上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

Release time：2024-09-09
author：AMEYA360
source：上海贝岭
reading：1589

　　一、概述

　　随着新能源汽车的深度普及，用户对公共充电设施的便利性、安全性、智能化程度等方面均提出了更高要求。公共直流充电桩向着更大功率、更高功率密度、更智能化等方向快速演进，作为直流充电桩的核心部件，充电桩电源模块的功率等级和功率密度亦不断提升，从20kW/30kW逐步提高至40kW/50kW及以上，为用户提供更安全、快速的充电服务。

　　二、直流充电桩电源模块工作原理及拓扑结构

　　直流充电桩的系统结构如图1所示：包括电源模块、控制系统、用户界面、充电线缆等部件。其中电源模块的主要功能是实现电能转换，将电网侧的交流电转换为适合用户需求的直流电，确保稳定、高效地输出。

上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

　　图1 直流充电桩系统组成框图

　　直流充电桩电源模块典型结构如图2所示：主要由两级结构组成，包括前级的AC/DC环节，实现功率因数校正，降低谐波，提升电能质量;后级的DC/DC环节，实现宽范围的直流电压输出，满足不同类型电池的充电需求。

上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

　　三相维也纳PFC是直流充电桩电源模块中AC/DC变换器的常用拓扑，如图3所示。电路通过控制Sa、Sb、Sc的通断，来控制PFC电感的充放电。由于 PFC变换器的PF值接近1，可认为电感电流和输入电压同相，三相平衡，各相差120度。

　　三相PFC变换器每相包括一个双向开关，双向开关由共源极的开关管相连接，两个开关管共用一个驱动信号，不存在桥臂直通问题，无需设置死区时间，降低了控制和驱动的难度，具有工作效率高、器件电压应力低的优点。

上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

　　三、贝岭BLG80T65FDK7产品介绍

　　针对直流充电桩电源模块应用，上海贝岭推出80A /650V IGBT产品BLG80T65FDK7。80A/650V IGBT工艺平台采用第三代微沟槽多层场截止技术，优化了饱和压降和开关损耗，适用于50kHz及以上的高频应用，利于提升系统的功率密度和效率。其工艺特点如图4所示。

上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

　　图4 BLG80T65FDK7-F工艺特点

　　BLG80T65FDK7合封全电流FRD，针对三相维也纳PFC电路的特点，通过优化合封二极管的VF值，降低二极管的通态损耗，提升变换器的工作效率。其实物图如图5所示。

上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

　　图5 BLG80T65FDK7-F实物图

　　四、贝岭BLG80T65FDK7性能优势

　　1、饱和压降Vce(sat)

　　对三相维也纳PFC拓扑结构而言，功率器件的通态损耗是其总损耗中占比较大的一个损耗源，降低开关器件的通态损耗是提升变换器工作效率的一个有效手段。作为评估IGBT性能的一个重要指标， 在器件允许的工作温度范围内，BLG80T65FDK7拥有较低的饱和压降，可有效降低IGBT的通态损耗。其Vce(sat)-温度变化曲线如图6所示。

上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

　　图6 Vce(sat)随温度变换曲线

　　2、开关损耗

　　为减小磁性元器件的体积，提升变换器的功率密度，三相维也纳PFC应用中IGBT的开关频率一般高于50kHz。BLG80T65FDK7在全电流范围内均具备较低的开关损耗，在高频应用场景中，具备更优异的性能。开关损耗对比如图7所示，与竞品相比，BLG80T65FDK7的Eon/Eoff/Etotal值分别下降了约6.7%/6.8%/6.8%。

上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

　　3、反向恢复能力

　　Qrr体现了二极管的反向恢复能力。Qrr值低，峰值电流更低，尖峰持续时间更短，因而振铃/谐振减少，利于减少EMI，同时，可进一步提高效率。如图8所示，与竞品相比，BLG80T65FDK7的Qrr值下降了约18%。

上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

　　4、产品竞争力

　　基于直流充电桩电源模块的应用需求，BLG80T65FDK7综合考虑器件的各项参数，重点对IGBT的饱和压降、开关损耗及合封二极管的反向恢复能力和VF值进行优化。参数对比如图9所示，同比于竞品器件，重点参数具备优势，可以更好发挥器件性能，助力提升变换器的工作效率和系统的功率密度。

