捷捷微电丨中速隔离通讯晶体管光耦JOCT357Xk以及150V耐压晶体管光耦JOCT358发布

发布时间：2026-10-08 16:42
作者：AMEYA360
来源：捷捷微电
阅读量：160

　　导言

　　基于自研低 HFE 芯片的中速晶体管光耦新品 JOCT357Xk(JOCT357Xk-M4 系列)，SOP4 封装、3750Vrms 隔离电压、CTR 范围80%~600%，与通用晶体管光耦 357 系列引脚兼容、支持直接 pin-to-pin 替换。实测开关响应时间仅为常规晶体管光耦的 1/2~1/4，tr、tf、ton、toff 开关速度提升 2~4.3 倍。面向家电、智能电表、工业通讯等对速度与成本敏感的大批量应用;同期推出 150V 耐压晶体管光耦 JOCT358X-M4 系列，重点面向储能 BMS 市场。

捷捷微电丨中速隔离通讯晶体管光耦JOCT357Xk以及150V耐压晶体管光耦JOCT358发布

　　在常规低中速隔离通讯电路设计中，817、1019、357 这类晶体管输出型光耦用于信号通讯时存在突出的固有带宽瓶颈，有效传输速率大多仅为数 kbps;一旦波特率提升，容易出现边沿畸变、信号延迟时间变长等问题，影响数字通讯与脉冲采集的可靠性。

　　选用高速通讯方案，器件成本往往高出数倍，对于成本敏感的整机项目来说并不划算。

　　JOCT357Xk 基于晶体管架构开发，兼顾成本与通讯速率需求，是一款可靠的中速通讯光耦,能够直接兼容替换现有常规晶体管光耦的中速隔离方案。

　　产品定位场景：家电、电表、工业通讯等领域，覆盖脉冲计量输出、RS-232、RS-485 、CAN通讯口隔离、接口隔离等需求。

捷捷微电丨中速隔离通讯晶体管光耦JOCT357Xk以及150V耐压晶体管光耦JOCT358发布

　　封装为 SOP4，它是一款中速晶体管光耦，典型条件下可实现 30kbps 信号传输速率;速度性能来自芯片级设计，无需依赖外部增加加速电阻来改善时序。

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捷捷微电丨中速隔离通讯晶体管光耦JOCT357Xk以及150V耐压晶体管光耦JOCT358发布

　　按下图响应时间测试电路对常规 JOCT357X-M4与中速 JOCT357Xk-M4进行了同条件对比测试，上拉电阻 RL 分别取 100Ω 与 10kΩ，每个型号各测 3 个样品，测试电路如下:

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捷捷微电丨中速隔离通讯晶体管光耦JOCT357Xk以及150V耐压晶体管光耦JOCT358发布

　　结论：无论是轻负载 RL=100Ω，还是常规上拉 RL=10kΩ 应用条件下，JOCT357Xk-M4 各项开关时序参数 tr、tf、ton、toff 仅为常规 357 光耦的 1/2-1/4，开关速度实现 2-4.3 倍提升;样品 CTR 均值约 224%，在提速的同时没有牺牲输出驱动能力。

捷捷微电丨中速隔离通讯晶体管光耦JOCT357Xk以及150V耐压晶体管光耦JOCT358发布

　　常规晶体管光耦常用设计一般通过外接电阻来改善速度，但提升幅度有限，性能受CTR一致性、外围分立器件精度和温度影响。

　　JOCT357Xk 的不同之处在于从芯片设计源头入手：采用自研低 HFE 光电晶体管芯片，设计保留充足的 CTR(80%~600%)，做到“快”与“能驱动”两者兼顾。

　　这一方案带来的实际好处：速度更稳定(不依赖外部元件的离散性)、BOM 更简单(无需额外加速元件)、一致性更好，量产风险也更低。

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　　捷捷微电持续扩充晶体管光耦产品矩阵，推出JOCT358X-M4 系列 150V 光敏晶体管光耦。该系列依托 JOCT351(350V 耐压)产品平台向下开发衍生，形成完整电压梯度：覆盖 350V、150V(JOCT358x)、80V、40V 多档耐压规格，满足不同系统侧电压设计需求。

