江西萨瑞微：高效节能新选择！SST2045DPSL 肖特基二极管助力电子设备性能升级

发布时间：2025-04-24 15:36
作者：AMEYA360
来源：江西萨瑞微
阅读量：827

　　SST2045DPSL 是江西萨瑞微电子推出的一款高性能硅肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD)的简称。专为追求高效率、低损耗的电子设备设计。

江西萨瑞微：高效节能新选择！SST2045DPSL 肖特基二极管助力电子设备性能升级

　　SST2045DPSL 在众多电子产品中扮演着关键角色，它的性能优劣直接影响到相关设备的整体运行效果。

　　01肖特基二极管的原理

　　肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等),A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

　　02肖特基二极管的特点

　　当金属与N型半导体结合时，形成MS结。这个结被称为肖特基势垒。肖特基势垒的行为会有所不同，具体取决于二极管是处于无偏置、正向偏置还是反向偏置状态。

江西萨瑞微：高效节能新选择！SST2045DPSL 肖特基二极管助力电子设备性能升级

　　由于肖特基二极管基势垒高度低于PN结势垒高度，故肖特基二极管正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低。由于肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复等问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管反向恢复时间。由于肖特基二极管的反向恢复电荷少，故肖特基二极管开关速度极快，开关损耗也极小，特别适合于高频应用。

　　03肖特基二极管的优势

江西萨瑞微：高效节能新选择！SST2045DPSL 肖特基二极管助力电子设备性能升级

　　① 超低正向电压

　　0.43V(10A时)，大幅降低导通损耗，提升系统能效。

　　②快速开关性能

　　反向恢复时间仅57ns，适用于高频应用场景。

　　③ 卓越温度稳定性

　　工作温度范围-55℃至+150℃，适应严苛环境。

　　④ 高可靠性设计

　　PDFN5×6-8L封装，散热优异(热阻低至5℃/W)。

　　⑤环保兼容性

　　符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺。

　　04肖特基二极管的应用

　　① 高频逆变器

　　优势：快速开关特性可显著降低高频电路中的开关损耗，提升逆变器效率。

　　典型应用：太阳能逆变器、UPS电源、电机驱动系统。

　　② 低压电源系统

　　优势：超低正向电压(0.48V@20A)减少能量损耗，延长电池续航。

　　典型应用：便携设备电源管理、车载电子系统、DC-DC转换模块。

　　③ 自由轮续流与极性保护

　　优势：高浪涌电流耐受能力(峰值290A)，保护电路免受反向电压冲击。

　　典型应用：继电器保护、电机控制电路、电源反接保护。

　　05技术亮点解析

　　散热性能卓越

　　采用PDFN5×6-8L封装，底部集成散热片，结合低至5℃/W的结壳热阻(RθJC)，确保高功率场景下的稳定运行。

　　高可靠性认证

　　UL 94V-0防火等级，环保型模塑材料，通过J-STD-020湿度敏感三级标准，适合工业级应用。

　　焊接工艺友好

　　支持无铅回流焊工艺，峰值温度耐受达260℃，满足现代电子制造的严苛要求。

　　为什么选择SST2045DPSL?

　　节能降耗

　　低正向电压和低漏电流设计，显著降低系统功耗。

　　长寿命保障

　　高耐压(45V)与抗浪涌能力，减少故障率，延长设备寿命。

　　紧凑设计

　　5×6mm小型封装，节省PCB空间，适合高密度集成场景。

　　06 结论

　　SST2045DPSL 凭借其高效、稳定、紧凑的设计，已成为低压高频应用的理想选择。无论是提升能效，还是增强系统可靠性，这款二极管都能为您的产品赋能升级!