上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

　　五、贝岭功率器件选型方案

　　上海贝岭功率器件产品线齐全，包含MOSFET、IGBT等系列产品，为直流充电桩电源模块设计提供助力，欢迎垂询!具体型号参考表1。

上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

　　表1 功率器件选型列表

　　贝岭拥有完善的电源管理、信号链等系列产品可供选择，助力更完全、可靠的充电桩设计和应用。具体型号参考表2。

上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

（"Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal."）

Previous：上海贝岭800V车载PTC加热器驱动解决方案

Next：海凌科：单路高速RS485隔离收发模块

Online messageinquiry

reading
上海贝岭荣获“第三届国新杯·ESG卓越央企金牛奖”
行业新闻

上海贝岭荣获“第三届国新杯·ESG卓越央企金牛奖”

　　近日，2025年金牛企业可持续发展论坛暨第三届国新杯·ESG金牛奖颁奖典顺利举办，上海贝岭凭借在ESG领域的优异表现，荣获“第三届国新杯・ESG卓越央企金牛奖”。　　上海贝岭始终以实际行动勇担央企使命，积极履行社会责任，凝心聚力促进公司高质量可持续发展。公司治理方面，上海贝岭坚持依法合规经营，强化风险防控，持续完善公司治理体系，推动公司行稳致远。科技创新方面，公司坚持创新驱动发展战略，充分发挥科技创新能够催生新产业、新模式、新动能的作用，推动新质生产力加快发展。同时，上海贝岭积极贯彻落实乡村振兴战略，开展系列公益捐赠、消费助农等活动，传递社会关爱，让社会更美好。　　践行绿色低碳发展方面，上海贝岭积极响应“双碳”目标愿景，践行长期可持续发展战略，将绿色管理、低碳运营付诸业务运营各环节，推进绿色研发，强化环保宣贯，在光伏逆变、储能、汽车电子等市场应用领域推出多款产品，持续提升产品绿色竞争力，厚植高质量发展的绿色底色，助力产业链上下游绿色可持续发展。　　展望未来，上海贝岭将秉持高质量、可持续发展理念，积极践行社会责任，以科技创新为引领，塑造发展新动能，勇担使命，为我国集成电路产业发展添砖加瓦!
2025-12-04 16:17 reading：205
上海贝岭推出BL380X系列高精度零漂移工业级运放
行业新闻

上海贝岭推出BL380X系列高精度零漂移工业级运放

　　引言　　在现代电子系统设计中，运算放大器作为信号处理的核心元件，其性能直接决定了信号链路的品质与输出信号的可靠性。尤其在工业测量、医疗电子、仪表仪器等高精度应用场景中，对运放芯片的低失调低温漂特性、长期稳定性及复杂环境适应性提出了严苛要求。上海贝岭高精度零漂移系列运算放大器BL3801/BL3802/BL3804(合称BL380X)，凭借其优异的性能，为设计工程师提供了一个理想的解决方案。　　产品特性　　BL380X是1.8MHz增益带宽积的高性能运算放大器,工作温度范围支持-40℃至+125℃，支持多通道，多种封装，能够满足多种应用场景下对信号处理精度和工作温度的严苛要求。　　BL3801内含单通道运算放大器、BL3802内含双通道运算放大器、BL3804内含四通道运算放大器，运算放大器的性能一致。　　特性如下：表/1(规格参数)　　典型应用原理图如下：图1 BL308X典型应用原理图　　产品优势　　• 极致精度表现：在 5V 供电条件下，典型失调电压仅 10μV，-40℃至 + 125℃工作温度内最大值不超过 30μV，配合0.01µV/℃的低温漂特性，彻底解决了通用运放因温度波动导致的误差累积问题。　　• 信号高还原：轨到轨输入/输出特性可充分利用电源范围，配合 145dB 的信号电压增益与 115dB 的电源抑制比(PSRR)，确保微弱信号的完整放大与还原。　　• 可靠稳定运行：ESD(HBM)水平可达到±8KV，LU可达±800mA, 0.1ms 的过载恢复时间实现快速信号响应，保证系统可靠运行，180μA 的典型静态功耗兼顾性能与能效。　　行业应用　　BL380X的核心优势特性可以解决行业痛点，在工业控制、医疗仪器等对精度要求严苛的领域，BL380X的性能优势转化为实实在在的设计价值。　　• 工业测量的 “稳定器”：针对压力传感器、应变计等设备在 - 40℃至 + 125℃工业环境中的长期运行需求，其超低失调电压与低温漂特性可将信号调理误差控制在μV 量级，使系统的测量精度得到提升。　　• 医疗电子的 “精准镜”：在心电图、便携式血糖仪等医疗设备中，0.5nA 的低输入偏置电流特性可精准放大传感器输出的 nA 级微电流信号，将血糖、心率等生理参数的测量误差控制在更小的范围内，同时 180μA 低功耗设计延长设备续航时间。　　• 测试仪器的 “灵敏度放大器”：在数字万用表、数据采集卡等设备中，10μV 失调电压与高增益特性支持 μV 级电压测量，配合轨到轨输入 / 输出能力，帮助仪器实现更高的测量分辨率。　　支持多种封装　　应用领域　　工业测量、医疗电子、仪表仪器和物联网采集终端　　上海贝岭提供系列化的产品选择，专业的技术支持，以及稳定的供应，为用户的产品设计和批量使用保驾护航。　　订购型号与封装信息表/2(选型列表)
2025-12-04 13:56 reading：212
上海贝岭650V FBL系列IGBT 赋能伺服控制器
行业新闻

