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豫之鑫Coilleader羰基粉大<span style='color:red'>电流</span>贴片功率电感YZXTYT1265P Series

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豫之鑫Coilleader羰基粉大电流贴片功率电感YZXTYT1265P Series

　　前言　　羰基粉大电流贴片功率电感是一种新型的电感器件，它通过利用羰基粉材料来提高电感器件的功率承载能力。随着电子设备的日益智能化和高功率化，对功率电感的需求也越来越大。传统的电感材料在承载大电流时容易出现过热现象，影响电子设备的正常运行。而羰基粉作为一种高热导率和低电阻率的复合材料，具有优良的导热性能和电流承载能力。　　特性　　羰基粉大电流贴片功率电感具有体积小、重量轻、高效能的特点，可以在有限的空间内实现高功率传输和节省设备尺寸。同时，该电感器件在高频和高温环境下表现出良好的稳定性和可靠性，适用于各种工业和消费电子产品。　　羰基粉电感与普通电感的区别　　一、材料不同　　羰基粉电感的主要材料是氧化铁、羰基铜等材料，而普通电感一般采用铁芯、空气芯等材料。　　二、性能不同　　羰基粉电感因为其材料的缘故，具有高电感、低直流电阻、低高频失谐等特点。另外，羰基粉电感的磁性能可以通过改变其组成、内部结构和形状等方式进行调节和改良，可以适应不同频率、功率、温度等环境。而普通电感的性能相对平庸，往往会有较大的电流损耗和高频失谐。　　产品信息　　A. 产品尺寸　　B.饱和电流与感值曲线图　　YZXTYT1265P-1.5uHM　　YZXTYT1265P Series　　成份　　产品特色　　✦符合AEC-Q200车规认证　　✦符合RoHS、REACH、无卤等环保要求　　✦工厂通过IATF16949认证

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豫之鑫

发布时间：2024-08-27 09:24 阅读量：1718 继续阅读>>

江苏润石：RS299系列高压集成<span style='color:red'>电流</span>检测芯片

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江苏润石：RS299系列高压集成电流检测芯片

　　RS299系列是一款支持高工作电压、宽共模输入电压范围的集成电流检测芯片，工作电压支持4.5V至76V，共模输入电压范围亦支持4.5V至76V;可以很好应对24V、48V母线电压系统的电流采集应用。　　RS299系列提供20、50、60、100四种固定增益，增益误差低至0.25%，以使其能满足更多的应用场景和电流采集精度。　　其他主要参数特性如下：　　Ø 增益带宽(GBP)：135KHz;　　Ø 低输入失调电压(Vos)：100μV;　　Ø 低输入偏置电流(IB)：9.5μA;　　Ø 低功耗(Iq)：135μA;　　Ø 高电源纹波抑制比(PSRR)：130dB　　Ø 高共模抑制比(CMRR)：130dB　　Ø 容性负载能力;500pF　　Ø 扩展级工业温度范围：-40°C ~ 125°C。　　RS299典型应用电路　　注：REF1A、REF1B可以短接在一起提供参考电压，也可以REF1A给参考电压、REF1B接GND，借助内部电阻分压。

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江苏润石

发布时间：2024-07-26 09:35 阅读量：1655 继续阅读>>

福佑斯：1032HA/24Q——体积小，分断高，<span style='color:red'>电流</span>小

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福佑斯：1032HA/24Q——体积小，分断高，电流小

　　1032HA/24Q——体积小，分断高，电流小，高电流砖熔断器。　　符合UL 248-1/UL 248-14标准，完全兼容无铅焊料和高温型材料。　　上海福佑斯电器　　上海福佑斯电器有限公司成立于2005年，是专业从事电路保护元件研发、生产和销售的高新技术企业。产品包括贴片保险丝、超小型保险丝、管状保险丝、低压熔断器、温度保险丝、汽车保险丝、自恢复保险丝、保险丝座 (盒)、放电管等，广泛运用于各类电器、消费类电子、电源设备、汽车电子、新能源、智能照明、通讯、电动工具和工控产品等领域。　　公司坚持秉承“自主创新、自主研发，为客户创造有价值的电路保护”的经营理念，凭借经验丰富的技术团队、先进的生产设备和管理、科学的测试手段、完善的质控体系，福佑斯已成为众多国内外知名企业的电路保护元件供应商。

