罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案

发布时间：2025-06-24 10:56
作者：AMEYA360
来源：罗姆
阅读量：1465

　　随着人工智能持续重新定义计算的边界，为这些进步提供动力的基础设施也必须同步发展。作为功率半导体技术领域公认的领导者，罗姆很荣幸成为支持英伟达全新800V高压直流(HVDC)架构的主要硅供应商之一。这标志着数据中心设计的关键转变，使兆瓦级人工智能工厂变得更加高效、可扩展和可持续。

罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案

　　罗姆不仅提供硅(Si)功率元器件，还拥有包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体在内的丰富产品阵容，可为数据中心的设计提供更优解决方案。

　　得益于极高的成本效益和可靠性，Si MOSFET已被广泛应用于汽车和工业设备市场的电力转换。Si MOSFET凭借其在价格、效率和可靠性之间的良好平衡也适用于当前AI基础设施的升级。

　　罗姆的Si MOSFET代表产品“RY7P250BM”被全球云平台企业认证为推荐器件。该产品作为一款为 AI服务器必备的热插拔电路专门设计的48V电源系统用100V功率MOSFET，以8080的小型封装实现业界超宽的SOA(安全工作区)，并实现仅1.86mΩ的超低导通电阻。在要求高密度和高可用性的云平台中，有助于降低电力损耗并提升系统的可靠性。

　　SiC元器件的优势在于可降低工业等领域中高电压、大电流应用的损耗。英伟达800V HVDC架构旨在为功率超过1MW的服务器机架供电，这对于推进其大规模部署计划也起着至关重要的作用。这一新型基础设施的核心在于可将电网的13.8kV交流电直接转换为800V的直流电。而传统的54V机架电源系统除了受物理空间限制(要满足小型化需求)外，还存在铜材使用量大、电力转换损耗高等问题。

　　罗姆的SiC MOSFET在高电压、大功率环境下可发挥出卓越性能，不仅能通过降低开关损耗和导通损耗来提高效率，还以超小体积实现了满足高密度系统设计要求的高可靠性。这些特性恰好与英伟达800V HVDC架构所追求“减少铜材使用量”、“将能量损耗最小化”以及“简化数据中心整体的电力转换”等需求相契合。

　　另外，作为对SiC产品的补充，罗姆同时还积极推进GaN技术研发，现已推出EcoGaN™系列产品，包括150V和650V耐压的GaN HEMT、栅极驱动器以及集成了这些器件的Power Stage IC。SiC在高电压、大电流应用中表现出色，而GaN则在100V~650V电压范围内性能优异，具有出色的介电击穿强度、低导通电阻以及超高速开关特性。此外，在罗姆自有的Nano Pulse Control™技术的加持下，其开关性能得到进一步提升，脉冲宽度可缩短至最低2ns。这些产品充分满足AI数据中心追求小型化和高效率电源系统的需求。

　　除功率器件外，罗姆还推出搭载第4代SiC芯片的顶部散热型HSDIP20等高输出功率SiC模块产品。这些 1200V SiC模块已面向LLC方式的AC-DC转换器和一次DC-DC转换器进行了优化，可实现高效率、高密度 的电力转换。凭借其卓越的散热性与可扩展性，成为英伟达架构所预想的800V输配电系统等兆瓦级以上AI工厂的上佳之选。

　　800V HVDC基础设施的实现，需要全行业的协同合作。罗姆作为实现下一代AI工厂的重要合作伙伴，不仅与英伟达等业界领导者保持紧密协作，还将与数据中心运营商及电源制造商开展深度合作。通过提供罗姆尤为擅长的SiC和GaN等宽禁带半导体的先进技术，为构建可持续且高能效的数字化社会贡献力量。

　　与本文相关的罗姆网站

　　・关于罗姆适用于AI服务器的MOSFET“RY7P250BM”

　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2025-06-03_news_mosfet&defaultGroupId=false

　　・关于罗姆的SiC功率器件

　　https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices

　　・关于罗姆的GaN功率器件

　   https://www.rohm.com.cn/products/gan-power-devices

　　・关于罗姆的SiC模块“HSDIP20”

　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2025-04-24_news_hsdip&defaultGroupId=false


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