捷捷微电丨中速隔离通讯晶体管光耦JOCT357Xk以及150V耐压晶体管光耦JOCT358发布

　　捷捷微电自建完整 IDM 光耦生产线，建立覆盖芯片、封装及测试环节的全流程质量管控体系。全系光耦产品采用高温 ATE 热测、回流焊热测等可靠性验证手段;塑封环节配备全自动模封产线，并结合无氧水冷氮气烘箱、等离子清洗等工艺，强化产品制造过程控制与长期可靠性保障。光耦产品覆盖晶体管光耦、高速光耦、驱动光耦、线性光耦、可控硅光耦、MOS输出光耦以及车规级和工业级光耦系列，广泛应用于工业自动化、汽车电子、光储系统、开关电源、消费电子等场景，为客户提供高性能隔离器件及配套技术支持。

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　　导言　　随着全球能源结构加速向绿色低碳转型，风电装机容量持续攀升。变桨系统作为风力发电机组的核心执行机构，直接关系到机组的功率调节能力与安全停机保障。在这一系统中，功率模块承担着电能变换与电机驱动的关键任务——从电网侧的电能整流，到直流母线的能量管理，再到驱动变桨电机的逆变输出，每一环节都对功率器件的可靠性、效率与耐久性提出了严苛要求。　　捷捷微电作为国内领先的功率半导体IDM企业，依托从芯片设计、制造到封装测试的全链条能力，面向风电变桨应用构建了涵盖半控整流模块、IGBT逆变模块及整流+制动一体化模块的系统级功率解决方案，以高性能、高可靠的国产功率器件助力风电装备降本增效与自主可控。01应用电路分析　　风电变桨驱动系统通常采用“交-直-交”功率变换架构，其核心电路由以下几个功能模块级联构成。　　前端整流环节——半控整流回路　　变桨驱动器从电网取电后，首先经过EMC滤波电抗器，进入半控整流回路。典型的半控整流拓扑为三相整流电路，每一相由一个晶闸管与一个二极管串联组成。　　相较于全控整流方案，半控整流在变桨应用中具有独特的工程价值：上电时，晶闸管通过跟踪锁相电网相位逐步放大导通角，实现平稳的软启动过程，避免了对直流母线电容的电流冲击。根据变桨系统的功率等级和母线电压需求，半控整流模块可分为一级方案(输出至公共母线电压约560V)和两级方案(含LLC谐振或BUCK降压拓扑，母线电压320V~480V)，为不同机型提供灵活的电压适配能力。　　直流母线与储能环节　　整流输出连接驱动器直流母线，超级电容模组通过带有继电器的电路与母线并联，形成后备电源系统。当电网掉电时，超级电容模组作为备用电源为直流母线供电，确保逆变回路能够驱动变桨电机完成顺桨操作。此外，系统还配置预充电电路，通过二极管与限流电阻对母线电容进行预充电，待电容充满后再断开预充电电路，进一步保障上电安全。　　逆变输出环节——IGBT三相逆变回路　　直流母线的电能经三相逆变电路转换为频率和电压可调的交流电，驱动变桨电机控制桨叶的桨距角。逆变回路每一相由两个绝缘栅双极晶体管串联构成，形成标准的三相全桥拓扑。在实际工程中，半控整流回路与制动电路可集成封装于同一模块中，而逆变回路则采用6单元IGBT模块方案，实现紧凑化设计。　　整个电路架构中，功率模块需要在电网波动、电机发电回馈、超级电容充放电切换等多种工况下稳定工作，这对模块的电气性能、热管理和长期可靠性构成了系统性挑战。02风电行业应用要求　　风电变桨应用环境的特殊性，决定了功率模块必须满足远高于一般工业变频器的技术标准。　　宽温域与高结温耐受能力　　风电机组广泛部署于高原、荒漠、海上等极端环境，机舱内温度波动剧烈。变桨功率模块的IGBT结温循环测试需覆盖-40℃至+125℃的宽温范围，工作结温上限通常可达150℃甚至175℃。模块需在此温度范围内保持稳定的开关特性和导通性能，这对芯片设计和封装散热提出了极高要求。　　高可靠性寿命　　风电设备的设计寿命普遍在20年以上，要求变桨驱动系统的平均无故障时间(MTBF)不低于100,000小时。功率模块作为系统中失效率较高的关键器件，其功率循环寿命和温度循环寿命直接决定了整机的维护周期和运维成本。　　抗震动与机械强度　　风机运行中持续承受风载引起的低频振动与塔筒传导的机械冲击，变桨功率模块需具备优异的抗振动性能，通常要求承受10g加速度(10~2000Hz频率范围)的振动考验。　　