上海贝岭650V FBL系列IGBT 赋能伺服控制器

　　一、概述　　中国产业升级持续提速，制造业智能化、自动化迈入新阶段，市场对高精度电机控制器的需求日益迫切。伺服控制器作为精准控制与自动化生产的核心部件，其市场规模正随产业升级浪潮持续扩大。在机器人等热门领域，高性能伺服控制器是实现设备精准动作、复杂任务执行的关键支撑。功率器件作为伺服控制器的核心组成，直接决定产品的功率输出、控制精度与运行可靠性。依托多年设计与生产积淀，上海贝岭针对性优化产品参数，面向高性能伺服控制器场景推出 650V FBL 系列 IGBT 产品。该系列产品电流等级覆盖 8A-30A，可充分匹配伺服控制器的核心性能需求。　　二、伺服控制器应用拓扑　　伺服控制器的控制核心基于闭环反馈控制，微处理器(MCU)通过实时对比上位机给出的指令信号和电流、位置传感器反馈的电流、位置信号，动态调节输出功率，使得电机能够精准执行位置、速度或力矩指令。由隔离驱动器驱动和六颗绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)组成的三相逆变桥是精准控制的核心。图1 伺服控制器拓扑图　　三、贝岭IGBT技术平台　　650V FBL系列产品基于贝岭G2 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的4代产品工艺，采用微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，使得产品在导通压降Vce(sat) 与开关损耗Esw之间取得良好折衷，以及优秀的短路能力;终端采用优化的“FLR+场板技术”，可实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。　　四、650V FBL系列产品核心优势　　能效领跑——低饱和压降Vce(sat)和低正向压降VF　　在伺服控制器应用中，典型开关频率范围为8-16kHz，IGBT和与其并联的快恢复二极管(Fast Recovery Diode, FRD)的导通损耗Econ占器件总体损耗的比例较高。IGBT的导通压降Vce(sat)和FRD的正向压降VF是影响导通损耗Econ的关键参数。图2和图3分别展示了在节温25℃和125℃时，贝岭 FBL系列产品和市场主流IGBT系列产品导通压降Vce(sat)典型值的对比;图4和图5分别展示了在节温25℃和125℃时，FRD正向压降VF典型值的对比。在常温，高温下，贝岭 FBL系列产品的IGBT饱和压降和FRD正向压降均优于竞品，可直接减少伺服控制器导通损耗，不仅能降低设备运行时的能耗成本，还能减轻散热模块负担，缩小设备体积，延长整机寿命，提高系统可靠性。图2 25℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比图3 125℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比　　*数据测试条件为相同封装，栅-发射极电压Vge为15V，测试电流Ic为各产品标称电流值图4 25℃时 FRD正向压降VF典型值对比图5 125℃时 FRD正向压降VF典型值对比　　*数据测试条件为相同封装，测试电流IF为各产品标称电流值　　动态性能升级——低开关损耗Esw　　IGBT作为开关器件，其在应用中的开关损耗也不容忽视，图6 展示了在节温25℃时，贝岭FBL系列产品与竞品的开关损耗对比。在器件开通时刻电压压摆率相同的条件下，贝岭 FBL系列产品的开关损耗与竞品接近，其中10A 和30A 产品更具优势，可更好地适配伺服控制器高频开关需求，使得电机启停、转速调节响应更快，设备执行精准动作时更流畅，减少控制偏差。图6 25℃时 IGBT开关损耗对比　　*数据测试条件为相同封装，栅-发射极电压Vge为15V/0V，测试电流Ic为各产品标称电流值，相同开通电压压摆率　　抗短路能力强劲——超长耐受　　贝岭650V FBL系列IGBT产品针对伺服控制器应用，着重优化器件的短路耐受能力，器件可在高栅极驱动电压(18V)和高节温(175℃)的双高条件下，依旧维持较长的短路时长，保障伺服控制器的安全运行。图7展示了BLG30T65FBL在420V 母线电压下(栅极驱动电压18V、节温175℃)，器件短路耐受波形。即便在高温、高电压的恶劣工况下，也能避免器件因短路损坏，减少伺服控制器突发停机，降低产线运维成本。图7 BLG30T65FBL高温、高栅压下短路耐受波形　　五、贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭针对伺服控制器、通用变频器、工业缝纫机、跑步机、通用风机、园林工具等应用设计有多条650V IGBT产品线，涵盖电流等级8A-80A器件，欢迎垂询!具体型号参考表1。在高压伺服驱动器中，除了核心的功率器件，高效可靠的电源管理和信号处理芯片同样是确保系统稳定、可靠运行的关键，上海贝岭可提供电机控制相关的完整配套解决方案，具体型号参考表2。表1 功率器件选型列表表2 贝岭电机控制系统选型列表
2025-12-02 11:36 reading：248
上海贝岭直流充电桩解决方案
行业新闻

