纳芯微荣膺国家级专精特新“小巨人”企业认定

Release time：2023-08-03
author：AMEYA360
source：网络
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　　近日，第五批国家级专精特新"小巨人"企业名单陆续公布。纳芯微电子凭借在模拟及混合信号芯片领域的深耕布局和自主创新能力，荣膺国家级专精特新“小巨人”企业认定。

纳芯微荣膺国家级专精特新“小巨人”企业认定

　　专精特新“小巨人”企业是工信部依据《关于促进中小企业健康发展的指导意见》有关要求，由市省逐级审核、评审后推荐，经工信部条件论证、部门会审、专家审核、公示等多个流程，最后给予认定。获得认定的企业既是专注于细分市场、创新能力强、市场占有率高、掌握关键核心技术、质量效益优的排头兵企业，也是国家认定为在某一行业内具有品牌、市场和技术领导力的重要企业。

　　作为国产模拟芯片的领跑者，经过十年发展，纳芯微面向汽车、光伏、工控、信息通讯等市场进行布局，开展关键芯片的技术创新和产业化，形成了传感器、信号链和电源管理品类较为完善的产品覆盖度，部分产品的功能和性能已经达到国际领先技术水平，比如纳芯微的数字隔离及接口芯片、隔离采样芯片、栅极驱动芯片、电流传感器芯片等。

　　自2016年，纳芯微涉足汽车市场开始，公司就着手打造全面的质量管理体系，从产品设计，到测试，再到量产，质量管控贯穿每个环节。纳芯微特有的“双R”方针（Robust & Reliable）保障了高品质的产品和服务，实现了在多家主流新能源汽车平台的量产。同时，凭借对系统的深入理解，纳芯微积极与汽车行业客户开发定制化产品，助力客户实现差异化竞争力。例如，纳芯微与大陆集团旗下合资公司陆博就乘用车关键零部件轮速传感器本土化项目达成了产品合作协议，在技术与安全领域深度合作，共同推动更智能、更安全的汽车电子技术进步。

　　专精特新“小巨人”企业称号的取得是对纳芯微长期专注于芯片产品开发和技术创新、引领行业发展的肯定与认可。围绕汽车和泛能源等应用领域，纳芯微将不断丰富其产品矩阵，为行业提供高性价比的芯片解决方案。


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国内首款，纳芯微推出通过TÜV莱茵认证的ASIL D等级隔离栅极驱动NSI6911F系列
行业新闻