高浪涌与短路耐受能力　　电网侧雷击浪涌、电机侧短路故障等异常工况要求功率模块具备强大的浪涌电流承受能力和短路耐受时间(通常需达到10μs以上)，以确保在故障条件下不失效、不失控。　　电气绝缘与安全裕量　　变桨系统的直流母线电压通常在560V至800V区间，考虑电网过压和开关尖峰，功率模块的耐压等级需具备充分的电压裕量。同时，模块封装需满足UL 94V-0绝缘等级要求，确保在高湿、盐雾等恶劣环境下的长期绝缘可靠性。03捷捷模块产品优势　　针对上述行业要求，捷捷微电围绕风电变桨应用场景，从芯片、封装到系统适配进行了系统性的产品优化，形成了以下核心优势：　　1　　半控整流模块　　高浪涌、低损耗的整流前端方案　　捷捷微电可控硅+二极管模块(半控桥式晶闸管整流模块)内部封装可控硅芯片与整流二极管芯片，芯片采用了平面制成工艺，相较于传统的台面工艺芯片，极大程度上优化了雪崩能力，可以更好的应对雷击和浪涌工况。　　在关键参数上，以JMT250KH16T2型号为例，其不重复浪涌电流能力高达8300A，实际通态峰值电压低至1.2V，可有效应对电网侧浪涌冲击并降低整流损耗。模块采用高热导率DBC绝缘材料与真空焊接工艺，确保优异的散热效率与长期机械可靠性。　　2　　IGBT逆变模块　　沟槽场截止技术驱动高效逆变　　捷捷微电IGBT模块采用沟槽场截止型(Trench Field Stop)芯片技术，配合软恢复快速续流二极管，在低饱和压降与低开关损耗之间取得极佳平衡。针对变桨电机驱动的实际工况，模块支持2kHz~16kHz的开关频率范围，实测温升与干扰水平对标国际主流产品，且具备更强的过载与短路耐受能力。如下图所示，目前捷捷IGBT芯片处于G1~G2阶段，其具备自主知识产权的Easy Tech技术，损耗明显优于国际主流竞品。　　捷捷微电IGBT产品的结温耐受能力可达175℃，为变桨系统在机舱高温环境下的长期满载运行提供了充分的温度裕量。以JMG200TF12P3S1(6单元IGBT逆变模块)为例，相较于其他竞品，在相同输出功率工况下器件温升下降3~5℃，显著提升了整机效率和热可靠性。模块内部低电感设计可有效抑制关断电压尖峰，降低dv/dt，减轻电磁干扰，有助于变桨驱动器通过严格的EMC认证。　　3　　全拓扑模块矩阵　　灵活适配多样化变桨架构　　捷捷微电构建了涵盖PIM模块、六单元逆变模块、半桥模块、整流桥模块及半控整流+制动一体化模块的全矩阵产品体系，并可根据客户需求定制引脚形状和内部拓扑。　　其中，整流+制动一体化模块将三相整流桥与制动斩波器集成于单一封装，进一步节省驱动器内部空间、简化母线布局，消除整流与制动回路之间的寄生电感。对于追求紧凑化设计的变桨驱动器而言，该模块提供了极具吸引力的一体化前端方案。模块间支持多模块并联，便于功率扩展与维护，为标准化的变桨平台开发提供了灵活的扩展路径。　　4　　IDM全链条制造　　从芯片到封装的品质保障　　捷捷微电是集芯片研发、制造、封测和销售为一体的功率半导体IDM企业，拥有自主可控的芯片设计和制造能力。公司已通过IATF16949汽车行业质量体系认证，产品良率稳定保持在95%以上，其工艺平台覆盖超高压、车载及先进工业控制等应用场景，技术与产品已延伸至风力发电等新能源领域。　　在第三代半导体方面，公司已布局SiC和GaN器件的研发，为未来变桨系统向更高效率、更高功率密度方向演进储备了技术能力。对于风电客户而言，选择捷捷微电意味着获得了从功率芯片到模块封装的全链路质量管控和稳定的国产供应保障，在行业国产化替代加速的背景下具有重要的供应链战略价值。04风电应用产品推荐　　风电变桨系统的功率模块选型，本质上是效率、可靠性与全生命周期成本之间的综合权衡。捷捷微电以半控整流模块、IGBT逆变模块及一体化功率模块构成的风电变桨功率解决方案，在浪涌耐受、温升控制、宽温域适应性和封装集成度等维度均展现出与国际主流产品对标的能力，同时在本地化技术支持、定制化服务和供应链响应速度上具备显著优势，产品已在不同风电客户处实现批量供货。
2026-09-22 10:26 阅读量：281
展会直击 | 捷捷微电携全矩阵方案亮相2026 PCIM ASIA
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展会直击 | 捷捷微电携全矩阵方案亮相2026 PCIM ASIA

