<span style='color:red'>萨瑞</span>光伏黑科技｜SRIC3040 理想二极管：重构旁路保护，轻松扩展系统输入电压！
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萨瑞光伏黑科技｜SRIC3040 理想二极管：重构旁路保护，轻松扩展系统输入电压！

　　传统光伏旁路依赖肖特基二极管，高压降、高发热、电压等级固定，不仅损耗发电收益，更限制系统电压拓展。江西萨瑞微电子推出SRIC3040 光伏专用理想二极管，以超低导通压降 + 高耐压大电流 + 高 ESD特性，完美替代传统旁路方案，同时实现输入电压范围灵活扩展，为光伏组件、接线盒、功率优化器带来革命性升级。　　行业痛点：传统旁路二极管的三大瓶颈　　Part.1　　• 压降高、发热大：常规肖特基正向压降约0.7V，大电流下功耗剧增，易引发接线盒热失效。　　• 电压不可扩展：器件耐压固定，难以适配多组件串联、高压光伏系统升级。　　• 损耗高、效率低：反向漏电大，长期拉低组件发电量，运维成本高。　　萨瑞 SRIC3040：光伏旁路理想二极管　　Part.2　　• 耐压 / 电流：30V / 40A　　• 正向导通压降：　　• 40A@25℃：典型 120mV　　• 40A@125℃：典型 150mV　　• 封装：TO263-3L，高散热、易贴装　　•特性：低损耗、高抗浪涌、高 ESD、无铅　　三大核心优势　　Part.3　　1. 超低损耗，温升大幅下降　　正向压降仅传统肖特基的1/5~1/6，导通损耗下降超80%，接线盒温升显著降低，长期可靠性大幅提升。　　2. 40A 大电流 + 高抗浪涌　　满足大功率组件大电流需求，抗浪涌能力强，遮挡 / 热斑工况下稳定旁路，保护组件安全。　　3. 高 ESD + 宽温可靠　　HBM 高等级 ESD 防护，工作结温 \\-55℃~125℃\\，户外严酷环境稳定运行。　　理想二极管实现旁路 + 扩展输入电压　　Part.4　　1. 标准光伏旁路保护电路(单路 / 多路)　　功能：遮挡时快速导通，避免热斑，保障组件安全　　*带旁路二极管的组串等效电路　　• 正常发电：器件截止，不影响主回路　　• 遮挡 / 异常：瞬间导通，电流低阻旁路，压降 < 150mV，几乎无发热　　2. 级联扩展电压：轻松适配高压系统　　核心方案：多颗 SRIC3040串联均压，配合理想二极管控制逻辑，实现输入电压成倍扩展，满足多组件串联、集中式 / 组串式高压场景。　　• 电压灵活扩展：N 颗串联，系统耐压≈N×30V　　• 均压稳定：理想二极管特性保证每颗压降均衡，无局部过压　　• 损耗极低：总压降≈N×150mV，远低于传统二极管方案　　3. 搭配理想二极管控制器，性能拉满　　• 快速响应：毫秒级导通 / 关断，热斑防护更及时　　• 低功耗控制：驱动损耗小，系统整体效率更高　　• 智能保护：集成过温、过流、反接保护，适配光伏优化器、快速关断、智能接线盒　　为什么选萨瑞 SRIC3040?　　应用场景全覆盖　　Part.6　　• 光伏组件接线盒旁路保护　　• 光伏功率优化器、快速关断器　　• 组串式 / 集中式逆变器输入旁路　　• 工业光伏、户用光伏、车载光伏系统　　需扩展输入电压的高压光伏电源　　以芯片技术赋能光伏高效可靠　　Part.7　　江西萨瑞微电子专注功率半导体与保护器件，SRIC3040 理想二极管为光伏旁路与电压扩展提供低损耗、高可靠、可扩展的一站式解决方案，助力光伏系统更高效率、更高电压、更长寿命。
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发布时间：2026-05-07 09:42 阅读量：229 继续阅读>>
<span style='color:red'>萨瑞</span>新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发
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萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

