DRAM/NAND Flash价格连续上涨,扩产成了三星/SK海力士等厂的唯一共识?

发布时间：2017-07-31 00:00
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来源：集微网
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IC Insights的报告显示，DRAM及NAND Flash售价已经连续四个季度上涨。

不过因为原厂纷纷提出扩产计划，IC Insights稍早忧心忡忡认为，未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、武汉新芯、长江存储，都大举提高3D NAND Flash产能，大陆还有新建厂商也会加入战场，3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。


DRAM/NAND Flash价格连续上涨,扩产成了三星/SK海力士等厂的唯一共识?

DRAM/NAND Flash价格连续上涨,扩产成了三星/SK海力士等厂的唯一共识?


近期SK海力士宣布今年资本支出追加至86.1亿美元，进行3D NAND Flash和DRAM两大内存扩产，让3D NAND存储器战火提前引爆。 市场正密切注意三星和美光的动作，担心DRAM涨势将提前画下句点。

SK海力士无锡厂主要以生产DRAM为主；另在南韩清州厂主要生产3D NAND Flash。 这两项新建投资原定完工时间是2019年上半年，如今将提早至明年第4季，比预定时间提早半年。

虽然SK海力士强调这是投资只要用于技术升级，即使新厂落成，也不会造成整体内存暴增，估计DRAM和NAND Flash产能只会增加3~5%，不会造成内存供过于求，不过业界担心内存乌云将提前飘至。

