纳芯微成功登陆港交所！

发布时间：2025-12-08 15:59
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：536

　　2025年12月8日，国内模拟芯片设计企业苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微”)正式在香港联合交易所主板挂牌上市，成功构建“A+H”双资本平台，标志着公司全球化战略迈入全新阶段。

　　此次上市，纳芯微全球共发售1906.84万股H股，发行价最终确定为116.00港元/股，市值187.45亿港元。按此计算，公司通过本次上市预计募集资金净额约为20.96亿港元。

　　本次IPO的亮点之一是引入了阵容强大的基石投资者。比亚迪、小米集团等7家知名产业及投资机构共同认购了总额约10.89亿港元的股份，占本次发售股份总数的近一半。

　　尤其值得注意的是，基石投资者之一的“元禾纳芯”其最终出资方包含国家集成电路产业投资基金三期，这使得纳芯微成为模拟芯片领域首家获得“大基金三期”基石投资的企业。

纳芯微成功登陆港交所！

　　纳芯微成立于2013年，采用fabless模式运营，专注于芯片研发和设计，同时将晶圆制造外包予外部晶圆厂以及大部分封装测试外包予第三方封装测试服务供应商。集团围绕汽车电子、泛能源及消费电子等应用领域，提供丰富、高性能、高可靠性的产品及解决方案。根据弗若斯特沙利文的资料，以2024年模拟芯片收入计，纳芯微在中国模拟芯片市场的所有模拟芯片公司中位列第14名(占市场份额0.9%)以及在中国模拟芯片公司中位列第五名。

　　作为中国少数在传感器、信号链、电源管理三大核心领域均实现深度布局的企业，纳芯微凭借体系化技术平台与产品矩阵，在汽车电子、泛能源、智能终端等关键赛道建立领先优势，从“中国模拟芯片标杆”加速迈向“全球优选供应商”。

　　纳芯微创始人、董事长、CEO 王升杨表示，港股上市不仅是一次业务发展的里程碑，更是公司全球叙事的起点。公司将以此次上市为锚，持续加大底层技术投入、扩展产品组合、完善海外销售与市场体系，并推动全球化运营能力跃升，为客户与合作伙伴提供长期价值。


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　　近日，纳芯微汽车级 NSL21912/16/24FS 系列线性 LED 驱动产品正式通过第三方检测认证机构DEKRA的功能安全评估，获得ISO 26262:2018 ASIL B功能安全认证。该评估结果表明，NSL21912/16/24FS系列产品在设计、验证及测试等关键环节满足 ISO 26262 功能安全标准中 ASIL B 等级的相关要求，能够适配对功能安全与可靠性要求较高的汽车照明应用。　　权威认证，助力提升汽车照明系统：可靠性与开发效率　　当下，车灯已成为汽车品牌设计的重要载体，其应用场景众多，且部分车灯应用会直接与驾驶安全挂钩，例如制动灯、转向灯的控制。以往，车灯应用的功能安全等级往往集中于QM(Quality Management)到ASIL B之间，而由于车灯厂商的平台化设计需求，以及全球日益严苛的汽车安全法规与供应链准入要求，ASIL B已成为LED驱动芯片功能安全设计的重要目标等级。　　纳芯微此次通过认证的NSL21912/16/24FS系列产品可驱动多达12/16/24串LED，搭配高速通信接口，广泛应用于贯穿式流水尾灯，转向灯，制动灯，格栅灯以及ISD交互等场景。获得功能安全产品认证标志着该系列芯片在系统性失效以及随机硬件失效的应对能力上达到了汽车功能安全ASIL B等级要求，可有效保障车灯安全功能。　　同时，NSL21912/16/24FS系列芯片集成了多项安全措施，可以有效检测芯片自身以及外部组件的异常情况，并通过额外的Fail Safe控制功能，确保系统在检测到异常时能够进入预期的安全状态，从而提升行车安全性，保障驾乘人员及其他道路使用者的安全。　　