（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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江西萨瑞微电子防雷模组：为严苛环境打造36V/30KA高可靠守护者！
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江西萨瑞微电子防雷模组：为严苛环境打造36V/30KA高可靠守护者！

　　防雷模组　　在灯塔的信号灯、通信基站、工业控制系统和户外电子设备中，防雷保护是确保设备长期稳定运行的关键。江西萨瑞微电子推出的防雷模块以其卓越的电气性能和宽广的环境适应性，为各种敏感电子设备提供可靠的过电压保护。　　产品核心参数亮点　　宽温工作，适应极端环境　　工作温度范围：-40℃至125℃　　湿度范围：5%至95%RH　　环境适应性：模块能够在从寒带到热带的各种气候条件下稳定工作，满足户外设备的严苛要求　　精准的电压保护特性　　截止电压：36V(可施加的最大持续工作电压)　　击穿电压范围：40V~49.1V　　反向漏电流：仅5uA，确保正常工作时几乎不消耗额外功率　　强大的浪涌吸收能力　　标称放电电流：30KA(8/20μs波形)　　电压保护水平：500V　　防护等级：IP67全密封防护，防尘防水　　技术优势解析　　一端口设计，简化系统布局　　该防雷模块采用输入/输出一体化的一端口设计，极大简化了系统布局和接线难度。这种设计特别适合空间受限的应用场景，同时减少了安装过程中的错误可能性。　　安全失效模式，杜绝二次灾害　　模块采用开路模式作为安全失效模式，当模块因异常情况损坏时，会自动断开与线路的连接，避免因防雷器失效导致系统短路或火灾风险，为设备提供双重安全保障。　　精准的电压钳位能力　　击穿电压范围控制在40V至49.1V之间，确保在正常工作时不影响系统运行，一旦出现过电压能够迅速响应，将电压钳位在安全范围内，保护后端精密电子设备。　　典型应用场景　　串联接法　　灯塔的信号灯　　抗盐雾腐蚀：外壳采用特殊防腐材料，适应沿海高盐度环境　　防潮防凝露：IP67防护等级确保在潮湿海洋空气中长期稳定工作　　宽温域工作：-40℃至125℃范围适应从寒带到热带的所有灯塔环境　　通信基站电源保护　　在5G基站和通信设备中，为电源线路提供可靠的防雷保护，确保通信网络在雷雨天气下的稳定运行。　　工业控制系统　　应用于PLC、DCS等工业控制设备的电源入口，防止雷击浪涌对敏感控制电路造成损坏。　　户外监控设备　　为户外摄像头、交通监控设备等提供全面保护，延长设备使用寿命。　　新能源设施　　在光伏逆变器、充电桩等新能源设备中，保护电源管理系统免受浪涌冲击。　　萨瑞微电子防雷模组以其优良的电气性能、宽广的环境适应性和高可靠性，成为各种电子设备在雷雨季节的安全卫士。无论是在通信、工业还是新能源领域，这一产品都能为设备提供有效的过电压保护，确保系统长期稳定运行。
2025-09-24 11:07 阅读量：386
江西萨瑞微S8050H三极管，您的电路设计好帮手
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江西萨瑞微S8050H三极管，您的电路设计好帮手

