性能飞跃！纳芯微新一代CSP MOS NPM12017A守卫锂保安全

发布时间：2025-03-12 15:15
作者：AMEYA360
来源：纳芯微
阅读量：1382

　　纳芯微正式发布全新一代CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET——NPM12017A系列，该系列产品是对纳芯微已量产的CSP MOS的完美升级与补充。新一代CSP MOS进一步优化了性能表现，显著提升了电气与极限能力。以首发产品NPM12017A为例，典型阻值相比上一代降低了26%，温升降低近30%，极限耐受能力如短路及雪崩能力等提升近50%，达到国际领先水准。同时，凭借12寸特色专利工艺，NPM12017A在极具性价比的同时，还能提供充足的产能保障。

　　该系列延续了上一代NPM12023A的产品极限能力和优异的封装机械强度，解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题。为手机、平板以及智能穿戴等便携式锂电管理应用提供更安全、可靠的解决方案，助力客户简化设计。

性能飞跃！纳芯微新一代CSP MOS NPM12017A守卫锂保安全

　　卓越性能：助力锂电保护实现大功率、小型化需求

　　随着智能手机、平板电脑等便携式设备的快充功率从3-5W跃升至100W以上，厂商和客户对锂电池快速充电功率/电流的需求持续提升，相应要求采用超低阻值的MOSFET产品以降低锂电池充放电路径的功耗，进而提升电池系统性能。

　　全新一代CSP封装NPM12017A基于上一代自有知识产权的创新芯片结构上，进一步优化设计，实现相同封装下内阻降低26%，温升下降近30%，在降低功耗的同时有效降低了系统温升和发热量，性能领先业内水平。同时，其短路能力提升40%(短路电流达400A)，雪崩能力提升67%(达50A)，兼顾超低阻抗与优异极限电气特性，为锂电设备提供更全面可靠的保护。

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　　此外，NPM12017A克服传统CSP封装在机械强度与雪崩能量方面的不足，耐受超60N机械压力，有效防止芯片在生产组装中的翘曲与裂片等问题，显著提升产品可靠性与安全性。


　　领先设计：突破传统封装的工艺限制

　　便携式锂电设备向小型化、轻薄化发展，对系统尤其是MOSFET的体积提出更高要求。在传统晶圆级CSP封装双N沟道MOS产品中，硅基材的电阻在电池管理应用中的总电阻占比较大。为降低衬底电阻，一般会采用芯片减薄工艺，但这会显著削弱产品的机械强度，造成芯片在生产组装过程中翘曲、变形，甚至产生裂纹，从而导致应用端不良等问题。针对机械强度不足的问题，部分解决方案会采用其他材料加厚的方式来增加机械强度，但这会带来成本的增加以及不同材质的兼容性风险。

　　纳芯微全新CSP封装系列在设计之初即针对这一问题进行了优化。通过调整产品结构，使导通电流平行于芯片表面，缩短电流路径，从而降低导通电阻，从根源上解决了CSP封装MOSFET的机械强度问题，在兼顾轻薄化、小型化的基础上，最大程度减少芯片使用过程中的变形、裂片等问题，确保产品的可靠性与安全性。

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　　简化系统设计：加速客户产品上市

　　纳芯微全新CSP封装MOSFET不仅在性能上实现突破，还在设计上进行了优化。其共漏极双N沟道结构简化了电路设计，可直接Pin to Pin替代上一代产品NPM12023A，即可实现性能升级，有效缩短开发周期，助力客户更快地将高性能产品推向市场。

