AI+时代,兆易创新存储助力AI服务器创新升级

Release time:2025-04-28
author:AMEYA360
source:兆易创新
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  在人工智能技术重构全球算力格局的当下,AI服务器作为支撑大模型训练、云端推理及边缘计算的核心基础设施,正迎来部署规模的爆发式增长。其硬件架构的复杂化与性能需求的指数级提升也对存储组件提出了多维度挑战:从启动引导的低延迟读取到算力核心的高频数据交互,从紧凑空间的高密度集成到高温环境的长期稳定运行。而SPI NOR Flash凭借在高速读写、功耗控制及可靠性上的综合优势,正在成为AI服务器硬件生态中不可或缺的关键一环。

  在AI技术浪潮的驱动下,全球AI计算硬件市场呈现爆发式增长。2024年成为AI PC元年,行业渗透率在2025年有望突破50%。同时,AI服务器与DS一体机产品亦迎来全面爆发。据Gartner与集邦咨询(TrendForce)数据显示,2024年全球AI服务器出货量约165.3万台,在2,164亿美元全球服务器市场中占比高达65%,远超通用服务器。另有机构预测,2028年全球服务器市场规模将增至3,328.7亿美元,AI服务器份额将进一步提升至近70%,持续主导市场增长。

  从产业链上游资本动向观察,微软、谷歌等头部云服务商正加速AI服务器布局:2024年微软AI服务器出货占比预计达20.2%;谷歌2025年GB200服务器采购量或达 7,000-8,000 台;Meta将2024年资本支出提升至380-400亿美元,其中AI服务器采购占比预计10.8%。此类战略性投入直接推动AI服务器对高性能存储组件的需求呈指数级增长。

AI+时代,兆易创新存储助力AI服务器创新升级

  兆易创新市场部产品经理田玥表示,AI服务器将为SPI NOR Flash提供多重应用空间,包括启动引导、算力核心、网络交互、管理监控等关键环节。在主板BIOS/UEFI固件存储中,SPI NOR Flash通常用于存储服务器启动引导程序、硬件配置及底层驱动等相关数据。在GPU加速器中,SPI NOR Flash用于存储AI芯片固件、驱动及轻量化模型参数碎片,满足训练、推理过程中频繁调用的需求。而在智能网卡(DPU)与网络控制器中,SPI NOR Flash承载网卡固件、协议栈及卸载引擎配置,凭借SPI/QPI接口与控制器的强兼容性,可快速加载协议栈以减少高速数据传输延迟;针对基板管理控制器(BMC)与管理子系统,SPI NOR Flash存储独立于主 CPU 运行的监控固件及状态参数,满足数据中心复杂环境下监控的需求。

  GPU和DPU将是SPI NOR Flash应用增长最快的领域。在云端AI服务器的高密度GPU运算场景中,高频数据交互催生SPI NOR Flash的差异化需求,如8个英伟达A100组成的GPU模组中,就有4种不同容量组合的SPI NOR Flash在使用,以保障高速数据传输与计算协同稳定性。与此同时,作为云端服务器标配的数据处理单元DPU,因云端处理与GPU加速的异构计算特性,对存储方案提出分级需求:256Mb至2Gb容量适配数据缓存与临时存储的高频交互场景,8Mb至32Mb容量则满足轻量化控制代码的存储需求,通过精准匹配任务负载的分级策略,实现数据处理效率与硬件成本的优化平衡。

AI+时代,兆易创新存储助力AI服务器创新升级

  通过参与开放计算项目(OCP)等开源硬件生态,SPI NOR Flash产品也在加速融入全球 AI 基础设施供应链。以2012年由 Facebook发起的OCP NIC项目为例,其标准化OCP接口设计支持面板级模块化插入服务器机箱,通过开源硬件架构推动数据中心基础设施的高效构建。在此项目中,兆易创新的GD25LB256E 等产品与 DPU 芯片形成协同方案,为数据处理单元提供适配的存储支持,进一步释放开源硬件生态下的市场机遇。

AI+时代,兆易创新存储助力AI服务器创新升级

  AI服务器的技术演进推动SPI NOR Flash需求持续升级:针对紧凑空间设计,需提供小尺寸封装与高容量集成的产品方案;耐高温性能适配数据中心高温环境;面对高速信号传输中的干扰与衰减问题,需强化驱动能力以保障信号完整性;针对高安全敏感市场,数据加密功能需求显著提升;同时,BMC管理模块与DPU卡等场景对8-32Mb小型容量闪存的需求持续增多,推动产品向轻量化、定制化方向发展。

