捷捷微电荣获“2021年中国最具成长性上市公司“称号

发布时间：2022-12-13 16:26
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：3226

　　2021年12月4日，由中国上市公司百强高峰论坛组委会、华顿经济研究院主办的「第二十一届中国上市公司百强高峰论坛暨第七届中国百强城市全面发展论坛」由于疫情原因在上海以“线上+线下”结合形式举办。

捷捷微电荣获“2021年中国最具成长性上市公司“称号

　　捷捷微电 是「2021年中国半导体行业功率器件十强」中唯一获此殊荣的企业，2019 至 2020年利润总额增长率高达 45.58%。

捷捷微电荣获“2021年中国最具成长性上市公司“称号

　　作为中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力的 IDM 半导体企业，捷捷具备深厚的功率半导体设计研发经验。大力开发具有自主知识产权的关键技术，形成自主的核心技术和专有技术，加快科技成果产业化步伐，向世界领先的功率半导体企业迈进。


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　　储能系统的核心价值，在于实现电能的存储与调度;本文介绍的储能系统均为电化学储能系统，支撑这套能量流转的，正是IGBT—— 系统中持续工作的核心开关。　　近些年，家用光伏配储能的越来越普遍。白天光照充足，光伏发出来的电用不完;到了晚上用电高峰，又得花高价买电网的电。储能系统恰好解决了这个供需时间错配的痛点：把白天富余的电能存下来，晚上再拿出来供家里使用。　　承担这份能量转换与搬运任务的核心装置，就是储能变流器 PCS。IGBT 集成在 PCS 内部，依靠高频开关动作完成电能变换，是能量流转的关键器件。　　本篇文章重点拆解三个核心问题：PCS 是怎么工作的、IGBT 在里头扮演什么角色、捷捷微电IGBT储能场景下的选型方案。　　储能变流器(PCS，Power Conversion System)是储能系统的核心设备，架在电池和电网、家用负载中间，实现电能双向转换;　　放电：电池的直流电转成交流电，供家里电器使用，多余的电输回电网;　　充电：电网交流电或光伏直流电，经PCS转为直流电，存进电池。　　依靠 PCS，储能系统可以实现削峰填谷、平滑负荷曲线，也让光伏这类可再生能源真正存得住、用得好。　　根据不同应用场景，PCS 有三种工作模式：　　并网模式：接入公共电网，电能双向充放电，依托电网正常运行;　　离网模式：脱离大电网独立给本地设备供电，多用于偏远孤岛或者电网检修断电场景;　　混合模式：可灵活切换并网、离网两种状态。电网正常时调度电能，电网出现故障，依旧可以保障重要负载不断电;　　从应用领域看：户用储能功率( 20kW 以内)，主打光储一体、低压系统;200‑500kW 的工商业储能，技术正在向宽禁带半导体方向升级;1MW 及以上电网侧、大型储能电站，则对构网型技术有硬性需求。功率段不一样，对功率器件的要求也会随之改变。　　目前储能系统主要分为交流耦合、直流耦合两条架构路线。　　交流耦合：光伏、电池各自配置一套逆变器，电能最后在交流侧汇集;　　直流耦合：光伏和电池先在直流侧完成汇合，仅靠一台逆变器完成交直流转换。　　对比下来，直流耦合转换效率更高、响应速度更快，也更适配模块化产品设计，现在已经是户用储能、便携移动储能的主流方案。市面上绝大多数 PCS 采用"DC/DC + DC/AC"两级电路架构。　　以移动户储设备为例，整套系统分成两级功率变换电路：　　双向 DC/DC 变换电路：负责电池与直流母线之间的升降压，对电池充放电进行控制;　　双向 AC/DC 变换电路：负责直流与交流互转，对接电网和家电负载。　　