC前端电源设计面临着前所未有的挑战:如何在有限的空间内实现更高的功率密度、更长的使用寿命和更强的可靠性?这不仅是技术问题,更是决定AI算力能否持续稳定输出的关键。
永铭电子(YMIN)作为国内资深的电容器解决方案提供商,深耕高压电容领域多年,针对AI服务器电源的特殊需求,推出 IDC3系列高压液态牛角型铝电解电容,为解决行业痛点提供了创新性的技术方案。
工况边界:
• 位置:AC-DC前端PFC(功率因数校正)后DC-Link(直流母线)储能/滤波电容(典型方案)
• 功率:4.5kW–12kW+;形态:1U机架式服务器电源/数据中心主供电源
• 频率:随GaN(氮化镓)/SiC(碳化硅)应用提升,开关频率常见在数十kHz至百余kHz区间(以项目为准;本文引用规格书口径如120kHz)
• 运行与热:数据中心常见7×24长时运行;电源内部热密度高,需关注电容壳温/寿命降额(典型高温工况)
一、三大挑战:揭秘AI服务器电源设计中的高压电容困局
在 AI服务器电源和数据中心主供电源AC-DC段的设计中,工程师们普遍面临三大挑战:
①空间与容量的矛盾
在1U机架式服务器的狭小空间内,传统常规规格牛角电容往往面临体积受限的困境。要在有限的高度内实现足够的储能容量,是设计高功率密度电源 必须克服的难题。
②高温环境下的寿命挑战
AI服务器机房环境温度普遍较高,电源内部热管理压力巨大。450V/1400μF电容 在105℃高温寿命挑战下的表现,直接关系到系统的长期可靠性。
③高频化趋势下的性能要求
随着GaN/SiC等新型功率器件的普及,电源开关频率不断提高,对电容的ESR和纹波电流能力提出了更高要求,以避免系统宕机风险。
二、永铭IDC3:用技术重新定义高压电容的性能边界
针对上述挑战,永铭IDC3系列从材料、结构、工艺三个维度实现了全面突破:
1. 密度革命:在Φ30×70mm内实现70%容量提升
采用 Φ30×70mm 的紧凑型牛角电容 封装,在标准1U服务器电源的典型净高约束内,实现了450V/1400μF的高容值。相比传统同尺寸产品,容量提升超过70%(对比对象为行业常见同尺寸Φ30×70mm、450V等级液态牛角电容的典型容量区间),有效解决了高容量密度与空间矛盾。
2. 寿命突破:105℃高温下的持久力考验
通过优化电解液配方和阳极箔结构,IDC3系列在105℃严苛条件下的负载寿命表现优异。这种设计使得电容能够在数据中心高温环境下保持长期稳定,从容应对高温短寿的行业难题。
3. 高频适配:为GaN/SiC时代量身打造
采用低ESR设计,在120KHz高频下可承受更高的纹波电流。这一特性使IDC3系列能够更好适配基于GaN(氮化镓)/SiC(碳化硅)的高频开关拓扑(在规格书条件下),为高功率密度电源的效率提升提供了有力支撑。区别于以低频纹波为主的传统母线电容选型,面向GaN(氮化镓)/SiC(碳化硅)平台的高功率密度电源更需要在规格书口径下同时校核ESR与高频纹波电流能力。
注:本文关键参数来源于永铭 IDC3 系列规格书/测试报告;若未特别说明,ESR/纹波电流按规格书标注条件(如 120kHz)口径描述,具体以最新版规格书为准。
三、协同创新:从4.5KW到12KW的可靠性与性能验证
永铭与业内知名的GaN功率半导体厂商纳微(Navitas)等合作伙伴保持着深度技术协作(据公开信息)。在从4.5kW到12kW乃至更高功率等级的AI服务器电源项目中, IDC3系列高压液态牛角型铝电解电容 都展现了出色的性能表现。
这种协同开发模式不仅验证了产品的可靠性,更为AI服务器电源的持续演进提供了坚实的技术基础。永铭IDC3系列已经成为多个高端AI服务器项目的优选方案(据公开信息),其性能表现可对标国际一线品牌。
四、不止于产品:永铭如何为AI服务器提供系统级解决方案
在AI算力持续爆发的时代,供电系统的可靠性至关重要。永铭电子深谙 AI服务器电源设计的严苛要求,通过IDC3系列为行业提供了兼顾 高容量密度、长寿命和高可靠性的完整解决方案。
以下为IDC3系列高压液态牛角型(基板自立型)铝电解电容器在AI服务器电源中的典型选型参考,助力您快速匹配系统需求:


创新不止:永铭持续为AI基础设施注入稳定动能
算力时代,稳定供电是基础。永铭电子以IDC3系列高压液态牛角型铝电解电容为核心,持续为AI算力基础设施提供值得信赖的电容支撑。我们不仅提供产品,更提供基于深度技术理解的系统级解决方案。
当您在设计下一代AI服务器电源时,永铭已准备就绪,以技术创新助力您突破设计边界,共同驾驭算力浪潮。
Q&A
Q:永铭IDC3系列高压电容如何解决AI服务器电源的痛点?
A: 永铭IDC3系列高压液态牛角型铝电解电容从三个维度提供解决方案:
①高密度设计–在Φ30×70mm尺寸内实现450V/1400μF高容量,相比同尺寸产品容量提升超70%,解决空间与容量的矛盾;
②高温长寿命–通过优化电解液和阳极结构,在105℃高温下保持3000小时负载寿命,提升系统长期可靠性;
③高频适配–采用低ESR设计,支持120kHz高频工作,单颗纹波电流最高约4.12A(500V/1700μF,120kHz;450V/1400μF约2.75A,见文末选型表),适配GaN/SiC高频拓扑,助力高功率密度电源设计。
适用标签: #永铭电容 #IDC3系列 #AI电源解决方案 #高频电容 #国产电容突破
文末摘要
"适用场景":
"AI服务器电源AC-DC前端设计",
"数据中心主供电系统",
"1U高密度机架式服务器电源",
"基于GaN/SiC的高频开关电源",
"高功率密度(4.5kW-12kW+)AI算力电源"
"核心优势":
①"维度": "空间密度",
"描述": "Φ30×70mm尺寸内实现450V/1400μF,容量较同尺寸提升超70%,适配1U服务器高度限制"
②"维度": "高温寿命",
"描述": "105℃环境下负载寿命大于3000小时,适应数据中心高温运行环境"
③"维度": "高频性能",
"描述": "低ESR设计,在120KHz高频下可承受更高的纹波电流,适配GaN/SiC高频拓扑"
④"维度": "系统验证",
"描述": "已与Navitas等厂商协同验证,适用于4.5kW至12kW+ AI服务器电源项目"
"推荐型号":

选型三步法:
Step1:按母线电压选择耐压等级并留降额裕量(如 450–500V 等级)
Step2:按环境温度与热设计选择寿命口径(如 105℃/3000h)并评估温升
Step3:按空间高度/直径约束匹配尺寸(如 Φ30×70mm)并核对纹波电流与ESR口径
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| model | brand | Quote |
|---|---|---|
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| MC33074DR2G | onsemi | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
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| model | brand | To snap up |
|---|---|---|
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
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| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor |
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