　　2026年8月26日，PCIM ASIA 深圳国际电力电子展在深圳国际会展中心(宝安新馆)正式拉开帷幕。作为全球领先的功率半导体IDM，捷捷微电(股票代码：300623)以“感知·钳位·防护 — 整流·逆变·变频·开关 — 隔离·接口·控制 — 器件·模块·系统”全技术域能力亮相，现场人流络绎不绝。　　本次展会，捷捷微电携光耦、MOSFET、IGBT、功率二极管及防护器件、模块等全谱系产品矩阵，集中展示了覆盖储能及能源管理、工业自动化、智能出行、AI算力与服务器电源等热门领域的系统级解决方案，全方位诠释了从器件专家到系统方案引领者的战略升维。　　储能及能源管理展区　　IDM全栈+头部客户绑定　　针对光伏储能系统对高电压、高可靠性及新国标爬电距离的严苛要求，捷捷微电亮出组合拳：　　■长爬距光耦(JOCT147×H-W8)：实现15mm爬电距离、CTI>600，完美适配1500V高压平台，为光储隔离提供安全基石。　　■储能BMS：保护MOS(JMSH1001PTL、JMSH0802PTL)以超低Rdson与低热阻显著降低导通损耗，提升整机效率。　　■防护与整流：大通流TVS(SMTJ/SM2K系列)单颗替代多颗 5.0SMDJ 并联，可靠性倍增;高压平面整流二极管Tj达175℃，IR比常规低50%，专攻高压防反接。　　■进一步降低关断损耗以及导通压降：JJT40N65HE2 IGBT相对前一代产品，相同输出功率工况下，器件温升下降5-6摄氏度，提升整机效率。　　工业自动化展区　　全拓扑IGBT+高CMTI光耦+IDM全栈　　在变频器、伺服驱动器、逆变焊机等核心场景，捷捷微电提供从芯片到模块的全栈选择：　　■光耦隔离驱动：展出高CMTI(>35kV/μs)隔离光耦(JOCDA系列)，确保恶劣工况下信号精准传输。　　■IGBT全系覆盖：从单管(15A-75A)到PIM/Sixpack模块，匹配2kHz~16kHz开关频率，实测温升、干扰水平对标国际主流，并具备更强过载与短路耐受。　　■MOSFET工业应用“特种兵”：针对磁驱、无人机电机应用领域，推出高EAS、宽SOA系列，提升器件的短路能力和瞬间大电流能力。　　智能出行展区　　车规级器件全链路护航　　聚焦OBC、DC-DC、BMS、空调PTC、T-BOX等车载应用，捷捷微电展出一系列通过AEC-Q101认证的可靠产品：　　■车规MOSFET：最低0.52mΩ内阻，覆盖电池保护、电机驱动、座椅控制等节点。　　■车规防护：TSS与MOV串联方案有效降低残压;SMTJ-8S系列以小体积替代6600W TVS，轻松通过 ISO 16750 标准抛负载 P5a 测试。　　■车规光耦与可控硅：为高压PTC加热、UPS旁路等提供高可靠开关与隔离。　　AI算力与服务器电源展区　　Super SOA平台+IDM全栈+30%性能领先　　AI服务器对电源热插拔提出极致要求，捷捷微电Super SOA MOSFET系列凭借分区开启技术 + SOA调制技术 + 先进封装，在预充电线性区长时间工作下仍保持热稳定。同步展出的2600W/3200W电源整机方案，采用超低内阻整流MOS(JMSH11024PL1LP等)，为AI算力提供坚实电力基座。　　功率模块全系列展区　　高可靠性+定制化服务+IDM全栈　　■模块产品品类齐全：晶闸管、整流二极管、快恢复、Mos、IGBT、SiC全系列的模块产品，可满足新能源、工控、电源等应用领域的需求;　　■干扰和损耗的极致平衡：保证了波形震荡水平优异的同时，大幅优化损耗，带来更低的系统端温升;　　■高可靠性保证长期寿命：芯片高Tj冗余设计结合加严的模块功率循环验证，带来极低的终端失效率，延长模块使用寿命;　　■专业的定制化服务：针对客户特殊需求，可做到定制开发，共同建立市场技术壁垒;　　前沿展区　　前沿展区集中陈列了高温高线性晶体管光耦、长爬电光耦、超微光耦、大电流光继电器光耦等系列产品，依托IDM自研芯片能力，展现高端光耦领域的国产突破。具身机器人展区以器件展板为载体，清晰呈现功率器件在关节驱动和电源管理中的关键功能。6寸/8寸晶圆实物直观呈现从芯片设计到晶圆制造的全栈自研实力。　　产品线干货深度解析　　展会期间，捷捷微电展位特设技术分享区，围绕《捷捷微电功率模块全系列解读与变频驱动IGBT模块应用特性及测试分析》、《捷捷微电IGBT在储能行业的应用一一聚焦便携式储能及户用储能》、《捷捷微电功率二极管新产品应用方案分享》、《捷捷微电以晶圆与封装双重升级，领跑宽SOA MOSFET服务器热插拔实践》等主题，来自技术一线的工程师结合公司最新产品与实测数据，为现场观众带来深入浅出、干货满满的专题分享。　　展会精彩仍在继续，诚邀您莅临捷捷微电展台(展位号：HALL16-E36)，共同探讨无限可能!我们期待与您面对面，为您的下一代产品提供更具竞争力的功率半导体方案。
2026-08-27 11:39 阅读量：484
捷捷微电可控硅光耦驱动解决方案
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捷捷微电可控硅光耦驱动解决方案

