纳芯微推出车规级小阻抗高隔离集成式电流传感器NSM2019

发布时间：2023-06-14 13:08
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：3156

　　纳芯微推出的全新NSM2019集成式电流传感器芯片提供了完全集成的高隔离电流传感器解决方案，具有极低的原边导通电阻，在无需外部隔离元件的条件下能提供精确的电流测量，可广泛应用于汽车、工业系统中的交流或直流电流检测。

纳芯微推出车规级小阻抗高隔离集成式电流传感器NSM2019

　　NSM2019是对纳芯微已量产的集成式电流传感器NSM201x系列的完美补充，通过独特的封装设计实现了业内领先的低至0.27mΩ的原边阻抗，持续通流能力提高到100A，进一步降低了紧凑系统中散热设计的难度。

　　NSM2019有车规和工规型号，其中车规型号满足AEC-Q100 Grade 0的可靠性要求，可在-40~150℃的严苛环境下胜任工作。

　　高隔离耐压，强通流能力

　　依托独特的SOW10封装设计，NSM2019实现了高达8.2mm的爬电距离与满足UL标准的5000Vrms 的耐受隔离耐压、1618Vpk最大工作隔离耐压能力。

　　NSM2019具有0.27mΩ极低的原边阻抗，持续通流能力高达100A,抗电流冲击能力高达20kA。

　　高精度标准，无需二次编程

　　NSM2019采用固定与伪差分输出模式，输出电压不跟随供电电压的波动而波动。系统上解决了对高精度稳压源的依赖，从而使系统BOM更简单、性价比更高。同时得益于芯片内部精确的温度补偿算法以及下线校准，NSM2019在全工作温度范围都可以保持较高的精度，用户无需二次编程，在全温度范围内可实现<±2%的灵敏度误差以及<±10mV的零点误差。

　　快速过流保护

　　NSM2019具有快速过流保护功能，其典型响应时间为1.5μs。这种快速过流输出提供了检测过载、短路事件的简单方法，可防止逆变器、电机或其他应用中的功率管的损坏。出厂预设的过流保护阈值范围为满量程电流的 75% 至 175%。