充电时，交流电经电路变成直流电存入电池;放电时，电池直流电再转成交流电输出给电器。　　不同储能设备的电池电压差异很大：普通家用户储电池一般在 40-60V(常见 48V)，大型三相储能设备电池电压可从 150V 到 900V 不等。出于安全考量，部分产品会采用带隔离设计的 DC/DC 变换器，常用拓扑包括 DAB、LLC、双向升降压电路等。　　PCS的双向AC/DC变换中，IGBT是主要开关器件，IGBT的性能直接决定整机的效率、发热和寿命。　　充电时的功率因数校正(PFC)，简单理解就是让设备"用电更友好"，减少对电网的谐波干扰。　　电路中有两类 IGBT：高频管频繁高速开关、完成升压;工频管开关动作很少，主要靠内部二极管续流。　　放电时的逆变输出，把电池直流电变成交流电，主要有两种调制方式：　　双极性调制：全部功率管高速开关，损耗大、发热严重，市面上已经很少采用;　　单极性调制：一半器件高频运转，另一半器件做工频工作，谐波更小，配套滤波元件体积也可以做小，整体损耗差不多只有双极性方案的一半，是户储、移动储能的主流选择。　　小结：IGBT 是 PCS 里承担高频开关的核心器件，器件性能好坏，直接影响设备发热、效率和长期运行可靠性。　　捷捷微电作为国内领先的功率半导体企业，采用 IDM 全产业链运营模式，打通从芯片、器件、模块到系统的垂直链路，完成从单品供应到平台化方案能力的升级，能够为客户提供协同性更强、效率更优的一体化技术服务。　　公司自产的IGBT使用了先进的“微沟槽 + 场截止”技术。产品参数一致性优异，在导通损耗与开关损耗之间取得良好平衡，器件抗冲击性能突出，适配储能设备长期不间断运行的工况，现已批量应用于各类储能项目。　　选型小贴士：　　650V 系列：适配绝大多数户储、移动储能 PCS ;　　1200V 规格：面向高压三相储能设备;　　更低的饱和压降、开关损耗，能够减少器件发热，提升整机工作效率。　　选型储能 IGBT，可重点关注三个维度：耐压能否覆盖系统母线电压、封装是否匹配整机结构、饱和压降与开关损耗是否足够低，以此控制器件温升。　　捷捷微电 IGBT 系列覆盖 650V、1200V 多档耐压，15A-75A 多档电流规格，适配户储、移动储能、工商业储能各类场景，为储能整机提供国产化功率器件解决方案。
2026-10-22 10:09 阅读量：157
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　　导言　　基于自研低 HFE 芯片的中速晶体管光耦新品 JOCT357Xk(JOCT357Xk-M4 系列)，SOP4 封装、3750Vrms 隔离电压、CTR 范围80%~600%，与通用晶体管光耦 357 系列引脚兼容、支持直接 pin-to-pin 替换。实测开关响应时间仅为常规晶体管光耦的 1/2~1/4，tr、tf、ton、toff 开关速度提升 2~4.3 倍。面向家电、智能电表、工业通讯等对速度与成本敏感的大批量应用;同期推出 150V 耐压晶体管光耦 JOCT358X-M4 系列，重点面向储能 BMS 市场。　　在常规低中速隔离通讯电路设计中，817、1019、357 这类晶体管输出型光耦用于信号通讯时存在突出的固有带宽瓶颈，有效传输速率大多仅为数 kbps;一旦波特率提升，容易出现边沿畸变、信号延迟时间变长等问题，影响数字通讯与脉冲采集的可靠性。　　选用高速通讯方案，器件成本往往高出数倍，对于成本敏感的整机项目来说并不划算。　　JOCT357Xk 基于晶体管架构开发，兼顾成本与通讯速率需求，是一款可靠的中速通讯光耦,能够直接兼容替换现有常规晶体管光耦的中速隔离方案。　　