　　随着 USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、MIPI、车载 SerDes、车载以太网等高速接口全面普及，10Gbps + 传输对信号完整性与 ESD 防护提出双重严苛要求。　　江西萨瑞微电子推出SEU0721P1(双向)+ SEU0731P1(单向) 两款 DFN1006-2L 超小型 ESD 保护二极管，专为高速信号链路打造，超低电容、高钳位、强防护，覆盖单端 / 差分全场景高速 I/F 保护需求。　　01　　核心优势：突破权衡，高速与保护兼得　　SEU0721P1|双向 ESD 二极管　　类型：双向　　结电容：典型 0.25pF，Max 0.3pF(0.2pF 级)　　ESD 防护：IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)　　峰值脉冲电流：4A(8/20μs)　　封装：DFN1006-2L 无引脚小型化　　SEU0731P1|单向 ESD 二极管　　类型：单向　　结电容：典型 0.4pF，Max 0.5pF　　ESD 防护：IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)　　峰值脉冲电流：4A(8/20μs)　　封装：DFN1006-2L 无引脚小型化　　02　　核心亮点　　SEU0721P1：≤0.3pF，极致抑制信号劣化，完美适配 USB4、PCIe、MIPI 等高灵敏度差分接口。　　SEU0731P1：≤0.5pF，兼顾高速与成本，适合单端高速 I/O 与通用高速接口。　　03　　低钳位 + 低漏电流，保护更可靠　　双向款：4A 下钳位电压典型16.5V　　单向款：4A 下钳位电压典型11V，更低钳位、更稳保护　　漏电流低至0.1μA/1μA，系统功耗更优　　04　　高等级 ESD，满足车规 / 消费 / 工业　　两款均达到：　　IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)　　宽温工作：-55℃ ~ +125℃　　RoHS、UL 94V-0、无铅绿色塑封料　　05　　DFN1006-2L 微型封装，高密度布局　　超小体积、低寄生电感　　贴近连接器摆放，不占用空间　　适合手机、笔电、车载、相机等轻薄化设计　　06　　典型应用原理图　　双向保护电路(SEU0721P1)　　适用于：USB4/USB3.x、PCIe、LVDS、MIPI、车载 SerDes 等差分高速信号　　单向保护电路(SEU0731P1)　　适用于：单端高速 I/O、HDMI、音频、传感器、通用高速信号　　07　　关键参数对比表　　08　　应用领域　　完美覆盖10Gbps + 高速接口：　　USB4 / USB3.x / Thunderbolt 4　　HDMI / DisplayPort / PCIe　　MIPI D-PHY / C-PHY / LVDS　　车载 SerDes、车载以太网(10/100/1000Mbps)　　手机、笔电、平板、相机、便携仪器、车载设备、工业终端
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发布时间：2026-05-06 10:11 阅读量：214 继续阅读>>
邀请函 | <span style='color:red'>萨瑞</span>微电子邀您共赴第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会
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邀请函 | 萨瑞微电子邀您共赴第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会