　　选型灵活

　　NSM2019支持3.3V或5V 供电电压(不同供电版本)，以满足不同电源系统的需求;支持直流电流或交流电流测量，电流量程覆盖20~200A。

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　　近日，第九届纳芯微技术大会 (NOVOSENSE Technology Conference，简称 NTC) 在上海举办。作为纳芯微一年一度的重要技术交流活动，本届大会吸引近 700 位研发与技术人员参与，共征集技术投稿 155 篇，规模创历届新高。　　自 2018 年首届举办以来，NTC 历经九届沉淀。从最初的小型交流活动，逐步发展成为覆盖芯片设计、工艺开发、工程制造、系统架构、应用创新等多个技术领域的重要技术平台，也成为纳芯微工程师文化的重要载体之一。　　今年 NTC 继续以“Innovation · Share · Lead” (创新、分享、引领)为使命，通过技术分享及研讨、Demo Show、特邀报告及 AI 创新赛事等多种形式，鼓励工程师分享经验、交流思想、探索前沿技术方向，持续营造开放创新的技术氛围。　　01　　创新驱动成长：　　市场驱动迈向技术与市场双轮驱动　　大会开幕式上，纳芯微 CTO 盛云表示，随着智能化、低碳化的持续演进，以及 AI 算力基础设施和机器人等新兴应用的快速发展，模拟与混合信号芯片产业正迎来新一轮创新机遇。客户对于差异化解决方案的需求不断提升，也对芯片企业的技术创新能力提出更高要求。　　他指出：“纳芯微需要通过技术和产品创新持续提升产品竞争力和客户价值。从主要依靠市场驱动，逐步走向技术与市场双轮驱动，既要坚持以客户为中心，也要重视以技术为中心。”　　盛云认为，无论是产品定义、工艺开发、电路设计还是工程实现，模拟芯片领域仍然存在广阔的创新空间。持续创新不仅是企业发展的重要动力，也是构建长期竞争力的重要基础。　　02　　专家引领创新，　　持续夯实技术能力建设　　近年来，纳芯微深耕技术能力建设，不断完善创新平台与人才发展机制，推动核心技术能力长期积累与传承。　　目前，公司已建立覆盖多个专业领域的专家体系，并完成技术专家评审与认定，进一步畅通专业人才发展通道。大会期间还举行了第二届专家委员会成员聘任仪式。盛云表示：“专家不仅是技术体系的支柱，也是知识传承和人才培养的重要力量。”他同时透露，未来纳芯微将持续完善技术创新机制，将创新能力建设进一步融入产品定义、技术预研及研发流程管理中，为工程师创造更加开放高效的创新环境。　　03　　AI 创新实践首次亮相 NTC　　与往届相比，AI 成为本届 NTC 最受关注的新议题。随着大模型和 AI Agent 技术快速发展，人工智能正在从辅助工具逐步走向复杂任务执行和自主协同的新阶段。面对这一趋势，纳芯微首次将 AGI 二次开发大赛纳入 NTC 整体议程，旨在推动 AI 技术与实际业务场景深度融合。　　本次大赛自 4 月启动以来，吸引了来自多个技术领域和业务团队的踊跃参与。参赛项目聚焦研发、工程和业务运营等实际场景，围绕效率提升、流程优化、知识沉淀与智能辅助等方向展开探索，充分展现了工程师将前沿 AI 技术转化为实际生产力的创新能力。　　盛云在致辞中表示：“对于公司和工程师个人而言，最好的选择是积极拥抱变化。”他希望通过 AI 大赛激发全员探索热情，为未来 AI 能力建设和业务应用落地奠定基础。　　04　　Demo Show：　　从创意灵感走向应用落地　　除了精彩纷呈的理论分享，纳芯微 Demo Show 为各类创新灵感提供落地实践载体。从最初的创意萌芽、严苛的初审入围，到精细的实物制作，再到 NTC 现场的惊艳亮相——生动展现了工程师们对前沿技术的实践转化。　　05　　让热爱同行，　　共享荣耀时刻　　两天精彩的技术研讨与成果展示后，本届大会特别举办了“芯光无界”工程师晚宴。在晚宴现场，大会表彰了在技术创新、Demo Show 及专家评选中表现突出的团队与个人，并特设拍照打卡区定格一个个值得纪念的瞬间。来自不同领域的工程师们因技术相聚、因创新共鸣，在交流与分享中碰撞灵感，也让属于纳芯微的工程师文化更加深入人心。　　历届 NTC 见证着纳芯微技术底蕴的延续与沉淀，也记录着工程师们对创新与卓越的不懈追求。正如盛云在大会总结中所说：“以卓越之心，铸创新之芯，乘 AI 之势，聚专家之力。”　　面向未来，纳芯微将继续坚持技术创新，拥抱 AI 带来的变革，与更多工程师共同探索技术边界，为客户创造更大价值。
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纳芯微推出通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC认证最高Class III等级、全国产化的CAN收发器