产品定位场景：家电、电表、工业通讯等领域，覆盖脉冲计量输出、RS-232、RS-485 、CAN通讯口隔离、接口隔离等需求。　　封装为 SOP4，它是一款中速晶体管光耦，典型条件下可实现 30kbps 信号传输速率;速度性能来自芯片级设计，无需依赖外部增加加速电阻来改善时序。　　按下图响应时间测试电路对常规 JOCT357X-M4与中速 JOCT357Xk-M4进行了同条件对比测试，上拉电阻 RL 分别取 100Ω 与 10kΩ，每个型号各测 3 个样品，测试电路如下:　　结论：无论是轻负载 RL=100Ω，还是常规上拉 RL=10kΩ 应用条件下，JOCT357Xk-M4 各项开关时序参数 tr、tf、ton、toff 仅为常规 357 光耦的 1/2-1/4，开关速度实现 2-4.3 倍提升;样品 CTR 均值约 224%，在提速的同时没有牺牲输出驱动能力。　　常规晶体管光耦常用设计一般通过外接电阻来改善速度，但提升幅度有限，性能受CTR一致性、外围分立器件精度和温度影响。　　JOCT357Xk 的不同之处在于从芯片设计源头入手：采用自研低 HFE 光电晶体管芯片，设计保留充足的 CTR(80%~600%)，做到“快”与“能驱动”两者兼顾。　　这一方案带来的实际好处：速度更稳定(不依赖外部元件的离散性)、BOM 更简单(无需额外加速元件)、一致性更好，量产风险也更低。　　捷捷微电持续扩充晶体管光耦产品矩阵，推出JOCT358X-M4 系列 150V 光敏晶体管光耦。该系列依托 JOCT351(350V 耐压)产品平台向下开发衍生，形成完整电压梯度：覆盖 350V、150V(JOCT358x)、80V、40V 多档耐压规格，满足不同系统侧电压设计需求。　　捷捷微电自建完整 IDM 光耦生产线，建立覆盖芯片、封装及测试环节的全流程质量管控体系。全系光耦产品采用高温 ATE 热测、回流焊热测等可靠性验证手段;塑封环节配备全自动模封产线，并结合无氧水冷氮气烘箱、等离子清洗等工艺，强化产品制造过程控制与长期可靠性保障。光耦产品覆盖晶体管光耦、高速光耦、驱动光耦、线性光耦、可控硅光耦、MOS输出光耦以及车规级和工业级光耦系列，广泛应用于工业自动化、汽车电子、光储系统、开关电源、消费电子等场景，为客户提供高性能隔离器件及配套技术支持。
2026-10-08 16:42 阅读量：269
捷捷微电在风电变桨领域的模块方案推荐
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　　导言　　随着全球能源结构加速向绿色低碳转型，风电装机容量持续攀升。变桨系统作为风力发电机组的核心执行机构，直接关系到机组的功率调节能力与安全停机保障。在这一系统中，功率模块承担着电能变换与电机驱动的关键任务——从电网侧的电能整流，到直流母线的能量管理，再到驱动变桨电机的逆变输出，每一环节都对功率器件的可靠性、效率与耐久性提出了严苛要求。　　捷捷微电作为国内领先的功率半导体IDM企业，依托从芯片设计、制造到封装测试的全链条能力，面向风电变桨应用构建了涵盖半控整流模块、IGBT逆变模块及整流+制动一体化模块的系统级功率解决方案，以高性能、高可靠的国产功率器件助力风电装备降本增效与自主可控。01应用电路分析　　风电变桨驱动系统通常采用“交-直-交”功率变换架构，其核心电路由以下几个功能模块级联构成。　　前端整流环节——半控整流回路　　变桨驱动器从电网取电后，首先经过EMC滤波电抗器，进入半控整流回路。典型的半控整流拓扑为三相整流电路，每一相由一个晶闸管与一个二极管串联组成。　　相较于全控整流方案，半控整流在变桨应用中具有独特的工程价值：上电时，晶闸管通过跟踪锁相电网相位逐步放大导通角，实现平稳的软启动过程，避免了对直流母线电容的电流冲击。