台积电官宣：2nm量产！

发布时间：2025-12-30 16:43
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：248

　　据台积电官网，台积电2纳米技术已如期于2025年第四季开始量产。N2技术采用第一代纳米片(Nanosheet)晶体管技术，提供全制程节点的效能及功耗进步。台积公司并发展低阻值重置导线层与超高效能金属层间电容以持续进行2纳米制程技术效能提升。

　　台积电表示，N2技术将成为业界在密度和能源效率上最为先进的半导体技术。N2技术采用领先的纳米片晶体管结构，将提供全制程节点的效能及功耗的进步，以满足节能运算日益增加的需求。N2及其衍生技术将因我们持续强化的策略，进一步扩大台积公司的技术领先优势。

台积电官宣：2nm量产！

台积电官宣：2nm量产！

　　从性能提升维度来看，相较于前代N3E工艺，N2工艺针对逻辑电路、模拟电路与静态随机存取存储器(SRAM)混合设计的芯片，实现了三大核心突破：同等功耗下性能提升10%—15%、同等性能下功耗降低25%—30%、晶体管密度提升15%。而针对纯逻辑电路设计的芯片，其晶体管密度较N3E工艺的提升幅度更是高达20%。

台积电官宣：2nm量产！

　　*注：台积电公布的芯片密度数据，基于“50%逻辑电路+30%静态随机存取存储器+20%模拟电路”的混合设计方案测算。

　　**注：性能提升为同等运行速度下的对比数据。

　　***注：功耗降低为同等性能输出下的对比数据。

　　值得关注的是，N2工艺是台积电首款采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管的制程技术。这种晶体管结构中，栅极完全包裹由多层水平纳米片构成的导电沟道，不仅优化了静电控制效果、降低了漏电率，还能在不牺牲性能与能效的前提下缩小晶体管体积，最终实现晶体管密度的大幅提升。

　　此外，N2工艺还在供电网络中集成了超高性能金属-绝缘体-金属电容器(SHPMIM)，其电容密度达到上一代SHDMIM方案的两倍以上，同时将薄层电阻(Rs)与通孔电阻(Rc)均降低50%，有效提升了芯片的供电稳定性、运行性能与综合能效。


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