　　尊敬的行业同仁、合作伙伴：　　您好!　　春风送暖，万物勃发。2026 第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会及展会将于4 月 15 日 - 16 日在珠海国际会展中心 A 座 4 号展厅盛大启幕。作为国内领先的功率半导体与保护器件 IDM 企业，江西萨瑞微电子将携智能电表全系列半导体解决方案重磅亮相，展位号T134。我们诚挚邀请您拨冗莅临，共探行业新趋势，共话合作新机遇!　　展会信息　　展会名称：2026第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会及展会　　展会主题：中国电工仪器仪表产业发展技术研讨　　展会时间：2026年4月15-16日　　萨瑞微展位：T134【期待您的驻足!】　　展会地址：珠海国际会展中心A座4号展厅　　亮点抢先看　　作为国内领先的功率半导体与保护器件 IDM 企业，本次展会我们将聚焦智能电表核心应用，全方位展示适配电表场景的高可靠性器件方案：　　ESD 静电保护：SEU/SEH 系列 DFN/SOD 封装，低容值、高抗静电，适配以太网 / RS485/USB/ANT/ 键盘等多接口　　TVS 浪涌保护：SMBJ/SMAJ 系列，6V–440V 全电压段，600W 高功率，强效抵御雷击浪涌　　TSS 半导体放电管：P 系列高可靠性，满足 IEC 标准，通信口 / 电源口稳定防护　　全系列器件通过IEC61000-4-2/4/5等 EMC 测试，适配 1.2/50μs、8/20μs、10/700μs 标准波形，助力智能电表稳定可靠、合规入市。
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发布时间：2026-04-14 13:08 阅读量：480 继续阅读>>
国产替代优选!江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微SRIC2231/3331P4：精准钳位无尖峰，IC保护更可靠
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国产替代优选!江西萨瑞微SRIC2231/3331P4：精准钳位无尖峰，IC保护更可靠

　　在工业控制、消费电子、车载设备等场景中，瞬态电压抑制器(TVS)的核心使命是保护后端精密IC免受浪涌、静电冲击。　　德州仪器(TI)TVS2200、TVS3300虽应用广泛，但江西萨瑞微SRIC2231P4凭借“VR与VC高度匹配、无峰值脉冲尖峰”的核心优势，成为IC保护场景的国产替代新标杆。以下通过核心参数对标，拆解其如何为IC筑牢安全屏障!　　核心优势提炼：实测性能全面超越　　DFN2020-6L 内部由芯片(集成有源电路，表面有焊盘)、键合线(金丝 / 铜线，连接芯片焊盘与引脚)、引脚框架(6 个引脚，传输信号并辅助散热)、塑封料(保护内部结构，绝缘防潮)和底部裸露焊盘(增强散热与 PCB 连接)组成，是 “芯片 - 键合线 - 引脚 - 塑封” 的紧凑集成结构。　　1. 更强大的抗浪涌能力(核心优势)　　实测数据：萨瑞SRIC2231P4的峰值脉冲电流 IPP 达到 80A，而竞品为 45A。　　客户价值：这意味着在遭遇极端浪涌事件(如雷击、电机启停)时，萨瑞产品能承受几乎翻倍的冲击电流，为后端电路提供更坚固的保护屏障，系统可靠性显著提升。　　2. 更优异的钳位性能(关键优势)　　实测数据：在28A的测试电流下，萨瑞产品的钳位电压 VC 为 26.4V - 26.8V，优于竞品的 26.9V - 27.2V。　　客户价值：更低的钳位电压意味着在泄放浪涌能量时，施加在被保护芯片(如PLC的IO口、USB控制器)上的电压应力更小，大大提高了系统生存率。　　3. 更大的芯片与更 robust 的内部工艺　　工艺细节：萨瑞采用 1.0mil合金线 * 10根 的键合引线方案，远超常规设计。　　客户价值：更大的芯片通常意味着更好的散热性能和更高的能量吸收能力。更多的键合引线大大降低了互联导线的寄生电感和电阻，确保了在大电流通过时的稳定性和可靠性，这是实现80A超高IPP能力的物理基础。　　4. 充裕的参数设计余量　　实测表现：在所有关键参数(如VBR, IR, VC)上，萨瑞产品的实测值不仅满足标准，且远离规格上限。　　客户价值：这代表了极高的一致性和良率，保证了批量生产的质量稳定，让客户用得放心。同时，充足的余量也意味着产品在高温、长时间工作等严苛条件下性能更加稳定。　　5. 完全兼容，直接替换　　封装：采用完全相同的 DFN2020-6L 封装。　　客户价值：客户在进行国产化替代时，无需修改任何PCB设计，真正实现了 “Drop-in Replacement” ，替换成本为零，切换风险极低。　　萨瑞微电子保护IC产品优势总结　　1. 性能对标国际大厂　　钳位电压、峰值脉冲电流、击穿电压等关键参数与TI产品高度一致。　　在高温、重复脉冲测试中表现出同等可靠性。　　2. 更优的性价比　　国产供应链优势，成本更具竞争力。　　供货稳定，交期短，支持定制化需求。　　3. 封装兼容　　采用DFN2020-6L封装，与TI的SON/WCSP封装引脚兼容，可直接替换。　　4. 全面认证　　符合IEC 61000-4-2/4-5等工业级EMC标准。　　通过RoHS认证，适用于绿色电子产品。
