罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案

发布时间：2025-06-24 10:56
作者：AMEYA360
来源：罗姆
阅读量：810

　　随着人工智能持续重新定义计算的边界，为这些进步提供动力的基础设施也必须同步发展。作为功率半导体技术领域公认的领导者，罗姆很荣幸成为支持英伟达全新800V高压直流(HVDC)架构的主要硅供应商之一。这标志着数据中心设计的关键转变，使兆瓦级人工智能工厂变得更加高效、可扩展和可持续。

罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案

　　罗姆不仅提供硅(Si)功率元器件，还拥有包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体在内的丰富产品阵容，可为数据中心的设计提供更优解决方案。

　　得益于极高的成本效益和可靠性，Si MOSFET已被广泛应用于汽车和工业设备市场的电力转换。Si MOSFET凭借其在价格、效率和可靠性之间的良好平衡也适用于当前AI基础设施的升级。

　　罗姆的Si MOSFET代表产品“RY7P250BM”被全球云平台企业认证为推荐器件。该产品作为一款为 AI服务器必备的热插拔电路专门设计的48V电源系统用100V功率MOSFET，以8080的小型封装实现业界超宽的SOA(安全工作区)，并实现仅1.86mΩ的超低导通电阻。在要求高密度和高可用性的云平台中，有助于降低电力损耗并提升系统的可靠性。

　　SiC元器件的优势在于可降低工业等领域中高电压、大电流应用的损耗。英伟达800V HVDC架构旨在为功率超过1MW的服务器机架供电，这对于推进其大规模部署计划也起着至关重要的作用。这一新型基础设施的核心在于可将电网的13.8kV交流电直接转换为800V的直流电。而传统的54V机架电源系统除了受物理空间限制(要满足小型化需求)外，还存在铜材使用量大、电力转换损耗高等问题。

　　罗姆的SiC MOSFET在高电压、大功率环境下可发挥出卓越性能，不仅能通过降低开关损耗和导通损耗来提高效率，还以超小体积实现了满足高密度系统设计要求的高可靠性。这些特性恰好与英伟达800V HVDC架构所追求“减少铜材使用量”、“将能量损耗最小化”以及“简化数据中心整体的电力转换”等需求相契合。

　　另外，作为对SiC产品的补充，罗姆同时还积极推进GaN技术研发，现已推出EcoGaN™系列产品，包括150V和650V耐压的GaN HEMT、栅极驱动器以及集成了这些器件的Power Stage IC。SiC在高电压、大电流应用中表现出色，而GaN则在100V~650V电压范围内性能优异，具有出色的介电击穿强度、低导通电阻以及超高速开关特性。此外，在罗姆自有的Nano Pulse Control™技术的加持下，其开关性能得到进一步提升，脉冲宽度可缩短至最低2ns。这些产品充分满足AI数据中心追求小型化和高效率电源系统的需求。

　　除功率器件外，罗姆还推出搭载第4代SiC芯片的顶部散热型HSDIP20等高输出功率SiC模块产品。这些 1200V SiC模块已面向LLC方式的AC-DC转换器和一次DC-DC转换器进行了优化，可实现高效率、高密度 的电力转换。凭借其卓越的散热性与可扩展性，成为英伟达架构所预想的800V输配电系统等兆瓦级以上AI工厂的上佳之选。

　　800V HVDC基础设施的实现，需要全行业的协同合作。罗姆作为实现下一代AI工厂的重要合作伙伴，不仅与英伟达等业界领导者保持紧密协作，还将与数据中心运营商及电源制造商开展深度合作。通过提供罗姆尤为擅长的SiC和GaN等宽禁带半导体的先进技术，为构建可持续且高能效的数字化社会贡献力量。

　　与本文相关的罗姆网站

　　・关于罗姆适用于AI服务器的MOSFET“RY7P250BM”

　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2025-06-03_news_mosfet&defaultGroupId=false

　　・关于罗姆的SiC功率器件

　　https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices

　　・关于罗姆的GaN功率器件

　   https://www.rohm.com.cn/products/gan-power-devices

　　・关于罗姆的SiC模块“HSDIP20”

　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2025-04-24_news_hsdip&defaultGroupId=false


