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<span style='color:red'>手机</span>中温补晶振（TCXO）的作用

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手机中温补晶振（TCXO）的作用

　　手机中的温补晶振(TCXO)是一种高稳定度的晶体振荡器，能够根据温度变化自动调整输出频率，从而维持精准的时钟和频率信号。　　在手机中，TCXO 主要发挥以下作用：　　一、提供稳定的频率源　　手机在不同环境和温度条件下工作时，需要稳定的频率源来保证无线通信的准确与可靠。TCXO 能够在温度变化时保持频率输出的相对稳定。　　二、提升通信质量　　稳定的频率源对移动通信至关重要，有助于减少数据传输中的错误与丢失，从而提升通信质量。　　三、实现低功耗运行　　与其他高稳定度振荡器相比，TCXO 通常功耗更低。这对依赖电池供电的手机来说尤为重要。　　四、支持 GPS 与定位服务　　TCXO 也常用于手机的 GPS 模块，为接收器提供稳定的时钟信号，从而提高定位精度。　　综上所述，TCXO 在手机中作为关键频率源，为通信、定位等多种功能提供稳定而准确的频率基准，保障了手机各项功能的正常运行。

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晶振

发布时间：2025-11-13 15:43 阅读量：303 继续阅读>>

<span style='color:red'>手机</span>快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

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手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

　　产品概述　　随着手机快充技术的飞速迭代，“充电5分钟，通话两小时”早已不是新鲜事——各大厂商为追求更快充电速度，纷纷加码高压大电流方案，这也给充电电路的核心元器件提出了更高要求。而力芯微最新推出的EM14DN30Z 30V共源级双N MOS，正是为解决手机快充痛点而来，堪称智能手机快充的“理想搭档”。　　为什么现在的手机快充，离不开这款双N MOS?如今的手机充电场景早已不单一：既要支持有线快充，又要兼容无线充电，还得兼顾充电口的安全防护与低功耗。过去依赖OVP(过压保护)电路的方案，逐渐跟不上“高压大电流+双充电路径”的需求——而EM14DN30Z的出现，恰好补上了这一缺口。　　它专为手机快充设计，采用背靠背共源级双N MOS结构，能完美实现有线充电与无线充电的路径隔离，避免不同充电模式切换时的电路冲突;同时配合Switched Capacitor Direct Charger(开关电容直充技术)的GATE驱动与过压检测，直接替代传统OVP电路，既简化了设计，又提升了防护可靠性。　　EM14DN30Z产品介绍　　产品特性　　· 漏源电压：30V;　　· 最大通流：14A;　　· 超低导通内阻(RON)：R_DSON(D1,D2) = 7.2mΩ @ VGS = 10V　　· 背靠背双向阻断功能;　　· 小型化封装CSP22L (2.0mm*2.0mm, ball pitch=0.4mm)图1. EM14DN30Z封装信息　　EM14DN30Z三大核心亮点　　一款优秀的快充元器件，既要“能扛压”，又要“低损耗”，还得“不占地”——EM14DN30Z在这三点上做到了全面突破：　　亮点1　　强性能：30V耐压+14A大电流，扛住高压大电流冲击作为快充电路的“核心关卡”，EM14DN30Z的漏源电压高达30V，能轻松应对主流手机快充的高压需求;同时支持最大14A通流，即便是65W、120W级别的大电流快充，也能稳定承载，避免因电流过载导致的发热或性能衰减。　　亮点2　　低损耗：超低导通内阻，充电更快、更省电　　导通内阻(RON)是影响充电效率的关键指标——内阻越小，电能损耗越少，充电时的发热也越低。EM14DN30Z在这一指标上表现惊艳：　　- 当VGS=10V时，RD1D2(on)仅7.2mΩ;　　- 即便在VGS=4.5V的低电压驱动下，RD1D2(on)也仅9.5mΩ。　　超低内阻不仅能减少充电过程中的能量损耗，让充电速度再提一档，还能降低元器件发热，间接提升手机充电时的安全性与续航表现。　　亮点3　　小尺寸：2.0mm×2.0mm封装，给手机内部“省空间”如今的智能手机追求轻薄化，内部元器件的封装尺寸至关重要。EM14DN30Z采用CSP22L小型化封装，尺寸仅为2.0mm×2.0mm，球间距0.4mm——相比传统封装，能大幅节省PCB板空间，为手机厂商设计更轻薄的机身、更大容量的电池留出更多余地。　　EM14DN30Z典型应用　　硬核防护+广泛适配，覆盖主流快充场景。除了核心性能出众，EM14DN30Z的安全防护与场景适配能力也不容小觑：　　浪涌防护升级　　配合力芯微30V TVS(型号ES30P4N3LX)使用时，可实现±300V 8/20μs的浪涌防护，轻松应对充电过程中可能出现的电压波动，为手机充电口和内部电路筑起“安全屏障”;图2. EM14DN30配合TVS和驱动器的浪涌测试线路图(过压点配置7.2V)图3. EM14DN30配合TVS和驱动器300V 8/20us浪涌测试波形　　场景全面覆盖　　无论是单Type-C有线快充方案，还是Type-C有线+无线充的双输入方案，EM14DN30Z都能完美适配，满足不同手机机型的设计需求。图4. 单Type C 有线充典型应用图图5. Type C 有线充与无线充双输入应用　　从“能充电”到“快充电、安全充电、高效充电”，手机快充技术的每一步升级，都离不开核心元器件的突破。力芯微EM14DN30Z以“高压耐压大电流承载、超低内阻、小型化封装”为三大亮点，为智能手机快充提供了更优越的解决方案——如果你是手机行业从业者，或是对快充技术感兴趣的科技爱好者，这款MOS管绝对值得关注!