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发布时间：2026-03-20 14:44 阅读量：532 继续阅读>>
为智能健身注入高效动能|<span style='color:red'>萨瑞</span>微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理
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为智能健身注入高效动能|萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理

　　在现代智能健身器材中，高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET，凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性，成为跑步机、动感单车、划船机、力量器械等设备中电机控制与电源系统的理想半导体解决方案。　　一、产品核心特点　　1、先进沟槽单元设计　　采用高效Trench结构，实现低导通电阻与高开关速度的平衡。　　2、低热阻设计　　结到壳热阻(Rjc)仅为 1.3℃/W，散热性能优异，支持高功率持续输出。　　3、低栅极电荷与快速开关　　栅极电荷(Qg)低至 33.6nC(N沟道) 与 30nC(P沟道)，配合 ns 级开关时间，提升系统响应效率。　　4、全面可靠性保障　　100% EAS(雪崩能量)测试、100% Rg(栅极电阻)测试，确保每颗器件都符合严苛标准。　　5、环保工艺　　符合无卤、无铅环保要求，适用于绿色电子产品设计。　　二、关键性能参数　　作为一款兼顾高电流承载与低损耗的 MOSFET，SR45C03PS 的关键参数堪称 “实力派”：　　N沟道 MOSFET　　VDSS：30V　　RDS(on)：6.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A　　连续漏极电流：82A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：1.0V ~ 2.5V　　P沟道 MOSFET　　VDSS：-30V　　RDS(on)：7.0mΩ @ VGS=-10V, ID=-30A　　连续漏极电流：-75A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：-1.2V ~ -2.5V　　三、在健身器材中的核心应用　　跑步机　　高连续电流与峰值电流能力，满足电机驱动的动力需求，应对启动瞬间的冲击电流;低导通损耗减少长时间运行的能耗，配合宽温范围适配不同使用环境;　　筋膜枪　　N+P 沟道集成设计适配无刷电机驱动，快速开关响应支持精准 PWM 调速，实现多档位力度调节;紧凑封装与低功耗特性，助力产品小型化与长续航;　　动感单车　　稳定的功率控制性能适配电动磁控系统，实现 32 档以上精准调阻，让阻力变化均匀丝滑;低损耗设计延长设备使用寿命，适配智能阻力自动调节场景;　　椭圆机　　高效 DC-DC 转换能力助力能量回收系统，将运动产生的可变电压稳定转换，实现绿色能源再利用;　　健身功率计　　低栅极电荷与快速开关特性，提升功率检测的响应速度与精度，为运动数据监测提供可靠支持。
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发布时间：2026-01-20 11:49 阅读量：719 继续阅读>>