国内首款，纳芯微推出通过TÜV莱茵认证的ASIL D等级隔离栅极驱动NSI6911F系列

　　纳芯微今日宣布推出国内首款基于全国产供应链、通过TÜV莱茵认证并达到ISO 26262 ASIL D等级的隔离栅极驱动——NSI6911F系列。　　该系列产品专为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机及DC-DC转换器等高压应用设计，具备高达19A的峰值驱动能力、±150kV/μs的共模瞬态抗扰度(CMTI)，并集成12位高精度隔离采样ADC与先进诊断架构，为新能源汽车电驱系统提供更高安全性与系统集成度的解决方案。　　随着新能源汽车向800V高压平台及SiC功率器件加速演进，电驱系统的开关速度显著提升，dv/dt水平不断提高，对栅极驱动器在抗干扰能力、驱动性能及系统可靠性方面提出了更高要求。同时，根据《GB/T 43254-2023 电动汽车用驱动电机系统功能安全要求及试验方法》及《GB 21670-2025 乘用车制动系统技术要求及试验方法》等最新国家标准，电驱系统在防范非预期扭矩及协同制动能量回收等关键场景中，其功能安全等级需达到ASIL C甚至最高等级ASIL D。　　在此背景下，具备高等级功能安全能力并可直接支撑系统设计的隔离栅极驱动芯片，正成为整车厂与Tier 1实现安全合规与规模化量产的关键基础。　　TÜV莱茵权威认证，　　满足最高ASIL D功能安全等级　　NSI6911F系列已通过TÜV莱茵权威认证，达到ISO 26262 ASIL D等级，可为客户提供符合最高功能安全要求的硬件基础。　　该系列严格遵循ISO 26262 V-Model开发流程，从SEooC假设定义、硬件安全需求分解到功能安全验证，均经过系统化分析与严格验证。结合纳芯微完善的功能安全文档体系与技术支持能力，NSI6911F可助力整车厂及Tier 1高效完成电驱系统级功能安全评估，显著缩短开发周期。　　NSI6911F系列通过TÜV莱茵ASIL D功能安全认证　　领先驱动能力与全方位保护架构，　　打造高可靠电驱系统　　NSI6911F系列提供高达19A的峰值驱动能力，并具备±150kV/μs的高CMTI性能，可满足SiC及IGBT器件在高频、高dv/dt环境下的稳定驱动需求。产品集成米勒钳位、过温保护、可调DESAT/SC/OC、可调UVLO、可调软关断及两电平关断等关键保护功能，能够灵活且有效地优化功率器件的开关性能，降低开关损耗与短路失效风险，为电驱系统提供全面保护。　　在故障处理方面，NSI6911F系列支持三态输出策略，使驱动在异常情况下具备更合理的响应路径，显著提升整车电驱系统的鲁棒性。　　同时，NSI6911F系列丰富的电源管理与保护阈值配置选项可满足不同应用场景下的灵活设计需求，简化系统替换与开发流程。NSI6911F支持原边最高32V输入，并提供5V LDO电源，副边支持5V LDO电源及14V-21V的宽范围可调VCC2 LDO，丰富的内置电源可以为上层系统节约低压侧前级Pre DC-DC以及高压侧电源，灵活的可调电压可以提高系统适用性，减少上层系统电源设计变更。　　纳芯微功能安全驱动NSI6911F一览　　集成12位高精度隔离ADC，　　“就地感知”提升系统实时性　　NSI6911F系列集成业内领先的、达到ASIL B等级的12位高精度隔离ADC，实现系统关键电压与电流信号的本地高精度采样与隔离传输。相比传统分立方案，该设计显著减少外部运放、隔离器及独立ADC等器件数量，有效降低系统复杂度与BOM成本。ASIL B等级的ADC也具备在线诊断能力以及噪声抑制等技术，使得NSI6911F能够同时提升采样鲁棒性与与抗干扰能力。　　在高dv/dt环境下，内置隔离ADC可提供更稳定、低延迟的数据反馈，为控制与保护决策提供可靠依据。此外，该集成方案可直接支撑功能安全设计需求，提升关键参数的可观测性与诊断覆盖率，助力客户构建更高集成度与更高可靠性的电驱系统。　　引脚兼容设计与全国产供应链，　　保障快速导入与稳定交付　　NSI6911系列采用SSOW32封装设计，与对标器件实现Pin to Pin/BOM to BOM级兼容，支持客户在现有设计基础上快速替换，无需调整PCB布局，从而显著降低导入门槛并缩短开发周期。　　在供应链方面，该系列基于从晶圆制造到封装测试的全国产体系构建，具备更高的可控性与稳定性，有效降低外部环境变化带来的供货风险。结合纳芯微本地化技术支持与灵活交付能力，NSI6911F系列可助力整车厂及Tier 1在保障性能与功能安全的前提下，实现更高效率的产品迭代与量产落地。　　NSI6911F系列选型表　　筑牢安全底座，　　持续构建完善的功能安全体系能力　　作为国内汽车模拟芯片行业的头部企业，纳芯微始终重视功能安全体系和产品开发能力建设。早在2021年，纳芯微就已获得TÜV莱茵颁发的ISO 26262功能安全管理体系ASIL D “Managed”等级认证。2025年，纳芯微正式通过TÜV莱茵审核的ISO 26262 ASIL D “Defined–Practiced”级别功能安全管理体系认证，证明纳芯微已全面建立起从管理体系到工程实践的完整能力框架。　　这套成熟的体系已成功赋能多款关键产品的全生命周期开发，实现从标准到落地、从流程到产品的可靠闭环。NSI6911F系列芯片获得权威机构TÜV莱茵ASIL D产品认证，正是这一体系实力的最佳例证。　　纳芯微的功能安全核心能力体现于三大维度：　　深度融合的正向开发流程：公司已将ISO 26262功能安全标准系统性融入研发全流程，确保安全要求内生于每个开发环节，并通过持续迭代优化，确保流程始终为产品的高安全与高可靠赋能。　　覆盖系统至芯片的全链路能力：纳芯微具备从系统级安全概念定义到芯片架构、设计与实现的端到端技术能力，能为客户提供跨系统与芯片的完整功能安全解决方案。　　可靠协同的组织文化：专职的功能安全团队自产品定义阶段即深入参与，全程赋能。项目之外，更致力于构建纳芯微安全文化，并通过设立功能安全能力中心(FuSa CoC)，建立跨部门协同与独立审核机制，确保每一项安全活动均受控、可信、可追溯。纳芯微ISO 26262 V-Model开发流程　　纳芯微通过 TÜV 莱茵 ISO 26262 ASIL D　　"Defined-Practiced" 级别认证　　在智能汽车技术的飞速演进中，安全是永不妥协的必选项，也是最复杂的挑战之一。纳芯微凭借从芯片到系统的全链路功能安全能力、经权威机构认证的流程体系，以及不断丰富的SafeNovo®功能安全产品矩阵，构建起完整的“功能安全赋能体系”。通过“流程管控”与“技术聚焦”的深度融合，确保每颗芯片都成为系统安全最可靠的保障。纳芯微致力于携手业界伙伴，以坚实的半导体技术和功能安全开发体系，守护每一程出行的安全。
2026-04-22 09:17 reading：196
攻克GaN驱动痛点！速览纳芯微解决方案
行业新闻