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福佑斯

发布时间：2024-07-25 09:04 阅读量：1360 继续阅读>>

实现<span style='color:red'>电流</span>和控制信号分离，罗姆新型SiC封装模块助力实现更小型的xEV逆变器

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实现电流和控制信号分离，罗姆新型SiC封装模块助力实现更小型的xEV逆变器

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罗姆

发布时间：2024-07-24 09:31 阅读量：1294 继续阅读>>

Littelfuse：新增ITV2718 5安培额定<span style='color:red'>电流</span>电池保护器系列，用于防止锂电池组损坏

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Littelfuse：新增ITV2718 5安培额定电流电池保护器系列，用于防止锂电池组损坏

　　下一代智能手机、游戏机和其他消费电子产品的理想之选　　Littelfuse宣布对其ITV2718表面安装锂电池保护器系列进行扩展。这些保险丝可保护锂电池组在快速充电当中免受过流和过充(过压)情况的影响。　　ITV2718电池保护器　　最新推出的ITV2718尺寸为2.7 x 1.8mm，提供5安培、三端子保险丝。这种创新设计可利用嵌入式保险丝和加热器元件组合快速做出反应，在过充或过热情况发生之前中断电池组的充电或放电电路。　　IITV2718电池保护器适用于各种消费电子产品，包括：　　游戏控制台　　自动紧急呼叫系统　　便携式路由器　　便携式调制解调器　　智能手机　　笔记本电脑和平板电脑　　"通过进一步扩展我们的ITV锂电池组保护保险丝系列，将这些额定电流为5安培的新器件纳入其中，Littelfuse为电子工程师的下一代消费电子产品设计提供了更多选择。”Littelfuse全球产品经理Stephen Li谈到，“继续扩大我们的表面安装、三端子电池组保护器产品组合，使我们能够为这些产品开发团队提供更强大、更创新的电池保护解决方案。”　　ITV2718提供以下关键优点：　　通过快速响应时间和低内阻防止电池组过流和过充损坏;　　表面安装设计简化了印刷电路板 (PCB) 的自动组装流程;　　通过UL和TUV认证满足行业安全要求，以加快合规性审批;　　无卤素且符合RoHS标准的环保组件。　　工作原理　　嵌入式三端子保险丝在发生过流情况时立即切断电路。加热器元件直接嵌入保险丝元件下方，一旦集成电路或场效应管检测到过充，就会产生足够的热量来熔断保险丝。