根据变桨系统的功率等级和母线电压需求，半控整流模块可分为一级方案(输出至公共母线电压约560V)和两级方案(含LLC谐振或BUCK降压拓扑，母线电压320V~480V)，为不同机型提供灵活的电压适配能力。　　直流母线与储能环节　　整流输出连接驱动器直流母线，超级电容模组通过带有继电器的电路与母线并联，形成后备电源系统。当电网掉电时，超级电容模组作为备用电源为直流母线供电，确保逆变回路能够驱动变桨电机完成顺桨操作。此外，系统还配置预充电电路，通过二极管与限流电阻对母线电容进行预充电，待电容充满后再断开预充电电路，进一步保障上电安全。　　逆变输出环节——IGBT三相逆变回路　　直流母线的电能经三相逆变电路转换为频率和电压可调的交流电，驱动变桨电机控制桨叶的桨距角。逆变回路每一相由两个绝缘栅双极晶体管串联构成，形成标准的三相全桥拓扑。在实际工程中，半控整流回路与制动电路可集成封装于同一模块中，而逆变回路则采用6单元IGBT模块方案，实现紧凑化设计。　　整个电路架构中，功率模块需要在电网波动、电机发电回馈、超级电容充放电切换等多种工况下稳定工作，这对模块的电气性能、热管理和长期可靠性构成了系统性挑战。02风电行业应用要求　　风电变桨应用环境的特殊性，决定了功率模块必须满足远高于一般工业变频器的技术标准。　　宽温域与高结温耐受能力　　风电机组广泛部署于高原、荒漠、海上等极端环境，机舱内温度波动剧烈。变桨功率模块的IGBT结温循环测试需覆盖-40℃至+125℃的宽温范围，工作结温上限通常可达150℃甚至175℃。模块需在此温度范围内保持稳定的开关特性和导通性能，这对芯片设计和封装散热提出了极高要求。　　高可靠性寿命　　风电设备的设计寿命普遍在20年以上，要求变桨驱动系统的平均无故障时间(MTBF)不低于100,000小时。功率模块作为系统中失效率较高的关键器件，其功率循环寿命和温度循环寿命直接决定了整机的维护周期和运维成本。　　抗震动与机械强度　　风机运行中持续承受风载引起的低频振动与塔筒传导的机械冲击，变桨功率模块需具备优异的抗振动性能，通常要求承受10g加速度(10~2000Hz频率范围)的振动考验。　　高浪涌与短路耐受能力　　电网侧雷击浪涌、电机侧短路故障等异常工况要求功率模块具备强大的浪涌电流承受能力和短路耐受时间(通常需达到10μs以上)，以确保在故障条件下不失效、不失控。　　电气绝缘与安全裕量　　变桨系统的直流母线电压通常在560V至800V区间，考虑电网过压和开关尖峰，功率模块的耐压等级需具备充分的电压裕量。同时，模块封装需满足UL 94V-0绝缘等级要求，确保在高湿、盐雾等恶劣环境下的长期绝缘可靠性。03捷捷模块产品优势　　针对上述行业要求，捷捷微电围绕风电变桨应用场景，从芯片、封装到系统适配进行了系统性的产品优化，形成了以下核心优势：　　1　　半控整流模块　　高浪涌、低损耗的整流前端方案　　捷捷微电可控硅+二极管模块(半控桥式晶闸管整流模块)内部封装可控硅芯片与整流二极管芯片，芯片采用了平面制成工艺，相较于传统的台面工艺芯片，极大程度上优化了雪崩能力，可以更好的应对雷击和浪涌工况。　　在关键参数上，以JMT250KH16T2型号为例，其不重复浪涌电流能力高达8300A，实际通态峰值电压低至1.2V，可有效应对电网侧浪涌冲击并降低整流损耗。模块采用高热导率DBC绝缘材料与真空焊接工艺，确保优异的散热效率与长期机械可靠性。　　2　　IGBT逆变模块　　沟槽场截止技术驱动高效逆变　　捷捷微电IGBT模块采用沟槽场截止型(Trench Field Stop)芯片技术，配合软恢复快速续流二极管，在低饱和压降与低开关损耗之间取得极佳平衡。针对变桨电机驱动的实际工况，模块支持2kHz~16kHz的开关频率范围，实测温升与干扰水平对标国际主流产品，且具备更强的过载与短路耐受能力。