攻克GaN驱动痛点！速览纳芯微解决方案

　　GaN应用爆发，中低压与中压场景优势凸显　　随着电源系统对效率与功率密度要求不断提升，GaN正加速渗透。在80V~200V中低压场景(如DC-DC优化器、微型逆变器)以及650V中压应用(如AC-DC、OBC、HVDC、逆变器)中，GaN凭借高效率、小体积的优势，逐步成为中小功率(<10kW)电源的优选方案。　　E-mode GaN：高性能背后的设计挑战　　栅极耐压范围窄，对驱动精度要求严苛　　栅极电压、电流稳定性要求高　　高dv/dt环境下易误导通　　高频性能易受寄生参数影响　　围绕E-mode GaN核心痛点，纳芯微提供专用驱动方案：　　稳定驱动电压：集成LDO或自举电压钳位，提供5V~6V稳定输出，避免过充　　高频高速能力：支持100V/ns以上dv/dt抗扰，<20ns延时及匹配，降低死区损耗　　防误导通设计：独立OUTH/OUTL引脚，避免二极管压降带来的误触发　　寄生参数优化：非隔离驱动+封装优化，充分释放GaN高频优势　　高压GaN方案：面向高功率与严苛环境　　服务器电源：高压大功率+强干扰环境 → 推荐NSD2622N　　HVDC/电池化成：MHz级高频+极致布局要求 → 推荐NSD2012N　　适配器/工业电源：<300W的小型化设计 → 推荐NSD2621A　　低压GaN方案：面向高速与高密度应用　　激光雷达：<10ns窄脉宽、MHz级开关频率 → 推荐NSD2017　　48V电源与机器人：高功率密度+强抗扰 → 推荐NSD2621C、NSD2123　　纳芯微通过专用GaN驱动与应用级方案，帮助客户降低设计门槛，充分释放GaN在高频、高效、高功率密度场景中的潜力。　　更多技术与方案，欢迎访问纳芯微官网GaN驱动专区：www.novosns.com/gan-driver
2026-04-20 11:00 reading：229
纳芯微推出新一代隔离式CAN收发器NSI1150，支持±70V总线保护耐压和更高的通信速率
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纳芯微推出新一代隔离式CAN收发器NSI1150，支持±70V总线保护耐压和更高的通信速率

　　纳芯微今日宣布推出全新工规级隔离式CAN收发器NSI1150，新器件基于纳芯微第三代隔离技术，提供±70V的总线保护耐压和高达±150kV/μs(典型值)的CMTI，可靠性和抗扰性相比前代产品(NSI1050)实现了全面提升，NSI1150亦集成了纳芯微自研的CAN FD收发器，可提供高达5Mbps的通信速率。　　NSI1150支持SOW16，SOW8，SOP8，SOWW8，DUB8等多种封装，满足用户的多样化设计需要，可广泛适用于工业自动化与控制、能源电力、通信与服务器等高电压、强干扰、多节点的应用场景。　　可靠性全面升级　　应对严苛应用需求　　NSI1150在可靠性与抗扰性上实现了业内领先的水平，以±150kV/μs(典型值)的高CMTI与±70V的总线保护耐压，轻松应对严苛场景中的强电磁干扰与地电位差挑战。　　此外，NSI1150全引脚支持±6kV HBM ESD防护与10kV隔离栅浪涌耐受，确保极端环境下的稳定通信;隔离耐压覆盖3kVRMS，5kVRMS，7.5kVRMS多档选择，满足各类应用的严苛安规需求，为工业自动化、能源电力等关键场景筑牢安全屏障。　　多种封装可选　　支持多样化设计需要　　NSI1150提供SOW16，SOW8，SOP8，SOWW8，DUB8五大主流封装选择，适配不同设计的空间与安规需求。其中新推出的SOWW8超宽体封装凭借高达15mm的爬电距离优势，可从容应对光伏、充电桩、工业电源等领域对爬电距离的强制要求，简化安规认证流程，为高功率密度系统设计提供更灵活的布局空间。多封装的矩阵化产品族，进一步支持了用户多样化的设计需要，提高系统落地效率。　　NSI1150系列选型表　　丰富的“隔离+”产品　　引领隔离芯片标杆　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品。纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。　　纳芯微全面的“隔离+”产品布局，以核心技术IP和全产品生态，引领隔离芯片标杆，为不同客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
2026-04-16 10:14 reading：383
免费开发板 | 纳芯微NS800RT7P65D评测活动开放，详解直播预约！
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免费开发板 | 纳芯微NS800RT7P65D评测活动开放，详解直播预约！