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Littelfuse

发布时间：2024-07-23 10:57 阅读量：2256 继续阅读>>

新一代<span style='color:red'>电流</span>传感器，趋向耐高压、高集成度

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新一代电流传感器，趋向耐高压、高集成度

　　电流传感器称为电流互感器、电流变压器，主要作用是检测和测量电路中电流大小的设备，通过对电流的监测，确保系统的安全运行并提供必要的数据支持，具备电路保护、电流性能监测、高低压隔离等关键作用，还可以用于测量和控制电机的功率，确保设备的稳定运行。电流传感器可用于汽车、工业自动化、可再生能源、家用电器等各种电子设备和系统中。随着电子设备对耐高压、安全性和高集成度的要求，电流传感器也迎来迭代。在电动汽车上，电流传感器可以应用于电动机控制、电池管理、功率分配以及故障诊断等多个方面。当前，为了提升电动汽车的充电速率、提高能量效率、增加续航里程，越来越多的新能源汽车采用800V高压平台。这对电流传感器的性能也提出了更高的要求。由于800V高压平台涉及的电流测量范围较广，因此需要电流传感器要有更高的精度。同时高压快充应用的电流变化速度快，要求电流传感器要快速响应，实时监测和控制电流。更重要的是，需要耐高压。此前，为了达到隔离标准，电流传感器应用在800V电动车电池组和充电器等高压3类能源中会采用双重隔离屏障，例如基本(单一)隔离器件需要加入隔离放大器等额外的元件。迈来芯在近期推出了全新的电流传感器新品——MLX91220(5V)和MLX91221(3V)，并且获得了新安全认证UL/IEC 62368-1，可面向有更高电压隔离要求的系统。根据介绍，MLX91220(5V)和MLX91221(3V)具备增强隔离功能，无需额外的隔离屏障。其中，采用微型化的SOIC8窄体封装的基本隔离为715V，增强隔离为307V。SOIC16封装的基本隔离1415V，增强隔离707V。在其他性能方面，两款新品具有300 kHz的带宽，2微秒的短响应时间，并支持0~50A RMS的电流范围，支持精准测量、快速响应的应用需求。由于出色的增强隔离功能和精准的测量性能，迈来芯的MLX91220、MLX91221不仅适用于高压充电器，还能应用于汽车车载充电器(OBC)、DC/DC转换器、可再生能源逆变器、白色家电和机器人等。除了提升隔离性能，电流传感器还在集成度上不断迭代。例如纳芯微在近期推出的完全集成的高隔离电流传感器解决方案NSM2311。这款传感器以其独特的技术亮点和创新设计，吸引了广泛的关注。 NSM2311传感器采用了先进的集成技术，DIP-5封装设计，能够在紧凑的封装中提供高性能的电流检测，解决了传统的开环电流传感器模组体积大、成本高、精度不足等问题，更适用于储能、充电桩、电源(UPS)，以及小型驱动器等对产品尺寸有要求的应用。NSM2311 在性能方面，NSM2311具备超低原边阻抗100uΩ，通流能力达200A，6.9mm的爬电距离，耐受隔离耐压高达5000Vrms ，还有1358Vdc的基本绝缘工作电压、672Vdc的加强绝缘工作电压能力。电流传感器在现代电气系统中扮演着越来越重要的角色。随着技术的不断进步，迈来芯和纳芯微的新一代电流传感器，不仅提高了电流检测的准确性和可靠性，还通过其创新设计和高性能，满足了各种应用场景的需求。这些传感器的推出，将推动电气系统向更安全、更高效、更智能的方向发展。

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电流传感器