　　导言　　在 220V AC 交流负载控制中，为什么有些应用需要选择过零检测型光耦，而有些应用却必须使用随机触发型光耦?　　光耦与 Triac 如何匹配?门极限流电阻和泄放电阻分别起什么作用?面对电机、水泵、电磁阀等感性负载，又为什么需要配置 RC 吸收回路和压敏电阻?　　作为功率半导体领域的 IDM 厂商，捷捷微电围绕光耦与可控硅产品体系，形成覆盖过零检测与随机触发的可控硅光耦产品方案，并可结合功率 Triac 为客户提供国产化配套选择。　　本文从 220V AC 交流可控硅交流驱动电路出发，系统介绍可控硅光耦的选型方法、外围电路设计及典型应用。　　在 220V AC 负载控制应用中，通常采用“MCU/控制端 + 光耦 + Triac + 交流负载”的隔离驱动架构。　　光耦负责实现低压控制侧与高压功率侧之间的电气隔离，后级 Triac 则承担交流负载的开关控制。　　典型外围电路主要包括输入限流电阻、输出限流电阻、门极泄放电阻，以及针对感性负载配置的 RC 吸收网络和压敏电阻等。　　其中，光耦输入端限流电阻可根据控制电压、LED 正向压降及目标触发电流进行计算：　　RF ≈(VCC − VF)/ IFT　　输出侧则需要根据光耦输出能力和后级 Triac 的门极触发要求，对 RL、RG 等参数进行匹配。　　过零/随机触发光耦选择　　过零检测型光耦　　输出端在交流电压接近零点时触发导通，可降低开通瞬间的电流冲击及 EMI 干扰，适用于照明、继电器、电磁阀等以通断控制为主的应用;不适用于需要相位控制的调光、调速及调功场景。　　推荐型号：JOCSZ21B-D5P/S、JOCSZ31B-D5P/S;　　随机触发型光耦　　不集成过零检测功能，可根据输入控制信号在交流周期内的相应相位触发，从而支持可控硅相位控制，支持相位控制和调功，适用于风扇调速、可控硅调光、温控及工业调功等应用。　　推荐型号：JOCSR21B-D5P/S、JOCSR31B-D5P/S;　　触发条件　　选型时应确保光耦输出能够为后级可控硅提供足够的门极触发电流，并为可控硅的 IGT 预留合理裕量，并综合考虑输入电压、温度变化、可控硅参数离散及负载工况，保证可控硅可靠触发。推荐采用 RL 输出限流电阻 + RG 门极泄放电阻的双电阻设计：RL 用于限制门极驱动电流，RG 用于提高门极抗干扰能力，降低噪声及 dv/dt 引起的误触发风险;　　保护电路与可靠性　　针对不同负载特性选择合适的光耦及外围保护方案,感性负载如电机、水泵、电磁阀及线圈等，在可控硅关断过程中容易产生反向感应电压和较高的 dv/dt，建议增加 RC 吸收回路及压敏电阻 TNR，其中 RS/CS 构成 RC 吸收网络，用于限制可控硅两端电压变化率 dv/dt，抑制感性负载关断过程中产生的电压尖峰及振荡，降低误触发风险，提高系统可靠性;　　隔离耐压　　根据整机工作电压、安规等级、爬电距离及电气间隙等要求，选择合适的隔离耐压和封装规格。