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力芯微

发布时间：2025-10-27 15:28 阅读量：459 继续阅读>>

华为新三折叠<span style='color:red'>手机</span>发布：搭载最强麒麟芯片，17999元起！

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华为新三折叠手机发布：搭载最强麒麟芯片，17999元起！

　　9月4日下午，华为在深圳召开Mate XTs非凡大师及全场景新品发布会。华为常务董事、终端BG董事长余承东正式发布了华为第二代量产旗舰三折叠手机Mate XTs非凡大师，售价17999元起。　　华为Mate XTs 非凡大师配备玄黑、皓白、槿紫、瑞红四款配色，内置10.2英寸的三折叠显示屏，具有16:11黄金比例、3184×2232分辨率，并采用COE像素超透光技术降低功耗13%，同时支持LTPO自适应帧率刷新和1-1800nits自适应亮度调节。　　在处理器方面，不同于以往旗舰手机发布时的只字不提，余承东在此次发布上透露，华为Mate XTs非凡大师配备了麒麟9020芯片。这也是时隔4年之后，华为首次公开在新品发布会上披露新一代麒麟芯片。　　根据此前的资料显示，麒麟9020拥有1个2.5GHz自研Taishan大核、3个2.15GHz自研Taishan中核、4个1.6GHz小核，并且支持超线程技术(8核12线程)，拥有10MB L3缓存和8MB系统缓存。GPU是Maleoon 920，主频为 840MHz。　　余承东表示，Mate XTs非凡大师使用麒麟9020芯片和鸿蒙系统后，手机深度优化，整机性能提升36%。余承东还宣布鸿蒙5.0系统设备数突破1400万。　　Mate XTs非凡大师还有一大重要特性，那就是可以运行鸿蒙PC版软件。华为还在应用商店开辟了专门的“三折叠PC应用专区”，用户可以在三折叠手机上下载专门适配的PC应用。　　余承东也指出，Mate XTs非凡大师可以将PC版办公、金融、绘图软件装入手机，是业内首次，可以带来更强大的编辑能力，“像电脑一样多窗口”。　　比如，Mate XTs第一次把PC版的金融软件装到手机里面，可以实时查看行情信息，进行深度数据分析，掌握市场动态，辅助用户进行投资决策，更专业更全面。“三折叠屏堪称炒股神器，用大屏看大盘，祝大家赚大钱。”余承东说道。　　Mate XTs非凡大师还带来了一款手写笔——华为M-Pen 3和星闪折叠键盘。据介绍，华为Mate XTs非凡大师三折叠手机搭配华为M-Pen 3，可实现全屏批注、分屏摘录、提笔速记、隔空演示、隔空刷剧等体验，还可以做投屏激光笔;折叠键盘则是华为由合作伙伴生产制作，适配华为 Mate XTs 三折叠手机，采用星闪连接技术，同时支持折叠收纳。并且这款折叠键盘表面就是触控板，支持更大面积的触控体验。　　余承东称，华为 Mate XTs 三折叠手机将超级移动生产力装进了口袋，支持 PC 级窗口交互、PC 级应用体验，同时拥有手写笔和折叠键盘配件等。　　影像配置方面，华为Mate XTs非凡大师将超光变主摄、超广角镜头、长焦摄像头升级为RYYB传感器，同时将超广角镜头分辨率提升至4000万像素，进光量提升40%。新增红枫原色摄像头，精准识别全局色彩信息，色彩还原度提升120%。　　通过搭载第八代ISP图像处理器，本机在多项影像性能上实现显著提升，实时数据处理能力提升200%，AI色彩引擎性能提升120%，AI视频降噪能力提升100%，AI实时HDR效果提升33%，带来更出色的影像体验。　　此外，华为Mate XTs非凡大师还内置5600mAh超薄硅负极大电池，支持第二代灵犀通信、天通卫星通信，还是行业首个接入中国地震局数据的手机，能实时联通全国1.5万个专业地震观察站点，将地震预警能力提升2.5倍，实现全国重点地区的秒级地震预警。　　值得一提的是，作为Mate XTs非凡大师的品牌大使，刘德华也现身发布会现场，诠释了华为Mate XTs非凡大师“开合间，见非凡”的理念。余承东则在现场回应称，“刘德华是我心中的非凡大师!”　　Mate XTs提供黑、红、白、紫等配色，16GB+256GB版本17999元，16GB+512GB版本19999元，16GB+1TB版本21999元，这三个版本相比前代均便宜了2000元。

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华为

发布时间：2025-09-05 15:18 阅读量：1000 继续阅读>>

航顺芯片：传音<span style='color:red'>手机</span>搭载航顺HK32F0301MC芯片，实现多场景酷炫灯效，如美如醉先享计划

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航顺芯片：传音手机搭载航顺HK32F0301MC芯片，实现多场景酷炫灯效，如美如醉先享计划