发布时间：2024-07-23 09:35 阅读量：1758 继续阅读>>

思瑞浦发布首款汽车级<span style='color:red'>电流</span>检测放大器TPA132Q！具备PWM抑制能力，助力新能源汽车电机驱动、工控智能感知！

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思瑞浦发布首款汽车级电流检测放大器TPA132Q！具备PWM抑制能力，助力新能源汽车电机驱动、工控智能感知！

　　聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器的半导体供应商思瑞浦3PEAK(股票代码：688536)全新推出具有增强PWM抑制能力的汽车级双向电流检测放大器TPA132Q。　　TPA132Q在高频噪声环境下，提供了出色的电流检测精度和快速响应，可广泛应用于新能源汽车电机驱动、电源管理和工业自动化等领域。　　在汽车电机驱动和工业控制等应用中，PWM(脉宽调制)波常用于调节电机速度、位置或控制阀门的开关状态。PWM信号通过频繁的开关操作来调节电压和电流，然而，这些高频开关操作会带来明显的共模瞬变(ΔV/Δt)，对电流检测电路带来噪声干扰、瞬态误差等一系列挑战。　　TPA132Q因其增强PWM抑制能力、超宽共模电压范围(-4V至80V)、高带宽(1MHz)和高精度低漂移等特性，成为这类应用中电流检测应用的理想选择。　　TPA132Q典型应用　　TPA132Q产品优势　　增强的PWM抑制能力　　TPA132Q采用了独特的电路设计，能够有效抑制由PWM引起的输入共模瞬态。这一优势保证了在电机驱动和电磁阀控制等高频噪声环境中，电流检测依然保持高精度和稳定性。下图显示了输入共模从0V到80V跳变时，输出共模电压基本稳定不变。此外提供高达150dB的直流共模抑制比(CMRR)。　　TPA132Q共模瞬态响应　　宽共模电压范围　　TPA132Q的宽共模电压范围(-4V至80V)使其能够在各种复杂电压环境下可靠工作，有效避免因电压超出范围而导致的检测失误，可用于高边和低边检测场景。例如，在电磁阀应用中，高边开关从开启到关闭的过程中，由于感性负载(电磁阀线圈)对电流的影响，共模电压可能从正48V变到负0.7V，TPA132Q都能够正常工作。　　TPA132Q电磁阀应用负电压输入　　高精度和低漂移　　对于电机驱动和电磁阀等工业控制，精准的电流检测至关重要。TPA132Q具有极低的增益误差(±0.05%)和增益温漂(1.5 ppm/°C)，以及极低的失调电压(±20 μV)和失调温漂(0.15 uV/°C)，确保了电流检测的高精度和长期稳定性。　　TPA132Q增益误差温漂曲线　　上下电过程中输出信号无毛刺　　在电机驱动等系统中，电流检测是实现闭环控制的重要环节。一些放大器在上电或者下电过程中，由于内部电路节点是不可控的状态，放大器输出信号可能会出现短脉冲，这些短脉冲可能会对引起后级系统的误动作。TPA132Q通过设计优化，即使在有80V输入共模时，电源上下电过程中输出信号也没有误脉冲。　　TPA132Q上下电输出无毛刺　　TPA132Q产品特性　　1: 供电电压：3.0V~5.5V　　2: 共模电压：-4V~80V　　3: 增强的PWM抑制能力　　4: 上下电输出无毛刺　　5: 低失调电压：±20μV　　6: 高带宽：1MHz　　7: 内部增益选项：20V/V、50V/V、100V/V、200V/V(1)、500V/V　　8: 高共模抑制比CMRR：150dB DC　　9: AEC-Q100认证　　10: 封装：SOP8、TSSOP8