上海贝岭直流充电桩解决方案

　　01 概述V2G示意图　　随着电动汽车的普及，市场对高效率、快充基础设施的需求日益紧迫。新一代电动车续航与电池容量不断提升，亟需配套快速直流充电方案。　　V2G(车辆到电网)技术进一步拓展了充电设施的功能边界，可将电动汽车电池电能回馈至电网，在用电高峰时提供支持。为实现这一功能，充电桩需集成双向转换器，使电动车不仅能充电，还能参与电网调节，提升电网对间歇性可再生能源的接纳能力。　　02 充电桩电路拓扑充电桩电路拓扑图　　直流充电桩分为前级AC/DC电路和后级DC/DC电路。交流/直流级(也称为 PFC 级)是电动汽车充电站中的第一级功率转换。它将来自电网的输入交流电源 (380– 415VAC) 转换为大约 800V 的稳定直流链路电压。前级拓扑主要有Vienna PFC和T 型 NPC PFC。　　直流/直流级是电动汽车充电站中的第二级功率转换。它将 800V 的传入直流链路电压(对于三相系统)转换为较低的直流电压，以便为电动汽车的电池充电。后级电路拓扑主要有LLC电路和双有源桥。　　03 上海贝岭IGBT技术特点　　贝岭IGBT7 平台采用先进的沟槽场截止(T-FS)技术制成。充电桩应用开关频率较高，BLG80T65FDK7以较低的Vce(sat)和开关损耗，能降低充电器热量损耗提高效率。该器件在25℃和175℃下的trade-off曲线表现更优，体现出其在导通损耗与开关损耗之间的良好平衡，为高功率密度充电桩设计提供了理想的半导体解决方案。　　产品特点：　　① 高开关频率　　② 产品耐压高　　③ 低饱和压降VCE (sat)，VCE (sat)呈正温度系数，易于并联使用。　　④ 开关性能优化，低栅极电荷(Qg)，低开关损耗　　⑤ 漏电小　　⑥ HV-H3TRB加严可靠性验证，保证极端运行环境下使用寿命　　⑦ 符合175℃结温的工业级考核标准　　3.1 低开关损耗　　在充电桩应用中，开关频率在20KHz—50KHz左右，其开关频率越高，开关损耗占比越高。在25℃和175℃条件下，我司BLG80T65FDK7产品Eon、Eoff和总损耗Ets均优于竞品H5系列。低开关损耗可提高充电桩系统的整体效率，并减轻散热负担，提高可靠性。　　3.2 低饱和压降Vce(sat)　　在温度25℃下，我司BLG80T65FDK7的Vce(sat)比竞品H5系列小16%左右。在温度175℃下，我司BLG80T65FDK7的Vce(sat)比竞品H5系列小14%左右。饱和压降明显优于竞品，有利于降低导通损耗。Vce正温度系数有利于单管并联使用，有利于两个IGBT的电流和温度达到一个动态平衡状态，从而避免了“电流集中”到某一个器件上导致过热损坏。　　3.3 低漏电流Ices　　常温25℃条件下，我司BLG80T65FDK7的BV曲线和竞品一致;高温175℃条件下，我司BLG80T65FDK7的漏电远小于竞品。对于充电桩这类要求持续高负荷运行的设备而言，BLG80T65FDK7较小的漏电特性可提高系统能效和稳定性。　　04 上海贝岭SiC MOS技术特点　　BLC16N120是一款N沟道增强型平面SiC MOSFET，采用第二代平面栅技术，具有低导通电阻、低电容、低栅极电荷、高开关频率和低开关损耗等优越性能。随着我国新能源汽车的发展，高转化效率、高功率密度的SiC MOSFET器件成为未来发展的必然趋势。本产品通过其创新性结构设计，可推动充电桩高效一体化高质量发展。　　产品特点：　　① 高开关频率　　② 低导通损耗，低导通电阻　　③ RDS(ON)温升系数　　④ 低开关损耗　　⑤ 低Crss，可进一步提高系统效率　　⑥ 高Cgs设计，可抑制高速开关过程中的过冲现象　　⑦ HV-H3TRB加严可靠性验证，保证极端运行环境下使用寿命　　⑧ 符合175℃结温的工业级考核标准　　4.1 低RDS(ON)温升系数　　在温度25℃下，我司BLC16N120的Rdson与竞品C，R，I，Z相同。在温度175℃下，我司BLC16N120的Rdson 为22.4mΩ，比竞品C，R，I，Z低15%—45%左右。我司BLC16N120在175℃时Rdson为常温1.45倍，温升系数低，易于高功率密度并联使用，可降低充电桩系统温升。　　4.2 低HDFM　　，是一个用于评估功率开关器件综合损耗的重要因数。该指标用于衡量器件的导通损耗和开关损耗，其数值越小，通常意味着器件在实际应用中的整体效率越高。