　　一、传音市场规模与增长　　传音控股2024年实现营业收入人民币687.15亿元，同比增长10.31%;归属于上市公司股东的净利润为55.49亿元，同比增长0.22%。其手机业务实现营业收入631.97亿元，同比增长10.20%。在非洲市场，传音2024年贡献了营收227.19亿元，同比增长2.97%，且智能机市场占有率超过40%，排名第一。此外，在南亚市场中，传音在巴基斯坦智能机市场占有率超过40%，排名第一;在孟加拉国智能机市场占有率为29.2%，排名第一;在印度智能机市场占有率为5.7%，排名第八。2024年，传音手机整体出货量约2.01亿部，是全球新兴市场的重要手机品牌。　　二、市场应用　　在非洲这片充满潜力的市场，除了传音，其他手机品牌也正奋力拓展自己的版图，共同挖掘着这片土地的巨大商机。其中诺基亚凭借其在功能机市场的深厚底蕴，依然拥有众多忠实用户，2024年在非洲功能机市场占比约15%。它以耐用性和简洁易用的操作系统吸引着大量追求实用性的消费者;三星作为全球知名品牌，2024年第四季度在非洲的市场份额为17%，凭借其丰富的产品线和先进的技术，在非洲智能机市场占据重要地位;华为则凭借卓越品质、创新科技及品牌影响力，在非洲智能机市场中占据一席之地，2024年市场份额约10%。此外，小米以高性价比和丰富配置，逐渐在非洲打开市场，2024年市场份额约8%;OPPO则凭借出色的拍照功能和时尚外观，吸引众多非洲年轻消费者，2024年市场份额约7%;r红米以“敢越级”的理念，用高性能且价格亲民的产品，迅速在非洲市场崭露头角，2024年市场份额约5%;还有LG，2024年市场份额约3%，其部分智能机产品在非洲也有一定销量。　　三、方案概述　　航顺HK32F0301MC是一款高性能、低功耗的32位ARM Cortex-M0处理器，主频最高可达48MHz，具有16KBytes的Flash和4KBytes的SRAM。其丰富的存储资源和强大的数据处理能力，能够满足传音手机背板灯效的各种复杂需求。完美实现充电动态变色灯效,灵动的系统通知呼吸灯效,酷炫时尚丰富多彩的游戏灯效,为外国人量身定制的 Party 模式灯效灯。同时，该芯片支持多种封装形式，可方便地集成到传音手机中，实现与手机主控芯片的高效通信，打造出绚丽多彩、个性化的背板灯效。　　四、方案核心优势　　(1)高性能表现：48MHz的主频和16K Flash、4K Sram的存储配置，能快速执行复杂的灯效控制算法和程序，确保背板灯效的流畅性和稳定性，无论是多种颜色的渐变、闪烁，还是根据音乐节奏、触摸操作等进行实时交互的灯效，都能轻松应对。　　(2)低功耗设计：具有运行、睡眠、停机等多种低功耗工作模式，可根据实际应用需求灵活选择，以降低系统功耗。在低功耗停机模式下，其电流仅5μA@5V，可有效延长设备的电池续航时间，避免因背板灯效的开启而对手机电池造成过大负担。　　(3)高性价比：价格相较于一些国外同类产品更具竞争力，能够为传音手机在不大幅增加成本的前提下，实现产品的差异化和附加值提升，增强了产品在市场中的竞争力。　　(4)强大的适配能力：适用于多种封装形式，如SON8、TSSOP16、TSSOP20、QFN20等，能够根据传音手机不同型号和设计要求进行灵活选择，方便集成，为传音手机的产品创新提供了更大的设计自由度。　　(5)兼容性强：能够直接替换进口产品，无需修改原理图及PCB，大大降低了企业的研发成本和风险，缩短了产品上市周期，为国内企业提供了一个高性价比的选择。　　实物图　　航顺HK32F0301MC系列MCU主要规格　　CPU 内核　　ARM® CortexTM-M0　　最高时钟频率：48MHz　　24 位System Tick 定时器　　支持中断向量重映射(通过Flash 控制器的寄存器配置)　　工作电压范围：2.4 V ~ 5.5 V产品概述　　工作温度范围：-40°C ~ +105°C　　典型工作电流：　　运行(Run)工作模式：2.751 mA@48 MHz@5V　　睡眠(Sleep)模式：0.997 mA@48 MHz@5V　　停机(Stop)模式：373.354 μA@5V(LDO 正常工作)　　低功耗停机(Low-power Stop)模式：6.876μA@5V(LDO 低功耗)　　16 KByte Flash(64 页，每页256 Byte;32 位数据读，32 位数据写)　　Flash 具有数据安全保护功能，可分别设置读保护和写保护　　4 KByte SRAM　　CRC 校验硬件单元　　时钟　　片内高速时钟(HSI)：48MHz　　片内慢速时钟(LSI)：60 kHz　　GPIO 外部输入时钟：32MHz(最大值)　　复位　　NRST 引脚上的低电平(外部复位)　　窗口看门狗事件(WWDG 复位)　　独立看门狗事件(IWDG 复位)　　电源复位　　软件复位(SW 复位)　　低功耗管理复位　　GPIO 端口　　最多支持18 个GPIO 端口　　每个GPIO 都可作为外部中断输入　　内置可开关的上、下拉电阻　　支持开漏(Open-Drain)输出　　输出驱动能力可配　　IOMUX 引脚功能多重映射控制器　　小型封装(如SOP8/TSSOP16)产品，可通过IOMUX 可以实现单根引脚对应多个GPIO 或外设IO 的映射控制。　　数据通信接口　　2 路高速(最高6 Mbit/s)UART　　1 路高速(最高400 kbit/s)I2C：MCU 在Stop 模式下，支持数据接收唤醒　　1 路高速(最高18 Mbit/s)SPI　　定时器及PWM 发生器　　1 个16 位高级PWM 定时器(共4 路PWM 输出，3 路带死区互补输出)　　1 个16 位通用PWM 定时器(共4 路PWM 输出)　　1 个16 位基本定时器(支持CPU 中断)　　1 个自动唤醒定时器(AWUT)，可用于MCU 停机(Stop)模式下工作　　片内模拟电路产品概述　　1 个12 位1 MSPS ADC(最多7 路外部模拟输入通道和2 路内部通道，支持差分对输入)　　1 个上/下电复位电路　　1 个欠压复位电路　　1 个内部参考电压(内部参考电压在片内被ADC 采样)　　CPU 跟踪与调试　　SWD 调试接口　　ARM® CoreSightTM 调试组件(ROM-Table，DWT，BPU)　　自定义DBGMCU 调试控制器(低功耗模式仿真控制、调试外设时钟控制、调试及跟踪接口分配)　　ID 标识　　每颗HK32F0301MxxxxC 芯片提供一个唯一的96 位ID 标识　　可靠性　　通过HBM7000V/CDM2000V/LU800mA 等级测试