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　　随着终端设备向小型化、高集成度方向持续演进，温度传感器不仅需要提供更高测量精度，还需在有限空间内兼顾功耗、可靠性与系统集成需求。针对可穿戴设备、医疗电子、光学模组及电源热管理等应用场景对于精准测温的需求，纳芯微正式推出NST113x系列高精度低功耗数字温度传感器。　　NST113x系列产品基于CMOS工艺晶体管PN结温度效应设计，采用仅0.75mm × 0.75mm的DSBGA(4) CSP封装，在实现±0.1℃(max)常温测温精度的同时，兼具超低功耗、高可靠性以及灵活的系统兼容能力，帮助客户在空间受限的设计中实现精准测温、长续航与高系统可靠性的平衡。　　高精度输出，无需二次校准　　NST113x系列采用高线性度数字输出架构，出厂完成校准，无需用户二次校准即可实现精准温度检测，有助于简化生产流程、减少系统校准工作量并加快产品导入。　　产品在不同温度范围内均具备优异的测温性能：　　25℃~45℃范围内，测温精度可达±0.1℃(max);　　0℃~70℃范围内，测温精度可达±0.25℃(max);　　-40℃~125℃全温范围内，测温精度小于±0.5℃(max)。　　同时，NST113x系列具备0.015625℃温度分辨率，能够捕捉细微温度变化，为温度监测、热补偿及温控算法优化提供更丰富的数据支持，并为健康监测和系统补偿算法提供更细粒度的温度数据输入。　　超低功耗，兼顾续航与测温精度　　NST113x支持低功耗工作模式，在1Hz工作频率下运行功耗2.9μA，Shutdown模式下功耗仅0.25μA，不仅有助于延长终端设备续航时间，还能够有效降低器件自发热对测温精度的影响。超低功耗运行可以进一步提升测量准确性，特别适用于智能手表、智能戒指、连续血糖监测仪(CGM)等需要长时间连续监测温度变化的电池供电设备。　　超小封装，适配高集成度设计　　NST113x采用DSBGA(4) CSP封装，尺寸仅为0.75mm × 0.75mm，可有效节省PCB布局空间，为终端集成更多传感器及功能模块释放设计空间。　　凭借超小尺寸优势，NST113x能够更好地适应对空间利用率要求极高的产品设计需求，同时也适用于各类紧凑型光学模组及便携式电子设备。　　高兼容性与高可靠性，简化系统开发　　NST113x兼容I²C和SMBus接口协议，支持最高2.8MHz通信速率、SMBus Time-out功能。同时，器件最多支持4种从地址配置，可有效提升多器件系统的扩展能力，帮助客户简化硬件设计并降低开发复杂度。　　NST113x系列支持1.5V至3.6V宽电压范围供电，并具备±5kV HBM ESD防护能力，可有效抵御静电冲击，提高终端设备长期运行可靠性。
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高性价比：纳芯微推出面向RS485通信隔离的三通道数字隔离器SP301H/L系列
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高性价比：纳芯微推出面向RS485通信隔离的三通道数字隔离器SP301H/L系列