  当前,兆易创新拥有业界领先的SPI NOR Flash产品矩阵,涵盖从512Kb到2Gb的全容量范围,支持3V、1.8V、1.65~3.6V、1.8V VCC&1.2V VIO、1.2V等多电压方案,并具备RPMC(可靠电源管理控制)、SFDP(串行闪存接口协议)等先进技术,满足AI服务器在高温、高负载环境下的稳定性要求。

  以具体产品为例,兆易创新针对低电压应用需求推出1.2V SPI NOR Flash两大产品系列:若追求极致低功耗,可选用VCC与VIO均为1.2V的GD25UF系列;若需兼顾低功耗与性能表现,则推荐采用1.8V VCC搭配1.2V VIO的GD25/55NF系列。此外,在高速数据传输领域,GD25/55T及GD25/55LT系列可提供高达200MB/s的数据吞吐量,而GD25/55X与GD25/55LX 系列则进一步将吞吐量提升至400MB/s,满足不同场景下的高速读写需求。

  自2008年推出国内首颗SPI NOR Flash以来,兆易创新历经多年的研发和市场拓展,已成为SPI NOR Flash全球市场占有率排名第二的芯片厂商,凭借270亿颗累计出货量的成熟经验,为AI服务器厂商提供可靠的量产保障与定制化解决方案。

  这一成绩源自兆易创新构建的稳定高效全球供应链体系。兆易创新已建立 ESG 风险管理体系,目标是2030年实现 50%以上供应商通过 RBA(责任商业联盟)认证。其全球供应链网络覆盖15+顶尖晶圆及封测厂商,并且公司依托合肥产品测试中心的27项核心测试能力,持续确保产品性能与交付稳定性。田玥表示,兆易创新通过多元化供应商策略与本地化生产布局,为AI服务器厂商提供稳定的供应链支持,助力全球AI算力基础设施在稳定性与绿色低碳目标上实现平衡发展。

  田玥最后表示,兆易创新凭借对AI服务器存储需求的深度理解、领先的产品矩阵及前瞻性布局,正成为AI算力革命的核心存储合作伙伴,其技术创新与生态协同将持续赋能全球AI基础设施的规模化落地与升级。