我司BLC16N120的HDFM与竞品I相当，远低于竞品C，R，Z。　　4.3 高抗串扰能力　　对于充电桩高效率功率变换器而言，器件的抗串扰能力是系统鲁棒性与可靠性的核心指标。栅源电容与栅漏电容的比值(Cgs/Cgd)是衡量器件抗串扰能力的一个重要参数。该比值越大，通常表征器件的抗串扰能力越强。在全桥的拓扑结构中，器件具有高抗串扰能力，抵御桥臂直通风险的能力较强。　　05 直流充电桩贝岭选型方案　　为全面支持不同功率等级的充电桩设计，上海贝岭提供了覆盖650V与1200V电压等级的系列化半导体解决方案。该方案包含功率器件与关键IC芯片，为充电桩系统提供从功率转换到控制管理的完整技术支撑。功率器件包括高效IGBT、SiC MOS以及用于辅助电源的Planar MOS，满足主功率单元对高效率、高可靠性的要求。
2025-11-19 17:53 reading：340
Popular categories
Boxes, Enclosures, Racks Cables, Wires Circuit Protection Connectors, Interconnects Development Kits Electromechanical Embedded Solutions Fans, Thermal Management Optoelectronics Others Passive Components Power Semiconductors Sensors, Transducers Test and Measurement
  • Week of hot material
  • Material in short supply seckilling
model brand Quote
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
model brand To snap up
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
Hot labels
ROHM
IC
Averlogic
Intel
Samsung
IoT
AI
Sensor
Chip
Original authorized brand
More Licensed Brands>>
Information leaderboard
  • Week of ranking
  • Month ranking

About us

Qr code of ameya360 official account

Identify TWO-DIMENSIONAL code, you can pay attention to

AMEYA360 weixin Service Account AMEYA360 weixin Service Account
AMEYA360 mall (www.ameya360.com) was launched in 2011. Now there are more than 3,500 high-quality suppliers, including 6 million product model data, and more than 1 million component stocks for purchase. Products cover MCU+ memory + power chip +IGBT+MOS tube + op amp + RF Bluetooth + sensor + resistor capacitance inductor + connector and other fields. main business of platform covers spot sales of electronic components, BOM distribution and product supporting materials, providing one-stop purchasing and sales services for our customers.

Please enter the verification code in the image below：

verification code