在此基础上，纳芯微还将为汽车主机厂和Tier 1零部件供应商提供完善的功能安全文档以及技术支持，帮助客户以更低的验证成本、更快的开发速度，打造满足更高功能安全等级的汽车照明系统。　　从体系建设到产品落地：持续输出功能安全成果　　作为汽车模拟芯片行业的头部企业，纳芯微始终重视功能安全体系和产品开发能力建设。NSL21912/16/24FS系列芯片通过 ASIL B 功能安全认证，体现了纳芯微功能安全产品的落地能力。纳芯微的功能安全产品开发流程遵循 ISO 26262 V-Model，专职的功能安全团队在项目初期就深度参与芯片 SEooC(Safety Element out of Context) 制定，在主导芯片安全架构定义的同时，持续运用多种安全分析方法优化设计合理性。ISO 26262 V-Model开发流程　　目前，纳芯微具备功能安全特性的产品已覆盖多个关键领域，包括ABS 轮速传感器 NSM41xx、超声雷达探头芯片 NSUC1800、隔离式栅极驱动 NSI6911 以及磁编码器 MT6511/6521 等。此外，纳芯微还与包括欧摩威(原大陆集团汽车子集团)在内的行业头部客户合作，联合开发功能安全的压力传感器产品。在功能安全团队及内部协同能力支撑下，纳芯微不断深化功能安全项目在多个领域的布局，为全球汽车客户提供涵盖传感器、信号链、电源管理等领域的更高功能安全等级的芯片选择。
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　　导读　　从2020年初推出首款驱动芯片，短短数年时间，纳芯微在驱动芯片领域已实现了跨越式发展，核心依托自身在技术、产品、市场布局等多方面的核心竞争力。　　在最近一次对外交流中，纳芯微技术市场经理庞家华就栅极驱动相关问题展开深度解读，既展现出纳芯微在产品端的创新实力，也清晰诠释了企业快速成长的底层逻辑。　　锚定核心市场，打造核心优势　　栅极驱动芯片是一种用于控制半导体功率器件(如 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、 GaN HEMT 等)开关速度和时间的集成电路。栅极驱动芯片可以放大控制器件的开关控制信号，提供足够的电流来对半导体功率器件的栅极进行快速充放电，从而实现高速开关，减少开关过程中的能量损失，并保护控制器件不受到过高电压或电流的损害。　　庞家华表示，栅极驱动的核心应用市场高度集中，汽车电子、电源领域(含服务器电源、各类电源模块)、光伏领域、工业自动化领域(如变频器、伺服系统)四大场景，占据了整个市场份额的百分之七八十。这四大市场，恰好也是纳芯微深耕最多年的主力赛道。　　他指出，这些核心应用场景的共性需求，是对产品可靠性的极致追求。无论是汽车电驱系统还是光伏逆变器，驱动芯片一旦出现故障，都可能引发终端应用的灾难性后果，因此客户往往将可靠性放在首位。特别是相较于马达驱动，栅极驱动往往都是大功率的应用，对于可靠性的需求不言而喻。在这一关键维度上，纳芯微的产品失效率小于1ppm(百万分之一失效率)。更重要的是，经过前几年的市场验证，纳芯微栅极驱动产品性能更稳定、不良率更低。　　纳芯微作为专业的驱动及电源芯片供应商，持续投入核心资源打磨产品性能，同时立足客户多元化的功率器件应用需求，打造出可适配不同需求的栅极驱动产品，充分贴合实际应用中的器件搭配需求。　　理解全场景，围绕应用构建一站式产品树　　纳芯微始终以 “一站式产品树” 为核心布局逻辑，针对核心领域覆盖全应用场景，并对每个场景做深度技术耕耘，核心思路是精准把握场景痛点、实现全物料配套覆盖。　　在栅极驱动核心应用领域，如电驱系统、车载充电机(OBC)、光伏逆变器、服务器电源等，纳芯微不仅提供驱动芯片，还配套采样芯片、电源芯片及各类传感器，实现不同功率等级应用场景的全覆盖。　　庞家华表示，栅极驱动尽管在应用场景中作用大体相同，但由于应用本身也在不断发展演变并产生新的需求，纳芯微会将这些新需求列为解决的目标，并根据客户的产品规划来构建产品树，与客户共同成长。