如下图所示，目前捷捷IGBT芯片处于G1~G2阶段，其具备自主知识产权的Easy Tech技术，损耗明显优于国际主流竞品。　　捷捷微电IGBT产品的结温耐受能力可达175℃，为变桨系统在机舱高温环境下的长期满载运行提供了充分的温度裕量。以JMG200TF12P3S1(6单元IGBT逆变模块)为例，相较于其他竞品，在相同输出功率工况下器件温升下降3~5℃，显著提升了整机效率和热可靠性。模块内部低电感设计可有效抑制关断电压尖峰，降低dv/dt，减轻电磁干扰，有助于变桨驱动器通过严格的EMC认证。　　3　　全拓扑模块矩阵　　灵活适配多样化变桨架构　　捷捷微电构建了涵盖PIM模块、六单元逆变模块、半桥模块、整流桥模块及半控整流+制动一体化模块的全矩阵产品体系，并可根据客户需求定制引脚形状和内部拓扑。　　其中，整流+制动一体化模块将三相整流桥与制动斩波器集成于单一封装，进一步节省驱动器内部空间、简化母线布局，消除整流与制动回路之间的寄生电感。对于追求紧凑化设计的变桨驱动器而言，该模块提供了极具吸引力的一体化前端方案。模块间支持多模块并联，便于功率扩展与维护，为标准化的变桨平台开发提供了灵活的扩展路径。　　4　　IDM全链条制造　　从芯片到封装的品质保障　　捷捷微电是集芯片研发、制造、封测和销售为一体的功率半导体IDM企业，拥有自主可控的芯片设计和制造能力。公司已通过IATF16949汽车行业质量体系认证，产品良率稳定保持在95%以上，其工艺平台覆盖超高压、车载及先进工业控制等应用场景，技术与产品已延伸至风力发电等新能源领域。　　在第三代半导体方面，公司已布局SiC和GaN器件的研发，为未来变桨系统向更高效率、更高功率密度方向演进储备了技术能力。对于风电客户而言，选择捷捷微电意味着获得了从功率芯片到模块封装的全链路质量管控和稳定的国产供应保障，在行业国产化替代加速的背景下具有重要的供应链战略价值。04风电应用产品推荐　　风电变桨系统的功率模块选型，本质上是效率、可靠性与全生命周期成本之间的综合权衡。捷捷微电以半控整流模块、IGBT逆变模块及一体化功率模块构成的风电变桨功率解决方案，在浪涌耐受、温升控制、宽温域适应性和封装集成度等维度均展现出与国际主流产品对标的能力，同时在本地化技术支持、定制化服务和供应链响应速度上具备显著优势，产品已在不同风电客户处实现批量供货。
2026-09-22 10:26 阅读量：340
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　　2026年8月26日，PCIM ASIA 深圳国际电力电子展在深圳国际会展中心(宝安新馆)正式拉开帷幕。作为全球领先的功率半导体IDM，捷捷微电(股票代码：300623)以“感知·钳位·防护 — 整流·逆变·变频·开关 — 隔离·接口·控制 — 器件·模块·系统”全技术域能力亮相，现场人流络绎不绝。　　本次展会，捷捷微电携光耦、MOSFET、IGBT、功率二极管及防护器件、模块等全谱系产品矩阵，集中展示了覆盖储能及能源管理、工业自动化、智能出行、AI算力与服务器电源等热门领域的系统级解决方案，全方位诠释了从器件专家到系统方案引领者的战略升维。　　储能及能源管理展区　　IDM全栈+头部客户绑定　　针对光伏储能系统对高电压、高可靠性及新国标爬电距离的严苛要求，捷捷微电亮出组合拳：　　■长爬距光耦(JOCT147×H-W8)：实现15mm爬电距离、CTI>600，完美适配1500V高压平台，为光储隔离提供安全基石。　　■储能BMS：保护MOS(JMSH1001PTL、JMSH0802PTL)以超低Rdson与低热阻显著降低导通损耗，提升整机效率。　　