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航顺芯片

发布时间：2025-08-13 13:59 阅读量：705 继续阅读>>

预估2025年折叠<span style='color:red'>手机</span>出货量将达1,980万支

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预估2025年折叠手机出货量将达1,980万支

　　2025年折叠手机出货量将达1,980万支，渗透率约1.6%，与2024年持平。尽管成长速度较前几年放缓，但受到技术进步与价格下调带动，折叠手机逐渐成为中高阶市场的技术焦点，以及品牌差异化利器。各大厂商正加速布局新品，并积极扩展产品线与价格区间，为2026年可能到来的市场爆发期作准备。　　三星居于折叠机领先地位，近期推出新一代旗舰机Galaxy Z Fold7，在铰链结构、折痕控制与重量厚度等方面均有明显优化。TrendForce集邦咨询表示，三星因面临其他品牌竞争，市场份额将受挑战，预估其全球市占率将从2024年的45.2%下降至2025年35.4%。　　2025年华为则有望延续在中国市场的强劲表现，全球市占位居第二，市占达34.3%。值得关注的是，荣耀与联想(Motorola)今年成长动能明显，预估市占将从2024年的6.0%和5.5%，分别提升2025年的9.1%与7.6%，展现两大品牌在中高阶折叠市场积极扩张的成果。　　小米也持续突破，并凭借MIX Flip系列打入轻量折叠机市场，预估市占率将从2024年的3.0%成长至今年的5.1%。其他品牌(如OPPO、vivo等)合计占比将达8.5%，显示折叠手机生态系逐步多元，竞争格局更加开放。　　TrendForce集邦咨询表示，即便技术与产品丰富度已大幅提升，折叠手机的全球销售成长依然相对温和，主因是消费者对折痕可见度、耐用性与价格仍持保留态度，尤其对非品牌忠实用户而言，换机诱因仍偏低。由于多数用户偏好高性价比和发展成熟的直板旗舰机，造成折叠手机短期的市场定位仍是“高阶实验性产品”。　　这一现象很可能于2026年出现转折。TrendForce集邦咨询指出，苹果很可能于明年下半年推出首款外屏幕5.5吋、内屏幕7.8吋的折叠手机。若苹果正式入局，高阶消费者对折叠产品的关注度与接受度有望快速提升。据了解，苹果产品将延续其一贯重视稳定性与生态整合的策略，并可能透过iOS深度优化操作场景和高度整合自研应用与硬件，进一步提升用户体验。　　整体而言，折叠手机对不再只是品牌展示创新能力的途径，已真正成为产品主线，从入门到旗舰机种都有完整规划。在价格逐步下降和材料更稳定的前提下，对消费者来说将不再遥不可及。TrendForce集邦咨询认为，苹果明年新品可望为折叠机市场带来真正的主流化契机，也为智能型手机产业注入新一波创新动力。

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手机

发布时间：2025-07-24 15:19 阅读量：1546 继续阅读>>

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江西萨瑞微：USB PD快充与Type-C接口静电防护，确保手机安全充电的关键技术