“我们会持续关注重点应用的发展趋势，紧跟客户的产品迭代节奏，从而不断完善产品树，这一逻辑不仅适用于栅极驱动产品，也适用于公司所有产品方向。”庞家华强调道。　　纳芯微采用了“量产一代、研发一代、预研一代”的研发节奏，基本上每年都会有新产品推出。“前几年需要先完善产品种类，所以迭代节奏相对慢，后续我们希望能够保持一年一代的迭代路线图，未来当产品迭代到一定阶段后，会进入创新突破期，届时迭代周期可能会调整为2-3年一代，中间的间隔期主要用于研发创新型产品。”对于产品迭代节奏，庞家华如是说道。　　目前，纳芯微已形成多系列核心产品矩阵：NSI6602 系列(半桥驱动)、NSI6801 系列(光耦替代型驱动)、NSI6611/6651 系列(智能保护功能驱动)构成核心老产品体系。　　2024 年，多款迭代产品与全新产品陆续推出：　　NSI6801 系列迭代至第三代 NSI6801E，在成本、售价及综合性能上实现全面提升;　　NSI6602 系列升级至第三代 NSI6602ME，作为全球首款带米勒钳位功能的半桥驱动，有效抑制碳化硅(SiC)应用中的米勒震荡，在 OBC 及 SiC 应用客户中反响热烈;　　NSI6611/6651 系列迭代至第二代 NSI67xx 系列，集成模拟信号采样或 ASC 保护功能，功能更丰富。　　另外，纳芯微也推出了全新功能安全驱动 NSI6911F，作为国内首款应用于电驱系统的功能安全驱动芯片。　　栅极驱动选型指南　　栅极驱动的选型主要分为以下几个步骤：　　第一步，先确定选择隔离驱动还是非隔离驱动。如需为了极致控制成本，且对性能、耐压要求不高，会选择非隔离驱动;如果应用场景对隔离、耐压有要求，则需要选择不同等级的隔离驱动。　　第二步，根据驱动对象和功率等级选择合适的驱动电流和驱动电压，不同的功率器件(如氮化镓GaN、碳化硅SiC、绝缘栅双极型晶体管IGBT等)对驱动电流和电压的要求不同，需要根据具体的功率器件类型和功率等级来匹配。　　第三步，选择额外的功能模块，包括保护功能，普通保护只有欠压保护、死区时间保护等;而智能栅极驱动集成了米勒钳位、退饱和保护、软关断电流、电源告警上报等复杂的保护功能。另外还有ADC采样、功能安全等等不同的需求。　　另外，还可以根据拓扑结构进行选型，比如选择单管驱动(仅驱动一个功率管)或半桥驱动(驱动两个功率管)。　　根据隔离、驱动种类、功能模块的区别，纳芯微有一系列独到的技术组合。庞家华特别强调，从隔离到驱动再到保护、采样和电源等功能，纳芯微多年的产品研发过程中积累了大量的成熟IP，可以支持驱动类产品的不断创新演进。　　适配第三代半导体，栅极驱动定制化解决方案　　随着第三代半导体的流行，纳芯微在栅极驱动方面做了非常多的工作，以适配不同的第三代半导体。　　首先对于SiC而言，性能与IGBT相比差异不大，但SiC的开关速度更快，这要求驱动芯片具备更高的共模瞬变抗扰度(CMTI)，以避免噪声导致器件误操作。　　对于GaN而言，驱动则相对复杂，核心难点在于高频场景下的震荡抑制，需要优化驱动电流输出，同时GaN的栅极-源极(GS)电压耐受能力较弱，过压容易导致器件损坏，所以需要确保输出电压稳定。“这些技术难点无法通过一句话概括，核心还是“实践出真知”，需要不断测试、优化，才能让产品性能达到最优。因此，纳芯微选择与头部功率器件厂商联合开发，是我们做好GaN驱动的关键，也是我们的核心优势之一。”庞家华介绍道。　　按照栅极特性差异，GaN分为常开的耗尽型(D-mode)和常关的增强型(E-mode)两种类型;按照应用场景差异，GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景，纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案，充分发挥GaN器件的性能优势。　　其中耗尽型GaN内部集成了一个小的MOSFET，和传统的MOSFET驱动差异不大，因此使用常规驱动芯片就能够驱动。　　