　　纳芯微宣布推出基于其自研的第三代电容隔离技术的三通道数字隔离器——SP301H/L系列。作为面向RS485通信隔离应用打造的新一代产品，SP301H/L在传输速率、功耗表现、抗干扰能力及封装尺寸等方面实现全面升级。　　相比前代SP301A及NIRS31系列产品，SP301H/L支持最高8Mbps通信速率，采用低静态功耗设计，并进一步优化电磁抗扰性能;小巧紧凑的SSOW10密脚宽体封装，在提升集成度的同时有效节省PCB空间，为客户提供兼具高性能、高可靠性与高性价比的隔离解决方案。　　RS485通信因其传输距离远、抗干扰能力强、多节点组网灵活等优势，被广泛应用于电力终端设备、工业自动化控制、新能源储能系统等场景。在这些应用中，隔离器件是保障通信稳定性和系统安全性的关键环节。传统的RS485通信隔离中，三路光耦的隔离方案存在器件数量多、速率受限、易老化漂移及占板面积大等问题，难以满足高速通信、长寿命和小型化需求。随着系统性能要求不断提升，数字隔离正成为RS485通信隔离方案的重要发展方向。　　高性价比：　　单芯片替代三路光耦，简化设计降本增效　　传统隔离RS485通信方案通常需要3颗光耦隔离器及多颗外围阻容器件，不仅BOM复杂、采购管理成本较高，还占用大量PCB空间。　　SP301H/L通过单芯片集成三路隔离通道，可直接替代分立光耦及外围器件，在显著简化BOM清单的同时，减少器件数量与布线复杂度，提升整体方案集成度。　　此外，SP301H/L采用紧凑型SSOW10密脚宽体封装，相比传统光耦方案可节省超过60%的PCB占板面积，进一步释放板级空间资源。　　三路光耦隔离方案和SP301H/L的尺寸对比　　性能方面，SP301H/L数据通道支持最高8Mbps通信速率，使能控制通道支持最高1Mbps，有效突破传统光耦方案的带宽瓶颈，满足智能电表、工业现场总线等应用对高速通信和低时延传输的需求;方案适配方面，SP301H使能引脚默认高电平，SP301L使能引脚默认低电平，可灵活满足不同软件方案中MCU的使能逻辑需求。　　同时，芯片采用低静态功耗设计，适用于电池供电及现场仪表等对功耗敏感的应用场景，并且支持-40℃～125℃的环境工作温度，充分满足工业应用需求。凭借高集成度、小尺寸封装、优异的性能及精简的外围设计，SP301H/L能够更好地满足智能电表等设备对小型化、轻量化和高可靠性的设计需求，实现光耦方案的无缝升级替换。　　高可靠性：　　抗扰能力全方位提升，保障通信稳定运行　　以智能电表应用为例，其通常部署于复杂电磁环境中，通信链路需要承受电网浪涌、开关噪声及长距离布线带来的各类干扰挑战。　　SP301H/L通过优化隔离架构与抗扰设计，有效提升RS485通信链路的电磁抗扰(EMS)能力，降低通信误码率和掉线风险，保障电表数据传输的稳定性与可靠性。相较于前代SP301A及NIRS31系列，SP301H/L在电磁抗扰方面表现更为出色：　　EOS性能提升约10%，Latch up电压达到10V以上，显著增强器件对电源过应力的耐受能力，有效避免因电源异常波动导致的损坏，延长系统运行寿命。　　电源噪声抗扰性优异：在MHz级高频和大电压幅值的系统噪声干扰下，芯片仍能保持正常输出且无误码，进一步提升系统在复杂电磁环境下的可靠性。　　共模瞬态抗扰度(CMTI)典型值高达200kV/μs，能够有效抵抗共模瞬态干扰，确保信号传输的准确性与稳定性。　　此外，SP301H/L系列基于纳芯微领先的第三代电容隔离技术打造，具备卓越的隔离耐压能力：可达5kVrms(1分钟)，并能够承受超过10kV的浪涌电压，满足增强绝缘要求。SP301H/L系列现已量产，可登录纳芯微官网进行样品申请。　　丰富的“隔离+”产品　　引领隔离芯片标杆　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品，以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。　　截至2025年，纳芯微隔离相关芯片已累计出货超27亿颗，作为全球领先的隔离芯片供应商，纳芯微致力于通过全面的“隔离+”产品布局，以核心技术IP和全产品生态，引领隔离芯片标杆，为全球客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
2026-06-18 10:04 阅读量：330
第九届纳芯微技术大会圆满落幕，创新回响持续激荡！
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第九届纳芯微技术大会圆满落幕，创新回响持续激荡！