　　今天我们来深入了解江西萨瑞微电子的爆款产品——S8050H三极管。　　一、什么是S8050H?　　S8050H是一款NPN型硅双极型晶体管(BJT)，属于小信号晶体管类别。它是江西萨瑞微电子精心打造的高性能三极管，广泛应用于各类电子电路中。　　结构特点*S8050H 三极管结构图　　S8050H 是一款NPN 外延硅晶体管，具有低电压和高电流能力，是推挽放大和通用开关应用的亮点。　　S8050H三极管包含三层，其中一个 P 掺杂半导体层封装在另外两个 N 掺杂层之间。P掺杂层代表基极端，而其他两层分别代表发射极和集电极。　　S8050H三极管具有两个 PN 结：正向偏置的发射极-基极结和反向偏置的集电极-基极结。　　需要注意的是，S8050H 三极管必须在正向偏置模式下运行才能获得更好的性能。如果晶体管没有正向偏置，则无论在基极端子上施加多少电压，都不会有集电极电流。　　当在基极端施加电压时，放大是一种简单的方式，晶体管吸收小电流，然后用于控制其他端子的大电流。　　二、S8050H三极管参数　　S8050H三极管主要包含三个端子，即发射极、基极和集电极，用于与电子电路的外部连接，三个端子在掺杂浓度方面是不同的。　　其中发射极是高度掺杂的，基极是轻掺杂的，而集电极是中掺杂的。前者控制电子数量，后者从基极收集电子数量。一个端子的小电流用于控制其它端子的大电流。　　三、S8050H 的CAD 模型　　S8050H三极管的封装尺寸图　　四、S8050H 三极管特点　　低电压、大电流 NPN 晶体管　　小信号晶体管　　最大功率：0.3 W　　最大直流电流增益 (hFE) 为 400　　连续集电极电流 (IC) 为 800mA　　基极-发射极电压(VBE) 为 5V　　集电极-发射极电压 (VCE) 为 20V　　集电极-基极电压 (VCB) 为 30V　　高 用于推挽配置 B 类放大器　　SOT-23 封装　　五、S8050H工作原理讲解　　在 S8050H NPN 晶体管中，当基极接地时，发射极和集电极等两个端子都将反向偏置，当向基极引脚提供信号时，它们将关闭(正向偏置)。　　S8050H 三极管的最大增益值为 300，此值将决定放大能力，如果放大率很高，则将其用于放大。　　但是，集电极电流的增益值将是 110，并且整个集电极端子的最大电流供应是 800mA，因此我们无法通过该晶体管通过 800mA 以上的电流来控制不同的负载。一旦向必须限制在 5mA 的基极引脚提供电流供应，晶体管就可以被偏置。　　一旦该晶体管完全偏置，则它允许高达 800mA 的电流通过发射极和集电极端子提供，因此该阶段称为饱和区。VCE 或 VCB 上使用的典型电压相应为 20V 和 30V。　　一旦在晶体管的基极端移除电流源，它将被关闭，因此这个阶段称为截止区域。　　在S8050H NPN 晶体管中，电子是主要的电荷载流子，与空穴是主要电荷载流子的 PNP 晶体管不同　　基极相对于发射极更正，集电极上的电压也必须比基极更正。　　两个电流增益因素：共发射极电流增益和共基极电流增益对决定晶体管的特性起着至关重要的作用。　　共发射极电流增益是集电极电流和基极电流之间的比率，这称为贝塔，用 β表示，通常在 20 到 1000 之间，但标准值取为 200。　　同样，共基极电流增益是集电极电流和发射极电流之间的比率，它被称为阿尔法，用α表示，其值主要在0.95到0.99之间，但大多数时候它的值被取为1。　　六、S8050H 可以用什么型号替换?　　1、S8050H 替代品　　MMBT4401、MMBT2222A、SS8050、MMBT5551、M8050　　2、S8050H对管型号　　S8550H、SS8550　　注意：替换时请仔细比对参数，确保符合电路要求。　　七、S8050H三极管如何工作的?　　1、S8050H 三极管构成推挽放大器(B类放大器)　　推挽放大器是一种多级放大器，常用于扬声器内的音频放大，该电路的设计非常简单，需要两个相等的互补晶体管才能工作。　　互补意味着我们需要一个 NPN 晶体管及其等效的 PNP 晶体管。像这里的 NPN 晶体管将是S8050H ，其等效的 PNP 晶体管将是S8550H。使用 S8050H 的 B 类放大器的简单电路图如下所示。　　2、S8050H 三极管作为开关　　当 S8050H 三极管用作开关时，它工作在饱和区和截止区。　　当我们向晶体管的基极提供电流时，它为集电极电流从基极流向发射极开辟了一条路径。在正向偏置期间，晶体管将充当打开开关，在反向偏置期间，它将充当闭合开关。　　3、S8050H 三极管作为放大器　　当处于活动区域时，S8050H 三极管作为放大器工作。S8050H 三极管具有放大功率、电压和电流的能力。　　最流行和最常用的配置是共发射极类型， 输入总是施加在放大晶体管电路的正向偏置结上，类似地，可以通过晶体管的反向偏置结收集输出。　　江西萨瑞微的S8050H三极管，以其卓越性能和多样化应用，成为电子工程师的得力助手。无论您是在设计放大器、开关电路还是LED驱动，S8050H都将是您的理想之选。
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