去年9月，纳芯微、联合电子与英诺赛科共同签署战略合作协议，三方将聚焦新能源汽车功率电子系统，联合研发智能集成GaN相关产品。全新开发的智能GaN产品将依托三方技术积淀，提供更可靠的驱动及GaN保护集成方案，进一步提升系统功率密度。“GaN作为第三代半导体，目前仍处于技术探索阶段，无论是驱动芯片还是功率器件本身，都存在不少技术难点，要做好GaN驱动，需要进行联合开发，这将是一个不断摸索的过程。”庞家华强调道。　　高功率场景 栅极驱动双核心保护技术解析　　随着功率等级越来越高，保护电路越来越重要，选择一款合适的驱动器，可以显著提高系统的可靠性，简化系统设计，缩短研发成本。对于功率越来越大的器件，都可能因为误导通或dv/dt变化太快从而烧毁器件，因此目前保护功能中，退饱和保护(DESAT)和米勒钳位是值得注意的两项技术。　　退饱和保护主要是短路保护功能，它通过集成恒流源和比较器，监测功率器件的VCE电压，当检测到短路时，会触发软关断功能，缓慢关断功率器件，避免器件因短路烧毁。关断过程不会瞬间完成，而是缓慢进行，防止关断过快导致过压损坏。　　米勒钳位技术则主要是为了抑制米勒效应。米勒效应是在功率管开关过程中，功率管的集电极(C极)和栅极(G极)之间存在寄生电容CGD，在开关过程中会产生dv/dt变化，dv/dt与CGD的乘积会形成米勒电流，该电流会流向栅极，而栅极存在电阻Rg，电流通过电阻会产生电压，导致栅极-源极之间出现压差，从而使功率管被误打开，这就是米勒效应。　　米勒钳位技术就是通过增加一条低阻抗的泄放路径，将米勒电流释放到地，避免栅极-源极电压被抬高，防止功率管误导通。　　ASIL-D 功能安全驱动 构筑电驱系统安全核心　　功能安全指的是，栅极驱动芯片可以通过对驱动芯片自身、功率模块以及驱动系统中的失效模式进行识别，结合内在安全机制和系统级安全控制逻辑，在故障容忍时间间隔(FTTI)内使系统进入安全状态，避免因故障导致严重的危害人身安全的事件发生。　　采用满足功能安全标准的芯片来进行功能安全零部件的开发，可以大大简化系统开发流程，减少软硬件设计难度，降低失效风险，提高可靠性和鲁棒性。纳芯微的功能安全栅极驱动芯片集成了系统功能需求模块和诊断需求模块，可以有效降低系统成本。同时支持软件智能配置，可针对不同应用场景及功率模块的产品，实现差异化配置开发。“功能安全本质上是系统级的概念，即使不使用功能安全驱动芯片，也可以通过增加冗余设计、额外的保护电路等方式，实现较高的系统功能安全等级，只是这样会增加设计复杂度和成本。”庞家华介绍道。　　庞家华表示，尽管目前行业内并没有强制功能安全的驱动，但中高端车型越来越注重性能和安全，通常会选择更高安全标准的产品，随着未来行业标准的不断演进，有可能推动功能安全驱动的强制性要求。　　展望未来　　庞家华表示，除功能安全，压摆率调节将成为栅极驱动的另外一个重要发展方向，该技术通过在轻载、重载等不同工况下动态调节驱动电流，优化 dv/dt 和功率损耗之间的权衡，从而实现全场景效率最大化，既契合绿色能源发展的行业共识，又能有效帮助客户降低电池、体积等核心成本，具备显著的技术价值与市场潜力。　　实际上，在不久前出版的《节能与新能源汽车技术路线图3.0》上，纳芯微技术专家方舟介绍了栅极驱动的关键技术发展趋势，产品将向高性能、集成化、高可靠性与高安全性演进。比如，栅极驱动的关键技术趋势包括提升驱动电流能力，提供智能驱动电流调节和共模瞬变抗干扰度。此外，在工艺上还将攻关垂直MOS工艺、垂直BCD工艺及车规耐高压工艺等，预计到2040年通过设计与工艺优化实现桥驱与高边导通内阻进一步降低，全面支持48V系统。　　另外值得一提的是未来的服务器市场，特别是AI算力中心的发展，对于功率的需求越来越大，给电源驱动带来了新的机会。庞家华认为，服务器电源追求极致的功率密度，要求体积越来越小，GaN能够充分发挥高频特性，是目前高功率密度的最优选择，纳芯微也将积极拓展该领域的布局。　　“对于栅极驱动而言，功能的提升相对简单，更重要的是贴合应用场景进行技术升级。工艺优化也是同理，需要在抗干扰能力、压摆率调节功能、更大的驱动电流这些功能增加的同时，尽量缩小芯片面积，在功能和成本上达到平衡。”庞家华总结道。