　　纳芯微 NSSine™实时控制MCU/DSP产品矩阵的高性能成员——NS800RT7系列，是主打强算力、高精度与高集成度的嵌入式控制解决方案。　　基于该系列推出的NS800RT7P65D开发板(评估板)集成多种高速接口与丰富外设资源，能够轻松应对多场景的电力电子应用开发。　　纳芯微已开展NS800RT7P65D对于 RT-Thread 的适配，并联合推出开发板评测活动。诚邀广大嵌入式开发者参与，亲身体验NS800RT7P65D的表现。　　与此同时，我们还将于4月23日 晚20:00开启联合直播!从产品解析到上手实践 —— 无论你是嵌入式领域的资深玩家，还是怀揣好奇心的新手，都能够参与，和工程师现场答疑，共同探索 NS800RT7P65D的无限潜能!　　NS800RT7P65D硬件介绍　　该系列采用双Cortex®-M7内核@400MHz内核，每个内核配备自研eMath/mMath加速核，支持数学函数、FFT及矩阵运算加速，大幅提升实时运算效率。产品集成1MB eFlash+13KB DFlash，搭配高达768KB RAM(含256KB TCM*2+256KB SRAM)，为复杂算法和多任务处理提供充足空间。该系列面向电源与电机控制等电力电子应用，兼具卓越算力、精准控制与安全通信能力，为客户提供平滑的国产化迁移路径。　　NS800RT7P65D开发板(评估板)　　评测活动信息　　一.时间安排　　报名申请时间：2026年4月14日-2026年5月5日　　完成任务时间：2026年5月11日-2026年6月1日　　二.评测任务　　开发板的外设功能模块，每个外设模块的评测为一个任务，每位参与者领取一个功能模块任务即可, 完成任务后请在RT-Thread论坛提交评测文章。(任务见下方，*为必做任务，任务未完成的开发者，需寄回评测开发板)　　输出内容1　　• 欢迎制作并提交【开箱视频】　　• 功能模块的硬件介绍*　　• 功能模块的使用说明*　　• 外设性能指标测试　　• 完成模块功能的演示，视频建议可放到B站*(温馨提示：功能演示的视频可上传至B站，视频链接可放在测评文章里)　　• 可编译下载的代码，可给出gitee或者github链接*　　• 心得体会*　　输出内容2　　如果在测试过程中，遇到问题，请描述清楚问题，记录在github的issue中。　　• 描述：测试的方法，所用的模块或平台、出现的问题　　• issue记录地址：https://github.com/RT-Thread/rt-thread/issues　　输出内容3　　整理测试文档及代码，完成电子书《NS800RT7P65D开发实践指南》　　(https://docs.qq.com/sheet/DZU9TUmFUeUZQdmhU?tab=BB08J2)　　三.任务难度划分说明　　测试基础外设，难度低;测试复杂外设，难度中;编写驱动+测试外设，难度高。　　⭐ 难度低　　⭐⭐ 难度中　　⭐⭐⭐难度高　　四.参加评测您将获得　　• 尝鲜NS800RT7P65D!　　• 专业评审团队：我们邀请了纳芯微及RT-Thread组成评测支持团队，为你的项目提供技术支持。　　• 创意无限，挑战自我：我们鼓励各位参与者展示创意、突破传统，在完成评测任务后，您可以保留申请的开发板，期待你用NS800RT7P65D打造属于自己的项目，展现你的独特风采!　　五.立刻申请评测　　请注意：报名申请需要填写项目经验，请尽可能体现您的实力，方便我们分配任务!
2026-04-15 10:27 reading：347
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