　　随着智能手机的普及和快充技术的发展,USB Power Delivery (PD)快充和USB Type-C接口已成为现代移动设备的标配。然而,这些先进技术在带来便利的同时,也为设备的静电防护带来了新的挑战。今天,让我们深入探讨USB PD快充和Type-C接口的静电防护问题,以及如何通过精心设计来确保手机的安全充电。　　USB PD快充技术　　USB PD是一种先进的快速充电协议,能够在USB连接上提供高达100W的功率。它通过动态协商电压和电流,实现了更快、更高效的充电。　　在日常使用USB PD快充充电器时，需要频繁地热插拔。如果其内部防护措施不到位的话，不仅会导致浪涌电流通过电源线进入内部电路损坏主控芯片，而且还容易引发输出瞬间大电流，影响充电稳定和安全，甚至导致受充设备损坏。不仅如此，USB PD快充充电器和快充移动电源产品在使用中，很容易与人体或其他带静电物体产生接触，而多数产品外壳的壳料与USB端口、呼吸灯、按键的连接处并不是无缝设计，外部静电很容易通过接缝进入主板中，导致产品损坏。　　USB Type-C接口的 ESD 防护　　大多数时候，我们都带着手机、智能手表、无线耳机等，这些设备都只能通过 USB 端口充电。使用电脑时，我们经常会使用USB 移动闪存驱动器(简称 U 盘)来传输文件。在车里给手机充电时，我们会使用标准的USB 端口。USB 在我们的日常生活中无处不在，参与我们的每一次数字体验的一部分。　　Type-C接口凭借其可逆插拔和多功能性成为新一代USB标准,但其密集的引脚排列和双向性也增加了静电防护的难度。　　USB PD快充与Type-C接口静电防护方案　　01.USB PD 快充　　想要生产出一款稳定安全的USB PD快充产品，其EOS防护/ESD静电保护措施必不可少。从物料成本、研发周期、生产流程等方面考虑，越来越多的厂商选择在USB PD快充接口内置浪涌和静电保护器件。那么，USB PD快充接口浪涌静电保护选用什么型号的TVS二极管呢?　　从萨瑞微电子USB PD快充接口浪涌静电保护方案图一，电源供电口萨瑞微电子选用SES2431P4、SEU0501P1做防护，具体根据充电电压大小来选择。工作电压为5V、24V，具有低钳位、低漏电流的特点，适合大浪涌保护;DFN2020-3L、DFN1006-2L封装，减小USB PD接口安装空间;符合IEC 61000-4-2(静电)±30kV(空气)和±30kV(接触)标准。　　在D+/D-数据接口和快充协议检测CC1/2接口静电防护中，萨瑞微电子推荐选用ESD二极管SEU0501P1，工作电压5V、峰值脉冲电流3A、DFN1006-2L封装;结电容低至0.5pF，保证高速数据信号的传输;符合IEC 61000-4-2(静电)±15kV(空气)和 ±10kV(接触)标准。　　02.Type-C接口　　保护 USB 接口不受静电放电 (ESD) 的影响十分重要。我们每天会数次在电子产品上插拔USB 数据线，在触碰或使用 USB 端口时，便可能遇到静电放电，这种情况十分常见。这些ESD 事件既可以由用户(人体)产生，也可以由数据线上存储的电荷产生。静电峰值电压可以达到数万伏，很容易损坏USB 收发器敏感的 CMOS 结构。因此，ESD防护对每个 USB 引脚都有着重要且必要的意义。　　作为最新款连接器之一的USB Type-C，在物理尺寸以及与主机和外围设备的连接方式方面，都明显不同于以前的版本。USB Type-C采用可正反插设计，总共24 个引脚，上下各 12 个引脚，支持朝上或朝下插入。　　SBU 和CC 引脚保护：由于USB Type-C 插头尺寸很小且引脚之间相隔很近，分立式单线瞬态电压抑制(TVS) 二极管非常适合保护端口免受 ESD 事件的影响。此外，分立式TVS 二极管对于电路设计师而言，可以更方便地布局和布线。参考图引脚配置，我们可以看到 CC 引脚和SBU 引脚紧挨着 VBUS 引脚。VBUS引脚最高可达 24V，所以如果发生短路，CC引脚和 SBU 引脚则会暴露在24V 的电压下。在这种情况下，TVS 二极管的最低击穿电压不低于24V 才能保护 CC 和SBU 引脚。根据 IEC 61000-4-5的要求，萨瑞微电子的SES2431P4能够承受500V浪涌电压!IEC 61000-4-2的要求，在±24kV(空气放电)和±17kV(接触放电)之间的高 ESD，并且能够保持电路正常工作!　　D+/D- 线路保护：D+/D-线路适用于 USB 2.0 接口，可以使用萨瑞微电子SEU0501P1、SEU0521P1S的进行保护。SEU0501P1属于 5V ESD，有着0.5pF 的最大结电容，采用的是DFN1006-2L超小型封装尺寸。　　推荐使用萨瑞微ESD\TVS系列　　以上是萨瑞微电子USB PD快充与Type-C接口静电防护方案，如有特殊需求，欢迎前来探讨。　　结论　　在追求更快充电速度和更高数据传输率的同时,我们不能忽视静电防护这一关键环节。通过精心的设计和选择合适的保护器件,我们可以在享受先进技术带来便利的同时,确保设备的可靠性和长期使用寿命。