2026-01-28 09:58 阅读量：201
纳芯微：无需返厂！基于实时控制MCU NS800RT5039 的 IAP 固件升级指南
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纳芯微：无需返厂！基于实时控制MCU NS800RT5039 的 IAP 固件升级指南

　　设备固件升级需拆回原厂、依赖 J-LINK 等仿真器烧录?这一痛点可通过 IAP(In-Application Programming)升级方案彻底解决。本系列文章将以纳芯微NSSine™系列实时控制MCU/DSP芯片NS800RT5039为载体，通过《理论篇》与《实战篇》的结构化讲解，深度拆解“UART-Raw”协议下的IAP升级实现逻辑。内容覆盖全流程关键环节：从固件分区设计(Bootload区+APP区)的基础规划，到UART模块驱动开发、sct分散加载文件配置;从Jump跳转核心操作的原理剖析，到内部Flash擦写功能的代码落地，全程配套清晰流程图与可复用的代码清单，既为工程师提供扎实的理论指导，也助力快速完成设备现场固件升级，真正告别“拆机返厂”的低效模式。　　IAP技术原理：告别返厂烧录的核心逻辑　　经典的 IAP 方案采用 Bootloader(引导程序)+ App(应用程序)的双分区架构，Bootloader 负责烧录固件、通讯等功能;App 是实际的应用业务程序，也就是被升级的对象。双分区运行流程如下图所示：图1 IAP方案流程　　通常，带主控芯片的设备出厂时，应用代码会通过 J-LINK 等仿真器烧录至主控芯片。传统设备固件升级需将设备返厂，通过 J-LINK、CMSIS-DAP 等仿真器重新烧录代码，效率低、成本高。使用 IAP 技术可以在设备实际应用场景中通过通信接口即可实现固件更新，脱离烧录工具。　　核心概念介绍　　术语简述　　中断向量表　　NS800RT5039 内核基于 ARM 的 Cortex-M7，在 ARM 架构中，中断向量表(Interrupt Vector Table)是非常重要的一个组成部分，它定义了处理器发生中断时应该执行的中断服务函数的具体地址。　　下方是中断向量表的示意图以及 NS800RT5039 中断向量表的部分定义：图2 向量表结构　　如上图所示，向量表第一个元素是“__initial_sp”，这个元素定义了程序系统初始的栈(STACK) 指针，也就是栈顶指针(为什么叫栈顶， 根据 CPU 指令架构，其所定义的栈的生长方向为向下生长，即从高地址到低地址生长，默认初始化时，指针的位置处于栈的顶部，因此叫栈顶指针)。而第二个元素“Reset”对应中断服务函数 Reset_Handler，这个元素定义的就是 Reset_Handler 函数的地址，该函数用作程序系统的入口函数。　　向量表重定向　　NS800RT5039 基于 Cortex-M7，支持向量表地址的重定向，也就是 SCB->VTOR 寄存器的功能，它可以指示向量表的地址，这个功能极大的方便了 IAP 的实现，从 BOOT 跳转到 APP 时，通过修改这个寄存器，就能实现向量表的切换。对于 APP 而言， BOOT 跳转之前 SCB->VTOR 指示的是 BOOT 的向量表，而非 APP 的向量表，所以必须在跳转到 APP 时手动重新加载 VTOR，以确保在 APP 运行时 CPU 能够正确响应到 APP 的中断向量表。　　需要注意的是： 对于 Cortex-M7 系列芯片，向量表地址有对齐要求，简单而言，对齐数必须为 2 的整数幂，且不小于向量表总字节大小。举个例子， NS800RT7P65x 有 16 个内部中断， 227 个外部中断，总大小为 243 x 4 =972 Bytes，那么向量表对齐数必须不小于 972，同时需要满足为 2 的整数幂，所以210可作为它的对齐数，也就是 1024。　　