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兆易创新GD32G5系列荣膺2025全球电子成就奖“年度微控制器/接口产品”奖,印证高性能MCU硬核实力
  11月25日,在全球电子成就奖颁奖典礼上,兆易创新(GigaDevice)旗下高性能微控制器GD32G5系列MCU凭借出色的性能和市场表现,荣获“年度微控制器/接口产品”奖,这一殊荣充分印证了兆易创新在高端微控制器领域的技术实力和市场优势地位。  全球电子成就奖(World Electronics Achievement Awards)旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者。该奖项以影响力和权威性著称,是电子产业创新领域的标杆性评选,凭借专业性和公信力,已成为衡量企业技术实力与商业价值的重要标尺。  此次获奖的GD32G5系列MCU采用Arm® Cortex®-M33内核,主频高达216MHz,配备高级DSP硬件加速器、单精度浮点单元(FPU)等单元,可显著优化复杂计算任务的执行效率。其完善的安全机制、大容量存储资源、丰富的模拟外设和通用接口,为需要强劲算力、高可靠性及专业硬件加速的市场应用提供了理想的解决方案。  凭借强劲的算力和多种安全机制,GD32G5系列MCU为数字电源、人形机器人、充电桩、储能逆变、伺服驱动及光通信等领域提供了专业而灵活的硬件基础,尤其是电机驱动与电源应用等场景,能够为客户带来高效、稳定且安全的使用体验。同时,其丰富的开发工具与全面生态支持,能显著缩短用户研发周期,为产品快速上市保驾护航。  当前,工业正在向数字化、智能化与互联化转型,驱动其持续变革发展。在本次颁奖典礼中,GD32G5系列MCU荣膺“年度微控制器/接口产品”奖,充分彰显了兆易创新的技术实力。展望未来,兆易创新将持续完善GD32产品生态,携手产业链伙伴深化合作,共同赋能工业应用创新升级。
2025-11-26 10:14 reading:303
驱动未来:兆易创新GD32 MCU应对电机控制多场景挑战
  自2013年推出首颗32位MCU以来,兆易创新历经十余年深耕,出货量稳步攀升,截至今年上半年,累计出货量已突破20亿颗。作为国内通用MCU领域的领军企业,兆易创新的脚步从未停歇,始终在更多元的应用探索中不懈前行,致力于在产品质量上迈向新高度。  在2025电子发烧友电机控制先进技术研讨会上,兆易创新MCU市场部陈树敏围绕电机驱动领域的技术突破与应用实践,以《释放电机潜能:GD32 MCU的高性能驱动之道》为题发表主题演讲,系统分享了兆易创新在该领域的创新成果与前沿布局。  面向多元领域的解决方案矩阵  电机作为各类电子电器设备不可或缺的核心部件,其发展空间很大程度上由以 MCU 为核心的电机控制方案所决定。陈树敏表示,兆易创新针对工业、家电、消费电子及新兴市场等不同领域的差异化需求,量身打造了一系列适配性强、性能优异的电机控制解决方案,全面覆盖多场景下的电机驱动与控制需求。  伺服电机在工业领域应用非常广泛。兆易创新的双伺服电机方案,采用ARM® Cortex®-M4内核的高性能GD32F4作为主控芯片,主频高达240MHz,实现双伺服电机、高集成度低成本控制。这个方案可实现基于14位精度磁编码器定位的FOC磁场定向控制,并采用位置环、速度环、电流环三闭环控制,支持双电阻、三电阻电流采样方式。  EtherCAT®伺服从站解决方案是兆易创新在工业领域推出的一款重要方案。该方案以主频高达600MHz ARM® Cortex®-M7与ESC控制器二合一的GD32H75E为主控芯片,同时满足伺服控制性能和BOM成本的优化。其伺服驱动采用标准CiA 402协议,通过TwinCAT®进行实时控制,提供开箱即用解决方案。该方案内置自有强化算法,可在轮廓位置模式(PP)下采用梯形曲线规划。同时,基于芯片内部的HPDF模块,方案能以低成本实现高精度In-line电流的采样。  在家电领域,兆易创新的方案也显示了优异特性。在二合一空调外机方案中,兆易创新以主频GD32F30x系列为主控芯片,专门针对空调外机双电机和PFC单芯片应用。为保证家电设备的可靠性,其还内置 FLASH/SRAM ECC等功能安全特性。同时,方案中也集成了兆易创新自有的空调外机算法,包括压缩机单周期闭环启动,风机零速闭环启动等。在滚筒洗衣机的方案中,兆易创新采用了主频84MHz的Cortex®-M4内核的GD32F330系列作为主控芯片,内置成熟的矢量控制算法,转速、电流双闭环控制系统,支持弱磁控制、id=0控制等多种矢量控制策略,可实现滑膜观测器无传感器控制。  在洗地机领域,兆易创新推出GD32F5与GD32VW553双芯片一体方案:GD32F5依托丰富片上资源,承担多类电机控制(含无刷电机、有刷电机、舵机、测速轮)与LCD串口屏驱动任务;GD32VW553则专注无线通信控制,不仅支持微信小程序蓝牙配网,还可通过阿里云“云智能”以SoftAP模式完成设备配网,同时能实现电机启停操作演示。  扫地机方案则围绕主机与基站构建完整硬件体系,通过多模块协同满足复杂清扫需求。主机核心板选用GD32F30x/F503作为MCU,搭配DDR3L/DDR4内存、GD5F系列NAND Flash与GD25Q系列NOR Flash,充分满足核心运算与数据存储需求;驱动板与电源板搭配 GD30AP系列运放、GD30LD系列LDO等产品,确保整机稳定运行。