解决效率；电压尖峰问题！<span style='color:red'>萨瑞</span>微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案
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解决效率；电压尖峰问题！萨瑞微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案

　　MOS 管 DS 尖峰的产生是多重因素共同作用的结果，涉及电路寄生参数、开关速度、负载特性及驱动电路设计等关键环节。针对这一行业痛点，萨瑞微创新性推出 “低导通内阻(Rds (on))+ 低反向传输电容(Crss)+ 低输出电容(Coss)” 同步优化方案，实现效率提升与尖峰抑制的双重突破。　　核心参数优势　　器件本身及 MOS 管周边元件会随电压变化率(dv/dt)产生寄生电感。若电感值较大，MOS 管关断时会在电感两端产生高额压降，叠加于漏极电压形成峰值电压;其中寄生源极电感(Ls)在关断时还会产生反向峰值电压，进一步放大尖峰幅度。　　萨瑞微通过精准调控 Crss 与 Coss 参数，有效降低振荡反馈，从源头抑制尖峰产生。实测数据显示，方案可显著削减漏极电压尖峰，提升电路工作稳定性(相关波形测试结果见原文附图)。　　效率与散热性能提升　　(输入条件：Vin=90Vac/60Hz，输出规格：20V/3.25A)　　更低的 Rds (on) 带来显著性能优势：相同功耗下器件温升更低，不仅能降低热应力对器件寿命的影响，减少高温导致的参数漂移与失效风险，还可简化散热设计，大幅降低散热片的体积与成本投入。(实测效率如图)　　稳定的EMI性能　　传统MOS　　低Rds(on)+低Crss;Coss　　产品核心优势　　低导通内阻设计：提升电路转换效率，降低器件工作温度，延长使用寿命，有效提升效率0.2%。　　低寄生电容组合：有效减少 LC 振荡，从根源抑制电压尖峰，提升系统稳定性。　　无额外 EMI 干扰：参数协同优化避免电磁兼容风险，无需额外增加滤波成本。　　萨瑞微 “低 Rds (on)+ 低 Crss + 低 Coss” 方案，打破单一参数调控的行业局限，通过三者精准协同实现深度系统级优化，助力客户在电路效率与电压尖峰抑制之间达成更优工程平衡，为电源、逆变器等各类电力电子应用提供高可靠性解决方案。
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发布时间：2026-01-15 10:07 阅读量：665 继续阅读>>
专为安防网通设计：<span style='color:red'>萨瑞</span>微电子P0080TB-MC TSS保护器件，大通流低残压，为设备安全保驾护航
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专为安防网通设计：萨瑞微电子P0080TB-MC TSS保护器件，大通流低残压，为设备安全保驾护航

　　在安防监控、网络通信等设备中，各类接口(如RJ45网口、BNC视频端口等)常因静电放电(ESD)、雷击浪涌等瞬态过电压而损坏，严重影响系统稳定性和使用寿命。　　针对这一痛点，江西萨瑞微电子推出了一款性能优异的TSS系列浪涌保护器件——P0080TB-MC，以其大通流、低残压的卓越特性，成为安防、网通设备端口防护的可靠选择。　　› 01 产品核心优势：大通流、低残压　　大通流能力　　800A 峰值脉冲电流(10/700μs波形)，可抵御强浪涌冲击，满足国内外安规要求。　　多次浪涌冲击后性能不衰减，可靠性高，适用于恶劣电磁环境。　　低容低残压　　残压(Vs)仅为4V(@10mA)，有效钳位过电压，避免后级电路受损。　　导通电压低，响应速度快，能为敏感电路提供更平顺的保护。　　低电容(≤30pF)，不影响高速信号完整性。　　短路失效模式，过载后仍可提供一定保护，避免开路风险。　　符合无铅环保标准(E3级)，适合出口与绿色制造。　　› 02 关键电气参数速览　　该器件构建了由“预警-击穿-钳位”组成的层层递进的三重动态防护体系，其核心电气参数如下表所示：　　工作温度范围：-40℃ ~ +125℃，适用于户外及工业环境。　　