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江西萨瑞微

发布时间：2025-07-18 13:13 阅读量：830 继续阅读>>

美光G9 NAND技术重磅发布！旗舰<span style='color:red'>手机</span>性能再攀巅峰

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美光G9 NAND技术重磅发布！旗舰手机性能再攀巅峰

　　在快节奏的今天，手机早已不是单纯的通讯工具，随着AI技术的不断发展，智能手机正在成为人类的AI助手。这背后，都依赖大容量高速存储系统!这一趋势将进一步推动边缘设备对内存和存储的需求。　　在2025年巴塞罗那世界移动通信大会(MWC25)上，美光亮出大招：宣布正在送样业界首款基于 G9 NAND的移动UFS 4.1和UFS 3.1产品。　　G9节点是美光的新一代创新型NAND技术，旨在为旗下所有存储解决方案带来前所未有的性能和密度优势。 G9对新一代移动通用闪存(UFS)移动产品到底有多强?一文揭秘!　　G9 NAND UFS 4.1：性能直接拉满　　美光G9 NAND移动UFS 4.1解决方案可为旗舰智能手机带来业界前沿的性能和创新，从而实现更快速、更灵敏的使用体验。　　速度更快、延迟更低：　　想象一下，手机中的虚拟助手能够充分理解您的指令，您还可以使用手机快速进行实时图片编辑，并在瞬间完成语言翻译。这些都是未来基于大语言模型(LLM)的AI应用，它们将彻底改变智能手机用户的数字体验。　　最终，这些服务将融合成功能强大的多模态AI代理，为用户提供快速、全面且具备情境感知能力的数字体验。为实现这一目标，智能手机需要快速访问海量数据集、降低延迟、提高响应速度，从而实现更流畅的终端用户体验。　　凭借超过4100MBps的顺序读写速度，美光G9 NAND移动UFS 4.1正在引领这一变革趋势。与上一代G8 UFS 4.0进行比较后，我们能清楚地看到G9 UFS 4.1带来的性能飞跃。　　512GB G9 UFS 4.1与512GB G8 UFS 4.0对比　　容量更大：　　更大的存储容量是提升本地计算和处理能力的因素之一。传统的云端AI系统需要将敏感数据通过网络传输后进行处理，存在数据泄露风险。边缘AI可在本地处理生成的数据，从根本上降低了上述风险。　　美光G9 UFS 4.1支持高达1TB的NAND大容量存储，可满足设备端处理大量数据的需求，让您的智能手机轻松处理复杂的计算任务。　　封装更小更薄：　　美光G9 NAND UFS 4.1不仅提高了容量，其更小更薄的外形可支持更具时尚感的创新智能手机设计。　　美光G9 NAND UFS 4.1采用业界前沿封装技术，1TB NAND UFS的封装尺寸仅有9x13x0.85毫米大小(与上一代G8 UFS 4.0相比)，可大幅节省手机内部空间，是下一代可折叠以及超薄智能手机设计的理想之选，其节约的空间可用于搭载更大容量的电池。　　专有功能优化：　　1. 数据碎片整理：　　智能手机的运行速度逐渐变慢，通常是由于数据碎片化—文件分散存储在各个地方，导致存储设备难以实现高效读取。　　美光专有的数据碎片整理功能可解决这一问题，它支持UFS设备的控制器绕过主机层，直接在NAND内部发出碎片整理命令。通过简化数据迁移过程，数据碎片整理功能可将读取速度提升高达60%(启用数据碎片整理与未启用数据碎片整理的对比)，从而提升智能手机的整体性能，包括日常任务和 AI 相关任务。　　简言之，数据碎片整理功能通过在内部处理数据迁移/碎片整理，提高读取性能并降低设备的负荷，使智能手机能够更快、更高效地访问文件，实现更流畅的使用体验。　　2. 增强型WriteBooster：　　借助美光的增强型WriteBooster功能，智能手机处理器可将常用数据“固定”在存储设备内部名为“WriteBooster”的指定区域内。　　利用该功能，处理器可以更轻松地将重要数据从存储设备动态加载到内存，确保处理过程更加高效，不会面临内存容量不足问题。　　内部测试数据表明，启用此功能后，随机读取速度可提高多达30%(启用增强型WriteBooster与未启用增强型WriteBooster的对比)。　　增强型WriteBooster功能可加速智能手机的应用启动速度、文件传输速度，让用户操作更加流畅。当用户需要同时使用日常应用和 AI 应用时，此功能尤为有用。　　在这种使用场景下，可利用增强型WriteBooster功能为AI模型的数据创建内存映射，从而实现更快的数据交换和读取。　　未固定的数据将从缓存缓冲区移至普通存储区域　　3. 智能延迟跟踪器(ILT)：　　美光的智能延迟跟踪器可监控系统和存储设备上的I/O存储延迟，以检测和分析影响智能手机性能的异常延迟，例如应用启动缓慢等。通过识别这些延迟问题，跟踪器可帮助智能手机OEM厂商优化系统，提升整体用户体验。　　此功能可确保智能手机能够高速流畅地运行各种AI应用和日常任务，例如打开相机、在相册中查找之前度假时拍摄的照片等。　　4. UFS分区(ZUFS)：　　想象一下，当您在旅行前收拾行李时，您的行李箱被整齐地划分为三个部分，分别用于放置袜子、衬衫和裤子，通过这种方式，您可以更快地找到所需物品。　　美光的UFS分区(ZUFS)功能以类似方式组织智能手机内的数据。ZUFS将具有相似I/O特性的数据集中存放到UFS设备内的特定区域中，能够尽可能减少数据搜索时间，从而提高读/写效率。　　这种简化的数据检索方式可确保系统响应更快、更流畅，就像在行李箱中取出预先放好的袜子一样。　　传统数据放置方式与分区数据放置方式的对比　　智能加速：面向未来的创新　　美光移动业务部门专注于提供先进的NAND闪存解决方案，并提供针对旗舰智能手机设计的定制功能。　　这些创新旨在加速边缘设备上的AI应用。通过与客户及生态系统伙伴合作，美光正在调整其产品和技术路线图，以便与AI及边缘计算的未来趋势保持一致。　　这种合作可确保未来的移动设备能够处理日益复杂的AI任务，以及数据密集型应用。G9 NAND以及众多新的固件功能正是美光致力于创新的例证。