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思瑞浦

发布时间：2024-07-22 14:28 阅读量：1620 继续阅读>>

MOS管小<span style='color:red'>电流</span>发热怎么处理？

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MOS管小电流发热怎么处理？

　　Source、Drain、Gate —— 场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G。(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)　　先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。　　Drain→Source穿通击穿：　　这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了通路，所以叫做穿通(punch through)。　　那如何防止穿通呢?这就要回到二极管反偏特性了，耗尽区宽度除了与电压有关，还与两边的掺杂浓度有关，浓度越高可以抑制耗尽区宽度延展，所以flow里面有个防穿通注入(APT：AnTI Punch Through)，记住它要打和well同type的specis。　　当然实际遇到WAT的BV跑了而且确定是从Source端走了，可能还要看是否 PolyCD或者Spacer宽度，或者LDD_IMP问题了，那如何排除呢?这就要看你是否NMOS和PMOS都跑了?POLY CD可以通过Poly相关的WAT来验证。对吧?　　对于穿通击穿，有以下一些特征：　　✦穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐步增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，产生电流较大。另一方面，耗尽层展宽大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。　　✦穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时，此时源端的载流子注入到耗尽层中，被耗尽层中的电场加速达到漏端，因此，穿通击穿的电流也有急剧增大点，这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同，这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流，而雪崩击穿时的电流主要为PN结反向击穿时的雪崩电流，如不作限流，雪崩击穿的电流要大。　　✦穿通击穿一般不会出现破坏性击穿。因为穿通击穿场强没有达到雪崩击穿的场强，不会产生大量电子空穴对。　　✦穿通击穿一般发生在沟道体内，沟道表面不容易发生穿通，这主要是由于沟道注入使表面浓度比浓度大造成，所以，对NMOS管一般都有防穿通注入。　　✦一般的，鸟嘴边缘的浓度比沟道中间浓度大，所以穿通击穿一般发生在沟道中间。　　✦多晶栅长度对穿通击穿是有影响的，随着栅长度增加，击穿增大。而对雪崩击穿，严格来说也有影响，但是没有那么显著。　　Drain→Bulk雪崩击穿：　　这就单纯是PN结雪崩击穿了(Avalanche Breakdown)，主要是漏极反偏电压下使得PN结耗尽区展宽，则反偏电场加在了PN结反偏上面，使得电子加速撞击晶格产生新的电子空穴对 (Electron-Hole pair)，然后电子继续撞击，如此雪崩倍增下去导致击穿，所以这种击穿的电流几乎快速增大，I-V curve几乎垂直上去，很容烧毁的。(这点和源漏穿通击穿不一样)　　那如何改善这个junction BV呢?所以主要还是从PN结本身特性讲起，肯定要降低耗尽区电场，防止碰撞产生电子空穴对，降低电压肯定不行，那就只能增加耗尽区宽度了，所以要改变 doping profile了，这就是为什么突变结(Abrupt junction)的击穿电压比缓变结(Graded junction)的低。这就是学以致用，别人云亦云啊。　　当然除了doping profile，还有就是doping浓度，浓度越大，耗尽区宽度越窄，所以电场强度越强，那肯定就降低击穿电压了。而且还有个规律是击穿电压通常是由低浓度的那边浓度影响更大，因为那边的耗尽区宽度大。公式是BV=K*(1/Na+1/Nb)，从公式里也可以看出Na和Nb浓度如果差10倍，几乎其中一个就可以忽略了。　　那实际的process如果发现BV变小，并且确认是从junction走的，那好好查查你的Source/Drain implant了。　　Drain→Gate击穿：　　这个主要是Drain和Gate之间的Overlap导致的栅极氧化层击穿，这个有点类似GOX击穿了，当然它更像Poly finger的GOX击穿了，所以他可能更care poly profile以及sidewall damage了。当然这个Overlap还有个问题就是GIDL，这个也会贡献Leakage使得BV降低。　　上面讲的就是MOSFET的击穿的三个通道，通常BV的case以前两种居多。Off-state下的击穿，也就是Gate为0V的时候，但是有的时候Gate开启下Drain加电压过高也会导致击穿的，我们称之为On-state击穿。这种情况尤其喜欢发生在Gate较低电压时，或者管子刚刚开启时，而且几乎都是NMOS。所以我们通常WAT也会测试BVON。　　02、如何处理MOS管小电流发热严重情况?　　MOS管，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。　　无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。　　我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。　　另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。　　03、MOS管小电流发热的原因　　✦电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。　　✦频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。　　✦没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。　　✦MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。　　04、MOS管小电流发热严重怎么解决　　✦做好MOS管的散热设计，添加足够多的辅助散热片。　　✦贴散热胶。　　05、MOS管为什么可以防止电源反接?　　电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我们就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。　　一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就3.7V，你就用二极管降了0.6V，使得电池使用时间大减。　　MOS管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A(这个电流已经很大了)，在他上面的压降只有6.5毫伏。由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。　　NMOS管防止电源反接电路：　　正确连接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，所以S的电位大概就是0.6V，而G极的电位，是VBAT，VBAT-0.6V大于UGS的阀值开启电压，MOS管的DS就会导通，由于内阻很小，所以就把寄生二极管短路了，压降几乎为0。　　电源接反时：UGS=0，MOS管不会导通，和负载的回路就是断的，从而保证电路安全。　　PMOS管防止电源反接电路：　　正确连接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，电源与负载形成回路，所以S极电位就是VBAT-0.6V，而G极电位是0V，PMOS管导通，从D流向S的电流把二极管短路。　　电源接反时：G极是高电平，PMOS管不导通。保护电路安全。　　连接技巧：NMOS管DS串到负极，PMOS管DS串到正极，让寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向。　　感觉DS流向是“反”的?仔细的朋友会发现，防反接电路中，DS的电流流向，和我们平时使用的电流方向是反的。　　为什么要接成反的?利用寄生二极管的导通作用，在刚上电时，使得UGS满足阀值要求。　　为什么可以接成反的?如果是三极管，NPN的电流方向只能是C到E，PNP的电流方向只能是E到C。不过，MOS管的D和S是可以互换的。这也是三极管和MOS管的区别之一。　　06、MOS管功率损耗测量　　MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢?　　功率损耗的原理图和实测图　　一般来说，开关管工作的功率损耗原理图下图所示，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量体现在“导通状态”，而关闭状态的损耗很小几乎为0，可以忽略不计。　　实际的测量波形图一般下图所示。　　MOSFET和PFC MOSFET的测试区别　　对于普通MOS管来说，不同周期的电压和电流波形几乎完全相同，因此整体功率损耗只需要任意测量一个周期即可。但对于PFC MOS管来说，不同周期的电压和电流波形都不相同，因此功率损耗的准确评估依赖较长时间(一般大于10ms)，较高采样率(推荐1G采样率)的波形捕获，此时需要的存储深度推荐在10M以上，并且要求所有原始数据(不能抽样)都要参与功率损耗计算，实测截图下图所示。