› 03 实测性能解析　　根据萨瑞微实验室的测试报告，P0080TB-MC在浪涌冲击测试中表现优异：　　测试结果：　　可通过 4.2KV 浪涌测试(对应峰值电流约 112A)　　极限测试在 4.8KV 时产品击穿，仍表现出较高的浪涌耐受能力　　残压表现：在 4.2KV 浪涌下，钳位电压仅约 25–26V，展现优异的低残压特性。　　结论：该产品可满足绝大多数安防、通信设备的雷击浪涌防护需求，具备高可靠性。　　› 04 典型应用方案推荐　　RJ45网口静电浪涌防护方案　　用于交换机、路由器、网络摄像机等设备的以太网端口。　　P0080TB-MC并联在信号线与地之间，可有效吸收雷击感应、ESD等瞬态干扰，保护PHY芯片不受损。　　BNC视频端口静电浪涌防护方案　　适用于模拟摄像机、视频采集卡、监控矩阵等视频传输线路。　　在BNC接口的信号线与屏蔽层之间接入TSS，可抑制浪涌及静电脉冲，提升视频信号稳定性与设备寿命。　　选择萨瑞微，选择可靠　　在安防与通信设备日益追求高可靠性与长寿命的今天，端口防护已成为设计中的关键一环。　　萨瑞微电子P0080TB-MC TSS器件，凭借其大通流、低残压、高可靠的综合性能，为各类接口提供了一道坚固的“电压防火墙”，是工程师在安防、网通、工控等场景中实现稳健防护的优选器件。
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发布时间：2025-12-12 16:00 阅读量：797 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微STB58VCB651-T：专为POE端口防护而生的精密TVS
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江西萨瑞微STB58VCB651-T：专为POE端口防护而生的精密TVS

　　在网络设备迈向全智能化与高密度部署的今天，以太网供电(POE)技术已成为基石。其核心的48V电源端口，如同设备的“心血管”，至关重要却也异常脆弱。　　江西萨瑞微电子推出的 STB58VCB651-T瞬态电压抑制二极管，并非泛泛而谈的通用保护器件，而是一款为48V POE及DC电源端口静电浪涌防护精准定义的专业解决方案。　　› 01 精准定位：为何是58V?　　一切卓越防护始于精准的电压定位。STB58VCB651-T的反向断态电压(VRWM)为58V，这是一个极具针对性的设计。　　STB58VCB651-T核心参数　　完美匹配POE标准：IEEE 802.3bt标准下，58V的VRWM确保了TVS在设备正常工作时完全处于高阻态，漏电流极低(典型值<1µA)，如同一位沉默的哨兵，绝不干扰系统本身的电力传输。　　充足的安全裕量：为电源本身的波动和纹波预留了合理空间，杜绝了在正常工况下的误触发风险，保证了防护的“智能性”。　　› 02 核心防护参数深度解读：三重安全边界　　该器件构建了由“预警-击穿-钳位”组成的层层递进的三重动态防护体系，其核心电气参数如下表所示：　　› 03 实测性能解析　　根据萨瑞微实验室的测试报告，STB58VCB651-T在浪涌冲击测试中表现优异：　　浪涌测试通过5.0KV：在10/700μs波形、40Ω阻抗条件下，样品可持续承受5.0KV的浪涌电压，冲击电流达130A，各项参数保持稳定。　　直流特性符合防护需求：在58V下的反向漏电流IR均低于0.02μA，表现出优良的绝缘特性，适用于48V系统防护。　　› 04 关键要点分析　　1. 响应速度的巅峰：其响应时间典型值小于1.0皮秒(ps)。这意味着从感应到过压到开始钳位的物理延迟极短，足以应对最前沿陡峭的ESD脉冲。　　2. 双波形防护能力：器件详细区分了10/1000µs(长时感应雷)和8/20µs(短时直击雷)两种标准浪涌波形下的性能。在8/20µs波形下IPP高达650A，展现了应对直接雷击感应电流的强悍实力。　　› 05 固定应用场景：POE端口的“贴身保镖”　　DC/48V 电源端口静电浪涌防护　　完美适配安防行业广泛采用的48V POE标准，为摄像机、无线AP等受电设备(PD)的电源入口提供第一道、也是最重要的电压钳位防线。　　POE端口静电浪涌防护方案　　TVS的接地路径必须尽可能短、走线宽，以减小寄生电感，确保高频浪涌电流能快速泄放。在紧凑设计中，TVS前端可串联小阻值电阻或磁珠，与后级设备输入电容形成退耦，优化钳位效果并分担应力。　　选择萨瑞微，选择可靠　　这颗料不仅是参数的集合，更是江西萨瑞微电子技术实力的体现。从精准的芯片设计、严格的晶圆制造到高可靠性的封装测试，萨瑞微通过IDM(垂直整合制造)模式实现了全流程品质可控。　　STB58VCB651-T凭借其精准的电压匹配、业界领先的响应速度、强大的浪涌吸收能力以及全面的工业级可靠性设计，已成功导入多家主流网络设备供应商的供应链，成为48V端口防护领域经过市场验证的标杆产品。