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美光

发布时间：2025-05-07 11:26 阅读量：922 继续阅读>>

上海雷卯：快充<span style='color:red'>手机</span>vbus防护案例---SMD12CA SMD15CA SMD24CA

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上海雷卯：快充手机vbus防护案例---SMD12CA SMD15CA SMD24CA

　　智能手机越来越追求快充，功率越来越高，不仅对充电适配器要求高，对type-c接口也是挑战，所以快充手机的充电浪涌测试越来越严格。　　一、SMD12CA SMD15CA SMD24CA三颗防静电　　二极管性能优势　　这三颗料是作为USB接口Vbus电源接口静电浪涌保护常用料。推荐这三款的原因是如下：　　功率高，能抗大浪涌，这样频繁的热插拔也能保护内部电路。上海雷卯这几款做到5500W-6000W(8/20us),相对Nexperia semtech litttefuse 品牌的DFN2020系列参数一致，单成本只有一半。　　Flat-Clamp 技术，提供平坦和与温度无关的箝位电压，将受保护系统的残余电压降至最低，这样能更好的保护后级电路，VC超低。　　抗静电能力强：接触和空气都在30KV　　下表列出了主要参数：　　依靠以上优势性能目前手机充电口印度非洲都非常适合这几款大功率TVS。　　SMD12CA/15CA/24CA V/I 特性图如下：　　二、为什么手机USB接口要放TVS　　二极管　　首先一点，手机USB接口我们插拔的次数比较多，第二，日常使用中因摩擦、触碰容易接触到，所以这一接口在出厂之前必定要做ESD测试认证，即 IEC 61000-4-2 测试。　　我们知道静电和浪涌可能会对手机 USB 口及内部电路造成严重损害。静电产生时瞬间的高电压可能会击穿 USB 口的电路元件。我们插拔USB接口容易产生EOS这都会对内部元件造成浪涌，强大的电流冲击可能损坏手机的芯片和其他电子元件。所以我们需要对手机USB接口做静电保护，延长手机使用寿命，确保数据安全，稳定性能。　　三、常见的保护措施　　1. 内置保护电路：许多手机在设计时已经内置了一定程度的静电浪涌保护电路，例如使用瞬态电压抑制二极管(TVS)等元件来吸收过高的电压和电流。　　2. 使用保护配件：如带有静电浪涌保护功能的数据线、充电器等，可以在外部提供额外的保护。　　四、上海雷卯针对手机USB接口静电浪涌保护方案　　手机USB接口静电浪涌保护示意图如下：　　USB接口静电保护元件参数列表：

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发布时间：2024-09-19 09:31 阅读量：1294 继续阅读>>

太阳诱电：扩充智能<span style='color:red'>手机</span>的多层型金属功率电感器

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太阳诱电：扩充智能手机的多层型金属功率电感器

　　-与本公司以往商品相比，直流叠加特性提高了20%，直流电阻降低了10%–　　太阳诱电株式会社开始了多层型金属功率电感器 MCOIL™ LSCN 系列“LSCND1412FETR47ME” (1.4x1.2x0.65mm，高度为最大值)等 3 个产品的量产。　　这些商品是用于智能手机的电源电路用扼流圈的功率电感器。“LSCND1412FETR47ME”与本公司以往产品“LSCND1412FETR47MC”(1.4x1.2x0.65mm)相比，在形状不变的情况下，直流叠加允许电流值增加了 20%，达到 3.6A(以往产品为 3.0A);直流电阻降低了 10%，达到 38mΩ(以往产品为 42mΩ 相比)。这将有助于推进“高功能化和多功能化日益发展的智能手机”的电源电路的高性能化。　　这些商品从 2024 年 5 月开始在本公司的子公司和歌山太阳诱电(和歌山县日高郡印南町)开始了量产。　　智能手机利用 AI 编辑图像和视频，翻译语音和文本等，性能日益提升。另一方面，为了在控制框体尺寸的同时，以有限的电池容量实现长时间驱动，也要求高效化。为了兼顾高性能和高效率，处理器在低电压、大电流下高速驱动的同时，还会多核化，并在每个内核上搭载电源电路，根据负载改变所使用的内核，从而实现处理能力的提升和效率的改善。这种电源电路的趋势在需要兼顾高性能化和高效化的最尖端智能手机中尤为明显，近年来采用小型、薄型且能够支持大电流的低电感产品的功率电感器的情况不断增加。　　因此，太阳诱电使用具有高直流叠加特性的金属磁性材料，优化了具有小型化、薄型化优势的叠层金属类功率电感器 MCOIL™LSCN 系列的设计等，实现了“LSCND1412FETR47ME”等 3 个项目的商品化，与本公司以往产品相比，直流叠加允许电流值提高了 20%，直流电阻降低了 10%。　　为满足市场需求，我们将以高功能、高可靠性、更小、更薄等方式不断扩充产品阵容。　　/ 用途用于智能手机等的电源电路的扼流圈。/ 规格　　*1 额定电流值(Idc1)是指直流电流负荷时，电感值变化率在 30%以内的电流值(at 20℃)　　*2 额定电流值(Idc2)是指直流电流负荷时，由于自身发热导致温度上升至 40℃以下时的电流值(at 20℃)　　*3 额定电流值为 Idc1(max)或 Idc2(max)中较低的直流电流值　　* “MCOIL”是太阳诱电株式会社在日本及其他国家的注册商标或商标。　　* 文中记载的系列名称摘录用于区分产品种类