惯导模块搭载 GD32E23x系列MCU,激光或ToF模块适配GD32F310、GD32W515、GD32C231等系列芯片;基站以GD32F303/F503为核心,带屏基站配套对应NAND Flash,带水泵基站采用 GD30DR300x系列单通道全桥驱动,同时集成GD32VW553系列Wi-Fi模块实现无线互联。  此外,工具领域中,锂电电钻方案采用Cortex®-M4内核的GD32F310系列作为主控,以精简的外围器件实现优异控制性能,目前已在头部园林工具客户中实现批量生产。  面对民用低空飞行和人形机器人这两大今年行业热点,兆易创新也带来了相应解决方案。在民用飞行器的飞控模块上,采用ARM® Cortex®-M4内核的高性能 GD32F4作为主控芯片,主频高达240MHz,支持Betaflight开源平台,电调模块则采用高性价比的 GD32C2x1/GD32E23x系列(Cortex®-M23 内核),兼容 AM32开源软件及兆易创新自研电调控制固件。  针对人形机器人,兆易创新提供全场景解决方案,在灵巧手部分,可通过 GD32E513/GD32G553实现单MCU多电机控制,或采用集成EtherCAT®的GD32H75E方案完成手部姿态算法、动作协调与通讯互联;雷达控制部分由GD32F303系列辅助FPGA实现感知功能,GD32F470系列为雷达算法提供算力支持;手臂/腿部关节部位则可通过 GD32E513/GD32G553/GD32H7及 GDSCN832构建高性能、小体积、多电机的控制方案。  以技术深耕构建全维度竞争力  除了丰富多元的解决方案,兆易创新在算法与开发支持层面同样表现突出。其核心算法已覆盖BLDC与正弦波两大控制领域,所有MCU型号均支持有传感器与无传感器两种定位方式,同时集成无感启动算法及多种保护算法,为电机控制的稳定性与安全性提供坚实保障。在开发套件方面,兆易创新提供了多种入门级电机评估套件,包括针对工业级、消费级、汽车级的FOC套件及常规BLDC套件,用户可通过官网渠道申请获取。更重要的是,其构建了完整的GD32开发生态体系,从产品开发套件、解决方案到IDE&编译器及开发量产工具,全面覆盖市面上各类主流应用场景,为开发者提供全流程支持。  目前,兆易创新已构建起完善的量产产品矩阵,覆盖从入门级M23内核、主流级M4内核到更高性能的M7内核产品。公司还在各细分领域深耕细作,持续投入资源打磨技术与产品。除电机控制方案外,兆易创新还提供数字电源、IoT 等领域的解决方案,并与合作伙伴携手,共同拓展更细分的控制应用场景,为产业发展提供更全面的支持。
2025-11-21 16:44 reading:361
兆易创新GD32H75E 斩获第二届焉知具身智能机器人年会卓越产品奖
兆易创新推出GD25NX系列xSPI NOR Flash,高性能双电压设计,面向1.2V SoC快速响应需求
  兆易创新(GigaDevice)推出新一代双电压高性能xSPI NOR Flash——GD25NX系列。该系列采用1.8V核心电压与1.2V I/O电压设计,可直接连接1.2V SoC,无需外部电平转换器,显著降低系统功耗并优化BOM成本。作为继GD25NF与GD25NE系列之后的第三代双电压供电产品,GD25NX系列延续了兆易创新在双电压供电领域的技术积累。该产品系列兼具高速数据传输能力与高可靠性,广泛适用于可穿戴设备、数据中心、边缘AI及汽车电子等对稳定性、响应速度、能效比要求严苛的应用场景。  GD25NX系列SPI NOR Flash支持八通道SPI模式,最高时钟频率为STR 200 MHz,DTR 200 MHz,实现高达400MB/s数据吞吐量。该系列的写入时间典型值为0.12ms,扇区擦除时间为27ms,其与常规1.8V八通道Flash相比,写入速度提升30%,擦除速度提升10%。为保障数据可靠性,GD25NX系列集成ECC算法与CRC校验功能,有效增强数据完整性并延长产品使用寿命。同时,该系列支持DQS功能,为高速系统设计提供完整信号保障,满足数据中心和汽车电子等高稳定性应用需求。  依托创新的1.2V I/O接口架构,GD25NX系列在实现卓越性能的同时,也具备出色的低功耗表现。其读取电流在八通道STR 200MHz模式下低至16mA,在八通道DTR 200MHz模式下低至24mA;与常规的1.8V八通道SPI NOR Flash产品相比,GD25NX系列的1.2V I/O接口设计可将读功耗降低50%,在确保高速运行的同时显著提升系统能效,为功耗敏感型应用提供更具竞争力的解决方案。  “GD25NX系列的诞生开创了低电压与高性能兼具的SPI NOR Flash新格局”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示,“其设计紧贴主流SoC对低电压接口的需求,为客户带来了更高的集成度与更低的BOM成本。未来,兆易创新将持续拓展双电压供电产品线,覆盖更丰富的容量与封装规格,助力客户打造更加高效、可靠的低功耗存储解决方案。”  兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择,灵活满足不同应用对存储空间的差异化需求。该系列支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。目前,128Mb的GD25NX128J产品已开放样片供客户评估,64Mb容量的GD25NX64J样片也在同步准备中。如需获取详细技术资料或报价信息,欢迎联系AMEYA360客服。
2025-11-18 10:35 reading:319
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