　　近日，第九届纳芯微技术大会 (NOVOSENSE Technology Conference，简称 NTC) 在上海举办。作为纳芯微一年一度的重要技术交流活动，本届大会吸引近 700 位研发与技术人员参与，共征集技术投稿 155 篇，规模创历届新高。　　自 2018 年首届举办以来，NTC 历经九届沉淀。从最初的小型交流活动，逐步发展成为覆盖芯片设计、工艺开发、工程制造、系统架构、应用创新等多个技术领域的重要技术平台，也成为纳芯微工程师文化的重要载体之一。　　今年 NTC 继续以“Innovation · Share · Lead” (创新、分享、引领)为使命，通过技术分享及研讨、Demo Show、特邀报告及 AI 创新赛事等多种形式，鼓励工程师分享经验、交流思想、探索前沿技术方向，持续营造开放创新的技术氛围。　　01　　创新驱动成长：　　市场驱动迈向技术与市场双轮驱动　　大会开幕式上，纳芯微 CTO 盛云表示，随着智能化、低碳化的持续演进，以及 AI 算力基础设施和机器人等新兴应用的快速发展，模拟与混合信号芯片产业正迎来新一轮创新机遇。客户对于差异化解决方案的需求不断提升，也对芯片企业的技术创新能力提出更高要求。　　他指出：“纳芯微需要通过技术和产品创新持续提升产品竞争力和客户价值。从主要依靠市场驱动，逐步走向技术与市场双轮驱动，既要坚持以客户为中心，也要重视以技术为中心。”　　盛云认为，无论是产品定义、工艺开发、电路设计还是工程实现，模拟芯片领域仍然存在广阔的创新空间。持续创新不仅是企业发展的重要动力，也是构建长期竞争力的重要基础。　　02　　专家引领创新，　　持续夯实技术能力建设　　近年来，纳芯微深耕技术能力建设，不断完善创新平台与人才发展机制，推动核心技术能力长期积累与传承。　　目前，公司已建立覆盖多个专业领域的专家体系，并完成技术专家评审与认定，进一步畅通专业人才发展通道。大会期间还举行了第二届专家委员会成员聘任仪式。盛云表示：“专家不仅是技术体系的支柱，也是知识传承和人才培养的重要力量。”他同时透露，未来纳芯微将持续完善技术创新机制，将创新能力建设进一步融入产品定义、技术预研及研发流程管理中，为工程师创造更加开放高效的创新环境。　　03　　AI 创新实践首次亮相 NTC　　与往届相比，AI 成为本届 NTC 最受关注的新议题。随着大模型和 AI Agent 技术快速发展，人工智能正在从辅助工具逐步走向复杂任务执行和自主协同的新阶段。面对这一趋势，纳芯微首次将 AGI 二次开发大赛纳入 NTC 整体议程，旨在推动 AI 技术与实际业务场景深度融合。　　本次大赛自 4 月启动以来，吸引了来自多个技术领域和业务团队的踊跃参与。参赛项目聚焦研发、工程和业务运营等实际场景，围绕效率提升、流程优化、知识沉淀与智能辅助等方向展开探索，充分展现了工程师将前沿 AI 技术转化为实际生产力的创新能力。　　盛云在致辞中表示：“对于公司和工程师个人而言，最好的选择是积极拥抱变化。”他希望通过 AI 大赛激发全员探索热情，为未来 AI 能力建设和业务应用落地奠定基础。　　04　　Demo Show：　　从创意灵感走向应用落地　　除了精彩纷呈的理论分享，纳芯微 Demo Show 为各类创新灵感提供落地实践载体。从最初的创意萌芽、严苛的初审入围，到精细的实物制作，再到 NTC 现场的惊艳亮相——生动展现了工程师们对前沿技术的实践转化。　　05　　让热爱同行，　　共享荣耀时刻　　两天精彩的技术研讨与成果展示后，本届大会特别举办了“芯光无界”工程师晚宴。在晚宴现场，大会表彰了在技术创新、Demo Show 及专家评选中表现突出的团队与个人，并特设拍照打卡区定格一个个值得纪念的瞬间。来自不同领域的工程师们因技术相聚、因创新共鸣，在交流与分享中碰撞灵感，也让属于纳芯微的工程师文化更加深入人心。　　历届 NTC 见证着纳芯微技术底蕴的延续与沉淀，也记录着工程师们对创新与卓越的不懈追求。正如盛云在大会总结中所说：“以卓越之心，铸创新之芯，乘 AI 之势，聚专家之力。”　　面向未来，纳芯微将继续坚持技术创新，拥抱 AI 带来的变革，与更多工程师共同探索技术边界，为客户创造更大价值。
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