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太阳诱电

发布时间：2024-09-13 16:07 阅读量：1094 继续阅读>>

“Radisol”，一款可改善智能<span style='color:red'>手机</span>Wi-Fi天线性能的村田新产品

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“Radisol”，一款可改善智能手机Wi-Fi天线性能的村田新产品

　　株式会社村田制作所开发了村田首款(1)天线抗干扰器件‘Radisol’。Radisol是一款可配备到天线上来抑制无线性能下降的新产品，该产品已于2024年6月开始量产，并已用在Motorola Mobility LLC 2024年8月开始销售的智能手机“Edge系列”新机型。摩托罗拉通过采用Radisol改善了其智能手机Wi-Fi天线的性能。　　近年来，智能手机和可穿戴终端已开始配备Wi-FiTM、Bluetooth®和GPS等很多无线通信功能，并且高密度地安装了与每种无线通信标准相对应的天线来发射和接收信号。此外，为了提高通信质量，组合使用多个天线的MIMO(2)和非地面网络(NTN(3))逐步普及，因此，终端中配备的天线数量有进一步增加的倾向。如果高密度地安装频带相近的天线，一些本应放射到空间的功率会干扰近邻天线并流入其中，导致天线的放射特性降低。通过让天线彼此保持足够的距离可以确保隔离并预防干扰，但对于智能手机和可穿戴终端来说，在狭小的外壳内确保空间非常困难。因此，迄今为止，通常使用分立元件在干扰天线上形成被称为储能电路(4)的滤波器功能来抑制天线间的干扰。然而，该方法存在一个问题：由于受到储能电路的插入损耗(5)影响，虽然受到干扰的天线的特性得到了改善，但插入储能电路一侧的天线特性会劣化。　　因此，村田通过特有的陶瓷多层技术和RF电路设计技术，开发了兼顾高精度滤波器特性和低插入损耗的Radisol。通过在天线周边使用Radisol，能以较低的插入损耗来预防近距离天线之间的干扰。此外，Radisol体积小，因此有助于在智能手机和可穿戴终端等在有限空间内配备多个天线的设备中稳定无线通信功能。　　主要特点　　1. 优化天线特性　　可以将对天线通频带的影响降至很低，并针对天线之间的干扰引起的放射效率降低采取措施。　　可以提高天线效率、稳定无线通信质量并降低设备的耗电量。　　2. 节省空间并改善天线之间的干扰　　使用分立元件来实施干扰对策时，需要一定的空间，本产品是尺寸为0603的小型产品，单片即可满足需求，因此可以用超小的空间改善天线之间的干扰。　　3. 丰富的产品阵容　　使用分立元件形成储能电路时，需要花时间对常数进行调整。Radisol已经预先假设可能需要实施对策的天线组合并准备了11种类型的产品阵容。主要规格　　今后，村田将继续根据市场需求努力扩充Radisol的产品阵容，以应对更加多样化的天线组合。此外，村田还将支持电子设备的小型化和使用先进的无线技术，致力于实现繁荣富足的社会。　　注释：　　村田2024年8月4日调查结果。　　MIMO：Multi Input Multi Output的缩写。在发射器和接收器双方使用多个天线来提高通信质量和速度的技术。　　NTN：Non-Terrestrial Network的缩写。包括移动通信在内的无线通信网络的一种，指的是将地面基站、海上船舶、高空无人机(HAPS)和配置在太空的通信卫星进行多层连接而形成的网络。　　储能电路：将电感器和电容器并联而形成的谐振电路。在特定的谐振频率下，能产生电感器和电容器好像都不存在的效果。在干扰对策中，它被作为将特定范围内的频率分量截断的带阻滤波器(BSF)使用。　　插入损耗：信号通过传输路径时损失的功率量。

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发布时间：2024-08-28 15:05 阅读量：1011 继续阅读>>

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MC33074DR2G	onsemi
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BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
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TPS63050YFFR	Texas Instruments
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