程序启动的标准流　　硬件初始化 (系统时钟、外设、中断)　　加载栈顶地址到SP寄存器，其位于中断向量表的第一个元素　　读取 Reset 向量并跳转　　向量表重定向　　进行方案设计：实践前的关键决策　　设计 Bootloader 与上位机的通讯协议， 为 Bootloader 开发数据传输功能　　设计 Flash 烧录算法，为 Bootloader 开发烧录功能　　确定如何从 Bootloader 区启动，运行 Bootloader 代码　　确定如何从 App 区启动　　确定 Bootloader 区与 App 区的固件地址，以及运行时地址，确保不相干涉　　开发上位机表1 常见IAP方案　　在实际项目中，选择哪种 IAP 方案取决于成本、性能、可靠性要求、物理环境和安全性需求的综合权衡。对于大多数应用，UART 或 CAN IAP 是入门和通用的首选。　　避坑要点：疑难杂症如何处理　　App 跳转失败，程序跑飞　　检查跳转流程是否正确　　检查 Reset 函数(通常在启动文件中)是否正确调用 SystemInit 函数，以及堆栈初始化函数(在MDK中是 __main() )　　检查 Reset 向量最后一位是否是 1 (1 代表 Thumb 模式，0 代表 ARM 模式)　　检查在C语言代码中是否在设置栈顶地址后以及跳转前的同一个函数中使用了局部变量。因为设置栈顶地址会导致栈状态改变，局部变量会成为未定义的非法数据　　跳转成功，但是后续调试出现 Hardfault　　触发 Hardfault 后，查出出错地址，结合工程代码分析非法操作：　　观察 Fault Reports 寄存器 (HFSR，CFSR、MMFAR、BFAR)，寻找出错信息　　查看 SP 寄存器，读取栈帧，获取出错前栈状态　　BootLoader 应用层通信协议校验出错　　调试芯片通讯外设，是否有错误标志，如FIFO溢出、校验失败等　　使用逻分或示波器获取波形，排查上位机逻辑错误、排查硬件干扰、短路或接触不良　　检查校验算法，是否与上位机一致，排查算法逻辑　　Flash 烧写失败或无效　　Flash 操作前是否正确关闭了 I/DCache　　Flash 寄存器解锁操作是否正确　　Flash 读写位宽和对齐是否符合要求　　VDDIO 电源电压是否稳定 (Flash 擦写需要高压注入)，PCB 电源滤波电容是否满足要求　　编译 Flash 驱动时尽量不开启代码优化　　其他注意事项　　谨慎规划固件地址，避免 Bootloader 和 App 相互干涉，如 Bootloader 固件过大，超出规划区域导致被 App 固件误改等　　Flash 在擦写时，不能同时对其进行读操作，若 CPU 对正在进行擦写的 Flash 有读请求，会导致 CPU 处于 halt 状态直到 Flash 响应请求　　结论与建议　　基于 NS800RT5039 的 IAP 实现，通过清晰的分区规划与稳定的通信、跳转与存储机制，使设备固件升级从“返厂烧录”转变为“现场完成”。该方案工程化程度高、代码可复用性强，覆盖了多数实际项目中容易踩坑的关键细节，适用于工业控制、消费电子等多类应用场景，可显著降低维护成本并提升系统可用性。
2026-01-27 09:58 阅读量：229
纳芯微推出基于QM隔离驱动、满足ASIL C功能安全等级的电驱系统方案
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纳芯微推出基于QM隔离驱动、满足ASIL C功能安全等级的电驱系统方案