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发布时间：2025-12-08 13:41 阅读量：761 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微电子推出M4SMFxxA-LC系列TVS：低负压钳位技术引领电路保护新方向
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江西萨瑞微电子推出M4SMFxxA-LC系列TVS：低负压钳位技术引领电路保护新方向

　　在日益精密的电子设备中，瞬态电压抑制二极管(TVS)作为电路保护的"安全卫士"，其性能直接关系到整个系统的可靠性。江西萨瑞微电子最新推出的M4SMF24A-LC和M4SMF28A-LC系列TVS二极管，以其创新的低负压钳位技术，为电路保护领域带来了突破性解决方案。　　› 01 系列产品概览：双型号覆盖主流应用　　萨瑞微电子此次推出的两个型号分别针对不同的工作电压需求：　　M4SMF24A-LC核心参数：　　M4SMF28A-LC核心参数：　　两款产品均采用SMF/SOD-123FL封装，在仅3.0×1.9mm的微小空间内实现了卓越的保护性能。　　› 02 核心技术突破：低负压钳位的革命性意义　　什么是不对称钳位?　　传统TVS二极管通常提供对称的双向保护，但实际电路中，正向和负向的瞬态威胁往往不同。萨瑞微电子的M4SMFxxA-LC系列采用创新的不对称钳位设计：　　实测钳位性能对比：　　M4SMF24A-LC：　　正向钳位(PIN1→PIN2)：34V　　负向钳位(PIN2→PIN1)：8V　　M4SMF28A-LC：　　正向钳位(PIN1→PIN2)：34V　　负向钳位(PIN2→PIN1)：9V　　› 03 实测性能验证：实验室数据说话　　M4SMF24A-LC测试结果(5样品)：　　VBR@1mA：26.64-26.96V(均在25.2-28.5V规范内)　　IR@24V：0.003-0.052μA(远低于≤1μA标准)　　一致性表现优秀，全部PASS　　负向钳位效果显著：　　200V冲击：钳位电压8.6-9V，电流90.4A　　400V冲击：钳位电压17.2-17.6V，电流184-186A　　全部样品在各级别测试中均通过　　M4SMF28A-LC测试结果(10样品)：　　VBR@1mA：32.42-33.33V(符合31.1-34.4V规范)　　IR@28V：0.014-0.083μA(优于≤1μA标准)　　良率100%，全部PASS　　正接时(负向保护)表现出极高的负向浪涌承受能力和超低钳位电压：　　100V冲击：钳位电压仅4.16-4.24V　　200V冲击：钳位电压6.8-7V，电流92A　　400V冲击：钳位电压12-12.4V，电流184-188A　　600V冲击：钳位电压18-19.2V，电流272-276A　　在650V极高冲击下才出现保护性短路　　关键发现： M4SMF28A-LC在正接测试中，即使面对200V的高浪涌冲击，负向钳位电压仍能保持在7V左右，充分验证了其卓越的低负压钳位能力。　　低负压的技术价值　　低负压的技术价值：充电保护的关键突破　　这种负向极低钳位电压的特性，在各类充电接口应用中具有重要价值：　　Type-C接口保护　　现代Type-C接口集成了高速数据、音频视频和充电功能，其中CC逻辑控制芯片对负向电压极其敏感。M4SMF28A-LC的9V负向钳位电压为这些精密芯片提供了精准保护。　　快充协议保护　　在QC、PD等快充协议中，协议识别芯片工作电压低，对负向浪涌耐受度差。低负压TVS确保协议握手过程不因电压扰动而中断。　　