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MOS管

发布时间：2024-07-17 14:18 阅读量：1470 继续阅读>>

类比半导体：汽车电子中的精准<span style='color:red'>电流</span>检测

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类比半导体：汽车电子中的精准电流检测

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类比半导体

发布时间：2024-07-17 13:44 阅读量：1673 继续阅读>>

帝奥微电子推出车规级零漂移双向<span style='color:red'>电流</span>检测放大器DIA2488

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帝奥微电子推出车规级零漂移双向电流检测放大器DIA2488

　　随着智能化和电气化在汽车上的不断发展，出于智能控制和安全方面考虑，汽车上各类电机、螺线管和泵阀应用越来越多，对这些设备的精细控制，电流检测非常关键。　　针对高精度电流检测应用。帝奥微推出了具有业界领先水平的车规级电流检测放大器产品DIA2488。DIA2488是一款零漂移双向电流检测放大器，支持-0.1V至30V共模输入电压范围，具有5μV的Vos，0.05%的增益误差，可用于高边或低边电流检测。产品具有三种固定增益版本，即50V/V、100V/V和200V/V。这些器件采用SC70-6小封装，符合AEC-Q100规范，适用于汽车标准的Grade1温度范围(-40°C至125°C)。　　典型应用　　DIA2488　　DIA2488共模输入电压范围在-0.1V至30V，电源供电电压范围2.7V至30V。器件测量电流流过电阻分流器时在该电阻上产生的电压实现电流检测。根据REF引脚的配置方式，DIA2488可应用于单向或双向电流检测。　　01、单向电流检测　　在一个方向上测量流经电阻分流器的电流。单向检测最常见的做法是通过REF 引脚接地来将输出摆幅设定在地信号电平以上。　　REF引脚直接接地时，输出电压偏置至该零电平。对于正差分输入(相对于IN-)信号，输出上升至高于基准电压，但对于负差分输入信号，由于基准电压接地，输出不能低于基准电压。　　02、双向电路检测　　在两个方向上测量流经电阻分流器的电流。通过在 REF 引脚上施加电压，可以测量电阻分流器上两个方向的电流。这种双向检测在包括有充电和放电操作的应用中十分常见。　　当REF引脚连接到基准电压时，输出电压在此基准电平上偏置。对于正差分输入信号，输出上升至高于基准电压，但对于负差分输入信号，输出降至低于基准电压。　　产品优势　　DIA2488　　01、零漂移架构，高精度电流检测　　DIA2488零漂移放大器可提供超低输入失调电压，随温度和时间变化接近零漂移。DIA2488在–40°C至125°C 的整个温度范围内，具有很低的失调电压和温漂及增益误差，得益于这些优秀的性能指标，DIA2488在不受环境温度变化影响下能够实现稳定的电流测量。　　02、内部集成增益电阻，增益倍数规格可选　　内置增益电阻提高了电阻精度，从而降低温漂对电流检测精度的影响，也可减少外部噪声的拾取，增加运放噪声灵敏度。内置的增益电阻还减少了电路器件数量，能够节省用户PCB 占用面积，并简化布局。　　DIA2488提供3个高精度增益规格的产品：50V/V，100V/V，200V/V。　　03、SC70-6小封装产品，外形尺寸2.07*1.26(mm)　　主要功能特性　　DIA2488　　• 符合AEC-Q100规范　　• 供电电压范围：2.7～30V　　• 共模输入电压：-0.1～30V　　• 输入失调电压：±5μV　　• 高精度检测：　　增益误差：±0.05%　　温漂：0.1μV/℃　　增益漂移：5ppm/℃　　• 增益可选：　　DIA2488A：50V/V　　DIA2488B：100V/V　　DIA2488C：200V/V　　• 输入电压噪声：54nV/√Hz　　• 静态电流：63uA　　• 封装尺寸：SC70-6　　高性能运算放大器产品作为帝奥微信号链产品线的“硬核”产品之一，经过不断的技术升级与突破，产品众多，性能优越。目前已有的运放产品包含通用放大器、低噪声放大器、高精度放大器、低功耗放大器、高速放大器、电流检测放大器等。　　DIA2488已经正式送样，广泛应用于汽车各类电机、螺线管和泵阀驱动电流检测电路。同时我们也提供DIO2488工规产品，可应用于多类工业消费应用。

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帝奥微电子

发布时间：2024-07-15 11:12 阅读量：2094 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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