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照亮安全的“隐形冠军”：藏在小米SU7大灯里的罗姆BD42530系列
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　　新能源汽车的智能照明系统，是科技感与行车安全的核心载体，而大灯驱动模块正是这套系统的“神经中枢”。它体积虽小，性能却直接决定着智能照明系统的可靠性与先进性，是保障夜间行车安全、彰显车辆科技实力的核心部件。近日，与非网对爆款车型小米SU7的大灯控制板拆解后发现，其搭载的罗姆电压跟随器 BD42530FP2-C，正在其中扮演核心角色。　　罗姆BD42530系列　　小米SU7使用的这颗BD42530FP2-C是一款精度高、静态功耗低、抗干扰强的车规级电压跟随器，非常适合用于灯组控制链路中的参考电压缓冲，从而提升照明控制的稳定性与一致性，通过±10mV的电压跟踪精度，可实现对MCU或主控输出的参考电压的精准缓冲与动态跟随，有效解决了长线缆传输下电压衰减带来的亮度波动问题。　　● 动态电压补偿与稳定性保障　　小米 SU7 的大灯系统采用 4 透镜 + 13 像素矩阵式 ADB 自适应大灯设计，支持动态光型调节和 160° 超广角照明。由于车灯线束较长(尤其是引擎舱至大灯模块的布线)，车辆启动或加速时可能产生电压波动，导致亮度不均。BD42530 通过动态电压跟踪技术，实时监测灯组输入电压并自动补偿线缆压降，确保 LED 灯珠始终工作在稳定的 12V 基准电压下。其 ±10mV 的超低失调电压，可将亮度波动控制在 1% 以内，避免因电压不稳导致的光束发散或闪烁问题。　　● 高精度光束控制与 ADB 功能实现　　作为小米 SU7 智能大灯的核心控制元件，BD42530 直接影响 AFS 自适应转向照明和 ADB 自适应远光功能的实现。例如：　　- AFS 自适应转向照明：当车辆转向时，BD42530 通过精准控制微步进电机驱动器(如安森美的 NCV70517)的供电电压，驱动大灯模组转动 ±15°，使光束提前指向弯道内侧，提升夜间过弯安全性。　　- ADB 自适应远光：BD42530 与英飞凌 MCU(CYT2B75CADQ0AZEGS)协同工作，通过 PWM 调光技术实现 13 像素矩阵的独立亮度调节。当检测到对向车辆时，可在 20ms 内将对应区域的 LED 亮度降低至 50% 以下，避免眩光干扰。　　● 低功耗设计与能效优化　　针对新能源汽车对续航的严苛要求，BD42530 的低功耗特性具有战略意义：　　- 静态电流仅 40µA：在车辆熄火后，BD42530 进入待机模式，相比传统线性稳压器(通常为 100µA 以上)可降低 60% 的待机功耗，减少电瓶亏电风险。　　- 高效电压转换：通过电压跟随器架构，BD42530 可将输入电压(3V-42V)精准匹配至 LED 驱动芯片(如德州仪器的 TPS92682Q)的工作电压，转换效率高达 95%，减少能量损耗。　　● 车规级可靠性与极端环境适应性　　小米 SU7 大灯驱动模块需在 - 40℃至 + 150℃的宽温域环境下稳定工作。BD42530 通过以下设计满足严苛要求：　　- 过流与过热保护：内置 OCP(过流保护)和 TSD(过热保护)电路，当输出短路或温度超过 160℃时，可在 1μs 内切断输出，防止 LED 灯珠烧毁。　　- 抗电磁干扰能力：采用陶瓷电容相位补偿技术，在发动机点火、雨刮电机启动等强电磁干扰场景下，仍能保持 ±10mV 的电压精度。　　● 实用应用举例(车灯场景)　　- MCU 输出 DIM 信号 → 经 BD42530 缓冲 → 提供精准参考给矩阵LED驱动芯片;　　- 长距离布线(尤其是 ECU → 前舱车灯)时用于解决信号下垂和地弹;　　- 在头灯矩阵控制、尾灯流水灯精度控制、电压驱动链路中均可作为精密前驱参考跟随器。　　罗姆作为全球知名的汽车半导体供应商，相关系列产品已成功在其他车企中搭载，随着新能源汽车智能化程度的提升，应用场景将进一步扩展，未来将在更多主流车型中得到普及。
2025-11-20 14:15 阅读量：361
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