　　随着新能源汽车对安全性要求的持续提升，电驱系统正从单一的动力执行单元，逐步演进为深度参与整车制动与扭矩安全控制的关键系统。在这一趋势下，于2026年实施的强制性国标GB 21670明确提出：制动系统需按照ISO 26262功能安全流程进行开发。尽管该标准并未强制规定具体的ASIL等级，但从整车扭矩安全角度来看，电驱系统由于间接或直接参与制动功能，因而需要满足更高的功能安全要求。　　在此背景下，纳芯微推出基于QM(Quality Management)隔离驱动芯片NSI67xx-Q1系列的系统级ASIL C功能安全解决方案，在满足法规与安全诉求的同时，为客户提供低变更、低成本、高可靠性、可快速落地的电驱系统解决方案。　　更高性价比选择：　　以QM隔离驱动芯片实现系统级功能安全设计　　针对电驱系统的功能安全实现，行业目前存在两种路径。　　电驱系统的功能安全实现路径　　路径一是当前行业内实现电驱系统功能安全的通用做法，其核心逻辑是追求每一个核心器件的“功能安全”，即电驱系统的MCU、PMIC、驱动芯片等核心器件本身需要具备对应的ASIL等级。　　路径二则体现了更为灵活的系统工程思维。其逻辑是在MCU与PMIC满足功能安全等级的基础上，将成熟可靠的QM隔离驱动芯片与功率器件、电机共同作为扭矩输出单元，通过对应的外围电路设计与软件架构协同，在系统层级实现功能安全目标。　　纳芯微基于QM隔离驱动芯片　　实现电驱系统级功能安全设计方案　　在电驱系统升级的实际方案落地中，路径二展现出了综合竞争优势。在开发维度，通过在硬件设计上仅增加必要的冗余关断路径，该方案最大程度地减少了对主功率回路的调整，使得软件与系统架构的改动处于高度可控范围内，显著缩短了开发周期，能够快速响应在研项目对2026年国标切换的时间要求。　　目前，该方案已全面兼容SiC与IGBT功率平台，覆盖400V及800V高压系统，成为电驱系统架构实现功能安全等级的选择之一。　　基于NSI67xx-Q1　　实现ASIL C系统级功能安全的电驱解决方案　　目前，纳芯微推出的电驱解决方案已通过第三方认证机构德凯(DEKRA)的权威评估，基于NSI67xx-Q1系列隔离驱动芯片打造的电驱系统能够满足ASIL C的功能安全等级。作为该方案的核心器件，NSI67xx-Q1系列隔离驱动芯片在性能、可靠性与工程适配性方面具备多项优势：　　集成隔离模拟采样功能：可用于温度检测或电压检测，有助于简化系统设计。　　高抗干扰能力：CMTI≥150kV/μs，适配复杂电驱电磁环境。　　高驱动能力：支持最高±10A拉灌电流，轨到轨输出，满足SiC/IGBT高功率密度电驱需求。　　更强的鲁棒性设计：在EOS、浪涌耐受等关键指标上表现出色，质量表现稳定。　　安全保护机制：支持ASC功能(原边/副边)，异常情况下可强制输出至安全状态。　　灵活封装选择：提供小型化封装(SSOW20)与标准封装(SOW16)方案，兼顾成本、空间与平台化需求。　　量产验证充分：基于成熟产品平台演进，具备良好的可靠性与一致性基础。　　德凯评估报告　　从体系到产品，　　纳芯微持续构建全栈功能安全能力　　在功能安全领域，纳芯微始终坚持体系化能力建设。早在2021年，纳芯微就已获得德国TÜV莱茵颁发的ISO 26262功能安全管理体系ASIL D "Managed"级别认证;2025年，纳芯微功能安全管理体系进一步获得莱茵TÜV颁发的ISO 26262 ASIL D "Defined-Practiced"级别认证，这标志着公司完成了从“体系建立”到“工程实践”的能力跃迁，成为国内少数具备该能力等级的模拟芯片企业。　　目前，公司已建立起从管理体系到工程实践的完整能力框架，并将其成熟应用于多款关键产品的全生命周期开发中，实现了从方法论到产品落地的成功闭环。在汽车关键应用中，纳芯微的功能安全产品已在轮速传感器、LED驱动、隔离栅极驱动、超声雷达等领域实现量产，并与包括欧摩威(原大陆集团汽车子集团)在内的行业头部客户合作，联合开发功能安全的压力传感器产品。　　依托精专的功能安全团队及深度协同能力，纳芯微正加速在多个领域推进功能安全项目，为全球汽车客户提供涵盖传感器、信号链、电源管理等领域的更高功能安全等级的芯片选择。
2026-01-22 13:06 阅读量：297
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