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纳芯微推出通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC认证最高Class III等级、全国产化的CAN收发器

　　纳芯微宣布推出全国产化供应链的汽车级CAN收发器芯片NCA1043D-Q1，新器件凭借业内领先的抗干扰特性，在欧洲权威测试机构IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证中，实现无特殊条件备注、全测试项通过最高Class III等级。　　NCA1043D-Q1同时满足大众集团VW80121-3，2023-12标准，纳芯微现可提供相关测试报告，支持汽车制造商简化系统认证流程，加速产品上市。　　CAN收发器是整车系统通信链路上的核心器件，通信过程中任何EMC问题带来的扰动都可能演变为整车系统的功能异常，因此车厂和Tier 1通常将CAN收发器视为EMC设计和验证的重点器件之一。尤其在800V高压平台、SiC功率器件和复合材料电池包逐渐普及后，CAN收发器的EMC性能已经成为影响整车开发周期和系统可靠性的重要因素。　　纳芯微NCA1043D-Q1全部通过四项测试　　全面通过最高Class III等级测试　　简化系统设计　　IBEE/FTZ-Zwickau认证根据IEC 62228-3标准进行，测试项包括：发射射频干扰(Emission RF Disturbances), 抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)，瞬变免疫力(Immunity Transients)和抗静电(Immunity ESD)，纳芯微NCA1043D-Q1在测试中表现优异，各种条件下均能通过器件最高Class III等级，以优异的EMC性能助力用户简化系统设计，加速产品开发和上市。　　NCA1043D-Q1的相关测试项全部通过最高Class III等级　　支持振铃抑制功能　　满足复杂拓扑和提速需求　　NCA1043D-Q1采用纳芯微自研的振铃抑制专利，允许工程师在多节点、复杂拓扑情况下有效减少总线中的信号反射，降低振铃现象发生的概率，同时维持系统级≤5Mbps的通信传输速率，使得用户可以在部分应用场景中采用性价比更高的CAN FD而非CAN SIC芯片，在保障车载通信质量的同时，降低物料成本。　　全国产供应链加持　　提升交付效率与供应韧性　　NCA1043D-Q1在芯片设计、晶圆制造、封装测试等关键环节均实现国产化布局，构建了自主可控的全国产供应链体系。在保障供应安全与稳定供货能力的同时，依托本土产业链协同优势，有效缩短交付周期、提升响应速度，并降低综合供应链成本，为客户提供更具确定性和竞争力的供应保障。　　封装和选型　　NCA1043D-Q1将于近期量产，提供SOP14和DFN14两种封装，支持低至1.8V的VIO和睡眠模式唤醒;NCA1043D-Q1满足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的宽工作温度范围。可通过纳芯微官网进行样片申请。　　平台化接口IP　　赋能全面产品布局　　纳芯微在通信接口领域布局已久，通过平台化IP和自研专利的协同，实现了快速的产品迭代，并且在CAN/LIN/RS485/I2C/I3C/SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面，纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破，达到业内领先的水平。　　以EMC为例，纳芯微全面通过IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证的器件还包括CAN FD收发器NCA1044-Q1，NCA1057-Q1，NCA1145B-Q1以及CAN SIC收发器NCA1462-Q1;其中NCA1044-Q1和NCA1462-Q1亦通过日本VeLIO认证，相关器件均已量产，欢迎垂询。
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纳芯微丨低资源占用、快速切换：单 Bank Flash MCU 在线升级方案解析
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纳芯微丨低资源占用、快速切换：单 Bank Flash MCU 在线升级方案解析