■防护与整流：大通流TVS(SMTJ/SM2K系列)单颗替代多颗 5.0SMDJ 并联，可靠性倍增;高压平面整流二极管Tj达175℃，IR比常规低50%，专攻高压防反接。　　■进一步降低关断损耗以及导通压降：JJT40N65HE2 IGBT相对前一代产品，相同输出功率工况下，器件温升下降5-6摄氏度，提升整机效率。　　工业自动化展区　　全拓扑IGBT+高CMTI光耦+IDM全栈　　在变频器、伺服驱动器、逆变焊机等核心场景，捷捷微电提供从芯片到模块的全栈选择：　　■光耦隔离驱动：展出高CMTI(>35kV/μs)隔离光耦(JOCDA系列)，确保恶劣工况下信号精准传输。　　■IGBT全系覆盖：从单管(15A-75A)到PIM/Sixpack模块，匹配2kHz~16kHz开关频率，实测温升、干扰水平对标国际主流，并具备更强过载与短路耐受。　　■MOSFET工业应用“特种兵”：针对磁驱、无人机电机应用领域，推出高EAS、宽SOA系列，提升器件的短路能力和瞬间大电流能力。　　智能出行展区　　车规级器件全链路护航　　聚焦OBC、DC-DC、BMS、空调PTC、T-BOX等车载应用，捷捷微电展出一系列通过AEC-Q101认证的可靠产品：　　■车规MOSFET：最低0.52mΩ内阻，覆盖电池保护、电机驱动、座椅控制等节点。　　■车规防护：TSS与MOV串联方案有效降低残压;SMTJ-8S系列以小体积替代6600W TVS，轻松通过 ISO 16750 标准抛负载 P5a 测试。　　■车规光耦与可控硅：为高压PTC加热、UPS旁路等提供高可靠开关与隔离。　　AI算力与服务器电源展区　　Super SOA平台+IDM全栈+30%性能领先　　AI服务器对电源热插拔提出极致要求，捷捷微电Super SOA MOSFET系列凭借分区开启技术 + SOA调制技术 + 先进封装，在预充电线性区长时间工作下仍保持热稳定。同步展出的2600W/3200W电源整机方案，采用超低内阻整流MOS(JMSH11024PL1LP等)，为AI算力提供坚实电力基座。　　功率模块全系列展区　　高可靠性+定制化服务+IDM全栈　　■模块产品品类齐全：晶闸管、整流二极管、快恢复、Mos、IGBT、SiC全系列的模块产品，可满足新能源、工控、电源等应用领域的需求;　　■干扰和损耗的极致平衡：保证了波形震荡水平优异的同时，大幅优化损耗，带来更低的系统端温升;　　■高可靠性保证长期寿命：芯片高Tj冗余设计结合加严的模块功率循环验证，带来极低的终端失效率，延长模块使用寿命;　　■专业的定制化服务：针对客户特殊需求，可做到定制开发，共同建立市场技术壁垒;　　前沿展区　　前沿展区集中陈列了高温高线性晶体管光耦、长爬电光耦、超微光耦、大电流光继电器光耦等系列产品，依托IDM自研芯片能力，展现高端光耦领域的国产突破。具身机器人展区以器件展板为载体，清晰呈现功率器件在关节驱动和电源管理中的关键功能。6寸/8寸晶圆实物直观呈现从芯片设计到晶圆制造的全栈自研实力。　　产品线干货深度解析　　展会期间，捷捷微电展位特设技术分享区，围绕《捷捷微电功率模块全系列解读与变频驱动IGBT模块应用特性及测试分析》、《捷捷微电IGBT在储能行业的应用一一聚焦便携式储能及户用储能》、《捷捷微电功率二极管新产品应用方案分享》、《捷捷微电以晶圆与封装双重升级，领跑宽SOA MOSFET服务器热插拔实践》等主题，来自技术一线的工程师结合公司最新产品与实测数据，为现场观众带来深入浅出、干货满满的专题分享。　　展会精彩仍在继续，诚邀您莅临捷捷微电展台(展位号：HALL16-E36)，共同探讨无限可能!我们期待与您面对面，为您的下一代产品提供更具竞争力的功率半导体方案。
2026-08-27 11:39 阅读量：571
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