随着AI算力需求不断增长,服务器电源的设计面临着前所未有的挑战。在1U高度的服务器电源设计中,如何满足高功率密度、高负载稳定性,并且在有限的空间内做到小型化,一直是工程师们亟待解决的问题。

1U电源设计:电容成为小型化的核心限制因素
在1U AI 服务器设计的高功率密度电源方案中,电容器往往是最难压缩的元件之一。即便GaN等新型功率器件不断提高开关频率与效率,服务器的体积和散热空间却没有同步放宽。
在这一设计中,电容不仅仅是配套元件,而是直接决定电源方案能否成功的关键因素。
1. 电容小型化面临的挑战
在实际的AI 服务器电源项目中,工程师通常要面对以下挑战:
· 功率密度提升
· 电源模块体积压缩 50% 以上
· 长期高温下稳定运行,105℃工作环境
· 高纹波电流承受能力,长期高负载运行
· 容量衰减可控,保持系统稳定性
在这些要求下,电容的尺寸压缩直接影响整个系统的设计。更小的电容体积意味着容量和纹波电流能力可能无法同时满足需求,这给设计带来了极大的挑战。
2. GaN 电源的优势与对电容要求的提升
随着GaN(氮化镓)技术的引入,电源开关频率、效率和体积得到了提升,但这也对电容器的性能要求提出了更高的标准。
对于GaN电源而言,电容器不仅需要具备更高的容量密度,还需要承受更大的纹波电流和更长的使用寿命,以确保系统的稳定性。
永铭IDC3系列电容,解决高功率密度电源方案的核心难题
为了应对这些挑战,永铭电子推出了IDC3系列液态铝电解电容,专为 GaN AI服务器电源设计。这款电容的核心优势是高容量密度与高纹波电流承载能力,能够在高温、高负载的严苛环境下稳定运行,成为高功率密度电源设计中的“关键一环”。
产品信息
系列:IDC3
规格:450V / 1400μF
尺寸:30 × 70 mm
结构形式:牛角型液态铝电解电容
1.电容小型化的“底层能力”——容量密度提升70%
IDC3 系列电容在容量密度上的提升让我们能够在不增加体积的前提下,提供更高的容量和纹波电流承载能力。与日系同类产品相比,IDC3 系列的容量密度提升了70.7%,从13.64μF/cm³提升到23.29 μF/cm³。这使得电源模块体积可以缩小约 55%,并且不影响性能稳定性。
2.长期高负载运行中的稳定性:纹波电流和高温寿命
在高负载、高温环境下,电容的稳定性至关重要。IDC3 系列电容能够承受高纹波电流(19A),有效减少并联电容数量,优化电源布局,降低局部热堆积风险。
此外,在 105℃ 的工作温度下,IDC3的寿命大于3000小时,并且容量衰减控制在8%以内,确保在长期运行中仍能维持稳定的电源性能。
3.系统级的收益:不仅仅是电容的优化
在 纳微(Navitas)氮化镓 AI 服务器电源方案 中,IDC3 系列电容的引入带来了以下多方面的改进:电源效率提升1%~2%、系统温升降低约10℃、电源模块体积大幅缩小。
这些优化最终带来了整个服务器系统的稳定性和长期可靠性,充分证明了电容在高功率密度电源设计中的核心地位。
结语:电容在1U AI服务器电源设计中的关键作用
在高功率密度与高负载并存的1U AI 服务器电源设计中,电容不仅仅是一个元件,更是决定电源能否长期稳定运行的“关键一环”。
永铭IDC3 系列电容,凭借其优越的容量密度、纹波电流承载能力和高温稳定性,成为了AI服务器电源设计中的重要助力。
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