捷捷微电可提供 3750Vrms、5000Vrms 等不同隔离耐压规格，封装覆盖 DIP-5、SMD-5、SMD-7、SOP-4 等，可满足不同家电、工业控制及电源应用的隔离与安装需求;　　负载适配　　灯泡、加热器等阻性负载与电机、线圈、电磁阀等感性负载应区别选型。感性负载建议增加 RC 吸收回路及 TNR 压敏电阻，用于抑制关断瞬间产生的反向感应电压及浪涌，提升 可控硅 工作稳定性;对应上图原理图元器件为 TNR / RS / CS;　　器件象限兼容性　　在 220V AC 双向可控硅应用中，需要综合考虑可控硅的触发象限、IGT、IH 以及光耦输出触发能力。对于需要双向稳定导通的应用，应通过器件参数匹配和实际波形验证，确保正、负半周均能可靠触发;　　温度可靠性　　对于高低温及温度变化较大的应用，关注光耦及可控硅的温度特性，优先选择触发电流 IGT、维持电流 IH 随温度变化较小的器件，确保全温度范围内稳定触发和可靠关断。　　捷捷微电可控硅输出光耦主要分为过零检测型(ZC)和随机触发型(RP)两大产品线，隔离耐压最高可达 5000Vrms，断态电压覆盖 600V、800V 等规格，触发电流支持 3-15mA可选,器件工作温度范围-55-110°C。产品封装覆盖 DIP 直插、SMD 贴片等形式，可满足家电、照明、工业控制及电源等多种应用需求，全系列产品具备 UL / VDE / CQC 等安规认证。　　行业多数厂商仅单独量产光耦或可控硅，捷捷微电实现隔离驱动光耦 + 功率 可控硅 双向可控硅一站式国产配套：　　光耦 + 功率可控硅同 IDM 体系协同　　光耦与功率 可控硅均来自捷捷微电产品体系，结合光耦输出触发能力、可控硅的 IGT/IH、dv/dt、di/dt 等关键参数进行选型匹配，减少不同品牌器件组合时的兼容性验证工作。　　自建光耦IDM产线，品质可靠保障　　捷捷微电自建完整 IDM 光耦生产线，建立覆盖芯片、封装及测试环节的全流程质量管控体系。全系光耦产品采用高温 ATE 热测、回流焊热测等可靠性验证手段;塑封环节配备全自动模封产线，并结合无氧水冷氮气烘箱、等离子清洗等工艺，强化产品制造过程控制与长期可靠性保障。　　原厂技术支持，一站式解决电路问题　　依托原厂技术团队，可为客户提供标准应用电路、关键参数选型建议、实测波形分析、EMC问题排查及安规设计参考等技术支持，覆盖硬件设计、样品测试及认证整改等环节，缩短客户产品开发周期。　　全链路国产现货交付　　光耦、功率可控硅均为捷捷微电自主研发及生产，产品供应链自主可控，为客户提供稳定的国产化替代方案。　　可控硅光耦隔离驱动是交流控制的基础电路，捷捷微电依托晶闸管细分龙头优势，打造JOC系列、JOCSR系列可控硅光耦 + 全规格双向可控硅完整国产解决方案，覆盖过零检测与随机触发两大品类，电流档从0.3A到1.2A，封装涵盖DIP-5/6/7、SMD和SOP4。
2026-08-19 15:19 阅读量：451
捷捷微电连续九年入选“中国半导体行业功率器件十强名单”
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捷捷微电连续九年入选“中国半导体行业功率器件十强名单”

