下半年存储器涨势迎拐点,但2017全年价格涨幅仍十分可观

发布时间:2017-07-20 00:00
作者:
来源:EEFOCUS
阅读量:1435

市场调研机构IC Insights表示,2017年DRAMNAND型闪存销售额都将创出历史新高,而DRAM和NAND闪存创新高的原因都是由于价格疯涨。该机构预计,2017年DRAM出货量同比下降,而NAND闪存也仅增长2%,闪存出货量增长对存储器销售额创新高虽然是正面作用,但并非主要原因。

存储器价格上涨始于2016年第二季度,到2017年上半年为止,每季度价格都持续向上走。如图所示,从2016年第三季度,到2017年第二季度,DRAM价格季度平均增长率为16.8%,NAND闪存价格季度平均增长率为11.6%。

下半年存储器涨势迎拐点,但2017全年价格涨幅仍十分可观

从2016年第三季度DRAM平均售价疯涨开始,DRAM制造商又开始步入加码投资周期,不过这一轮DRAM厂商投资大部分都花在了升级技术方面,并没有盲目扩充产能。

IC Insights判断,2017年闪存厂商绝大部分资本支出都投入在3D NAND工艺技术上。为提升其位于韩国平泽市巨型新工厂的产能,2017年三星在NAND闪存上的资本支出将同比大幅上升。

从历史数据来看,价格上涨周期带来的投资扩产冲动,通常会造成产能过剩,产能过剩程度越高,将来价格下跌也会越猛烈。三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/闪迪、武汉新芯/长江存储,以及可能出现的中国资本支持的新玩家,都提出了雄心勃勃的3D NAND生产计划,未来几年3D NAND闪存产能出现过剩的概率非常高。

IC Insights收集的数据显示,DRAM的平均售价增长率峰值出现在2016年第四季度,但直到2017年第二季度,涨势都很强劲。该机构预测,2017年第三季度DRAM价格还能维持些许涨势,但第四季度将出现微跌,标志这轮涨价周期即将终结。

虽然2017年下半年DRAM涨势趋缓,但IC Insights预计全年涨幅仍将达63%,这是自该机构从1993年开始追踪DRAM市场数据以来的最高涨幅,此前记录是1997年的57%。

NAND闪存2017年价格涨幅也将创纪录地达到33%。不过,在2000年,NOR型闪存还主导市场时,其平均售价一年涨幅达到了52%。

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
MC33074DR2G onsemi
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。