充电端口热插拔保护　　用户热插拔充电器时产生的负向电压振铃，可能损坏充电管理IC。传统TVS钳位电压较高，保护效果有限，而M4SMF系列的低负压特性能够及时钳制这些瞬态威胁。　　无线充电系统　　无线充电线圈中的反向感应电动势会产生负向电压尖峰，低负压TVS为功率接收端的精密整流电路提供可靠保护。　　› 04 应用场景深度解析　　电源端口保护　　保护优势：　　低负压钳位(8-9V)有效保护电源管理IC　　6400W高浪涌防护应对电源线引入的雷击浪涌　　防止热插拔和感性负载产生的负向电压尖峰　　低速通信端口保护　　快速响应(<1.0ps)有效抑制ESD静电　　低电容设计不影响信号完整性　　30kV ESD防护等级满足严苛环境要求　　选择萨瑞微，选择可靠　　在电路保护技术日益重要的今天，萨瑞微电子通过M4SMF24A-LC和M4SMF28A-LC系列产品，展现了在TVS技术领域的创新实力。其独特的低负压钳位特性不仅解决了实际应用中的痛点，更为电子设备提供了更加精准、可靠的保护方案。　　随着5G、物联网、汽车电子等领域的快速发展，对电路保护器件提出了更高要求。萨瑞微电子此系列产品的推出，正当时且具有重要的技术意义。
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发布时间：2025-11-27 13:24 阅读量：730 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微电子荣获2025年“江西名牌产品”称号
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江西萨瑞微电子荣获2025年“江西名牌产品”称号

　　近日，江西省品牌建设促进会正式发布《关于认定2025年江西名牌产品的公告》，江西萨瑞微电子技术有限公司凭借卓越的产品质量、领先的技术实力和良好的市场口碑，成功荣获2025年“江西名牌产品” 称号，这一荣誉是对萨瑞微电子综合实力的高度认可。　　权威认证，实至名归　　“江西名牌产品”认定是江西省为深入实施质量强省战略而开展的重要工作，其认定标准严苛、程序规范。根据《江西名牌产品认定管理办法》有关规定，认定过程需要经过企业自愿申请、省级行业协会审核推荐、组织审查、行业评审、现场评审、市场测评、征求行业协会意见、专家委员会会议审议及社会公示等多项严格程序。　　此次认定工作贯彻落实了《国家发展改革委等部门关于新时代推进品牌建设的指导意见》和《中共江西省委江西省人民政府关于深化质量强省建设的实施意见》精神，旨在培育一批具有核心竞争力的江西品牌，推动全省经济高质量发展。　　技术实力，铸就品牌基石　　江西萨瑞微电子技术有限公司自成立以来，始终坚持以技术创新为驱动，以产品质量为生命，在半导体分立器件领域深耕不辍。　　公司采用IDM(垂直整合制造)模式，集芯片设计、晶圆制造、封装测试与应用服务于一体，建立了完善的质量管理体系和技术创新平台。　　核心产品优势显著　　功率器件系列：包括MOSFET、IGBT等产品，性能指标达到行业先进水平　　保护器件系列：ESD/TVS等电路保护器件响应速度快，可靠性高　　第三代半导体：SiC、GaN器件技术取得突破性进展　　先进封装技术：多系列封装产品满足不同应用场景需求　　品质卓越，赢得市场认可　　萨瑞微电子的产品以优异的性能、稳定的质量和可靠的服务，赢得了国内外客户的广泛信赖，市场占有率持续提升。公司产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制、新能源等领域，与多家行业龙头企业建立了稳定的合作关系。　　此次荣获“江西名牌产品”称号，不仅是对萨瑞微电子产品质量的肯定，更是对公司品牌影响力、市场竞争力、技术创新能力的全面认可。　　公司将继续加大研发投入，强化技术创新，完善质量管理体系，为客户提供更优质的产品和解决方案，助力江西制造业高质量发展，为中国半导体产业的繁荣发展贡献更多力量!
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发布时间：2025-11-13 13:55 阅读量：789 继续阅读>>

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