　　日前，第二十届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2026年先进封装技术创新与产业链协同发展论坛在江苏扬州举行。大会期间发布了“2025年中国半导体行业功率器件十强企业”名单，作为国内领先的功率半导体器件IDM企业，江苏捷捷微电子股份有限公司(股票代码：300623，以下简称“捷捷微电”)凭借在功率半导体领域持续的研发创新、完善的产品布局和突出的市场表现，已连续九年荣获该项行业权威荣誉。　　捷捷微电自1995年创立以来，始终专注于功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产与销售。公司是国内晶闸管龙头企业、全球市场份额稳居行业前二。作为集功率半导体器件、分立器件、新型元件的研发制造、封测及销售服务为一体的高新技术企业，公司充分发挥IDM全产业链优势，与多家知名高校院所建立了长期产学研合作关系，持续加大对可控硅、防护器件、MOS、IGBT、光耦、模块、第三代半导体等技术与产能的投入，不断优化交付与配套体系。截至2025年底，公司已累计获得授权专利 332 件，构筑起坚实的技术护城河。　　在产业布局方面，公司总部位于江苏省南通启东市。目前，捷捷微电拥有3座制造基地，含4座晶圆厂、6座封测厂及多个省级研发中心。产品品类全面，主导产品包括单、双向可控硅、光电耦合器(光继电器、高速、门极驱动、可控硅、晶体管)、MOSFET(SGT、沟槽、平面、超结等工艺)、低结电容ESD、TVS、低结电容放电管等各类保护器件、高压整流二极管、功率型开关晶体管、IGBT。广泛应用于消费电子、智能家居物联、工业控制、通讯领域、清洁能源、安防与楼宇自动化电源管理系统、汽车领域(车规级产品已布局)、新兴领域等，具备跨行业、多场景的配套能力。　　未来，捷捷微电将锚定“成为国际一流功率半导体器件制造商与品牌运营商”的战略愿景，坚持以“诚信、务实、创新、共赢”引领发展，深耕功率半导体核心赛道，以技术创新为引擎，持续迭代产品与方案，筑牢核心竞争力，在为客户创造卓越价值的同时，为中国功率半导体产业的国产化与高质量发展注入更强动能!
2026-08-14 10:01 阅读量：519
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