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　　受惠于人工智能(AI) 产业的强劲需求推动，DRAM市场正经历一轮「超级周期」(Super Cycle)，而韩国两大记忆体制造大厂三星电子和SK 海力士成为这波浪潮中的主要受惠者。由于客户对高附加值产品以及传统DRAM 的订单量暴增，业界观察认为，两家公司第四季DRAM 的平均售价(ASP) 预计将大幅上涨，且涨幅高于最初的预期。　　根据ZDNet Korea 的报导指出，韩国主要记忆体供应商2025年第四季DRAM 的ASP预期将较原先的估计有显著成长。近期记忆体市场的需求急剧攀升，主要驱动力来自全球大型科技企业积极扩大AI 基础设施的建设。特别是，伺服器用DRAM和高频宽记忆体(HBM) 等高附加值产品的订单表现尤为活跃。　　然而，供需吃紧不仅限于高阶产品。用于个人电脑(PC) 和智能型手机的通用型DRAM 也面临着极度严峻的供需短缺困境。造成这一现象的主要原因在于，主要的记忆体供应商将其大部分DRAM产能配置于HBM 的生产，并专注于转换投资而非建立新的量产线。此外，由于供应商大幅缩减了DDR4等上一代产品的供应比重，导致这类DRAM的价格也随之大幅飙升。　　报导表示，在这波涨价趋势中，韩国记忆体业预计2025年第四季DRAM的ASP 涨幅将超乎早前预期。其中，三星电子预计第四季DRAM 的ASP 将比前一季上涨至十位数上限。值得注意的是，在上个月第三季财报会议进行时，该成长幅度原本估计仅为十位数中段。然而，业界普遍共识是，反映近期签订的合约内容，价格涨幅的上调已不可避免。至于SK 海力士则是预计第四季DRAM 的ASP 将比前一季上涨至高个位数上缘。整体回顾第三季的表现，三星电子DRAM 的ASP 已较前一季上涨了十位数中段，而SK 海力士则上涨了中个位数中段。　　面对记忆体供应的紧迫情势，主要的IT 企业正采取不惜成本、优先确保记忆体供货的策略。中国的科技大厂包括小米和阿里巴巴等，已接受了比前一季高出50% 以上的价格涨幅。此外，联想为了稳定其供应链，也宣布已签订了确保2026 年记忆体供应的长期合约。　　报导引用还国一位半导体市场相关人士的说法表示，第四季的价格谈判已进行了相当大的部分。不过，由于客户别合约签订的时间点不同，预计三星电子和SK 海力士的记忆体供应合约将持续签订直到2025 年年底。该人士特别指出，在通用型DRAM 市场上，三星电子相较于竞争对手，正在采取更具「攻击性」 的涨价策略。整体韩国的记忆体产业，2025 年第四季DRAM 的ASP 涨幅远高于原先预估，充分显示了当前市场的强劲需求与供应商在定价上的强势地位。　　大摩破解存储四大谜团　　美股重挫效应蔓延，台股21日遭血洗，外资单日大举提款915.99亿元，盘面各族群几乎全倒，热门存储族群沦重灾区，摩根士丹利证券再度出面，从扩产、涨价牵动需求、产业循环与回档原因等四大谜团切入，全部提出正面证据，瞄准破除干扰投资信心的四大谜团。　　存储族群指标股中，群联、南亚科、华邦电21日全部跌停躺平，一时风声鹤唳，任何产业不利传闻与消息均重创投资气氛;在国际资金单日大卖超环境中，分别卖超南亚科5,658张、华邦电13,837张、群联165张。有意思的是，表现相对较佳的旺宏虽重挫8.12%，外资却逆势加码12,487张，居个股买超排行第三，存储多头行情留下火种，引市场遐想。　　摩根士丹利证券说明，市场疑虑DDR4是否出现大规模扩产，大摩不仅给出否定答案，更强调，三大厂目前均将资源优先投入HBM4/HBM3e，若要逆向增加DDR4供给，不仅需重新调整电路设计，也需要重新配置设备，成本与时间都不具吸引力，简而言之，市场对三大存储厂或CX可能扩充DDR4产能、或延长DDR4产品生命周期(EOL)的担忧，都不必要。　　其次，投资人亦关心经过大幅涨价后，旧世代DRAM需求是否依然亮眼?对此，大摩的答案是肯定的。主要原因包括：一、14、22奈米系统级芯片(SoC)的存储控制器多仅支援DDR4，并不支援DDR5，部分应用不太可能转向DDR5。二、从DDR4移转至DDR5反而可能带来不必要的系统稳定性与相容性风险。三、DRAM在多数系统物料清单(BOM)中占比偏低，价格上涨对整体成本影响有限。　　再者，大摩强调，存储循环从来不是以单一季度或年度为单位，通常是一个跨越四至六个季度的产业周期;对比目前仅走过约二个季度，显示循环仍处于早期阶段。受到AI需求强劲推动，本轮DDR4结构性供给短缺与价格调升幅度前所未见，大摩认为，DDR4合约价仍有大幅上涨空间，甚至可能较谷底上涨数倍;同时，由于DDR4 16Gb通路库存几乎为零，现货价也具备上行潜力。　　整体而言，存储价格、相关供应商获利展望、供需失衡等情况完全不变，回档主因更可能来自技术面与部位调整，而非基本面恶化。摩根士丹利建议，逢拉回即为存储主流股的买点，持续将华邦电列为族群投资首选，同步看好旺宏、南亚科后市。　　超级循环才刚开始　　当你还深陷在，存储这波超级循环，是否像过去一样，只是昙花一现的，供给循环这个问题时，明眼人早已发现，AI 已经颠覆，你过去熟悉的一切。 PC 跟手机的需求，是造成存储过去，剧烈循环的主因，因为消费者市场，趋势变化很快，产品淘汰也很快，消费者口味变化更快，这造成的结果，只要消费端熄火，又遇到厂商过度扩张，就是存储价格崩跌。　　