　　随着智能产品进入规模化应用，现场固件更新能力已成为产品持续迭代的重要支撑。对于 MCU 系统而言，固件升级不仅要完成新版本程序写入，还需尽量降低升级过程对设备运行状态和用户使用体验的影响。　　针对单 Bank Flash MCU 平台，本文提出一种不断电固件升级方案，通过软件架构设计实现安全、快速、用户低感知的现场固件更新，为单 Bank Flash MCU 提供在线升级能力。　　01 方案背景　　目前，MCU 常见固件升级方式包括 IAP(In Application Programming)、ISP(In System Programming)、双 Bank 升级、OTF(On The Fly)、LFU(Live Firmware Update)以及 LiveUpdate 等。其中，不断电升级通常要求系统在升级过程中保持业务运行，不依赖设备重启，并实现新旧固件的平稳切换。　　现阶段，OTF 和 LFU 是较为常见的不断电升级方案，但通常依赖 MCU 具备双 Bank 架构的 Flash 存储器。而在实际应用中，单 Bank Flash MCU 仍然占据较大存量。由于单 Bank Flash 不具备动态 Bank 切换能力，如何在不依赖双 Bank Flash 架构的前提下，实现无停机、无复位、业务连续的现场固件升级，成为单 Bank Flash MCU 在线升级设计中的关键问题。　　02 系统架构与核心技术点　　由于单 Bank 架构的 Flash 不具备动态切换 Bank 或启动时自动切换 Bank 的功能，因此需增加 Bootload 程序，负责系统引导、启动选择及运行环境构建。Bootload 支持烧录 App 固件、读取 App 信息区、并为 App 区配置运行环境。　　这种架构可支持多个 App 区，每个 App 区均设有独立的信息区。信息区用于存储对应固件分区的关键参数，包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度(Length)以及中断初始化程序等必要信息。　　整体方案的组成框架如图 1.1 所示。需要实现的关键技术包括：　　① APP 区信息的保存与动态分析;　　② 切换 APP 区时的定点切换;　　③ 在主循环内更新主循环本身。　　图 1.1 单 Bank 不断电升级方案框架　　03 固件分区与信息提取　　Bootload 与 App 区在运行过程中需动态读取固件信息，以便为后续执行的目标代码构建运行环境。需特别说明的是，Bootload 跳转至 App 区的机制与 App 区之间的跳转机制并不相同。在本文提供的方案中，Bootload 跳转至 App 区采用传统的 IAP 跳转方式;而 App 区之间的跳转则基于固定代码区的锁定机制，以确保跳转过程的安全性。　　Flash 存储器需要通过 FMC 模块与 CPU 进行通信，Flash 在执行擦除操作时需耗费一定时间，若在此期间 CPU 发起对 Flash 的读取请求，将会因为等待 FMC 完成擦除而导致阻塞。　　这引入了第一个需要解决的问题—— App 区内擦除 Flash 阻塞。为避免该问题，在擦除 Flash 时应避免 CPU 同时读取 Flash，相关操作需置于 SRAM 或 ITCM 中执行。　　为简化实现流程，本方案将 App 区固定运行于 SRAM 中。Bootload 在启动阶段将 App 代码从 Flash 手动拷贝至 SRAM，从而有效避免擦写冲突，确保升级过程的稳定与可靠。　　App 区的分区功能使用的是 Sct 分散加载脚本功能，如程序清单 1.1 所示。　　程序清单 1.1 App 区的 Sct 文件　　以 App0 为例，其分区信息与作用描述如表 1.1 所示。　　表 1.1 App 区的分区功能描述　　固件信息区 FIRM_DROM 用于存储程序清单 1.1 中各个分区的关键参数，包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度，以及用户自定义和其他辅助信息。这些信息通过编译器自动生成的全局环境变量进行记录，具体声明方式如程序清单 1.2 所示。　　程序清单1.2 分区信息保存方法　　清楚如何将 Load 地址拷贝到 Image 、和复制长度，即可动态搭建不同固件的运行环境。　　04 固定代码区　　堆栈污染防护机制　　在 C 程序运行过程中，堆(Heap)用于程序源动态申请和释放临时变量，而栈(Stack)则用于在子函数调用或中断触发时保存临时变量、返回地址等上下文信息，通过“进栈-出栈”机制实现函数调用链的正确返回与运行环境恢复。　　基于上述机制，引入本方案需解决第二个关键问题——App区相互跳转前后，堆栈中保存的返回地址与新固件无法对接，即“堆栈污染”问题。由于 App0 与 App1 区的代码随用户程序迭代而不断变化，若直接跳转极易因堆栈不一致导致系统异常。为此，方案引入固定代码区以保障跳转过程的稳定性。　　固定代码区本质上位于 main() 函数内的主循环(如 while(1) )中。该循环具备一个重要特性：所有子函数执行完毕后均会返回至主循环入口，中断服务程序执行完毕后也同样返回到此位置。根据堆栈行为特点，当程序运行于主循环内部时，堆栈中不会保留函数调用信息，此时堆栈处于“最干净”状态，从而有效避免了跳转过程中的堆栈污染问题。　　要做到这点，需要将 main() 放到 FIXCODE 区域内，然后 main 内部的初始化和主循环内统一调用子函数，增减的代码都在子函数内处理，让切换 App 区执行代码不发生偏移。如程序清单 1.3 所示。　　程序清单 1.3　　05 运行时固定代码区更新策略　　FIXCODE 本身是 main() 和主循环，里面同样包含用户层的应用代码，所以更新固件这部分也同样需要更新到最新版本。本方案需要解决第三个关键问题——程序运行期间不能被擦除，否则会导致指令读成乱码，所以在更新固定代码区的操作要放在非固定代码区，且保证执行完后能回到正确的堆栈点。　　图1.2 更新固定代码区　　06 中断向量表与函数分区更新实现　　中断处理包括中断向量表处理和中断函数处理。中断函数通过声明中断服务函数以及其调用的子函数分配到 RW_APP0_ITCM 区，这样就可以通过分区更新功能统一更新。本方案需要重点处理中断向量表。　　中断向量表涉及的方面包含以下几处地方：　　① Sct 文件内声明的 RESET 区域，如程序清单 1.1 所示;　　② SDK 包内默认的中断向量表地址，包括 Flash 中断向量表和 VT_DTCM 的中断向量表;　　③ 在切换新固件的中断部分，准备好内存空间，最后修改 VTOR;　　在第二点中，SDK 内对中断向量表的操作如程序清单 1.4 所示。　　程序清单 1.4 SDK 包中断表处理　　代码路径：interrupt.c　　VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 是指固件的头部装载地址，需要留意的是，这个表里还包含了默认处理函数句柄以及 Reset 等前面不可屏蔽的处理函数。　　SDK内默认将 VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 设置为 0x08000000，对每个 APP 区必须在 interrupt.h 内改为对应地址。　　程序清单 1.3 内的函数实现的主要目的，是将存放在 DTCM 空间内的 vectorTableDTCM 表重初始化。　　在 App 区内的操作流程如图 1.3 所示。可看到板级初始化做的是 App 本身所占用的中断表地址，而切换则是搭建新固件的中断表地址。　　07 变量偏移防护与共享内存设计　　由于业务逻辑要持续运行，所以对于关键的状态变量、计数变量等需要做特殊处理。这里就提出第四个问题——由于编译器为节省空间，会将变量紧密排序，从而导致全局变量在切换到新固件时产生不可预计的偏移。简单而言就是将这类需要继承的变量，存放在 ShareMemory 空间内，并以绝对地址的形式固定下来。这种方案相较于其他依赖编译器的固定方式最直接快速。
2026-06-04 10:23 阅读量：450
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