但这次的主角是AI，AI 背后最大的玩家，是大型云端业者，是企业资料中心，是电信商和各国政府，都是资金最充裕的玩家，都是对价格最不敏感，对持续投入承诺极强，是要一步步，把AI 基础建设补到位，宁愿多花钱，也不愿落人后的，一群跟过往主导存储价格的一般消费者，截然不同面貌的大玩家。　　PC 和手机，已经20 年了，AI 才刚开始3 年，当我们谈论泡沫与否，要把产业面和金融面，分开来看就很清楚。股价一定会涨会跌，而且会超涨超跌，但AI 基本面没泡沫可言，AI 其实才刚开始而已。云端业者有的是钱，他们可以花数千亿美元，疯狂抢购GPU，那花个数百亿美元，抢购存储也是很自然的事。　　存储要扩厂，快也要14-18个月，量产最快，都是2027下半年的事。美光、海力士、三星，一定是往先进制程，还有HBM 去挤，高阶存储每单位，资本支出创造的毛利，就是高于成熟产品。所以他们没意愿，再回头生产DRAM，更别谈NAND FLASH，所以存储的涨价，这次是全线皆涨。　　前面讲的，都只是在云端的故事，未来AI的应用，会从云端扩散到边缘，也就是从云端业者，扩散到各大中小企业，事业单位和工作室，包括你我所有人的办公空间。你要有隐私性，更低的每单位成本，更快的存取，那不只是AI 的运算，所有都要配置存储，才算是完整的布建，这是未来新一段的故事了。　　至于英伟达考虑，在下一代AI 伺服器，改用LPDDR存储，这是大利多。股票绝不是因为上述原因而跌的。 LPDDR 跟HBM，都比DDR制程难度更高，良率更低且容量更大，也就是对晶圆的消耗，都比DDR 更大。 HBM会挤压DDR 产能，LPDDR是同样道理，LPDDR 是用在手机的，改用到AI 伺服器，容量需求放大数个量级，这只会加剧缺货状况。
2025-11-25 16:44 阅读量：266
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　　由于人工智(AI)热潮所带来的服务器DRAM需求持续增长，DRAM市场的供应已经失衡，这也导致DRAM价格持续上涨。　　据台媒《电子时报》(DigiTimes)报道，美国和中国的主要超大规模云端企业目前只收到了他们订购的70%的服务器DRAM。与此同时，他们采购的DRAM价格也上涨了50%，远高于今年早些时候预计的30%的涨幅。　　目前AI数据中心所需的AI加速器对于HBM需求量很大、利润也更高，这也使得SK海力士、三星等头部DRAM大厂纷纷将更多的产能转向了生产HBM，而每产出一份HBM更是需要消耗三份的DDR产能，这也导致了对于包括消费类DDR内存在内其他类型DDR需求的排挤。即便是数据中心对于传统的DDR5 RDIMM 的需求也超过了供应。　　相关报道显示，三星最近已将服务器SSD价格提高了35%，RDIMM 合同费率提高了50%，理由是企业和云客户的持续需求超过了供应。　　自9月下旬以来，DRAM现货价格也在持续飙升。报道称，几家顶级供应商拒绝为10月份的分配报价。上个月交易价格为7至8美元的DDR5 16GB模块现在价格已经徘徊在13美元左右，供应将进一步收紧到11月。DRAM模组制造商正在为本季度末的缺货情况做好准备。　　其他市场表现更糟。DRAM渠道参与者和小型原始设备制造商的订单履行率只有接近35%至40%。随着超大规模企业锁定固定DRAM分配，优先级较低的客户被推到价格更高的现货市场，或被告知等到2026年才能获得一定的供应。　　美光在最近的财报电话会议上对此发出警告，DRAM 是一个“紧张的行业”，DRAM容量供应增长将滞后于2026年年底的需求。市场研究机构TrendForce指出，随着供应商转向中国的日常定价，并避免将自己锁定在糟糕的交易中，某些DRAM模块的报价可能会被冻结。这导致零售 DDR5 价格攀升，在年底前没有稳定的迹象。　　与此同时，DDR4价格正在缓慢下降。中国南亚科技最近表示，标准DDR4仅占DRAM市场总量的20%，不再优先量产。除非需求意外降温或收益率大幅提高，否则到2026 年，除顶级买家外的所客户的 DRAM 分配将受到限制。这也推动了客户加速转向DDR5。　　《电子时报》预测，明年服务器内存半导体需求将保持强劲，这可能导致DRAM短缺持续到年底。该报告还预测，即使供需缺口逐渐缩小，未来一到两年内，内存半导体制造商的供应能力也可能低于需求10%以上。
2025-10-29 14:20 阅读量：550
均价微幅回升！一季度DRAM产值因疫情影响季减4.6%
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根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第一季DRAM供应商库存去化得宜，季末的库存水位与年初相比已经显著下降，因此降价求售压力不再，整体DRAM（内存）均价相较前一季上涨约0-5%。然而，因应新冠肺炎疫情，各国祭出封城锁国政策，导致物流受阻，DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨，但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%，达148亿美元。集邦咨询指出，第一季受阻的出货将递延至第二季，因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下，集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成，原厂的营收与获利能力将持续成长。DRAM均价小涨带动原厂Q1获利能力厂商排名方面，三星以44.1%的市占排名第一；SK海力士位列第二，市占率为29.3%；美光则以20.8%的市场份额排名第三。由于产能规划大致相同，集邦预期第二季度市占不会有太大变化。此外，集邦分析了三大厂商的产能与技术能力。三星持续将部分产能 (Line13) 由 DRAM 转向影像感测器 (CMOS)，不过平泽二厂预计下半年投入 DRAM 生产，弥补 Line13 投片下滑，同时提高 1Z 制程比重，考虑到疫情对于需求的冲击，三星会审慎规划产出，今年产能增加幅度不高。SK 海力士持续将 M10 厂 DRAM 投片转向影像感测器，增加 M14 产出，并将于下半年小幅提高无锡厂的产能，但全年产能增幅不高。美光的投片与产能与去年相较没有太大改变，今年度资本支出将着重1Z制程的量产与产出提升，目前正值OEM积极验证阶段，很快就能导入实际量产。三大原厂的获利受惠于第一季DRAM均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增，垫高基期，所以虽然第一季营业利益率下滑至32%，但实质的获利能力仍持续提升。SK海力士第一季营业利益率为26%，与上季的19%相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂，加上当前因开发1Z制程导致成本增加，使得营业利益率小幅下滑，但预计下次财报区间（3月至5月）会有明显改善。整体而言，三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延，但大致顺利，没有重大质量异常情况发生。今年整体DRAM产能没有明显成长，资本支出也持续下降，供给位元成长主要来自于1Y与1Z纳米等先进制程的转进，并非实质投片增加。中国台湾厂商1季度表现南亚科第一季出货量双位数成长，带动营收较前一季增加近10%，加上研发费用的控制，营业利益率由上一季的11%升至12.7%。展望第二季，在均价上扬的挹注下，获利能力将持续进步；至于华邦第一季量价大致持平，因此DRAM营收变化幅度不大，成长力道以NAND Flash（闪存）较为明显；而力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲，排挤DRAM产能，因此营收小幅下滑3%（营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务）。
2020-05-14 00:00 阅读量：2178
现货价格上扬，或带动DRAM合约价提前止跌
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根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，DRAM现货价的翻扬，改变了市场氛围……在预期性心理因素下，有利于合约市场中买方的备货意愿提高，目前预估合约价可能提前至2020年第一季止跌。集邦咨询指出，之前1X纳米制程因为有退货状况，大量不良品以低价转销现货市场，导致现货价格走势格外疲弱。虽然退货状况仍在，但因为模组厂以及在渠道的经销商开始愿意增加库存准备，使得这些不良品数量有效的消耗，带动现货价格开始上调。从整体供需状况来看，在历经近五个季度的库存调整，2019年第四季DRAM市场仍处于微幅供过于求，即便明年第一季DRAM的拉货状况可能呈现淡季不淡，但供需态势最快仍要到明年年中才会正式反转。不过，根据历史经验，价格上涨一向快于供需反转，因此集邦咨询原先预估DRAM的平均销售单价将在明年第二季初止跌上涨。然而，受到目前现货报价大涨的激励，以及服务器内存1X纳米制程的生产状况普遍不顺畅，影响了整体供货量，因此集邦咨询对2020年价格预测进行修正，2020年第一季时，虽然标准型内存、利基型内存与行动式内存价格预估仍较前一季小幅下跌，但服务器内存有机会率先领涨，带动整体DRAM平均销售单价较前一季持平。服务器与图形处理内存价格领涨根据集邦咨询观察，目前主流服务器内存模组成交量已经明显大幅增加，均价欲跌不易，服务器业者在DRAM备货的态度转趋积极。展望2020年第一季，由于1X纳米产品供货不顺影响持续，加上短期需求面展望强劲，预估服务器内存单价将正式反弹，季增幅约5%。除了服务器内存以外，集邦咨询也同时调整图形处理内存的价格预测；图形处理内存尤其是GDDR5，因为主要GPU芯片供应商库存已经调整完毕，目前已恢复采购力道，加上最新一代的GDDR6需求也持续增加，在买方预期涨价心理影响下，整体价格也将于第一季小幅上调。
2019-12-18 00:00 阅读量：2368
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